JPS6244686B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6244686B2
JPS6244686B2 JP54102759A JP10275979A JPS6244686B2 JP S6244686 B2 JPS6244686 B2 JP S6244686B2 JP 54102759 A JP54102759 A JP 54102759A JP 10275979 A JP10275979 A JP 10275979A JP S6244686 B2 JPS6244686 B2 JP S6244686B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
electron beam
wafer
integrated circuit
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54102759A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5627927A (en
Inventor
Yasunobu Kawachi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP10275979A priority Critical patent/JPS5627927A/ja
Publication of JPS5627927A publication Critical patent/JPS5627927A/ja
Publication of JPS6244686B2 publication Critical patent/JPS6244686B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビームによるウエハ上レジスト層
の直接露光における集積回路パターンの形成の為
の電子ビーム露光の位置合せ方法に関する。電子
ビームによる直接露光においては、多層のパター
ンを順次、同一ウエハ上に重ね合せて描画するた
め、電子ビームとウエハとの相対的位置関係を正
確に知る必要がある。そのため、ウエハ上に基準
マークを設け、各層のパターンを描画する毎に予
じめ該マークを検出することによつて、前記の電
子ビームとウエハとの相対的位置関係を求め、所
定位置からのずれ量を電子ビーム偏向器に補正量
として加えて描画する方法がとられている。そし
て前記ずれ量の補正の方法としては、主として次
の2つの方法がある。すなわち、第1の方法は、
前記マーク検出によつて前記ウエハの移動量およ
び回転角を求めて電子ビームの照射位置を補正す
る方法であり、第2の方法としては、ウエハ上に
配列されるチツプ毎に複数個の基準マークを配置
する方法あるいは両方式を複合した方法などがあ
る。第1図は従来技術における基準マーク配置例
で、ウエハ1上の隔離した2箇所に各1個の基準
マークA,Bを設け集積回路パターン描画直前に
マーク位置を含む最小範囲2を電子ビームで走査
し、電子ビームとウエハとの相対位置を知り、既
知の基準位置からのずれ量を求め、それを偏向回
路に補正量として加え、2点鎖線で図示した集積
回路パターン3を描画するものである。ここで、
基準マーク位置は、該マークを含むウエハ上の微
小面積を電子ビームで走査し、ウエハと該マーク
とから放射される二次電子または反射電子信号を
検出器で補足し、処理することによつて求められ
る。
基準マークとしてはSiO2の窓開けパターンあ
るいは、Siウエハに選択エツチングを施すことに
よつて形成されるV溝の断面形状をした十字ある
いはL字状のパターンがもつぱら用いられる。
基準マーク検出時の電子ビームの走査速度は、
検出信号のS/N比あるいは該検出信号から位置
データを算出する際のデータ処理速度の制約上、
限界がある。このため、パターン描面時に比し
て、マーク検出時の走査速度を低速化させなけれ
ばならない。従つて、マーク走査領域の電子ビー
ム照射量が増大し、マーク上に塗布されている電
子線レジストの焼付きを生じ、該マークが等価的
に形状変化あるいは劣化をすることになつて、マ
ーク検出信号のS/Nが低下し、その結果、位置
検出精度が低下する。
かような支障を回避する手段として、電子銃の
輝度調節によりマーク走査時の電子ビーム照射量
を下げて位置検出を行うことも可能であるが、電
子照射系の条件が両者で異なるため、電子ビーム
と基準マークとの相対位置検出精度の低下は否め
ない。また、その操作が複雑であると共にそれに
要するオーバヘツドタイムによる描画のスループ
ツトの低下をもたらすという欠点を伴う。
本発明はかような欠点を解決することを目的と
したものである。
以下、本発明の詳細を図面を用いて説明する。
第2図は本発明方法による基準マーク配置の一
実施例を示したもので図示のように、ウエハ1上
に所定の間隔で複数個の基準マークA1,A2…An
およびB1,B2…Bnを各1組とする群を配置し、
集積回路の第1層パターンの描画時には、A1
B1、第2層目はA2,B2、…第n層目はAn,Bnの
如き組合せを用いて、電子ビームとウエハ位置と
の相対的位置関係を求めるものである。第3図は
A1,A2…Anの基準マークの組を拡大したもの
で、第一層パターン描画時には斜線で示したA1
マーク領域2と対向するB1マーク領域(図示せ
ず)のみを走査する。次に第二層パターン描画時
にはA2とB2を、更にその次はA3とB3という順序
で行う。
以上、説明したように、本発明によれば基準マ
ークに高照射量の電子ビーム走査を行つても、引
続く集積回路パターン描画時の基準マーク検出
は、順次、新しい基準マークの組合せを用いるこ
とになるので前述の如き欠点を回避することが可
能となる。
又、前記実施例は、ウエハの移動量および回転
角を求めて電子ビームの照射位置を補正する方法
に対して適用したが、ウエハ上に配列されるチツ
プ毎に複数個の基準マークを配置する方法あるい
は両方式を複合した方法などに対しても適用で
き、全く同様の効果が得られる。
なお、一般に一組の基準マークのマーク数は重
ね合せをする集積回路のパターンの層数だけ配列
すれば良い。また、これら複数個の基準マークを
第4図に示すように一体化して単一の基準マーク
とし作成し、マーク検出時に走査領域を分割して
位置検出を行うことも可能である。位置検出は、
例えば連続した二層パターン描画毎に照射マーク
を変えるようにして行つてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術におけるウエハ上への基準マ
ーク配置例を示す図、第2図は本発明方法におけ
る基準マーク配置の一実施例を示す説明図、第3
図は第2図の基準マークの組の拡大図、第4図は
基準マークの組を単一化した変形例の拡大図であ
る。 1……ウエハ、2……基準マークの電子ビーム
走査領域、3……集積回路のパターン描画領域、
A,B,A1,A2…An,B1,B2,…Bn……基準マ
ーク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電子ビームによりウエハ上のレジスト層を順
    次露光する方法において、複数個の位置合せ用基
    準マークを一組とする基準マーク群を前記ウエハ
    上の各箇所に一組づつ配置し、各順次露光に応じ
    て電子ビームにより照射されるマークを組内で選
    択することを特徴とする集積回路のパターンを形
    成する為の電子ビーム露光に於ける位置合せ方
    法。 2 基準マーク群として、集積回路のパターン層
    数に等しい個数の位置合せ用基準マークを一組と
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の集積回路のパターンを形成するための電子ビー
    ム露光に於ける位置合せ方法。 3 基準マーク群として、複数個の位置合せ用基
    準マークを一体化し、単一の基準マークとしたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集積
    回路のパターンを形成するための電子ビーム露光
    における位置合せ方法。 4 複数個の位置合せ用基準マークを一体化した
    単一の基準マークにおいて、集積回路のパターン
    層数に等しい個数の前記位置合せ基準マークを一
    体化したことを特徴とする特許請求の範囲第3項
    記載の集積回路のパターンを形成するための電子
    ビーム露光に於ける位置合せ方法。
JP10275979A 1979-08-14 1979-08-14 Location in electron beam injection Granted JPS5627927A (en)

Priority Applications (1)

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JP10275979A JPS5627927A (en) 1979-08-14 1979-08-14 Location in electron beam injection

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JP10275979A JPS5627927A (en) 1979-08-14 1979-08-14 Location in electron beam injection

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Publication Number Publication Date
JPS5627927A JPS5627927A (en) 1981-03-18
JPS6244686B2 true JPS6244686B2 (ja) 1987-09-22

Family

ID=14336118

Family Applications (1)

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JP10275979A Granted JPS5627927A (en) 1979-08-14 1979-08-14 Location in electron beam injection

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074519A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光における試料の位置合せ方法
US5185679A (en) * 1988-05-12 1993-02-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Inversion phenomenon preventing circuit
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JPS5627927A (en) 1981-03-18

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