JPS63100719A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPS63100719A JPS63100719A JP61245551A JP24555186A JPS63100719A JP S63100719 A JPS63100719 A JP S63100719A JP 61245551 A JP61245551 A JP 61245551A JP 24555186 A JP24555186 A JP 24555186A JP S63100719 A JPS63100719 A JP S63100719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- signals
- detection
- processing
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野]
本発明は、物体位置を求める位置検出装置に関する。こ
の位置検出装置は、例えば、半導体焼付装置においてレ
チクルとクエへ間の位置関係を求めるのに用いられるが
、特に雑音や歪の多い信号に対しても好適なものである
。
の位置検出装置は、例えば、半導体焼付装置においてレ
チクルとクエへ間の位置関係を求めるのに用いられるが
、特に雑音や歪の多い信号に対しても好適なものである
。
[従来技術]
従来、半導体焼付装置には光学アライナやX線アライナ
があるが、これらの装置では焼付けに先立ちマスクとク
エへの位置合せを行なっている。
があるが、これらの装置では焼付けに先立ちマスクとク
エへの位置合せを行なっている。
この位置合せにおいては、マスクとウェハ上に設けられ
た両者の位置関係を知ることのできるアライメント・マ
ークを光あるいは電子線により検出してマスクとウニへ
間の位置関係を求めている。
た両者の位置関係を知ることのできるアライメント・マ
ークを光あるいは電子線により検出してマスクとウニへ
間の位置関係を求めている。
ウェハ上のアライメント・マークはウニ八基板上に作ら
れた段差構造をもつもので、位置合せの際にはこの上に
レジストをサブミクロンないし数ミクロンの厚さで塗布
する。このため、ウェハ上のアライメント・マークはレ
ジスト層を介して検出することになる。
れた段差構造をもつもので、位置合せの際にはこの上に
レジストをサブミクロンないし数ミクロンの厚さで塗布
する。このため、ウェハ上のアライメント・マークはレ
ジスト層を介して検出することになる。
[発明が解決しようとする問題点コ
このようにレジスト層を介して検出する場合、光(特に
レーザ光)は、レジスト表面で反射や屈折し、レジスト
層で多重反射し、またレジストの表面と裏面からの反射
光が干渉する。また、電子線はレジスト層で散乱する。
レーザ光)は、レジスト表面で反射や屈折し、レジスト
層で多重反射し、またレジストの表面と裏面からの反射
光が干渉する。また、電子線はレジスト層で散乱する。
これらの効果(以下レジスト効果と呼ぶ)のために検出
信号のS/Nやコントラストおよび解像力は低下する。
信号のS/Nやコントラストおよび解像力は低下する。
このため、マスクとウニへ間の位置関係を検出する精度
は低下し、従って位置合せ精度が低下するという問題点
があった。
は低下し、従って位置合せ精度が低下するという問題点
があった。
以下具体例に基づき従来例の問題点について詳細な説明
を行なう。
を行なう。
第8図は従来例および本発明で検出するマークおよび検
出信号の一例を示す図である。同図において、1〜4は
マスク上のアライメント・マーク、5はウェハ上のアラ
イメント・マーク、6はレーザ光あるいは電子線の走査
線、7〜lOはマーク2.5および4と走査線6とが交
叉したところから発生する検出信号、11は信号7〜l
Oを2値化するスライス・レベルである。
出信号の一例を示す図である。同図において、1〜4は
マスク上のアライメント・マーク、5はウェハ上のアラ
イメント・マーク、6はレーザ光あるいは電子線の走査
線、7〜lOはマーク2.5および4と走査線6とが交
叉したところから発生する検出信号、11は信号7〜l
Oを2値化するスライス・レベルである。
以下、同図を用いて従来法によるマスクのアライメント
・マークとウェハのアライメント・マークとのずれ量を
求める手順を説明する。
・マークとウェハのアライメント・マークとのずれ量を
求める手順を説明する。
マスクとウェハとの位置関係を検出するとき、まず、マ
スク上のアライメント・マーク1〜4とウェハ上のアラ
イメント・マーク5をレーザ光あるいは電子線で互いに
直交する2方向に走査し、各マークと交叉したところで
散乱する光あるいは反射電子や2次電子をディテクタで
検出する。これにより、各走査方向について信号7〜1
0に示すような電気的パルス信号が得られる。各走査方
