JPS6233427A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6233427A JPS6233427A JP17287585A JP17287585A JPS6233427A JP S6233427 A JPS6233427 A JP S6233427A JP 17287585 A JP17287585 A JP 17287585A JP 17287585 A JP17287585 A JP 17287585A JP S6233427 A JPS6233427 A JP S6233427A
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- Japan
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- detected
- correction factor
- chip
- correction
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ概要〕
この発明は、電子ビームによるウェーハ直接露光方法に
おいて、 位置合わせマークの少なくとも一部の検出が不可能で補
正係数が得られないチップについて、直前の所定の個数
のチップの該補正係数の平均値で補完することにより、 良好な露光処理を実現するものである。
おいて、 位置合わせマークの少なくとも一部の検出が不可能で補
正係数が得られないチップについて、直前の所定の個数
のチップの該補正係数の平均値で補完することにより、 良好な露光処理を実現するものである。
本発明は電子ビーム露光方法、特にウェーハ直接露光に
おいてチップ位置合わせマークの検出不能に対処する方
法に関する。
おいてチップ位置合わせマークの検出不能に対処する方
法に関する。
電子ビーム露光方法は高解像力であるのみならず、パタ
ーンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮され
る利点を備えて、半導体集積回路装置（ＩＣ）等のパタ
ーン形成に大きく寄与している。
ーンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮され
る利点を備えて、半導体集積回路装置（ＩＣ）等のパタ
ーン形成に大きく寄与している。
ＩＣ等のウェーハに直接電子ビーム露光を行う場合には
、ウェーハ上のチップ位置の検出、その結果に基づ（電
子ビームの制御を確実に行うことが重要な前提条件であ
るが、位置合わせマークの検出が製造工程中の変化等に
より不可能となることがありその対策が要望されている
。
、ウェーハ上のチップ位置の検出、その結果に基づ（電
子ビームの制御を確実に行うことが重要な前提条件であ
るが、位置合わせマークの検出が製造工程中の変化等に
より不可能となることがありその対策が要望されている
。
電子ビームによるウェーハ直接露光方法においては、パ
ターン相互間の重ね合わせ精度を確保するために各パタ
ーンの露光位置を正確に制御することが必要であるが、
この位置制御は従来例えば次の様に行われている。
ターン相互間の重ね合わせ精度を確保するために各パタ
ーンの露光位置を正確に制御することが必要であるが、
この位置制御は従来例えば次の様に行われている。
第２図に模式的に示す如く、ウエーノ＼１上に配列され
た露光処理を行う各チ・ンプ２には、その位置合わせを
行うためのマーク３が設けられ、また各ウェーハの中心
近傍に、電子ビームのフォーカス調整、ウェーハの姿勢
検出等に用いるウェーハアライメントマーク４などが設
けられている。
た露光処理を行う各チ・ンプ２には、その位置合わせを
行うためのマーク３が設けられ、また各ウェーハの中心
近傍に、電子ビームのフォーカス調整、ウェーハの姿勢
検出等に用いるウェーハアライメントマーク４などが設
けられている。
ウェーハ１はウェーハホルダを介して電子ビーム露光装
置のステージに載置され、その上の各点の位置は相互に
直交する２軸に関する座標値Ｘ、Ｙで表される。
置のステージに載置され、その上の各点の位置は相互に
直交する２軸に関する座標値Ｘ、Ｙで表される。
露光位置の制御は、まずステージの移動によって一つの
チップ２を露光可能な位置に置き、次いでこのチップ２
に設けられた４個の位置合わせマーク３を電子ビームで
走査しこのマークの座標を例えば０．１μｍ程度の精度
で読み出して、そのチップの２軸方向の位置、回転角及
び台形歪を検出し、電子ビームの偏向を補正する演算を
