JP2708300B2 - 電子線描画方法 - Google Patents
電子線描画方法Info
- Publication number
- JP2708300B2 JP2708300B2 JP3271667A JP27166791A JP2708300B2 JP 2708300 B2 JP2708300 B2 JP 2708300B2 JP 3271667 A JP3271667 A JP 3271667A JP 27166791 A JP27166791 A JP 27166791A JP 2708300 B2 JP2708300 B2 JP 2708300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- mark
- alignment mark
- stage
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画方法に係り、
とくにウエハを移動させたままアライメントマ−クを精
度よく検出することのできる電子線描画方法に関する。
とくにウエハを移動させたままアライメントマ−クを精
度よく検出することのできる電子線描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置においては、半導
体ウエハをカセット（治具）に装着してウエハステ−ジ
に搭載しウエハ上にチップパタ−ンを描画する。上記パ
タ−ンの位置はウエハ上のアライメントマ−クを基準に
して相対的に決められている。電子ビ−ムは描画パタ−
ンに応じて偏向されるので、アライメントマ−クの位置
（座標値）が設計値から変化した場合にはその分だけ電
子ビ−ムの偏向信号を補正しておく必要がある。
体ウエハをカセット（治具）に装着してウエハステ−ジ
に搭載しウエハ上にチップパタ−ンを描画する。上記パ
タ−ンの位置はウエハ上のアライメントマ−クを基準に
して相対的に決められている。電子ビ−ムは描画パタ−
ンに応じて偏向されるので、アライメントマ−クの位置
（座標値）が設計値から変化した場合にはその分だけ電
子ビ−ムの偏向信号を補正しておく必要がある。
【０００３】上記アライメントマ−クの位置は、ウエハ
ステ−ジを制御してウエハ上のアライメントマ−クを電
子ビ−ム原点（無偏向状態の電子ビ−ムの照射位置）に
置いて測定される。上記ウエハステ−ジの制御信号（位
置指令値）は電子ビ−ムの偏向信号（パタ−ン情報）と
関連付けられているので、上記アライメントマ−クの設
計値からの位置づれが無ければアライメントマ−クは電
子ビ−ム原点に一致する。しかし、上記カセットやステ
−ジ等の位置誤差、およびウエハの変形があるとアライ
メントマ−クは電子ビ−ム原点からずれてくる。
ステ−ジを制御してウエハ上のアライメントマ−クを電
子ビ−ム原点（無偏向状態の電子ビ−ムの照射位置）に
置いて測定される。上記ウエハステ−ジの制御信号（位
置指令値）は電子ビ−ムの偏向信号（パタ−ン情報）と
関連付けられているので、上記アライメントマ−クの設
計値からの位置づれが無ければアライメントマ−クは電
子ビ−ム原点に一致する。しかし、上記カセットやステ
−ジ等の位置誤差、およびウエハの変形があるとアライ
メントマ−クは電子ビ−ム原点からずれてくる。
【０００４】また、上記アライメントマ−クの位置は電
子ビ−ムをアライメントマ−ク上に走査してその反射電
子を上記電子ビ−ム原点に対して対称な位置に置いた２
個の反射電子検出器により検出するようにしていたの
で、アライメントマ−クは電子ビ−ム原点からずれてい
たり、あるいは反射電子検出器が電子ビ−ム原点に対し
て非対称位置に配置されているような場合には、反射電
子検出器の出力波形が非対称形となり、これによりマ−
ク位置検出に誤差が生じるという問題があった。
子ビ−ムをアライメントマ−ク上に走査してその反射電
子を上記電子ビ−ム原点に対して対称な位置に置いた２
個の反射電子検出器により検出するようにしていたの
で、アライメントマ−クは電子ビ−ム原点からずれてい
たり、あるいは反射電子検出器が電子ビ−ム原点に対し
て非対称位置に配置されているような場合には、反射電
子検出器の出力波形が非対称形となり、これによりマ−
ク位置検出に誤差が生じるという問題があった。
【０００５】特開昭５７−２１１７３３号公報には、ア
ライメントマ−クを向きの異なる二つの方向から２回走
査し、それそれのマ−ク検出信号を算術平均して上記波
形の非対称による誤差を低減することが開示されてい
る。また、１つのマ−クを複数回走査し、各々の走査信