向について処理は全く同様になるので、ここでは図示の
方向に走査した場合について説明する。マスクのマーク
2,4とウェハのマーク5との間の距離を求めるために
は信号7〜10の各43号の中心位置を求める必要があ
るので、次に、これら各信号をスライス・レベル11で
2値化した矩形状信号とし、各矩形状信号の中心位置を
各信号の中心位置として求める。
スク上のアライメント・マーク1〜4とウェハ上のアラ
イメント・マーク5をレーザ光あるいは電子線で互いに
直交する2方向に走査し、各マークと交叉したところで
散乱する光あるいは反射電子や2次電子をディテクタで
検出する。これにより、各走査方向について信号7〜1
0に示すような電気的パルス信号が得られる。各走査方
向について処理は全く同様になるので、ここでは図示の
方向に走査した場合について説明する。マスクのマーク
2,4とウェハのマーク5との間の距離を求めるために
は信号7〜10の各43号の中心位置を求める必要があ
るので、次に、これら各信号をスライス・レベル11で
2値化した矩形状信号とし、各矩形状信号の中心位置を
各信号の中心位置として求める。
そして、マスクのマーク2からの信号7とウェハのマー
ク5からの信号8の中心位置間の距離をtl、同じく信
号9と信号lOの中心位置間の距離をtlとし、ウェハ
のマークの位置がマスクのマークの位Aの中心にあると
き位置合せした状態とすれは、ずれ量dは d= (tl−tl)/2 (1)により
求めることができる。
ク5からの信号8の中心位置間の距離をtl、同じく信
号9と信号lOの中心位置間の距離をtlとし、ウェハ
のマークの位置がマスクのマークの位Aの中心にあると
き位置合せした状態とすれは、ずれ量dは d= (tl−tl)/2 (1)により
求めることができる。
この従来例において位置合せ精度をよくするためには、
ずれ正、言い換えれば信号間の距離、さらに言い換えれ
ば各信号の中心位置の検出精度をよくする必要がある。
ずれ正、言い換えれば信号間の距離、さらに言い換えれ
ば各信号の中心位置の検出精度をよくする必要がある。
そして、各信号の中心位置の検出精度をよくするための
必要条件は各信号の波形がピーク位=を中心に対称であ
ることである。通常、この条件を満足するようにアライ
メント・マークの線巾およびスポット径などが設定され
る。
必要条件は各信号の波形がピーク位=を中心に対称であ
ることである。通常、この条件を満足するようにアライ
メント・マークの線巾およびスポット径などが設定され
る。
ところが、上述したように、位置合せの時にはウェハ上
のアライメント・マークの上にレジストをサブミクロン
から数ミクロンの厚みで塗布する。このためアライメン
ト・マークの検出はレジストを通して行うことになり、
前記レジスト効果およびレジスト膜厚の不均一さのため
信号は歪み、信号波形の対称性は崩れる。すなわち、第
9図に示すように、信号の歪は中心位置の検出誤差を生
じ、位置合せ精度を低下させる。
のアライメント・マークの上にレジストをサブミクロン
から数ミクロンの厚みで塗布する。このためアライメン
ト・マークの検出はレジストを通して行うことになり、
前記レジスト効果およびレジスト膜厚の不均一さのため
信号は歪み、信号波形の対称性は崩れる。すなわち、第
9図に示すように、信号の歪は中心位置の検出誤差を生
じ、位置合せ精度を低下させる。
本発明は、上述の従来の問題点を解決すると同時に、例
えばアルミ配線を焼き付ける工程での位置合せ時に生じ
るような、S/Nの悪い検出信号からの位置の検出を可
能にし、また、信号の基準位置(例えば、中心位置)の
検出が距離なものに対しても基準位置を容易にかつ精確
に求められるようにすることを目的とする。
えばアルミ配線を焼き付ける工程での位置合せ時に生じ
るような、S/Nの悪い検出信号からの位置の検出を可
能にし、また、信号の基準位置(例えば、中心位置)の
検出が距離なものに対しても基準位置を容易にかつ精確
に求められるようにすることを目的とする。
[問題点を解決するための手段および作用コ本発明は上
記問題点を解決するため、歪のある検出信号の基準位置
(例えば、中心位置)を、検比信号と参照信号との部分
相関処理をすることにより、精度高く検出するようにし
ている。
記問題点を解決するため、歪のある検出信号の基準位置
(例えば、中心位置)を、検比信号と参照信号との部分
相関処理をすることにより、精度高く検出するようにし
ている。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
まず、本実施例の原理を説明する。
従来、位置合せは数ミクロン程度の精度の粗い位置合せ
と0.1ミクロン程度の精度の細かい位置合せの2段階
の位置合せを行なっている。本実施例は細かい位置合せ
におけるもので、この段階ではアライメント・マークか