行うつ位置合わせマークは、例えば十形、Ｌ形、矩形成
いはその組合せ等の形状にウェーハにエツチング等によ
り形成されており、これを電子ビームで走査すればエツ
チング端面近傍において反射強度の変化を生ずる。通常
その微分値のピークによりマーク端面の位置を検出して
マークの中心位置を求める。
チップ２を露光可能な位置に置き、次いでこのチップ２
に設けられた４個の位置合わせマーク３を電子ビームで
走査しこのマークの座標を例えば０．１μｍ程度の精度
で読み出して、そのチップの２軸方向の位置、回転角及
び台形歪を検出し、電子ビームの偏向を補正する演算を
行うつ位置合わせマークは、例えば十形、Ｌ形、矩形成
いはその組合せ等の形状にウェーハにエツチング等によ
り形成されており、これを電子ビームで走査すればエツ
チング端面近傍において反射強度の変化を生ずる。通常
その微分値のピークによりマーク端面の位置を検出して
マークの中心位置を求める。
前記補正演算は例えば、
ＸＩＮＩＹＩＮ を設計座標値、
Ｇｘ 、Ｇｖ をゲイン補正係数、
Ｒｘ 、Ｒｖ をローテーション補正係数、Ｈｘ 、
ｆｌｙ を台形歪補正係数、Ｏｘ 、Ｏｖ をオフ
セット補正係数、とし、これらの補正を加えた座標値Ｘ
、 Ｙを弐Ｘ” （１４ＧＸ）ＸＩＮ＋ＲＸＹＩＮ＋Ｈ
ＸＸＩＮＹＩＮ＋０ＸＹ＝（１＋Ｇｙ）Ｙ＋ｓ＋ＲｖＸ
＋ｎ＋ＨＪ＋ＮＹ＋Ｈ＋Ｏｖで求めている。前記の補正
係数は８個で、４個の位置合わせマークの各２座標値が
この全補正係数を求めるために必要である。
ｆｌｙ を台形歪補正係数、Ｏｘ 、Ｏｖ をオフ
セット補正係数、とし、これらの補正を加えた座標値Ｘ
、 Ｙを弐Ｘ” （１４ＧＸ）ＸＩＮ＋ＲＸＹＩＮ＋Ｈ
ＸＸＩＮＹＩＮ＋０ＸＹ＝（１＋Ｇｙ）Ｙ＋ｓ＋ＲｖＸ
＋ｎ＋ＨＪ＋ＮＹ＋Ｈ＋Ｏｖで求めている。前記の補正
係数は８個で、４個の位置合わせマークの各２座標値が
この全補正係数を求めるために必要である。
以上説明した如く、一つのチップについて位置合わせマ
ークの検出、補正演算、露光が行われれば、次の通常隣
接するチップについて位置合わせマークの検出を行う。
ークの検出、補正演算、露光が行われれば、次の通常隣
接するチップについて位置合わせマークの検出を行う。
このマーク検出では先に得られた補正結果を利用して電
子ビームを走査するが、ウェーハ上に設けられた位置合
わせマークは製造プロセスの進行とともに変形して、位
置検出信号も次第に鈍化する傾向を免れず、特にウェー
ハの周辺近傍等でその検出が不可能な場合を生ずる。ま
たこの様な場合にウェーハ上の傷、あるいはごみを位置
合わせマークと誤認し、補正演算を誤ることもある。
子ビームを走査するが、ウェーハ上に設けられた位置合
わせマークは製造プロセスの進行とともに変形して、位
置検出信号も次第に鈍化する傾向を免れず、特にウェー
ハの周辺近傍等でその検出が不可能な場合を生ずる。ま
たこの様な場合にウェーハ上の傷、あるいはごみを位置
合わせマークと誤認し、補正演算を誤ることもある。
従来の電子ビーム露光方法では、一旦マーク検出不能或
いは誤認識に陥れば、それ以降のチップについても正確
な位置検出が行われず、従って目的とする露光処理が行
われなくなるためにその影響は大きい。
いは誤認識に陥れば、それ以降のチップについても正確
な位置検出が行われず、従って目的とする露光処理が行
われなくなるためにその影響は大きい。
これに対処するために、通常ウェーハの中心近傍に設け
られている前記ウェーハアライメントマークにより不足
するデータを補う方法等が知られているが、このウェー
ハアライメントマークによるデータは、露光プロセスに
光と電子ビームとの双方を用いる場合などには特に誤差
が大きく、良好な補完手段が強く要望されている。
られている前記ウェーハアライメントマークにより不足
するデータを補う方法等が知られているが、このウェー
ハアライメントマークによるデータは、露光プロセスに
光と電子ビームとの双方を用いる場合などには特に誤差
が大きく、良好な補完手段が強く要望されている。
〔問題点を解決するための手段］
前記問題点は、ウェーハ上のチップ位置合わせマークを
検出して電子ビーム偏向の補正演算を行うに際し、 あるチップについて該マークの少なくとも一部の検出が
不可能である場合に、 該チップの直前に該マークが検出され補正係数が得られ
た所定の個数のチップの該補正係数の平均値を、該チッ
プの補正係数の少なくとも一部に用いて補正演算を行う
本発明による電子ビーム露光方法により解決される。
検出して電子ビーム偏向の補正演算を行うに際し、 あるチップについて該マークの少なくとも一部の検出が