号を加算平均してランダムノイズの影響を低減させ、検
出信号のＳ／Ｎを向上させることもおこなわれていた。
しかし、上記の方法ではステ−ジの移動と停止を繰り返
してウエハ上の複数のマ−クを順次測定するので（ステ
ップアンドリピ−ト方式）時間がかかり、装置のスル−
プットが悪いという問題があった。
ライメントマ−クを向きの異なる二つの方向から２回走
査し、それそれのマ−ク検出信号を算術平均して上記波
形の非対称による誤差を低減することが開示されてい
る。また、１つのマ−クを複数回走査し、各々の走査信
号を加算平均してランダムノイズの影響を低減させ、検
出信号のＳ／Ｎを向上させることもおこなわれていた。
しかし、上記の方法ではステ−ジの移動と停止を繰り返
してウエハ上の複数のマ−クを順次測定するので（ステ
ップアンドリピ−ト方式）時間がかかり、装置のスル−
プットが悪いという問題があった。
【０００６】このため、特開昭５８−２００５３６号公
報においては、ステ−ジを連続的に移動しつつマ−ク位
置を検出する、いわゆるステ−ジ連続移動方式が開示さ
れている。しかし、上記ステ−ジ連続移動方式はマ−ク
検出時間を短縮できるものの、各マ−ク位置を必ずしも
電子ビ−ム原点直下で検出できないため、検出信号波形
の非対称性により測定誤差が増大するという問題があっ
た。
報においては、ステ−ジを連続的に移動しつつマ−ク位
置を検出する、いわゆるステ−ジ連続移動方式が開示さ
れている。しかし、上記ステ−ジ連続移動方式はマ−ク
検出時間を短縮できるものの、各マ−ク位置を必ずしも
電子ビ−ム原点直下で検出できないため、検出信号波形
の非対称性により測定誤差が増大するという問題があっ
た。
【０００７】特開昭６２−２９１３６号公報において
は、上記マ−ク検出信号の非対称度を予測する関数を設
定し、これにより上記非対称性を走査位置に応じて補正
する方法が開示されている。しかし、実際にはマ−ク検
出信号の非対称度を精度よく予測できないので、非対称
性も十分に補正されないという問題があった。
は、上記マ−ク検出信号の非対称度を予測する関数を設
定し、これにより上記非対称性を走査位置に応じて補正
する方法が開示されている。しかし、実際にはマ−ク検
出信号の非対称度を精度よく予測できないので、非対称
性も十分に補正されないという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
ステ−ジ連続移動方式を採用して装置のスル−プットを
高め、同時に上記マ−ク検出信号の非対称度を精度よく
補正することのできる電子線描画装置を提供することに
ある。
ステ−ジ連続移動方式を採用して装置のスル−プットを
高め、同時に上記マ−ク検出信号の非対称度を精度よく
補正することのできる電子線描画装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、試料面上のアライメントマ−クを上記電子ビ−ムの
原点に対して対称な位置に連続的に移動し、それぞれの
対称位置において上記アライメントマ−クに電子ビ−ム
を走査して得られる各反射信号をメモリに記憶し、上記
記憶された各反射信号を加算して対称波形化し、これよ
り位置情報を抽出するようにする。このとき、上記アラ
イメントマ−クからの反射信号の位置座標値と上記試料
ステ−ジの位置座標値の差分を上記反射信号の相対位置
座標値として上記メモリに記憶するようにし、上記電子
ビ−ム原点に対して対称な位置にて検出された上記アラ
イメントマ−クの反射信号記憶値を加算して、反射信号
波形を対称化するようにする。
に、試料面上のアライメントマ−クを上記電子ビ−ムの
原点に対して対称な位置に連続的に移動し、それぞれの
対称位置において上記アライメントマ−クに電子ビ−ム
を走査して得られる各反射信号をメモリに記憶し、上記
記憶された各反射信号を加算して対称波形化し、これよ
り位置情報を抽出するようにする。このとき、上記アラ
イメントマ−クからの反射信号の位置座標値と上記試料
ステ−ジの位置座標値の差分を上記反射信号の相対位置
座標値として上記メモリに記憶するようにし、上記電子
ビ−ム原点に対して対称な位置にて検出された上記アラ
イメントマ−クの反射信号記憶値を加算して、反射信号
波形を対称化するようにする。
【００１０】
【作用】複数のアライメントマ−クを順次、電子ビ−ム
の原点に対して対称な位置に移動して得られる上記各反
射信号を加算することにより反射信号波形を対称化す
る。また、上記対称波形化された反射信号波形の上記相
対位置座標値により、上記アライメントマ−クの電子ビ
