JPS6229136A - 荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置Info
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- JPS6229136A JPS6229136A JP16804985A JP16804985A JPS6229136A JP S6229136 A JPS6229136 A JP S6229136A JP 16804985 A JP16804985 A JP 16804985A JP 16804985 A JP16804985 A JP 16804985A JP S6229136 A JPS6229136 A JP S6229136A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は例えば半導体集積回路のパターンを描くため
に用いる電子ビーム露光におけるマーク位′Ｉｌ検出方
法及びこの方法を用いたマーク位置検出装置に関する。
に用いる電子ビーム露光におけるマーク位′Ｉｌ検出方
法及びこの方法を用いたマーク位置検出装置に関する。
「従来の技術」
荷電粒子ビームの一つに電子ビームがある。電子ビーム
を利用した露光装置では電子ビームの位置と半導体ウェ
ハーの位置関係を合致させるための作業を必要とする。
を利用した露光装置では電子ビームの位置と半導体ウェ
ハーの位置関係を合致させるための作業を必要とする。
つまり半導体ウェハーに予め第３図に示すように十字状
の凹溝によって形成したマーク３００を付しておき、こ
のマーク３００の位置を第４図に示すように電子ビーム
４００によって走査することにより凹溝３００のエツジ
３０１．３０２において電子光学鏡筒内に設置されてい
る反射電子検出器で検出される反射電子量が急変するこ
とに着目し、例えば同一方向に配置された２つの反射電
子検出器から得られる検出信号を加算して第４図Ｂに示
すようなエツジの位置で信号の変化が急しゅんとなる信
号（和信号）を得て、この波形信号と任意のスライス・
レベルとを比較して第４図Ｃのような信号を得、その信
号の中心点Ｓをマーク位置と規定する。このマーク検出
信号を検出することによって得られる位置情報と電子ビ
ームの偏向装置に与えられている偏向信号の位置情報と
を照合し、その照合の結果によって偏向信号を補正し電
子ビームの偏向位置と半導体ウェハー上の位置を合致さ
せる動作を行っている。
の凹溝によって形成したマーク３００を付しておき、こ
のマーク３００の位置を第４図に示すように電子ビーム
４００によって走査することにより凹溝３００のエツジ
３０１．３０２において電子光学鏡筒内に設置されてい
る反射電子検出器で検出される反射電子量が急変するこ
とに着目し、例えば同一方向に配置された２つの反射電
子検出器から得られる検出信号を加算して第４図Ｂに示
すようなエツジの位置で信号の変化が急しゅんとなる信
号（和信号）を得て、この波形信号と任意のスライス・
レベルとを比較して第４図Ｃのような信号を得、その信
号の中心点Ｓをマーク位置と規定する。このマーク検出
信号を検出することによって得られる位置情報と電子ビ
ームの偏向装置に与えられている偏向信号の位置情報と
を照合し、その照合の結果によって偏向信号を補正し電
子ビームの偏向位置と半導体ウェハー上の位置を合致さ
せる動作を行っている。
マーク３００ は第５図に示すようにユニットエリア（
例えば、１列のチップ群から成る描画単位）５００に沿
って複数設けられる。この複数のマーク３００を用いて
ユニットエリア５００を長手方向に細分化し、４個のマ
ーク３００によって囲まれた各細分化領域内の位置合わ
せ補正係数を求め、この位置合わせ補正係数を用いて各
細分化領域内座標と電子ビームの偏向座標とを合致させ
、内部にパターンの描画を行っている。５０１はマーク
３００を検出する場合の電子ビームの走査領域を示す、
５０２は４個のマークによって囲まれたパターンの各描
画領域を示す。
例えば、１列のチップ群から成る描画単位）５００に沿
って複数設けられる。この複数のマーク３００を用いて
ユニットエリア５００を長手方向に細分化し、４個のマ
ーク３００によって囲まれた各細分化領域内の位置合わ
せ補正係数を求め、この位置合わせ補正係数を用いて各
細分化領域内座標と電子ビームの偏向座標とを合致させ
、内部にパターンの描画を行っている。５０１はマーク
３００を検出する場合の電子ビームの走査領域を示す、
５０２は４個のマークによって囲まれたパターンの各描
画領域を示す。
従来のマーク検出方法はマークを検出するときはステー
ジの移動を停止させ半導体ウェハーが停止している状態