不可能である場合に、 該チップの直前に該マークが検出され補正係数が得られ
た所定の個数のチップの該補正係数の平均値を、該チッ
プの補正係数の少なくとも一部に用いて補正演算を行う
本発明による電子ビーム露光方法により解決される。
本発明によれば、電子ビーム偏向の補正演算を行うに必
要なチップ位置合わせマークの検出が、露光継続中に成
るチップの少なくとも一部のマークについて不可能であ
る場合に、その結果算出不可能となる補正係数に代えて
、そのチップの直前に位置合わせマークが検出され、補
正係数が得られた所定の個数のチップの相当する補正係
数の平均値を用いて補正演算を行う。
要なチップ位置合わせマークの検出が、露光継続中に成
るチップの少なくとも一部のマークについて不可能であ
る場合に、その結果算出不可能となる補正係数に代えて
、そのチップの直前に位置合わせマークが検出され、補
正係数が得られた所定の個数のチップの相当する補正係
数の平均値を用いて補正演算を行う。
位置合わせマーク４個中１個が検出不可能となれば、先
に述べた各補正係数のうち台形歪補正係数（ＨＸ、Ｈヶ
）がまず算出不可能となり、２個が検出不可能となれば
ローテーション補正係数（ＲＸ、 Ｒ，）も算出不可能
となるが、これらの係数は隣接チップ間では差が少なく
、また直Ｒｆの所定の個数に限定していてウェーハの反
り等の分布に良く追随するために、これらの場合に本発
明は極めて有効である。
に述べた各補正係数のうち台形歪補正係数（ＨＸ、Ｈヶ
）がまず算出不可能となり、２個が検出不可能となれば
ローテーション補正係数（ＲＸ、 Ｒ，）も算出不可能
となるが、これらの係数は隣接チップ間では差が少なく
、また直Ｒｆの所定の個数に限定していてウェーハの反
り等の分布に良く追随するために、これらの場合に本発
明は極めて有効である。
これに対して、ステージの移動誤差が現れるオフセット
補正係数（Ｏｘ、ＯＪはゲイン補正係数（ＧＸ。
補正係数（Ｏｘ、ＯＪはゲイン補正係数（ＧＸ。
ＧＪ とともに隣接チップ間の差が前者より大きいが、
オフセット補正係数は検出可能なマークが１個でも算出
力呵能であり、２個検出されれば２軸方向又は１軸方向
のゲイン補正係数の算出が可能で、本発明を適用する必
要性が少ない。
オフセット補正係数は検出可能なマークが１個でも算出
力呵能であり、２個検出されれば２軸方向又は１軸方向
のゲイン補正係数の算出が可能で、本発明を適用する必
要性が少ない。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図に示す如く、ウェーハ１の各チップ領域２１．２
７、・ ’ 、２１１−１．２１１％ ・・・に対し
て添字の順に電子ビーム露光を行うに際し、１チツプ毎
にデータを更新し、最新の例えば５個のチップ６ｎ域２
４−Ｓ、・・・、２□、につぃて、前記各補正係数を記
憶し、各５個の平均値を求めて置く。
７、・ ’ 、２１１−１．２１１％ ・・・に対し
て添字の順に電子ビーム露光を行うに際し、１チツプ毎
にデータを更新し、最新の例えば５個のチップ６ｎ域２
４−Ｓ、・・・、２□、につぃて、前記各補正係数を記
憶し、各５個の平均値を求めて置く。
次ぎにチップ領域２゜の露光を行うためにその位置合わ
せマーク３を検出する動作を行う。その４個のマークの
うち１個が検出不可能であるならば、台形歪補正係数（
ＨＸ、 Ｆｌ、）は算出不可能であるが他の３種の補正
係数は算出可能である。この場合に、本発明により台形
歪補正係数については先立つ５個のチップ領域２゜−Ｓ
〜２１−１の平均値を代用する。
せマーク３を検出する動作を行う。その４個のマークの
うち１個が検出不可能であるならば、台形歪補正係数（
ＨＸ、 Ｆｌ、）は算出不可能であるが他の３種の補正
係数は算出可能である。この場合に、本発明により台形
歪補正係数については先立つ５個のチップ領域２゜−Ｓ
〜２１−１の平均値を代用する。
またチップ領域２．の位置合わせマーク検出が例えば２
個不可能であるならば、オフセント補正係数とゲイン補
正係数は検出された２個のマークから算出し、台形歪補
正係数とローテーション補正係数は前記例と同様に、５
個のチップ領域２１−２〜２、−１の平均値を代用する
。
個不可能であるならば、オフセント補正係数とゲイン補
正係数は検出された２個のマークから算出し、台形歪補
正係数とローテーション補正係数は前記例と同様に、５
個のチップ領域２１−２〜２、−１の平均値を代用する
。
この様に不足する補正係数を、最も近い複数のチップの