−ム原点に対する位置ずれを検出する。
の原点に対して対称な位置に移動して得られる上記各反
射信号を加算することにより反射信号波形を対称化す
る。また、上記対称波形化された反射信号波形の上記相
対位置座標値により、上記アライメントマ−クの電子ビ
−ム原点に対する位置ずれを検出する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜４を用いて説
明する。周知のようにＬＳＩの製造に際しては、拡散や
蒸着等の各工程に応じた数多くのパタ−ンがウエハ上に
重ね書きされる。最初のパタ−ンを描画する際に図１に
示すようなウェハマ−ク１１とチップマ−ク１２の２種
類のアライメントマ−クがウエハ２０６上に描かれ、２
回目以降のパタ−ン描画では上記２種類のアライメント
マ−ク位置を基準にしてパタ−ンの位置合わせを行い、
同時にウエハの伸縮その他の誤差を補正する。本発明は
上記２回目以降のパタ−ンの位置合わせに関する。
明する。周知のようにＬＳＩの製造に際しては、拡散や
蒸着等の各工程に応じた数多くのパタ−ンがウエハ上に
重ね書きされる。最初のパタ−ンを描画する際に図１に
示すようなウェハマ−ク１１とチップマ−ク１２の２種
類のアライメントマ−クがウエハ２０６上に描かれ、２
回目以降のパタ−ン描画では上記２種類のアライメント
マ−ク位置を基準にしてパタ−ンの位置合わせを行い、
同時にウエハの伸縮その他の誤差を補正する。本発明は
上記２回目以降のパタ−ンの位置合わせに関する。
【００１２】まず、ウェハをカセット（治具）に搭載し
て電子線描画装置のステ−ジ上にセットし、ウェハマ−
ク１１の位置を検出してウェハの伸びや回転を求め、こ
れらによるウエハの位置誤差を補正する。次いで、チッ
プマ−ク１２の位置を検出して重ね描画を行う。本発明
においては、ステ−ジを連続的に移動して各チップマ−
ク１２の位置を連続的に検出する。すなわち、各チップ
マ−クが順次電子ビ−ム直下を通過するようにステ−ジ
を連続的に移動する。例えば図１において、左下側から
上側に向かって各チップマ−クが順次電子ビ−ム直下を
通過するようし、次いで右隣のチップマ−ク列に移って
ウエハを上方に移動するようにする。
て電子線描画装置のステ−ジ上にセットし、ウェハマ−
ク１１の位置を検出してウェハの伸びや回転を求め、こ
れらによるウエハの位置誤差を補正する。次いで、チッ
プマ−ク１２の位置を検出して重ね描画を行う。本発明
においては、ステ−ジを連続的に移動して各チップマ−
ク１２の位置を連続的に検出する。すなわち、各チップ
マ−クが順次電子ビ−ム直下を通過するようにステ−ジ
を連続的に移動する。例えば図１において、左下側から
上側に向かって各チップマ−クが順次電子ビ−ム直下を
通過するようし、次いで右隣のチップマ−ク列に移って
ウエハを上方に移動するようにする。
【００１３】図２は上記ステ−ジの移動において一つの
チップマ−クがたどる位置を示している。すなわち注目
するチップマ−クはｙ方向４０１に沿って４０Ｄ，４０
Ｃ，４０Ｂ，４０Ａ等の位置を順次通過する。ここで、
位置４０Ｄと４０Ａは電子ビ−ム２０２の原点４００に
対して等距離にあり、位置４０Ｃと４０Ｂも同様に原点
４００から等距離にあるものとする。そして、上記チッ
プマ−クが上記４０Ｄ，４０Ｃ，４０Ｂ，４０Ａ等の位
置にきたときに電子ビ−ム２０２を偏向してチップマ−
クを走査するとそれぞれの位置に応じて図２の下側に示
すような４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１Ａ等の波形が反
射電子検出器より得えられる。
チップマ−クがたどる位置を示している。すなわち注目
するチップマ−クはｙ方向４０１に沿って４０Ｄ，４０
Ｃ，４０Ｂ，４０Ａ等の位置を順次通過する。ここで、
位置４０Ｄと４０Ａは電子ビ−ム２０２の原点４００に
対して等距離にあり、位置４０Ｃと４０Ｂも同様に原点
４００から等距離にあるものとする。そして、上記チッ
プマ−クが上記４０Ｄ，４０Ｃ，４０Ｂ，４０Ａ等の位
置にきたときに電子ビ−ム２０２を偏向してチップマ−
クを走査するとそれぞれの位置に応じて図２の下側に示
すような４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１Ａ等の波形が反
射電子検出器より得えられる。
【００１４】反射電子検出器は図４の２０５のように２
個で構成され、それぞれは電子ビ−ム直下点４００に対
して対称、等距離の位置に設置され、両反射電子検出器
の出力の和がチップマ−クの位置信号２１Ｄ，２１Ｃ，