でマーク位置付近を電子ビームによって走査し、マーク
位置の検出を行っている。
ジの移動を停止させ半導体ウェハーが停止している状態
でマーク位置付近を電子ビームによって走査し、マーク
位置の検出を行っている。
マーク検出動作はパターンの描画領域を更新する毎に行
う必要があるためその回数は多くの数となる。
う必要があるためその回数は多くの数となる。
このようにマーク検出毎にステージの移動を停止させて
いると全パターンの描画終了までに時間が掛かる不都合
が生じる。
いると全パターンの描画終了までに時間が掛かる不都合
が生じる。
このため生産性を向上させる目的で例えば［特開昭５８
−２００５３６号公報」に開示されているようにステー
ジを連続移動させながらマーク検出を行う方式が考えら
れている。
−２００５３６号公報」に開示されているようにステー
ジを連続移動させながらマーク検出を行う方式が考えら
れている。
このマーク検出方式によればウェハーを連続移動させな
がら、マーク検出を行うものであるためマーク検出に伴
うむだ時間が減少し、結果的に全パターンの描画時間が
短縮され時間当たりの処理能力が向上する。
がら、マーク検出を行うものであるためマーク検出に伴
うむだ時間が減少し、結果的に全パターンの描画時間が
短縮され時間当たりの処理能力が向上する。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで試料が連続的に移動している状態においてマー
ク検出を行った場合、マーク検出信号に試料の移動に伴
う歪みが第４図りに示すようにマーク位置に対して非対
称波形となって発生する。
ク検出を行った場合、マーク検出信号に試料の移動に伴
う歪みが第４図りに示すようにマーク位置に対して非対
称波形となって発生する。
このマーク検出信号の波形歪みによる影響はマーク検出
位置の位置すれとして現れる。つまり第４図りに示す例
では正規の位ｉｓがＳＳで示す位置にずれた場合を示す
。このマーク検出位置の検出位置のずれは集積度を向上
させるとき障害となる。
位置の位置すれとして現れる。つまり第４図りに示す例
では正規の位ｉｓがＳＳで示す位置にずれた場合を示す
。このマーク検出位置の検出位置のずれは集積度を向上
させるとき障害となる。
（マーク検出信号に歪みが発生する理由）マーク検出器
は例えば第６図に６００ として示すようにステージ６
０１の上面に対向して環状に４個程度の反射電子検出器
６００＾、 ６００Ｂ、 ６００Ｃ，６０００゜を設け
て構成することができる。マーク検出はこの反射電子検
出器６００＾、 ６００Ｂ、 ６００Ｃ，６０００に検
出される反射電子の量が急激に変化する２点の間でマー
ク位置を規定する。尚第６図において６０２は電子銃、
６０３は主偏向器、６０４は副偏向器、６０５は電子ビ
ームを示す。
は例えば第６図に６００ として示すようにステージ６
０１の上面に対向して環状に４個程度の反射電子検出器
６００＾、 ６００Ｂ、 ６００Ｃ，６０００゜を設け
て構成することができる。マーク検出はこの反射電子検
出器６００＾、 ６００Ｂ、 ６００Ｃ，６０００に検
出される反射電子の量が急激に変化する２点の間でマー
ク位置を規定する。尚第６図において６０２は電子銃、
６０３は主偏向器、６０４は副偏向器、６０５は電子ビ
ームを示す。
ここでマーク検出器６００から得られる検出電流ｉｌ、
は次式より概算できる。
は次式より概算できる。
ｉ、＝Ｇ−に−ｒ・（Ｊ−讐・（１）
・Ω・ｃｏｓ θ ・・−・−・−・−−一
一一・−（１１γ：試料の電子反射率、Ｊ：ビーム電流
密度、Ｈ：ビームサイズ、Ω＝ビーム照射点からマーク
検出器６００を見たときの立体角、θ：マーク検出器の
試料面に対する取付角度、Ｋ；ビームの試料に対する入
射角度の影響を表す係数、入射角が０のときに＝１とな
る。Ｇ：検出器６００の利得をそれぞれ示す、これら角
度パラメータのうち、ステージ６０１が移動することに
よって変化するパラメータはΩ及びＫである。従って検
出電流１０は、＋ｏ−ｆ（Ω、に）−・−・・・・・・
・−・−・−・−・・・・・・−・・・・・・−・・−
（２）パラメータΩ及びＫはビーム照射点によって決ま
゛るので位置の関数としてとらえることができる。
一一・−（１１γ：試料の電子反射率、Ｊ：ビーム電流
密度、Ｈ：ビームサイズ、Ω＝ビーム照射点からマーク
検出器６００を見たときの立体角、θ：マーク検出器の
試料面に対する取付角度、Ｋ；ビームの試料に対する入
射角度の影響を表す係数、入射角が０のときに＝１とな
る。Ｇ：検出器６００の利得をそれぞれ示す、これら角
度パラメータのうち、ステージ６０１が移動することに