ら検出される信号の順序は決まっており、第8図のアラ
イメント・マークを用いたとすれば、同図の信号7がマ
スク、信号8と信号9がウェハ、そして信号10がマス
クからの信号となる。また、信号7と信号8の距離は所
定の値から粗い位置合せ精度の誤差範囲までの間にある
。すなわち、信号7と信号8の距離は凡そ決っている。
と0.1ミクロン程度の精度の細かい位置合せの2段階
の位置合せを行なっている。本実施例は細かい位置合せ
におけるもので、この段階ではアライメント・マークか
ら検出される信号の順序は決まっており、第8図のアラ
イメント・マークを用いたとすれば、同図の信号7がマ
スク、信号8と信号9がウェハ、そして信号10がマス
クからの信号となる。また、信号7と信号8の距離は所
定の値から粗い位置合せ精度の誤差範囲までの間にある
。すなわち、信号7と信号8の距離は凡そ決っている。
また、信号7と信号10および信号8と信号9はそれぞ
れ所定の距離間隔を持つペアの信号すなわち信号7と信
号10および信号8と信号9はそれぞれ1つの信号と見
なすこともできる。
れ所定の距離間隔を持つペアの信号すなわち信号7と信
号10および信号8と信号9はそれぞれ1つの信号と見
なすこともできる。
以上より、信号7〜10の特定の信号に対して、あるい
は信号7と信号lOおよび信号8と信号9のペアの信号
に対して特定の信号処理を行なうことが可能である。
は信号7と信号lOおよび信号8と信号9のペアの信号
に対して特定の信号処理を行なうことが可能である。
従来、相関処理は2つの関数f(×)とg (x)に対
して h(x) =i”’f(y) g (y+x)
dyと定義されるが、例えば関数f (x)の一部と
関数g (x)の相関処理を行なうものおよび関数f
(x)中の特定部分に対する相関処理を行なうものを部
分相関処理と呼ぶ。
して h(x) =i”’f(y) g (y+x)
dyと定義されるが、例えば関数f (x)の一部と
関数g (x)の相関処理を行なうものおよび関数f
(x)中の特定部分に対する相関処理を行なうものを部
分相関処理と呼ぶ。
本実施例においては、雑音および歪の大きい信号成分に
対してのみ相関処理する、あるいは異なる性質の信号に
対してそれぞれに適した相関処理を行なうことにより検
出精度を高めている。
対してのみ相関処理する、あるいは異なる性質の信号に
対してそれぞれに適した相関処理を行なうことにより検
出精度を高めている。
以下この相関処理について具体例を用いて説明する。
第5図は単一の信号による相関処理の例を示す図である
。同図において、80は参照信号、81は検出信号、8
2は参照信号80と検出信号81との相関関数、83は
歪のある検出信号、84は参照信号80と検出信号83
との相関関数である。
。同図において、80は参照信号、81は検出信号、8
2は参照信号80と検出信号81との相関関数、83は
歪のある検出信号、84は参照信号80と検出信号83
との相関関数である。
同図の場合、検出信号81の中心位置は相関関数82の
ピークの位置から検出できる。また、検出信号83は検
出信号81がぼけ、エツジ効果および光学系の傾きによ
る歪などを受けたものであるが、このような歪んだ検出
信号に対しても相関関数84にみるように、信号83の
中心位置は相関関数84のピーク位置から精度よく検出
できる。
ピークの位置から検出できる。また、検出信号83は検
出信号81がぼけ、エツジ効果および光学系の傾きによ
る歪などを受けたものであるが、このような歪んだ検出
信号に対しても相関関数84にみるように、信号83の
中心位置は相関関数84のピーク位置から精度よく検出
できる。
第6図は、ペアの信号による相関処理の例を示す図であ
る。同図において、90はペアの信号からなる参照信号
、91はペアの信号からなる検出信号、92は参照信号
90と検出信号91との相関関数である。
る。同図において、90はペアの信号からなる参照信号
、91はペアの信号からなる検出信号、92は参照信号
90と検出信号91との相関関数である。
この場合は、検出信号91を形成するペアの信号の中心
位置を相関関数から求める。第5図と第6図を比較した
とき、相関関数92は相関関数82に比べて尖鋭度が高
く、従って、マークの位置は、個々の信号の中心位置か
ら求めるよりもペアの信号の中心位置から求めた方が検
出精度を高めることができる。
位置を相関関数から求める。第5図と第6図を比較した
とき、相関関数92は相関関数82に比べて尖鋭度が高
く、従って、マークの位置は、個々の信号の中心位置か
ら求めるよりもペアの信号の中心位置から求めた方が検
出精度を高めることができる。
第7図は相関処理によらなければ基準位置の検出が困難
な信号による相関処理の例を示す図である。同図におい
て、100は参照信号、101は検出信号、102は相
関関数である。
