JPH03108312A - 荷電ビームの非点収差補正方法 - Google Patents

荷電ビームの非点収差補正方法

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JPH03108312A
JPH03108312A JP1243313A JP24331389A JPH03108312A JP H03108312 A JPH03108312 A JP H03108312A JP 1243313 A JP1243313 A JP 1243313A JP 24331389 A JP24331389 A JP 24331389A JP H03108312 A JPH03108312 A JP H03108312A
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清司 服部
Shuichi Tamamushi
秀一 玉虫
Eiji Nishimura
英二 西村
Naotaka Ikeda
池田 尚孝
Kanji Wada
和田 寛次
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、LSI等の微細パターンを試料上に描画する
荷電ビーム描画方法に係わり、特に成形ビームの非点収
差を自動的に補正するための荷電ビームの非点収差補正
方法に関する。
(従来の技術) 従来、半導体ウェハ等の試料上に所望パターンを描画す
るものとして、可変成形電子ビームを用いた電子ビーム
描画装置が用いられている。
電子ビーム描画装置では、電子銃がら放射され成形アパ
ーチャを通過したビームが、各種電子レンズにより集束
されて試料上に照射される。
このとき、電子レンズに非点収差があることがら、成形
ビームにも非点収差が存在する。ビームに非点収差があ
ると描画精度の低下を招くので、非点収差をなくす必要
がある。この非点収差をなくすには、試料上のマークを
成形ビームで走査して得られる反射電子信号或いは2次
電子信号からビームの分解能を測定し、対物レンズの近
傍に設けられた非点補正コイルで非点を補正する方法が
採用されている。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、従来の電子ビーム描画装置における成
形ビームの非点収差補正方法は、矩形ビームの場合、辺
に平行又は垂直な0度と90度方向に対してのみ実施さ
れており、このような方向のみでは矩形ビームの角部で
の分解能の測定は極めて困難であり、例えば45度や1
35度方向の非点収差補正については実用的な方法が提
案されていないのが現状である。従って、高精度な成形
パターンを得ることは極めて困難であった。また、0度
と90度方向の非点収差補正に関しても、試料上のマー
クを成形ビームで走査して得られる反射電子信号或いは
2次電子信号からビームの分解能を測定して非点及び焦
点を補正すると、ノイズ等の影響によりビームの分解能
が精度良く測定できず、十分な補正精度が得られなかっ
た。また、精度を得るためにビーム波形の処理を複雑化
すると処理時間を多く必要としていた。
(発明が解決しようとする課題) このように従来、可変成形ビーム方式の荷電ビーム描画
方法においては、マークをビーム走査して得られるビー
ムの分解能に基づいて非点収差を補正しているが、この
ような方法では、ノイズ等の影響によりビームの分解能
が精度良く測定できず、補正精度が低下する問題があっ
た。さらに、高い補正精度を得るには処理速度が低下す
る問題があった。また、矩形ビームの各辺に対しである
傾きを持つ、例えば45度と135度方向の非点収差に
関しては、これを容易に補正することは困難であった。
本発明は、上記した欠点を除くためになされたもので、
その目的とするところは、成形ビームの各辺に対して垂
直な方向の非点収差のみならず、斜め方向の非点収差を
も容易に補正することができると共に、処理速度が速く
、ノイズの影響を受は難い荷電ビームの非点収差補正方
法を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、例えば0度、90度方向の辺を有する
矩形のみならず45度又は135度方向等の斜辺を持つ
三角形ビームを発生させ、この三角形ビームを試料上で
45度−135度方向に走査してそれぞれの方向のビー
ムエツジ分解能を求めて成形ビームの非点収差を補正す
ることにある。
即ち本発明は、第1及び第2の成形アパーチャ間に荷電
ビームの寸法及び形状を可変制御するためのビーム成形
用の偏向器を配置すると共に、対物レンズの近傍に非点
収差を補正するための非点補正コイルを設けた荷電ビー
ム描画装置において、成形ビームの非点収差を補正する
方法であって、例えば矩形ビームのエツジ分解能を試料
上で測定し、該測定したエツジ分解能に基づいて0度と