よって変化するパラメータはΩ及びＫである。従って検
出電流１０は、＋ｏ−ｆ（Ω、に）−・−・・・・・・
・−・−・−・−・・・・・・−・・・・・・−・・−
（２）パラメータΩ及びＫはビーム照射点によって決ま
゛るので位置の関数としてとらえることができる。
ｉ ｏ ＝ Ｆ （Ｐ ） −−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−一−−−・−−−−＋３１ここ
でＰはビーム照射位置を表す。
−−−−−−−−−−−一−−−・−−−−＋３１ここ
でＰはビーム照射位置を表す。
ステージを連続移動させている状態でマークが存在しな
い全く平坦な領域をマークがあるかの如くビーム走査位
置をマークに追従させて移動させたとすると、マーク検
出器６００から出力される検出信号ｉ、は一定値を示す
はずであるが、実際は上記した理由によってパラメータ
Ω及びＫが変化するため一定値にならない。
い全く平坦な領域をマークがあるかの如くビーム走査位
置をマークに追従させて移動させたとすると、マーク検
出器６００から出力される検出信号ｉ、は一定値を示す
はずであるが、実際は上記した理由によってパラメータ
Ω及びＫが変化するため一定値にならない。
このような理由からステージを連続移動させながらマー
クを検出すると、そのマーク検出波形に第４図Ｅに示す
ように歪みが生じ、この歪みによってマーク検出位置が
ＳからＳＳに変化し、検出誤差が発生する欠点がある。
クを検出すると、そのマーク検出波形に第４図Ｅに示す
ように歪みが生じ、この歪みによってマーク検出位置が
ＳからＳＳに変化し、検出誤差が発生する欠点がある。
「問題点を解決するための手段」
この発明では予めマーク検出モードと同一走査条件によ
って基準平坦面を走査し、そのとき得られるマーク検出
信号を補正データとして取込むと共に、この補正データ
を使って本来のマーク位置を走査して得られるマーク検
出信号を補正し、この補正によってマーク検出信号の波
形歪みを修正し、位置ずれのないマーク検出信号を得る
ことができるようにしたマーク検出方法を提供し、更に
このマーク検出方法を利用したマーク検出装置を提供す
るものである。
って基準平坦面を走査し、そのとき得られるマーク検出
信号を補正データとして取込むと共に、この補正データ
を使って本来のマーク位置を走査して得られるマーク検
出信号を補正し、この補正によってマーク検出信号の波
形歪みを修正し、位置ずれのないマーク検出信号を得る
ことができるようにしたマーク検出方法を提供し、更に
このマーク検出方法を利用したマーク検出装置を提供す
るものである。
「実施例」
第１図にこの発明の一実施例を示す。第１図はステージ
の上面を示す。ステージ６旧の上面には半導体ウェハー
１００が搭載されている。ステージ６０１ の端部には
各種の測定器１０１ 、１０２が配置されている部分１
０３を有し、この測定器設置部分１０３内に電子の反射
率が半導体ウェハー１００ と同等となるように選定さ
れた基準平坦面１０４を設ける。
の上面を示す。ステージ６旧の上面には半導体ウェハー
１００が搭載されている。ステージ６０１ の端部には
各種の測定器１０１ 、１０２が配置されている部分１
０３を有し、この測定器設置部分１０３内に電子の反射
率が半導体ウェハー１００ と同等となるように選定さ
れた基準平坦面１０４を設ける。
この発明においてはこの基準平坦面１０４を連続移動さ
せながら電子ビームによってこの基準平坦面１０４をマ
ーク検出時と同一条件で走査する。このときマークの移
動に追従して電子ビームが走査するマーク検出領域５０
１が移動するからマーク検出器６００を見込む立体角Ω
の変化と、ビームの入射角度の影響を表す係数にの変化
に対応して変動する信号が得られる。この信号を高速サ
ンプリングし、ＡＤ変換して記憶器に記憶する。
せながら電子ビームによってこの基準平坦面１０４をマ
ーク検出時と同一条件で走査する。このときマークの移
動に追従して電子ビームが走査するマーク検出領域５０
１が移動するからマーク検出器６００を見込む立体角Ω
の変化と、ビームの入射角度の影響を表す係数にの変化
に対応して変動する信号が得られる。この信号を高速サ
ンプリングし、ＡＤ変換して記憶器に記憶する。
このデータを基に各データ値が一定値となる補正係数を
求め、この補正係数を電子ビームの位置に対応付けした
アドレスを持つ記ｊｌｌ器に書込んで補正係数表を得る
。この補正係数表を得ることによって較正動作を終了す
る。
求め、この補正係数を電子ビームの位置に対応付けした
アドレスを持つ記ｊｌｌ器に書込んで補正係数表を得る
。この補正係数表を得ることによって較正動作を終了す
る。