２１Ｂ，２１Ａ等になる。なお、反射電子検出器の数は
必ずしも図４のように２個である必要はなく、電子ビ−
ム直下点２００に対して対称、等距離の配置であればさ
らに数を増やすこともできる。図３は上記ビ−ム走査を
説明する図であり、電子ビ−ム２０２は例えば矢印３Ａ
〜３Ｄのようにチップマ−ク１２を走査する。このよう
に同一部分を同一方向に複数回走査して得られる反射信
号加算すると、反射信号のＳ／Ｎを向上することができ
る。
個で構成され、それぞれは電子ビ−ム直下点４００に対
して対称、等距離の位置に設置され、両反射電子検出器
の出力の和がチップマ−クの位置信号２１Ｄ，２１Ｃ，
２１Ｂ，２１Ａ等になる。なお、反射電子検出器の数は
必ずしも図４のように２個である必要はなく、電子ビ−
ム直下点２００に対して対称、等距離の配置であればさ
らに数を増やすこともできる。図３は上記ビ−ム走査を
説明する図であり、電子ビ−ム２０２は例えば矢印３Ａ
〜３Ｄのようにチップマ−ク１２を走査する。このよう
に同一部分を同一方向に複数回走査して得られる反射信
号加算すると、反射信号のＳ／Ｎを向上することができ
る。
【００１５】チップマ−クが電子ビ−ム直下点２００に
きたときにはチップマ−クからの反射電子が上記２個の
反射電子検出器に等量づつ入力するので、その出力は図
２の４１に示すように対称な波形になる。しかし、チッ
プマ−クが４０Ｄ，４０Ｃ，４０Ｂ，４０Ａのように電
子ビ−ム直下点４００からずれている場合には二つの反
射電子検出器に入力する反射電子強度が不平衡になるの
で、位置信号波形も４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１Ａの
ように非対称になる。しかし、例えば４１Ｄと４１Ａの
ようにマ−ク位置が電子ビ−ム直下点４００から当距離
にあるとそれぞれに対応する位置信号波形は４１Ｄと４
１Ａのように互いに裏返した波形になる。４１Ｃと４１
Ｂについても同様である。そこで本発明では上記互いに
裏返しの関係にある位置信号波形同志を加算して４１と
同様な対称波形を得るようにする。上記波形の対称性は
加算する波形数を増やすと個々のバラツキが平均化され
て向上するので、例えば４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１
Ａの全てを加算するようにしてもよい。
きたときにはチップマ−クからの反射電子が上記２個の
反射電子検出器に等量づつ入力するので、その出力は図
２の４１に示すように対称な波形になる。しかし、チッ
プマ−クが４０Ｄ，４０Ｃ，４０Ｂ，４０Ａのように電
子ビ−ム直下点４００からずれている場合には二つの反
射電子検出器に入力する反射電子強度が不平衡になるの
で、位置信号波形も４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１Ａの
ように非対称になる。しかし、例えば４１Ｄと４１Ａの
ようにマ−ク位置が電子ビ−ム直下点４００から当距離
にあるとそれぞれに対応する位置信号波形は４１Ｄと４
１Ａのように互いに裏返した波形になる。４１Ｃと４１
Ｂについても同様である。そこで本発明では上記互いに
裏返しの関係にある位置信号波形同志を加算して４１と
同様な対称波形を得るようにする。上記波形の対称性は
加算する波形数を増やすと個々のバラツキが平均化され
て向上するので、例えば４１Ｄ，４１Ｃ，４１Ｂ，４１
Ａの全てを加算するようにしてもよい。
【００１６】また、各位置信号波形の検出時刻が異なる
ので、上記加算処理においては時間軸をシフトして波形
同志を正確に重ね合わせてやる必要がある。この処理は
一般的にかなり面倒であるが、本発明では上記波形の時
間軸シフト処理を省略して、各アライメントマ−クの位
置ずれのみを直接的に抽出できるので、以下、その理由
を説明する。図４は本発明による電子線描画装置の概略
の構成図である。ＣＰＵ２１１はチップアライメントマ
−クの設計デ−タからステ−ジ２０７の駆動値と電子ビ
−ム２０２の偏向値をステ−ジ制御ユニット２１０およ
び電子ビ−ム制御ユニット２０９へ送付する。電子検出
器２０５はマ−クからの反射電子を検出して検出信号を
検出信号処理ユニット２０９へ送付する。
ので、上記加算処理においては時間軸をシフトして波形
同志を正確に重ね合わせてやる必要がある。この処理は
一般的にかなり面倒であるが、本発明では上記波形の時
間軸シフト処理を省略して、各アライメントマ−クの位
置ずれのみを直接的に抽出できるので、以下、その理由
を説明する。図４は本発明による電子線描画装置の概略