90度方向の非点収差を補正し、三角形ビーム等の成形
ビームの斜辺のエツジ分解能を試料上で測定し、該測定
したエツジ分解能に基づいて45度と 135度方向等
の非点収差を補正するようにした方法である。
より具体的に説明すると本発明は、可変成形電子ビーム
描画装置において、矩形のみならず例えば45度と 1
35度方向の斜辺を持つ三角形ビームを発生させ、試料
上に設けられた金粒子を45度−135度方向に走査し
てそれぞれの方向のビームエツジ分解能を求める。ここ
では、ビーム分解能の代わりに成形ビームの強度分布信
号をA/D変換し、得られた波形データとこれを遅延さ
せたデータとの差信号(微分)を計算し、既に設定され
ているスレショルド・レベル以上の差信号データを累積
加算する。焦点合わせの際、焦点を変えながら累積加算
値を計算し、この累積加算値が最大になる点を最適焦点
とする。
この焦点合わせ方法を用いて、非点補正値を変えながら
、45度と 135度方向の非点隔差を求め、非点隔差
が零になる非点補正値を求める。0度と90度方向につ
いても同様な方法で非点補正値を求める。
(作用) 本発明によれば、成形ビームの辺に対して斜めの辺(成
形ビームが0度と90度方向の辺を有する場合、例えば
45度或いは135度方向の斜辺)を有する三角形ビー
ムのエツジ分解能を測定し、45度或いは135度方向
の非点補正コイルで非点補正を行うことにより、0度と
90度方向だけでなく45度と 135度方向の非点収
差を正確に補正することができ、しかも波形のノイズに
大きく依存しないで、高速に非点収差を補正することが
できる。また、ビーム分解能を計算する複雑な処理回路
又はソフトウェアを必要とせず、容易な計算でビーム分
解能に相当するデータを得ることができ、短時間で正確
な補正が可能となる。
(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室であ
り、この試料室10内には半導体ウェハ等の試料11を
載置した試料台12が収容されている。試料台12は、
計算機30からの指令を受けた試料台駆動回路31によ
りX方向(紙面左右方向)及びY方向(紙面表裏方向)
に移動される。そして、試料台12の移動位置はレーザ
測長系32により測定され、その測定情報が計算機30
及び偏向制御回路33に送出されるものとなっている。
一方、試料室10の上方には、電子銃21、各種レンズ
22a、〜、22e、各種偏向器23、〜.26及びビ
ーム成形用アパーチャマスク27a、27b等からなる
電子光学鏡筒20が設けられている。ここで、偏向器2
3はビームを0N−OFFするためのブランキング偏向
板であり、この偏向器23にはブランキング制御回路3
4からのブランキング信号が印加される。
偏向器24は、アパーチャマスク27a、27bの光学
的なアパーチャ重なりを利用してビームの寸法を可変制
御するビーム寸法可変用偏向板であり、この偏向器24
には可変ビーム寸法制御回路35から偏向信号が印加さ
れる。また、偏向器25.26はビームを試料11上で
走査するビーム走査用偏向板であり、これらの偏向器2
5.26には偏向制御回路33から偏向信号が印加され
るものとなっている。また、対物レンズ22eの近傍に
は後述する非点補正コイル28及び図示しない焦点補正
コイル等が配置されている。
また、試料室10内には、試料11からの反射電子等を
検出する電子検出器37が設けられている。この電子検
出器37は、試料11に形成された位置合わせマーク上
を電子ビームで走査したときの反射電子等を検出し、マ
ーク位置を測定するのに用いられる。なお、電子検出器
37の検出信号は計算機30に送出されるものとなって
いる。
次に、第1図のように構成された電子ビーム描画装置に
おいて、非点補正・焦点合わせを行う方法について以下
に説明する。電子ビーム描画装置は第2図に示す矩形の
第1成形アパーチヤと矢印形の第2成形アパーチヤを採
用しており、矩形ビームと4種類の三角形ビームを発生
させることができるものとする。また、非点補正コイル
28は対物レンズ22eの近傍に配置されており、第3
図(a)に示す如く試料座標に対して0度と90度方向
(A方向)の非点補正コイル、45度と 135度方向
(B方向)の非点補正コイルからなる。それぞれの非点
補正コイルは連動して動作し、成形ビームのA方向とB
方向の非点収差を独立に補正する。
矩形ビームに入方向及びB方向に非点収差がある場合、
焦点を変化させると第4図(a) (b)に示すように
矩形ビームの強度分布が変化する。
A方向の非点収差は、矩形ビームの0度及び90度方向
のエツジ分解能の変化を測定すれば補正できるが、B方
向の非点収差に関しては補正することは困難である。そ
こで45度と 135度の斜辺を持つ直角三角形ビーム
で45度と 135度方向のビームエツジ分解能の変化
を測定すれば、B方向の非点補正が可能となる。