な信号による相関処理の例を示す図である。同図におい
て、100は参照信号、101は検出信号、102は相
関関数である。
この例かられかるように、信号の基準位置が検出困難な
場合にも相関関数のピークの位置から、容易に基準位置
を検出できる。
場合にも相関関数のピークの位置から、容易に基準位置
を検出できる。
本実施例においては、以上に示した効果を有する相関処
理を、雑音や歪の大きな検出信号あるいははペアで検出
できる信号に対して行なうことにより検出精度を向上さ
せている。
理を、雑音や歪の大きな検出信号あるいははペアで検出
できる信号に対して行なうことにより検出精度を向上さ
せている。
第1図は、本発明の一実施例に係る位置合せ装置の構成
を示す。
を示す。
同図において、21はマスク、22はウェハ、23およ
び24はマスクおよびウェハ上のアライメント・マーク
から信号を検出する光あるいは電子線の光学系、25は
X方向、Y方向および回転方向への移勅が可能なウェハ
22を保持するステージ、26.27および28はそれ
ぞれステージ25をX方向、Y方向および回転方向に移
動させる駆動装置、29は信号検出装置、30は信号処
理装置、31は記憶装置、32は位置検出装置、33は
cpu、34は駆動装置26゜27および28を制御す
る制御装置である。
び24はマスクおよびウェハ上のアライメント・マーク
から信号を検出する光あるいは電子線の光学系、25は
X方向、Y方向および回転方向への移勅が可能なウェハ
22を保持するステージ、26.27および28はそれ
ぞれステージ25をX方向、Y方向および回転方向に移
動させる駆動装置、29は信号検出装置、30は信号処
理装置、31は記憶装置、32は位置検出装置、33は
cpu、34は駆動装置26゜27および28を制御す
る制御装置である。
第2図は、第1図の装置の処理の流れ図である。
同図において、ステップ41は信号検出処理、ステップ
42は部分相関処理、ステップ43は各信号のピーク位
置検出処理、ステップ44はマスクとウェハの位置関係
を検出する処理、ステップ45はマスクとウェハを所定
の位置関係に合せる処理である。
42は部分相関処理、ステップ43は各信号のピーク位
置検出処理、ステップ44はマスクとウェハの位置関係
を検出する処理、ステップ45はマスクとウェハを所定
の位置関係に合せる処理である。
以下、第2図の処理の流れ図を参照しながら第1図の装
置の動作の詳細な説明を行なう。
置の動作の詳細な説明を行なう。
まず、信号検出処理(ステップ41)では、信号検出装
置29により、2組の光学系23および24を用いてそ
れぞれ互いに直交する2方向に走査してマスクとクエへ
のアライメント・マークからの信号を検出する。2カ所
を2方向に走査するため、第8図のアライメント・マー
クを用いたとすれば、同図の信号7〜10に示すような
時系列信号が4組得られる。また、信号に含まれる高周
波数領域の雑音はロー・パス・フィルタで除去する。
置29により、2組の光学系23および24を用いてそ
れぞれ互いに直交する2方向に走査してマスクとクエへ
のアライメント・マークからの信号を検出する。2カ所
を2方向に走査するため、第8図のアライメント・マー
クを用いたとすれば、同図の信号7〜10に示すような
時系列信号が4組得られる。また、信号に含まれる高周
波数領域の雑音はロー・パス・フィルタで除去する。
次に、部分相関処理(ステップ42)では、信号検出処
理(ステップ41)で検出した信号検出装置29からの
出力信号と記憶装置31に記憶しである参照信号とを信
号処理装置30で部分相関処理する。
理(ステップ41)で検出した信号検出装置29からの
出力信号と記憶装置31に記憶しである参照信号とを信
号処理装置30で部分相関処理する。
第3図にこのときの相関処理の様子を示す。同図におい
て、50〜53は信号検出処理した信号のうちの1組の
信号であり、第8図の信号7〜1oに対応する。54は
参照信号、55〜58はそれぞれ信号50〜53と参照
信号54とを部分相関処理した出力信号である。
て、50〜53は信号検出処理した信号のうちの1組の
信号であり、第8図の信号7〜1oに対応する。54は
参照信号、55〜58はそれぞれ信号50〜53と参照
信号54とを部分相関処理した出力信号である。
この出力信号に対し、各信号のピーク位置検出処理(ス
テップ43)で、位置検出装置32により、信号55〜
58の各信号のピーク位置すなわち信号50〜53の中
心位置を検出する。そして、マスクとクエへの位置検出
処理(ステップ44)で、このようにして求めた各信号
のピーク位置からcpu33により信号55と信号56
および信号57と信号58の各距離t1とt2を求める
。このとき、第8図のアライメント・マークを用いたと
すれば、ずれ量は前記(1)式で求まる。
テップ43)で、位置検出装置32により、信号55〜