の構成図である。ＣＰＵ２１１はチップアライメントマ
−クの設計デ−タからステ−ジ２０７の駆動値と電子ビ
−ム２０２の偏向値をステ−ジ制御ユニット２１０およ
び電子ビ−ム制御ユニット２０９へ送付する。電子検出
器２０５はマ−クからの反射電子を検出して検出信号を
検出信号処理ユニット２０９へ送付する。
【００１７】説明の便宜上、上記ステ−ジ２０７の駆動
値と電子ビ−ム２０２の偏向値を共に電子ビ−ム直下点
４００を原点とする座標値（ｘ，ｙ）に換算して表現す
ることにする。上記のような座標値を用いるとステ−ジ
２０７の位置とチップマ−クの位置とが同じように移動
するので、例えば図２においてチップマ−クが４０Ｄの
位置にあるときのステ−ジ２０７の駆動値（ｘ1、ｙ1）
とすると、電子ビ−ムがこの位置のチップマ−クの中心
を通過するときの上記電子ビ−ムの偏向値も（ｘ1、
ｙ1）になる。実際にはチップマ−クがｙ方向にΔｙだ
け位置ずれしているとすると、上記チップマ−クの中心
に対応する電子ビ−ム偏向値は（ｘ1、ｙ1＋Δｙ）とし
て検出される。したがって、チップマ−クの位置ずれ量
Δｙは上記電子ビ−ムの偏向値（ｘ1、ｙ1＋Δｙ）から
ステ−ジ２０７の駆動値（ｘ1、ｙ1）を減ずることによ
って抽出することができる。チップマ−クが４０Ｃ〜４
０Ａの位置にあるときにも同様にして上記Δｙが抽出さ
れる。
値と電子ビ−ム２０２の偏向値を共に電子ビ−ム直下点
４００を原点とする座標値（ｘ，ｙ）に換算して表現す
ることにする。上記のような座標値を用いるとステ−ジ
２０７の位置とチップマ−クの位置とが同じように移動
するので、例えば図２においてチップマ−クが４０Ｄの
位置にあるときのステ−ジ２０７の駆動値（ｘ1、ｙ1）
とすると、電子ビ−ムがこの位置のチップマ−クの中心
を通過するときの上記電子ビ−ムの偏向値も（ｘ1、
ｙ1）になる。実際にはチップマ−クがｙ方向にΔｙだ
け位置ずれしているとすると、上記チップマ−クの中心
に対応する電子ビ−ム偏向値は（ｘ1、ｙ1＋Δｙ）とし
て検出される。したがって、チップマ−クの位置ずれ量
Δｙは上記電子ビ−ムの偏向値（ｘ1、ｙ1＋Δｙ）から
ステ−ジ２０７の駆動値（ｘ1、ｙ1）を減ずることによ
って抽出することができる。チップマ−クが４０Ｃ〜４
０Ａの位置にあるときにも同様にして上記Δｙが抽出さ
れる。
【００１８】このようにして各位置におけるチップマ−
クをｙ方向にビ−ム走査して得られる各位置信号波形の
ｙ座標値から対応するステ−ジ２０７のｙ座標値分だけ
減ずると、図５の４２Ｄ〜４２Ａのような位置信号波形
がえられる。これらはそれぞれ図２の４１Ｄ〜４１Ａと
同一波形であり、単に横軸の値が共通化されているに過
ぎない。これより例えば４２Ｄと４２Ａを加算すると４
２のような対称波形が得られ、この対称波形よりチップ
マ−クの位置ずれΔｙが正確に抽出できるようになる。
４２Ｃと４２Ｂを加算したり、４２Ｄ〜４２Ａの全てを
加算する場合も同様である。
クをｙ方向にビ−ム走査して得られる各位置信号波形の
ｙ座標値から対応するステ−ジ２０７のｙ座標値分だけ
減ずると、図５の４２Ｄ〜４２Ａのような位置信号波形
がえられる。これらはそれぞれ図２の４１Ｄ〜４１Ａと
同一波形であり、単に横軸の値が共通化されているに過
ぎない。これより例えば４２Ｄと４２Ａを加算すると４
２のような対称波形が得られ、この対称波形よりチップ
マ−クの位置ずれΔｙが正確に抽出できるようになる。
４２Ｃと４２Ｂを加算したり、４２Ｄ〜４２Ａの全てを
加算する場合も同様である。
【００１９】チップマ−クが電子ビ−ムの直下位置４０
０を通過する際にもマ−ク位置信号も上記波形４２と同
様になる。したがって、上記処理により電子ビ−ムの直
下におけるチップマ−クの位置ずれΔｙを波形の非対称
性により生ずる誤差を排除して正確に検出することがで
きるのである。また、上記の処理はＣＰＵ２１１が行
う。また、図２においては、１つのマ−ク位置の検出回
数を４回としたが、検出回数は４回に限定されない。な
お、本発明においては上記のように電子ビ−ムの直下位
置４００に対する対称な位置のマ−ク検出信号よりマ−
クの位置ずれを知ることができるのであるから、各マ−
クは必ずしも直下位置４００を通過する必要はなく、要
は上記対称位置を通過すれば良いのである。また、上記
実施例においてはマ−ク検出手段として電子ビ−ムを用
いたが、荷電粒子ビ−ムや光ビ−ム等を用いることもで
きる。また、本発明の方法は描画装置のみならず、例え
ば測長装置等にも適用可能である。
０を通過する際にもマ−ク位置信号も上記波形４２と同