較正動作を終了すると実際のパターン描画動作に入る。
パターン描画動作に入るとき電子ビームの位置と半導体
ウェハー１００ との間の位置合わせを行う、この位置
合わせは半導体ウェハー１００上のマーク３００を電子
ビームによって走査することによって行う。マーク３０
０を走査するとき電子ビームの走査と同期して補正係数
表を読出し、この補正係数表から読出した補正係数によ
ってマーク検出信号を各走査点毎に補正する。
ウェハー１００ との間の位置合わせを行う、この位置
合わせは半導体ウェハー１００上のマーク３００を電子
ビームによって走査することによって行う。マーク３０
０を走査するとき電子ビームの走査と同期して補正係数
表を読出し、この補正係数表から読出した補正係数によ
ってマーク検出信号を各走査点毎に補正する。
この補正によりマーク検出領域５０１が移動することに
よって生じるマーク検出信号の波形歪みを補正する。
よって生じるマーク検出信号の波形歪みを補正する。
この補正されマーク検出信号をレベル比較器によってレ
ベル比較を行うことによりマーク位置を判定する。
ベル比較を行うことによりマーク位置を判定する。
この結果マーク位置の判定は波形歪みが除去された信号
の波形によって行われるから正しいマークの位置を検出
することができる。
の波形によって行われるから正しいマークの位置を検出
することができる。
第２図にこの出願の第２発明であるマーク検出装置の実
施例を示す。図中２００は内部を真空状態にすることが
できる電子光学鏡筒を示す。この電子光学鏡筒２００の
内部には上端に電子ビーム６０５を発生する電子銃６０
２が設けられる。電子ビーム６０５の通路に沿って電子
ビーム６０５を偏向させる一Ｌ偏向２Ｓ６０３ と、１
１偏向器６０４が設けられ、更にステージ６０１の表面
と対抗してマーク検出器６００が設けられる。主偏向器
６０３は一般にｉａｍ偏向器が用いられ、副偏向器６０
４は静電偏向器が用いられる。
施例を示す。図中２００は内部を真空状態にすることが
できる電子光学鏡筒を示す。この電子光学鏡筒２００の
内部には上端に電子ビーム６０５を発生する電子銃６０
２が設けられる。電子ビーム６０５の通路に沿って電子
ビーム６０５を偏向させる一Ｌ偏向２Ｓ６０３ と、１
１偏向器６０４が設けられ、更にステージ６０１の表面
と対抗してマーク検出器６００が設けられる。主偏向器
６０３は一般にｉａｍ偏向器が用いられ、副偏向器６０
４は静電偏向器が用いられる。
２０】 は描画制御装置を示す、この描画制御装置２０
１に半導体ウェハー１００に描（べきパターンデータ及
びマーク位置検出モードにおける偏向データを記ｊｌｌ
Ｌだ記憶器を内蔵し、この記憶器から読出されたパタ
ーンデータ及びマーク検出用偏向データをＯＡ変換器を
含む増幅器２０２及び２０３に与えマーク検出のための
偏向走査とパターン描画動作を行う。
１に半導体ウェハー１００に描（べきパターンデータ及
びマーク位置検出モードにおける偏向データを記ｊｌｌ
Ｌだ記憶器を内蔵し、この記憶器から読出されたパタ
ーンデータ及びマーク検出用偏向データをＯＡ変換器を
含む増幅器２０２及び２０３に与えマーク検出のための
偏向走査とパターン描画動作を行う。
２０４ はこの発明によるマーク検出装置を示す。
この発明によるマーク検出装置２０４ はマーク検出器
６００からｊ３られる信号を増幅する増幅器２０５と、
この増幅器２０５の出力側に得られるマーク検出信号を
高速ＡＤ変換するＡＤ変換器２０６ と、較正動作にお
いてＡＤ変換器２０６から出力されるディジタル符号化
された較正用マーク検出信号を取込む記憶器２０７ と
、この記憶器２０７ に取込んだマーク検出のための偏
向モードにおいて各走査点毎にデータ値が一定となるよ
うに補正係数を求める演算手段２０８と、この演算手段
２０８によって算出した補正係数を補正係数表として記
憶する記憶器２０９ と、マーク検出モードにおいて記
憶器２０９にビーム６０５の偏向位置に対応したアドレ
ス信号を与えて読出すアドレスカウンタ２１１ と、記
憶器２０９から読出した補正係数とＡｎ変換器２０６か
ら得られるマーク検出信号を各走査点毎に例えば乗算し
、マーク検出信号の波形歪を修正する補正手段２１２
と、この補正手段２１２によって補正されたマーク検出
信号のレベルを比較し、マーク位置を検出するレベル比
較ｆｆ１Ｓ２１３ と、このレベル比較器２１３によっ
て検出したマーク検出位置情報を描画制御回路２０１
に帰還させ、電子ビーム６０５の位置ずれを修正する動
作及び演算手段２０８で算出した補正係数を記ｔｑ器２
０９に転送する制御、アドレスカウンタ２１１ にクロ
ックパルスを与える動作を行う制御装置２１４ とによ
って構成される。