本実施例では、金粒子法(試料上に設けられた金の微粒
子を成形ビームで走査して得られる反射電子信号からビ
ームの強度分布を得る方法)で焦点・非点を補正する。
まず、最初に焦点を合わせる。焦点合わせは金粒子法で
得られるビームの強度分布からビームの分解能(ビーム
の強度分布が波高値の10%から90%まで変化する距
、1!i)を測定する。焦点を変化させつつビーム分解
能を測定し、これらの測定データを2次関数に当てはめ
て、ビーム分解能が最小となるピーク値を求めれば最適
焦点値を求めることができる。ここでは、第5図に示す
ように矩形ビームを用いて金粒子上を0度と90度方向
にビーム走査し、第6図に示すように両方向のビームエ
ツジ分解能を測定する。そして、0度及び90度方向の
最適焦点値fPI+fP2を求め、(fp++f P2
) / 2を焦点値として焦点補正コイルに設定する。
ここまでが、焦点合わせである。
次に、非点補正を行う。前記最適焦点値fPIとfP2
との差は非点隔差であり、この差が零になれば非点収差
が補正されたことになる。まず、A方向の非点補正値を
決定する。非点補正コイルの電流値を変化させて、上記
と同様に0度と90度方向の最適焦点値fPl+fP2
を求めると、両者の関係は第7図に示すような結果にな
る。
A方向の非点補正値と0度と90度方向の最適焦点値(
ピーク値)を1次関数に当てはめ、2つの1次関数の交
点から非点補正値を求め、これを非点補正コイルに設定
すれば入方向の非点収差を補正できる。
B方向の非点収差についても同様に、第8図に示すよう
に直角三角形ビーム1.2を発生させビーム1を45度
方向、ビーム2を135度方向へ金粒子上を走査し金粒
子からの反射電子信号からビーム1の 135度エツジ
、ビーム2の45度エツジの分解能を測定する。B方向
の非点補正コイルの電流値を変えつつ、45度と 13
5度方向の最適焦点値から第7図と同様に非点隔差を測
定し隔差が零になる非点補正値を求め、B方向の非点収
差を補正する。
最後に焦点を微調して合わせれば成形ビームの非点・焦
点が精度良く補正され描画パターンの形成精度が飛躍的
に向上することになる。
かくして本実施例方法によれば、成形ビームの焦点を補
正することができるのは勿論のこと、0度と90度方向
だけでなく45度と 135度方向の非点収差をも正確
に補正することができる。しかも、金粒子法等を用いて
成形ビームのエツジ分解能を測定し、この測定値に基づ
き非点収差を補正しているので、波形のノイズに大きく
依存しないで、高速に非点収差を補正することができる
。また、ビーム分解能を計算する複雑な処理回路又はソ
フトウェアを必要とせず、容易な計算でビーム分解能に
相当するデータを得ることができ、短時間で正確な補正
が可能となる。
また、この実施例では0度、90度方向の辺を有する矩
形ビームや45度、135度の斜辺を有する三角形ビー
ムを用いたが、基本的には成形ビームの各辺に垂直な方
向と斜めの方向、それぞれに対して非点補正が行えれば
よく、そのために三角形ビームの斜辺は45度、135
度以外の斜め方向の辺を有するものでもよい。
くその他の実施例〉 次に、本発明の第2の実施例方法について説明する。こ
の実施例方法は、焦点補正を行う手段として、ビームの
分解能を用いる代わりに、下記第1式を用いることによ
り、さらに高速・高精度の焦点合わせを実現したもので
ある。
即ち、先の実施例方法で用いたビームの分解能の代わり
に、金粒子法で得られたビームの強度分布をA/D変換
したデータ(第9図(a))と、これを遅延差せたデー
タ(第9図(b))との差信号(第9図(C))を得る
。そして、この差信号(微分)の絶対値を計算し、さら
にビーム強度の2分の1に設定されているスレッショー
ルドレベル以上の差信号データの累積加算値2 累積加算値−Σ (Yi−v)  ・・・ (1)1−
t+ を計算する。第10図に、このようにして得られた累積
加算値と焦点との関係を示す。この関係から焦点を合わ
せる場合、累積加算値の最大値或いは両者の関係を2次
関数(Y−ax2+bx十c)に当てはめてピーク値(
−b/ 2a)を求める。これを最適焦点値とすれば、
高速且つノイズの影響を受は難い焦点合わせ方法を実現
できる。
次に、本発明の第3の実施例方法について説明する。こ
の実施例方法は、非点補正を行う手段として、次のよう
にしたものである。即ち、1度焦点を合わせた後、焦点
を一定量ずらして、非点補正値を変えなから0度と90
度方向のビームのエツジ分解能を求めると第11図(a
)に示す関係が得られる。さらに、ビームのエツジ分解
能の代わりに差信号データの累積加算値を求めると、第
11図(b)に示す関係が得られる。
そこで、非点補正値とビームのエツジ分解能或いは差信
号の累積加算値との関係を、直交した2方向の0度と9
0度方向に対して測定し、これらの関係を2つの2次関
数に当てはめ、その交点(0度と90度方向のエツジ分