58の各信号のピーク位置すなわち信号50〜53の中
心位置を検出する。そして、マスクとクエへの位置検出
処理(ステップ44)で、このようにして求めた各信号
のピーク位置からcpu33により信号55と信号56
および信号57と信号58の各距離t1とt2を求める
。このとき、第8図のアライメント・マークを用いたと
すれば、ずれ量は前記(1)式で求まる。
以上の処理は、2箇所のアライメント・マークを互いに
直交する2方向に走査して得た4組の時系列信号に対し
て行ない、右のアライメント・マークからはX方向およ
びY方向のずれ量dXrとdYrを求め、左のアライメ
ント・マークからはX方向およびY方向のずれ量dXi
とdYj2を求める。
直交する2方向に走査して得た4組の時系列信号に対し
て行ない、右のアライメント・マークからはX方向およ
びY方向のずれ量dXrとdYrを求め、左のアライメ
ント・マークからはX方向およびY方向のずれ量dXi
とdYj2を求める。
これらの結果より、X方向、Y方向および回転方向のず
れ量は、 dX= (dXr+dXJ2)/2 (2)dY
= (dYr+dYfL)/2 (3)dR=
(dYr+dYf)/D (4)ここで、d
Rは回転方向のずれ量 りはアライメント・マーク間の距離 により求める。
れ量は、 dX= (dXr+dXJ2)/2 (2)dY
= (dYr+dYfL)/2 (3)dR=
(dYr+dYf)/D (4)ここで、d
Rは回転方向のずれ量 りはアライメント・マーク間の距離 により求める。
位置合せ処理(ステップ45)では、(2)式から(4
)式のずれ量を無くするように、制御装置34の制御の
下で駆動装置28.27および28によりステージ25
を8勅させ、マスクとクエへの位置合せを終了する。
)式のずれ量を無くするように、制御装置34の制御の
下で駆動装置28.27および28によりステージ25
を8勅させ、マスクとクエへの位置合せを終了する。
[実施例の変形例]
上述の実施例では、第3図中の参照信号54に示すよう
に1つの参照信号を用いて検出信号50〜53と相関処
理を行なったが、第4図に示すように、参照信号64と
65および参照信号66と67の2組の参照信号を用い
、参照信号64.65と検出信号80.63との部分相
関処理および参照信号66、87と検出信号61.82
との部分相関処理を行なうことにより、検出精度をより
高くすることができる。
に1つの参照信号を用いて検出信号50〜53と相関処
理を行なったが、第4図に示すように、参照信号64と
65および参照信号66と67の2組の参照信号を用い
、参照信号64.65と検出信号80.63との部分相
関処理および参照信号66、87と検出信号61.82
との部分相関処理を行なうことにより、検出精度をより
高くすることができる。
この時のずれ量は、これらの部分相関処理結果の信号6
8と信号69の距fit3となる。
8と信号69の距fit3となる。
[発明の効果]
上述したように、本発明によれば、次のような効果が得
られる。
られる。
(1)例えばアルミ配線を焼き付ける工程での位蓋合せ
の際のように、S/Hの悪い信号による位置検出を可能
にする。
の際のように、S/Hの悪い信号による位置検出を可能
にする。
(2)検出信号の歪の影響を小さくする。
(3)信号波形の尖鋭度が高くなることにより検出精度
が向上する。
が向上する。
(4)信号の基準位置(例えば、中心位置)が検出困難
な信号波形の場合にも検出を容易にする。
な信号波形の場合にも検出を容易にする。
第1図は、本発明の一実施例に係る位置合せ装置の構成
図、 第2図は、第1図の装置の位置合せ処理を説明する流れ
図、 第3図は、信号処理の一実施例を示す図、第4図は、信
号処理の他の実施例を示す図、第5図〜第7図は、本発
明の実施例における相開IA埋の原理を示す図、 第8図は、従来例を説明する図、 第9図は、波形歪と検出誤差の例を示す図である。 21:マスク、22:ウェハ、23,24:光学系、2
5:ステージ、 26、27.28:ステージ駆動装置、29:信号検出
装置、30:信号処理装置、31:記憶装置、32:位
置検出装置、33:cpu、34:制御装置。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 O と 第3回 〇 二r−− 第 4 図 第5図 ヤ l(+ 第6 幕 序 第7
図、 第2図は、第1図の装置の位置合せ処理を説明する流れ
図、 第3図は、信号処理の一実施例を示す図、第4図は、信
号処理の他の実施例を示す図、第5図〜第7図は、本発
明の実施例における相開IA埋の原理を示す図、 第8図は、従来例を説明する図、 第9図は、波形歪と検出誤差の例を示す図である。 21:マスク、22:ウェハ、23,24:光学系、2
5:ステージ、 26、27.28:ステージ駆動装置、29:信号検出