６００からｊ３られる信号を増幅する増幅器２０５と、
この増幅器２０５の出力側に得られるマーク検出信号を
高速ＡＤ変換するＡＤ変換器２０６ と、較正動作にお
いてＡＤ変換器２０６から出力されるディジタル符号化
された較正用マーク検出信号を取込む記憶器２０７ と
、この記憶器２０７ に取込んだマーク検出のための偏
向モードにおいて各走査点毎にデータ値が一定となるよ
うに補正係数を求める演算手段２０８と、この演算手段
２０８によって算出した補正係数を補正係数表として記
憶する記憶器２０９ と、マーク検出モードにおいて記
憶器２０９にビーム６０５の偏向位置に対応したアドレ
ス信号を与えて読出すアドレスカウンタ２１１ と、記
憶器２０９から読出した補正係数とＡｎ変換器２０６か
ら得られるマーク検出信号を各走査点毎に例えば乗算し
、マーク検出信号の波形歪を修正する補正手段２１２
と、この補正手段２１２によって補正されたマーク検出
信号のレベルを比較し、マーク位置を検出するレベル比
較ｆｆ１Ｓ２１３ と、このレベル比較器２１３によっ
て検出したマーク検出位置情報を描画制御回路２０１
に帰還させ、電子ビーム６０５の位置ずれを修正する動
作及び演算手段２０８で算出した補正係数を記ｔｑ器２
０９に転送する制御、アドレスカウンタ２１１ にクロ
ックパルスを与える動作を行う制御装置２１４ とによ
って構成される。
この構成によれば描画の開始に当って記憶器２０９に補
正係数表を得るための較正動作を行う。この構成動作は
ステージ６０１ に設けた基準平坦面１０４をマーク検
出モードと同じ偏向条件で走査し、このときマーク検出
器６００から得られる信号をＡＤ変喚器２０６によって
ＡＤ変換する。このＡＤ変換の速度はマーク位置を囲む
領域５０１（第５図）内において電子ビーム６０５が例
えば０．０２μｍ移動する毎にＡＤ変換を行う、つまり
マーク位置検出領域５０１内を０．０２μｍの分解能で
位置信号をＡＤ変換する。
正係数表を得るための較正動作を行う。この構成動作は
ステージ６０１ に設けた基準平坦面１０４をマーク検
出モードと同じ偏向条件で走査し、このときマーク検出
器６００から得られる信号をＡＤ変喚器２０６によって
ＡＤ変換する。このＡＤ変換の速度はマーク位置を囲む
領域５０１（第５図）内において電子ビーム６０５が例
えば０．０２μｍ移動する毎にＡＤ変換を行う、つまり
マーク位置検出領域５０１内を０．０２μｍの分解能で
位置信号をＡＤ変換する。
基準平坦面１０４を走査して得られたディジタル信号を
記憶器２０７に取込むと共に、この記憶器２０７に取込
んだデータを演算手段２０８に与え、各走査点における
信号の値が一定値となるような補正係数を求める。この
補正係数は制御回路２１４を介して記憶器２０９に転送
され電子ビームの偏向位置に対応した各アドレスにそれ
ぞれの補正係数を書込む、このようにして記憶器２０９
に電子ビームの走査位置に対応した補正係数表を得る。
記憶器２０７に取込むと共に、この記憶器２０７に取込
んだデータを演算手段２０８に与え、各走査点における
信号の値が一定値となるような補正係数を求める。この
補正係数は制御回路２１４を介して記憶器２０９に転送
され電子ビームの偏向位置に対応した各アドレスにそれ
ぞれの補正係数を書込む、このようにして記憶器２０９
に電子ビームの走査位置に対応した補正係数表を得る。
記憶器２０９に補正係数表を得た後はステージ６００を
移動させ描画すべきユニットエリア５０ｏの位置に電子
ビームの走査右頁域５０１が対向する状態に制御する。
移動させ描画すべきユニットエリア５０ｏの位置に電子
ビームの走査右頁域５０１が対向する状態に制御する。
ユニットエリア５００の頭部においてマーク３００を囲
む領域５０１を走査する。このマーク検出領域５０１を
走査するとき電子ビームの走査と同期して記憶器２０９
から補正係数を読出し、その補正係数によって補正手段
２１２においてマーク検出信号を補正し、マーク検出信
号の波形歪を修正する。この補正動作は掛算動作によっ
て行うことができる。
む領域５０１を走査する。このマーク検出領域５０１を
走査するとき電子ビームの走査と同期して記憶器２０９
から補正係数を読出し、その補正係数によって補正手段
２１２においてマーク検出信号を補正し、マーク検出信
号の波形歪を修正する。この補正動作は掛算動作によっ
て行うことができる。
修正されたマーク検出信号をレベル比較器２１３に与え
マーク位置を検出する。マーク位置の検出は順次行われ
る。これら各マーク３００についても同様に波形修正を
施してマーク位置の検出を実行する。
マーク位置を検出する。マーク位置の検出は順次行われ
る。これら各マーク３００についても同様に波形修正を