解能或いは差信号の累積加算値が一致する点)から最適
な非点補正値を求めることができる。これは、三角形ビ
ームを用いて45度と 135度方向の非点補正にも適
応でき、入方向及びB方向共に非点収差を補正すること
ができる。
次に、本発明の第4の実施例方法について説明する。こ
の実施例は、焦点・非点補正の手順を最適化することに
より、非点補正の高精度化をはかったものである。
まず、矩形ビームで最初に第12図に示すように波形デ
ータをそのまま、50%[(+*ax+■1n)12)
]のスレッショールドレベルを設けて累積加算し、第1
0図と同じ方法で焦点と累積加算値の関係からピーク値
を求めて粗く焦点を合わせた後、微調して第9図及び第
10図の焦点と差信号の累積加算値との関係から(f 
Pl+ f P2)/2に焦点を設定する。次いで、三
角形ビームを発生させB方向の非点収差を補正後、矩形
ビームで入方向の非点収差を補正する。最後に、入方向
の非点補正の際得られた非点隔差の関係から隔差が零に
なる焦点値を焦点合わせ用のコイルに設定すればよい。
このようにB方向の非点収差を補正し、最後に入方向の
非点収差を補正すれば入方向(0度−90度)に他の補
正コイルの影響が入り込まないため入方向の非点補正が
高精度化でき、0度と90度方向の微細なパターンを形
成する場合非常に有効となる。
また、以上で述べた焦点・非点補正の際、同じ面積の成
形ビーム(矩形ビームと三角形ビーム)で試料上の金粒
子を走査しビームのエツジ分解能又は差信号の累積加算
値を求めれば、それぞれの方向の非点収差を補正すると
きに空間電荷効果によるビームのぼけの影響が同じにな
る上に、反射電子検出器アンプのゲインとレベルが同一
となるため1度合わせるだけで良く、処理を高速化する
ことができる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。実施例では、電子ビーム描画装置の
例で説明したが、イオンビーム描画装置に適用できるの
は勿論である。また、光学系及び回路の構成は第1図に
同等限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可
能である。但し、本発明の方法を実施するには、例えば
0度及び90度方向の辺を持つ矩形ビームと、この矩形
ビームの辺に対して斜めの方向、例えば45度或いは1
35度方向の辺を持つビーム(例えば、2種類の三角形
ビーム)を成形する機能と、0度と90度方向の非点収
差及び45度と 135度方向の非点収差を補正するた
めの非点補正コイルを備えている必要がある。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、矩形のみならず4
5度又は135度方向の斜辺を持つ三角形ビームを発生
させ、この三角形ビームを試料上で45度或いは135
度方向に走査し、それぞれの方向のビームエツジ分解能
を求めて非点収差を補正しているので、0度と90度方
向の非点収差は勿論のこと、45度或いは135度方向
の非点収差をも容易に補正することができる。しかも、
波形のノイズに依存することなく、また容易な計算でビ
ーム分解能に相当するデータを得ることができ、短時間
で正確な非点収差補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第8図は本発明の一実施例方法を説明するた
めのもので、第1図は同実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図、第2図は上記装置に用い
たアパーチャ形状を示す図、第3図は非点補正コイルの
配置例を示す図、第4図は非点収差によるビームのぼけ
を示す模式図、第5図は0−90度方向のビームエツジ
分解能を測定する際のビーム走査方向を示す模式図、第
6図は焦点値に対するビームエツジ分解能の変化を示す
特性図、第7図は非点補正値に対する最適焦点値の変化
を示す特性図、第8図は45− 135度方向のビーム
エツジ分解能を測定する際のビーム走査方向を示す模式
図、第9図及び第10図は焦点合わせの他の例を説明す
るための模式図、第11図は非点補正の他の例を説明す
るための模式図、第12図は焦点・非点補正の他の例を
説明するための模式図である。 10・・・試料室、11・・・試料、12・・・試料台
、20・・・電子光学鏡筒、21・・・電子銃、22a
〜22d・・・各種レンズ、 23〜26・・・各種偏向器、 27a、27b・・・ビーム成形用アパーチャマスク、
30・・・計算機、31・・・試料台駆動回路、32・
・・レーザ測長系、 33・・・可変成形ビーム寸法制御回路、34・・・ブ
ランキング制御回路。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1及び第2の成形アパーチャ間に荷電ビームの
    寸法及び形状を可変制御するためのビーム成形用の偏向
    器を配置すると共に、対物レンズの近傍に成形ビームの
    非点収差を補正するための非点補正コイルを設けた荷電
    ビーム描画装置において、成形ビームの非点収差を補正
    するに際し、 成形ビームのエッジ分解能を試料上で測定し、該測定し
    たエッジ分解能に基づいて前記成形ビームの各辺に対し
    て垂直な方向の非点収差を補正すると共に、前記成形ビ
    ームの辺に対し斜めの辺を有する成形ビームを用いて前
    記斜辺のエッジ分解能を試料上で測定し、該測定したエ
    ッジ分解能に基づいて前記斜辺に対して垂直な方向にお
    ける非点収差を補正するようにしたことを特徴とする荷
    電ビームの非点収差補正方法。
  2. (2)第1及び第2の成形アパーチャ間に荷電ビームの
    寸法及び形状を可変制御するためのビーム成形用の偏向
    器を配置すると共に、対物レンズの近傍に成形ビームの
    非点収差を補正するための非点補正コイルを設けた荷電
    ビーム描画装置において、成形ビームの非点収差を補正
    するに際し、 0度及び90度方向の辺を持つ矩形ビームを発生させ、
    この矩形ビームのエッジ分解能を試料上で測定し、該測
    定したエッジ分解能に基づいて0度と90度方向の非点
    収差を補正すると共に、45度或いは135度方向の斜
    辺を有する三角形ビームを発生させ、この三角形ビーム
    の斜辺のエッジ分解能を試料上で測定し、該測定したエ
    ッジ分解能に基づいて45度と135度方向の非点収差
    を補正するようにしたことを特徴とする荷電ビームの非
    点収差補正方法。
  3. (3)成形ビームで試料上のマークを走査し、成形ビー
    ムの焦点を補正するための焦点補正コイルの電流値を変
    えて直交する2方向のビームエッジ分解能が最小となる
    最適焦点値をそれぞれ求め、該2方向の最適焦点値の差
    を非点隔差とし、矩形ビームを用いて0度と90度方向
    の非点隔差を、また45度或いは135度の斜辺を持つ
    二種類の三角形ビームを用いて45度と135度方向の
    非点隔差を求め、それぞれの方向において非点隔差を零
    にする非点補正コイルの電流値を設定することを特徴と
    する請求項2記載の荷電ビームの非点収差補正方法。
  4. (4)非点補正コイルの電流値を設定する手段として、
    非点補正コイルの電流値を順次変化させて、前記非点隔
    差を非点補正コイル電流の複数点で求め、該非点隔差の
    関係を各々1次式で近似しその交点から非点補正コイル
    の電流値を設定することを特徴とする請求項3記載の荷
    電ビームの非点収差補正方法。
  5. (5)最適焦点値を求める手段として、焦点補正コイル
    に流す電流を変化させながら、試料上に作られたマーク
    を荷電ビームで走査し、反射若しくは二次電子検出信号
    をA/D変換して得られた波形データと、これを遅延さ
    せたデータとの差信号(微分)を計算し、予め設定され
    ているスレッショールドレベル以上の差信号データを累
    積加算し、該累積加算値を最大にする電流を最適焦点値
    として求めることを特徴とする請求項3記載の荷電ビー
    ムの非点収差補正方法。
  6. (6)一度焦点を合わせた後、一定量焦点をずらし、非
    点補正コイルの電流値を変えつつ非点収差が補正される
    直交した2方向のエッジ分解能或いは前記累積加算値を
    求め、該2方向のエッジ分解能或いは該累積加算値が一
    致する非点補正値、又は非点補正値と該2方向のエッジ
    分解能或いは該累積加算値との関係を各々2次関数曲線
    にあてはめ、これら2曲線の交点となる非点補正値を求
    めることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電ビーム
    の非点収差補正方法。
  7. (7)焦点又は非点収差を補正する際、同じ面積の成形
    ビームのエッジ分解能或いは前記累積加算値を用いるこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載の荷電ビームの非点
    収差補正方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7476881B2 (en) * 2005-11-17 2009-01-13 Nuflare Technology, Inc. Charged beam drawing apparatus and charged beam drawing method
JP2021022479A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5172331A (en) * 1989-12-18 1992-12-15 Fujitsu Limited Apparatus and method for effecting exposure of sample to charged particle beam
US5283440A (en) * 1990-10-05 1994-02-01 Hitachi, Ltd. Electron beam writing system used in a cell projection method
US5391886A (en) * 1991-08-09 1995-02-21 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method of exposing a pattern on an object by such a charged particle beam exposure system
US5304811A (en) * 1991-08-09 1994-04-19 Fujitsu Ltd. Lithography system using charged-particle beam and method of using the same
US5389858A (en) * 1992-07-16 1995-02-14 International Business Machines Corporation Variable axis stigmator
JP3402868B2 (ja) * 1995-09-14 2003-05-06 株式会社東芝 荷電粒子光学鏡筒における非点収差の補正及び焦点合わせ方法
US20060060781A1 (en) * 1997-08-11 2006-03-23 Masahiro Watanabe Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection
US6025600A (en) * 1998-05-29 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method for astigmatism correction in charged particle beam systems
DE19827819C2 (de) * 1998-06-17 2003-07-03 Equicon Software Gmbh Jena Verfahren zur Steuerung von Elektronenstrahl-Belichtungsanlagen mit Formstrahlprinzip
US6825480B1 (en) * 1999-06-23 2004-11-30 Hitachi, Ltd. Charged particle beam apparatus and automatic astigmatism adjustment method
KR100873447B1 (ko) * 2000-07-27 2008-12-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 시트빔식 검사장치
US7062091B2 (en) * 2001-01-16 2006-06-13 Applied Precision, Llc Coordinate calibration for scanning systems
JP4006216B2 (ja) 2001-10-26 2007-11-14 日本電子株式会社 可変面積型電子ビーム描画装置を用いた描画方法
JP4158199B2 (ja) * 2004-01-30 2008-10-01 株式会社島津製作所 Tftアレイ検査装置
JP4801996B2 (ja) * 2006-01-05 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置
KR101350980B1 (ko) * 2007-12-31 2014-01-15 삼성전자주식회사 Cd 선형성을 보정할 수 있는 가변 성형 빔을 이용한 노광방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP2011171009A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置
US8760563B2 (en) 2010-10-19 2014-06-24 Hand Held Products, Inc. Autofocusing optical imaging device
US8692927B2 (en) 2011-01-19 2014-04-08 Hand Held Products, Inc. Imaging terminal having focus control
JP6349944B2 (ja) * 2014-05-13 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
CN116441562B (zh) * 2023-06-16 2023-08-15 西安赛隆增材技术股份有限公司 一种电子束的束斑的校准装置及校准方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4090077A (en) * 1969-03-05 1978-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam device with a deflection system and a stigmator
GB2002547B (en) * 1977-07-30 1982-01-20 Tee W Investigation of astigmatism in electron beam probe instruments
JPS5613649A (en) * 1979-07-12 1981-02-10 Akashi Seisakusho Co Ltd Correcting method and device for astigmatism in scanning type electron microscope and the like
JPS5693318A (en) * 1979-12-10 1981-07-28 Fujitsu Ltd Electron beam exposure device
JPS56147350A (en) * 1980-04-16 1981-11-16 Nichidenshi Tekunikusu:Kk Correction method and performing device of astigmatism
GB2123582B (en) * 1982-06-18 1986-01-29 Nat Res Dev Correction of astigmatism in electron beam instruments
JPS60147117A (ja) * 1984-01-10 1985-08-03 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム装置の調整方法
JPH0793253B2 (ja) * 1986-10-31 1995-10-09 株式会社東芝 荷電ビ−ム露光装置
GB2197751A (en) * 1986-11-24 1988-05-25 Philips Electronic Associated Variable shaped spot electron beam pattern generator
JPS63200444A (ja) * 1987-02-16 1988-08-18 Jeol Ltd 走査型電子顕微鏡等の自動非点収差補正方法
JPH0756786B2 (ja) * 1988-03-09 1995-06-14 株式会社日立製作所 電子顕微鏡の焦点合わせ装置
JP2786660B2 (ja) 1989-03-31 1998-08-13 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法
JP2786661B2 (ja) 1989-03-31 1998-08-13 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法
JP2786662B2 (ja) 1989-03-31 1998-08-13 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7476881B2 (en) * 2005-11-17 2009-01-13 Nuflare Technology, Inc. Charged beam drawing apparatus and charged beam drawing method
JP2021022479A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置

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DE69023592D1 (de) 1995-12-21
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EP0419287B1 (en) 1995-11-15
JP2835097B2 (ja) 1998-12-14
US5047646A (en) 1991-09-10

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