様になる。したがって、上記処理により電子ビ−ムの直
下におけるチップマ−クの位置ずれΔｙを波形の非対称
性により生ずる誤差を排除して正確に検出することがで
きるのである。また、上記の処理はＣＰＵ２１１が行
う。また、図２においては、１つのマ−ク位置の検出回
数を４回としたが、検出回数は４回に限定されない。な
お、本発明においては上記のように電子ビ−ムの直下位
置４００に対する対称な位置のマ−ク検出信号よりマ−
クの位置ずれを知ることができるのであるから、各マ−
クは必ずしも直下位置４００を通過する必要はなく、要
は上記対称位置を通過すれば良いのである。また、上記
実施例においてはマ−ク検出手段として電子ビ−ムを用
いたが、荷電粒子ビ−ムや光ビ−ム等を用いることもで
きる。また、本発明の方法は描画装置のみならず、例え
ば測長装置等にも適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明により、ステ−ジ連続移動方式に
おけるマ−クの位置検出精度を向上することができ、こ
れにより電子線描画装置の生産性を向上することができ
る。
おけるマ−クの位置検出精度を向上することができ、こ
れにより電子線描画装置の生産性を向上することができ
る。
【図１】ウエハ上のアライメントマ−ク配置例である。
【図２】本発明によるマ−ク位置検出方式の説明図であ
る。
る。
【図３】電子ビ−ムのマ−ク走査例の説明図である。
【図４】本発明の電子線描画装置の概略の構成図である
【図５】本発明におけるマ−ク検出波形例である。
１１ ウェ−ハアライメントマ−ク １２ チップアライメントマ−ク ４０Ａ〜４０Ｄ 各電子ビ−ム走査 ４１Ａ〜４１Ｄ 各マ−ク位置信号波形 ２０１ 電子銃 ２０２ 電子ビ−ム ２０３ 電子レンズ ２０４ 偏向器 ２０５ 反射電子検出器 ２０６ 試料 ２０７ ステ−ジ、 ２０８ 電子ビ−ム制御ユニット ２０９ 検出信号処理ユニット ２１０ ステ−ジ制御ユニット ２１１ ＣＰＵ ４００ 電子ビ−ム原点直下点 ４０１ ステ−ジ連続移動方向
Claims (4)
- 【請求項１】 試料ステ−ジに搭載された試料のアライ
メントマ−クの位置を電子ビ−ム走査により検出して上
記試料の位置決めを行う電子線描画方法において、上記
試料面上のアライメントマ−クを上記電子ビ−ムの原点
（無偏向時における上記電子ビ−ムの照射位置）に対し
て対称な位置に移動し、それぞれの対称位置において上
記アライメントマ−クに電子ビ−ムを走査し、上記各電
子ビ−ム走査により得られるアライメントマ−クからの
反射信号をメモリに記憶し、上記記憶された各反射信号
より上記アライメントマ−クの位置情報を抽出するよう
にしたことを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項２】 請求項１において、上記アライメントマ
−クマ−クからの反射信号の位置座標値と上記試料ステ
−ジの位置座標値の差分を上記反射信号の相対位置座標
値として上記メモリに記憶するようにしたことを特徴と
する電子線描画方法。 - 【請求項３】 請求項１および２において、上記メモリ
が記憶する上記電子ビ−ム原点に対して対称な位置にお
いて検出された上記アライメントマ−クマ−クからの反
射信号を加算して、反射信号波形を対称化するようにし
たことを特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
上記試料ステ−ジを連続的に移動して上記アライメント
マ−クからの反射信号を検出するようにしたことを特徴
とする電子線描画方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271667A JP2708300B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 電子線描画方法 |
| DE69208583T DE69208583T2 (de) | 1991-10-21 | 1992-10-07 | Elektronenstrahl-Lithographieverfahren |
| EP92117116A EP0538675B1 (en) | 1991-10-21 | 1992-10-07 | Electron beam lithography method |