補正係数の平均値で補完することにより良好な補正が実
現される。
補正係数の平均値で補完することにより良好な補正が実
現される。
このチップの露光終了後、又は成るチップについて露光
を断念して、次のチップに移行する場合に、本発明によ
り記憶されている先行するチップの補正係数を同様に効
果的に活用することができる。この様にして後続のチッ
プにも正確な露光を継続して行うことができる。
を断念して、次のチップに移行する場合に、本発明によ
り記憶されている先行するチップの補正係数を同様に効
果的に活用することができる。この様にして後続のチッ
プにも正確な露光を継続して行うことができる。
以上説明した如く本発明によれば電子ビーム露光に際し
て、位置合わせマーク検出不可能、或いは誤りが効果的
に補完、防止されて、露光パターンのずれ及び誤った検
出後に露光が行われなくなる問題が解決され、パターン
整合及びスループ・ントを向上することが可能となる。
て、位置合わせマーク検出不可能、或いは誤りが効果的
に補完、防止されて、露光パターンのずれ及び誤った検
出後に露光が行われなくなる問題が解決され、パターン
整合及びスループ・ントを向上することが可能となる。
第１図は本発明の実施例の電子ビーム露光順を示す模式
平面図、 第２図はウェーハの例を示す模式平面図である。 図において、 １はウェーハ、 ２及び〜２ｏ−６，２，、は露光を行うチップ、３は位
置合わせマー゛り、 ４はウェーハアライメントマークを示す。
平面図、 第２図はウェーハの例を示す模式平面図である。 図において、 １はウェーハ、 ２及び〜２ｏ−６，２，、は露光を行うチップ、３は位
置合わせマー゛り、 ４はウェーハアライメントマークを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ上のチップ位置合わせマークを検出して電子ビ
ーム偏向の補正演算を行うに際し、あるチップについて
該マークの少なくとも一部の検出が不可能である場合に
、 該チップの直前に該マークが検出され補正係数が得られ
た所定の個数のチップの該補正係数の平均値を、該チッ
プの補正係数の少なくとも一部に用いて補正演算を行う
ことを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287585A JPS6233427A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17287585A JPS6233427A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233427A true JPS6233427A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15949924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17287585A Pending JPS6233427A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250817A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法 |
| JPH0287517A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Toshiba Corp | 電子線描画装置の位置制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074619A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17287585A patent/JPS6233427A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074619A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250817A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法 |
| JPH0287517A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Toshiba Corp | 電子線描画装置の位置制御方法 |
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