装置、30:信号処理装置、31:記憶装置、32:位
置検出装置、33:cpu、34:制御装置。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 O と 第3回 〇 二r−− 第 4 図 第5図 ヤ l(+ 第6 幕 序 第7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、参照信号を発生する手段と、物体上のアライメント
・マークからの信号を検出する信号検出手段と、上記参
照信号発生手段により発生した参照信号と該信号検出手
段により検出した信号との部分相関処理により上記マー
クから検出した信号の位置を検出する信号処理手段と、
該信号処理手段で求めた上記マークから検出した信号か
ら物体位置を求める位置検出手段と を具備することを特徴とする位置検出装置。 2、前記参照信号が、物体上のアライメント・マークの
一部あるいは全体から検出する信号に対応する1個また
は複数個の信号からなるものである特許請求の範囲第1
項記載の位置検出装置。 3、前記参照信号発生手段が信号発生器である特許請求
の範囲第1項記載の位置検出装置。 4、前記参照信号発生手段が該参照信号を記憶する記憶
装置を有するものである特許請求の範囲第1項記載の位
置検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245551A JPS63100719A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 位置検出装置 |
| DE3735154A DE3735154C2 (de) | 1986-10-17 | 1987-10-16 | Verfahren zum Erfassen der Lage einer auf einem Objekt vorgesehenen Marke |
| US07/387,361 US4971444A (en) | 1986-10-17 | 1989-07-28 | Method and apparatus for detecting the position of an object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245551A JPS63100719A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100719A true JPS63100719A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17135379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61245551A Pending JPS63100719A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418613A (en) * | 1990-11-20 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for detecting the position of a substrate having first and second patterns of different sizes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260127A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Canon Inc | マスクの位置合わせ方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61245551A patent/JPS63100719A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260127A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Canon Inc | マスクの位置合わせ方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418613A (en) * | 1990-11-20 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for detecting the position of a substrate having first and second patterns of different sizes |
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