| US07/964,049 US5285075A (en) | 1991-10-21 | 1992-10-21 | Electron beam lithography method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271667A JP2708300B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 電子線描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109609A JPH05109609A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2708300B2 true JP2708300B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=17503209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271667A Expired - Fee Related JP2708300B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 電子線描画方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5285075A (ja) |
| EP (1) | EP0538675B1 (ja) |
| JP (1) | JP2708300B2 (ja) |
| DE (1) | DE69208583T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523576A (en) * | 1993-03-15 | 1996-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam drawing apparatus |
| US5355306A (en) * | 1993-09-30 | 1994-10-11 | Motorola, Inc. | Alignment system and method of alignment by symmetrical and asymmetrical analysis |
| JP3368091B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP3453009B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置及びこの装置に於けるマーク位置検出方法 |
| KR0165470B1 (ko) * | 1995-11-08 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체 소자의 박막형성 프로그램의 자동보정 시스템 |
| US6781680B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical system adjusting method for energy beam apparatus |
| JP3946899B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2007-07-18 | 株式会社東芝 | エネルギービーム装置における光学系の調整方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211733A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | Detecting device for electron beam exposing marker |
| US4546260A (en) * | 1983-06-30 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Alignment technique |
| JPS6229136A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ−ム露光におけるマ−ク位置検出方法及びこの方法を用いた装置 |
| JP2585223B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出装置 |