施してマーク位置の検出を実行する。
「発明の効果」
上述したようにこの発明によればマーク位置検出のため
のマーク検出信号の波形歪みを修正し、その修正したマ
ーク検出信号を利用してレベル比較を行ってマーク位置
を規定するようにしたから、各マーク位置において精度
よくマークの位置を検出することができる。
のマーク検出信号の波形歪みを修正し、その修正したマ
ーク検出信号を利用してレベル比較を行ってマーク位置
を規定するようにしたから、各マーク位置において精度
よくマークの位置を検出することができる。
よって電子ビームの位置と半導体ウェハーの位置関係を
精度よく合致させることができ、この結果集積度を向上
させるためにパターン相互間の間隔が小さくなってもそ
の位置を正確に区別して描くことができ集積度の向上を
達することができる。
精度よく合致させることができ、この結果集積度を向上
させるためにパターン相互間の間隔が小さくなってもそ
の位置を正確に区別して描くことができ集積度の向上を
達することができる。
尚上述では荷電粒子ビームとして電子ビームを例示して
説明したが、その他の荷電粒子ビームを用いる場合にも
この発明を適用することができる。
説明したが、その他の荷電粒子ビームを用いる場合にも
この発明を適用することができる。
第１図はこの出願の第１発明の詳細な説明するための平
面図、第２図はこの出願の第２発明の詳細な説明するた
めのブロック図、第３図は半導体ウェハー上に形成され
るマークの構造を説明するための拡大斜視図、第４図は
従来の技術を説明するための波形図、第５図は従来の技
術を説明するための平面図、第６図は電子光学系の構造
を説明するための側面図である。 １００：半導体ウェハー、１０１ 、１０２ ：測定器
、１０３：測定器設置部分、１０４：基準平坦面、２０
０：電子光学鏡筒、２０１：描画制御回路、２０２ 、
２０３ ： ＯＡ変換器を含む増幅器、２０４：マー
ク検出装置、２０５：増幅器、２０６：ＡＤ変換器、２
０７：記憶器、２０８：演算器、２０９：補正係数記憶
器、２１１ニアドレスカウンタ、２１２：補正手段、２
１３ニレベル比較器、２１４：制御回路、３００：マー
ク、３０１ 、３０２：マークのエツジ、５００：ユニ
ノトエリア、５０１：マーク検出のための電子ビーム走
査領域。 特請出願人 タケダ理研工業株式会社 代 理 人 草 野 卓ホ
１ 図 オ ３ マ ヤ ４ 口 定５図
面図、第２図はこの出願の第２発明の詳細な説明するた
めのブロック図、第３図は半導体ウェハー上に形成され
るマークの構造を説明するための拡大斜視図、第４図は
従来の技術を説明するための波形図、第５図は従来の技
術を説明するための平面図、第６図は電子光学系の構造
を説明するための側面図である。 １００：半導体ウェハー、１０１ 、１０２ ：測定器
、１０３：測定器設置部分、１０４：基準平坦面、２０
０：電子光学鏡筒、２０１：描画制御回路、２０２ 、
２０３ ： ＯＡ変換器を含む増幅器、２０４：マー
ク検出装置、２０５：増幅器、２０６：ＡＤ変換器、２
０７：記憶器、２０８：演算器、２０９：補正係数記憶
器、２１１ニアドレスカウンタ、２１２：補正手段、２
１３ニレベル比較器、２１４：制御回路、３００：マー
ク、３０１ 、３０２：マークのエツジ、５００：ユニ
ノトエリア、５０１：マーク検出のための電子ビーム走
査領域。 特請出願人 タケダ理研工業株式会社 代 理 人 草 野 卓ホ
１ 図 オ ３ マ ヤ ４ 口 定５図
Claims (2)
- （１）Ａ、基準平坦面を連続移動させながら、この基準
平坦面を電子ビームで走査し、この走査時に発生する反
射電子放出量を各走査点毎に測定する較正動作と、 Ｂ、この較正動作によって得られた各走査点毎の反射電
子放出量の測定値が所定の値となるように補正値を算出
する演算動作と、 Ｃ、この補正値を各走査点毎に設けた記憶器に書込む動
作と、 Ｄ、連続移動するウェハー上のマーク検出時に各ビーム
の走査点毎に上記記憶器に記憶した補正値によってマー
ク検出信号を補正する動作と、 Ｅ、この補正されたマーク検出信号によってウェハー上
のマーク位置を検出する動作と、 から成る荷電粒子ビーム露光におけるマーク位置検出方
法。 - （２）Ａ、電子ビームの照射点から発生する反射電子放
出量を測定するマーク検出器と、 Ｂ、電子ビームを連続移動する基準平坦面に照射し、こ
の基準平坦面に対して電子ビームをマーク検出モードと
同一走査条件で走査したとき上記マーク検出器から得ら
れる反射電子放出量を各走査点毎に検出する補正信号検
出手段と、 Ｃ、この補正信号検出手段によって検出された各走査点
毎の反射電子放出量から各走査点毎に補正値を求める演
算手段と、 Ｄ、この演算手段によって算出された各走査点毎の補正
値を記憶する記憶手段と、 Ｅ、マークが付されたウェハーを連続移動させている状
態において電子ビームで上記マーク位置を走査したとき
この走査と同期して上記記憶手段から各走査点の補正値
を読出す補正値読出手段と、 Ｆ、この補正値読出手段から読出された補正値により上
記マーク検出器から得られるマーク検出信号を各走査毎
に補正する補正手段と、Ｇ、この補正手段によって得ら
れる補正されたマーク検出信号によってウェハー上のマ
ーク位置を検出する比較器と、 から成るマーク位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16804985A JPS6229136A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16804985A JPS6229136A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229136A true JPS6229136A (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=15860879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16804985A Pending JPS6229136A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229136A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5285075A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-08 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography method |
| US5509288A (en) * | 1993-09-08 | 1996-04-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Forming roller for corrugated fin |
| US5708276A (en) * | 1995-07-20 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | Electron-beam exposure device and a method of detecting a mark position for the device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223325A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ−ム露光方法および装置 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16804985A patent/JPS6229136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223325A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ−ム露光方法および装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5285075A (en) * | 1991-10-21 | 1994-02-08 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography method |
| US5509288A (en) * | 1993-09-08 | 1996-04-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Forming roller for corrugated fin |
| US5708276A (en) * | 1995-07-20 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | Electron-beam exposure device and a method of detecting a mark position for the device |
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