| US4818885A (en) * | 1987-06-30 | 1989-04-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP3271667A patent/JP2708300B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-07 DE DE69208583T patent/DE69208583T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-07 EP EP92117116A patent/EP0538675B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-21 US US07/964,049 patent/US5285075A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69208583T2 (de) | 1996-10-02 |
| EP0538675A1 (en) | 1993-04-28 |
| EP0538675B1 (en) | 1996-02-28 |
| DE69208583D1 (de) | 1996-04-04 |
| JPH05109609A (ja) | 1993-04-30 |
| US5285075A (en) | 1994-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4818885A (en) | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table | |
| US6573516B2 (en) | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system | |
| KR100372060B1 (ko) | 전자빔 노광 방법 | |
| US5301124A (en) | Registration of patterns formed of multiple fields | |
| JPH10321502A (ja) | 荷電粒子線投影方法 | |
| US7423274B2 (en) | Electron beam writing system and electron beam writing method | |
| JP4269393B2 (ja) | アライメントマーク及びアライメント方法 | |
| JP3105670B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法 | |
| JP2708300B2 (ja) | 電子線描画方法 | |
| US4322626A (en) | Method of electron beam exposure | |
| US5608226A (en) | Electron-beam exposure method and system | |
| JP4011642B2 (ja) | 電子線描画方法及び装置 | |
| JP4151286B2 (ja) | 重ね合わせ露光方法と露光装置 | |
| JP2950283B2 (ja) | 電子線アライメント方法及び装置 | |
| JPS6244686B2 (ja) | ||
| JP3492073B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JPH0282515A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JP3385698B2 (ja) | 座標位置測定方法及び装置 | |
| JP2786661B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP4524056B2 (ja) | 電子線描画方法 | |
| JPH0121616B2 (ja) | ||
| JPH0722349A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPS6233427A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPH11145028A (ja) | パターン描画装置用マーク位置検出方法及びその装置 | |
| JPH0239518A (ja) | 荷電ビーム描画方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071017 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |