JPS62114219A - 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法 - Google Patents

荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法

Info

Publication number
JPS62114219A
JPS62114219A JP60255290A JP25529085A JPS62114219A JP S62114219 A JPS62114219 A JP S62114219A JP 60255290 A JP60255290 A JP 60255290A JP 25529085 A JP25529085 A JP 25529085A JP S62114219 A JPS62114219 A JP S62114219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
objective lens
charged
sample
axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60255290A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Tamamushi
秀一 玉虫
Kanji Wada
和田 寛次
Yoji Ogawa
洋司 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60255290A priority Critical patent/JPS62114219A/ja
Publication of JPS62114219A publication Critical patent/JPS62114219A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、荷電ビーム描画装置に係わり、特にビームを
対物レンズの中心に軸合わせするための荷電ビーム描画
装置のビーム軸合わせ方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、超LSI等の微細で且つ高密度のパターンを形成
する装置として、各種の電子ビーム描画装置が用いられ
ている。この装置は、電子銃から放射された電子ビーム
を各種レンズ系により集束すると共に、各種偏向系によ
り偏向することにより、試料上に所望パターンを直接描
画している。
そして、光で転写することが不可能な0.5[μm1以
下の設計ルールの超LSIパターンを直接描画できるた
め、LSI製造装置として極めて有効である。
ところで、この種の装置では、高精度なパターン描画を
行うために、電子ビームと各種レンズ系、特に対物レン
ズとの軸合わせが必要となる。
軸合わせを行う方法としては、第5図に示す如く対物レ
ンズのアパーチャ及びアライメントコイルを用いた方法
がある。この方法は、広範囲の偏向を行わない場合であ
り、対物レンズ51の中心より上方に走査用偏向器52
.53が配置されており、対物レンズ51の中心部を支
点としてビーム偏向を行うために、ビーム54が常にレ
ンズ51の中心を通るように、偏向器52.53により
ビームを2段偏向する方式を採用している。ここで、所
望の分解能を得るためには、ビーム54が対物レンズ5
1の中心を通るようにアライメントコイル55で調整し
なければならない。この場合、対物レンズ51の中心に
アパーチャ56を入れ、ビーム電流を1lilIIIL
ながらアライメントコイル55を調節することにより、
ビーム軸合わせを容易に行うことができる。
しかしながら、第6図に示す如く比較的広範囲の偏向を
目的として、レンズ51内に偏向器57を配置した、所
謂インレンズ偏向システムでは、レンズ51中で既にか
なりの偏向が行われるため、レンズ51内に中心検出用
のアパーチャを入れることができない。このため、軸合
わせするためには、偏向されたビーム形状を試料面上の
各点で観測し、軸が合っていれば収差パターンが等方的
になることを利用して軸合わせする手法を使わなければ
ならない。従って、アライメントコイル55を1回動か
す度にフィールド上の各点での収差パターンを観測しな
ければならず、ビーム軸合わせに多大な時間が掛かり、
また再現性も得られなかった。
なお、上記の問題は電子ビーム描画装置に限らず、イオ
ンビームを用いたイオンビーム描画装置についても同様
に言えることである。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、対物レンズに対する荷電ビームの軸合
わせを容易に行うことができ、且つ大偏向する装置にも
適用し得る荷電ビーム描画装置のビーム軸合わせ方法を
提供することにある。
(発明の概要) 本発明の骨子は、4重極磁界を発生する多重極コイルの
通電電流の大きさを変化させたときの試料上のビーム位
置の移動を測定することにある。
つまり、ビーム軸と対物レンズの中心とが完全に軸合わ
せされているとき、試料上のビーム位置は変化しないの
で、該ビーム位置が変化しないようにアライメントコイ
ルにより荷電ビームの位置調整を行うことにある。
即ち本発明は、荷電ビーム放射源から放射された荷電ビ
ームを試料上に集束する対物レンズと、この対物レンズ
内に設けられた4n個(nは正の整数)のコイルからな
る多重極コイルと、上記対物レンズよりも荷電ビーム放
射源側に配置されたビーム軸合わせ用偏向器とを備えた
荷電ビーム描画装置であって、上記対物レンズに対して
荷電ビームの軸を合わせる荷電ビーム描画装置のビーム
軸合わせ方法において、前記多重1tコイルに4重極磁
界を発生ずる電流を供給し、この通電電流の大きさを変
化させても試料上のビーム位置が移動しないように前記
ビーム軸合わせ用偏向器にてビームの光路を調整するよ
うにした方法である。
(発明の効梁〕 本発明によれば、試料面上でのビーム移動を測定するの
みで、対物レンズに対する荷電ビームの軸合わせを容易
且つ正確に行うことができる。このため、試料上におけ
る荷電ビームの分解能の向上、特に偏向時のビーム分解
能の向上をはかり得る。また、対物レンズ内に中心検出
用のアパーチャ等を設ける必要もないので、大偏向の装
置にも容易に適用することができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の第1の実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図である。図中11は電子銃
であり、この電子銃11から放射された電子ビームは、
各種レンズ12.〜,16を介して試料面17に照射さ
れる。ここで、12゜13はコンデンサレンズ、14は
投影レンズ、15は縮小レンズ、16は対物レンズであ
る。コンデンサレンズ13と投影レンズ14との間には
第1の成形アパーチャマスク21が配置され、投影レン
ズ14と縮小レンズ15との間には第2の成形アパーチ
ャマスク22が配置されている。また、第1の成形アパ
ーチャマスク21と投影レンズ14との間には、マスク
21.22の各アパーチャ環なりを可変してアパーチャ
像の寸法を可変するための寸法可変用偏向器23が配置
されている。
また、対物レンズ16の内部には、電子ビームの非点収
差を補正するための非点補正コイル24と、ビームを試
料面17上で走査するための走査用偏向器25がそれぞ
れ配置されている。ここで、非点補正コイル24は、第
2図に示す如く4個のコイル(4重極コイル)24a、
〜、24dからなるもので、各コイル24a、〜、24
dに通電する電流をill allすることにより、非
点収差が補正されるものとなっている。対物レンズ16
と集束レンズ15との間には、アライメントコイル26
゜27がそれぞれ配置されている。また、対物レンズ1
6と試料面17との間には、試料面17からの反射電子
等を検出するための電子検出器28が配置されている。
次に、上記装置を用いたビーム軸合わせ方法について説
明する。
まず、第2図に示す如く非点補正コイル24の各コイル
24a、〜、24dに軸合わせ調整用の所定のN流を供
給する。即ち、対向したコイルが同極性の磁極となり、
且つ隣接したコイルが逆極性の11極となるように電流
を供給する。このような磁穫配置となすことで、非点補
正コイル24は図中の磁力線29で示す磁界、つまり4
重極磁界を発生する。
この状態において、電子ビームが非点補正コイル24の
中心Oを通過した時は、電子ビームは無磁界の部分を通
過するので直進する。電子ビームが中心Oから離れた所
を通る時は、電子ビームは矢印方向に罷向を受ける。こ
の偏向される度合いは、中心Oからの距離及び非点補正
コイル24の各コイルに通電する電流■に依存する。即
ち、中心Oからずれて非点補正コイル24に大割した電
子ビームは非点補正コイル24に通電する電流Iを変化
させると、試料面17上ではビーム位置が゛第3図に示
す如く点31から点32へと移動する。
ここで、第3図中33.34は非点補正コイル24の中
心から一定距離ずれた点を通るビームの試料面位置であ
り、破線円33で示すのは非点補正コイル24を励磁し
ない場合で、実線楕円34で示すのが励磁した場合であ
る。一方、前述のように非点補正コイル24の中心Oを
通るビームは偏向されないので、非点補正コイル24に
通電する電流1を変化させても、試料面17上のビーム
位置は移動しない。
従って、非点補正コイル24の通@電流1を変化させて
も試料面17上でのビーム位置が移動しないように、非
点補正コイル24に入射する電子ビームの光路をアライ
メントコイル26.27により調整することにより、電
子ビームは対物レンズ16の中心を通るようになる。
次に、上記軸合わせ方法のより具体的な例について、第
4図を参照して説明する。まず、第4図に示す如くアラ
イメントコイル26.27には鋸歯状波を発生する′I
l源回路41を接続する。この電源回路41は、×アラ
イメントコイル26及びYアライメントコイル27に対
して独立した電流を供給できるものである。アライメン
トコイル26.27の各励1itil流信号は、CRT
モニタ42に該モニタの水平走査信号及び垂直走査信号
として供給される。なお、非点補正コイル24を励磁し
ないときは、アライメントコイル26゜27によりビー
ムを偏向しても試料面17上でのビーム位置は移動しな
いようにしておく。
非点補正コイル24には、正弦波或いは矩形波を発生す
る電源回路43を接続する。この電源回路43の周波数
は、前記電源回路41の周波数、特に水平走査信号の周
波数よりも十分高いものである。
また、試料面17上には、金等の微粒子44を配置して
おき、この上にビームが照射されるようにしておく。微
粒子44からの反射電子は電子検出器28にて検出され
、増幅器45により増幅されたのち、前記CRTモニタ
42の信号入力端に供給される。ここで、CRTモニタ
42は、電子検出器28の検出信号により輝度変調をか
けるものとなっている。
上記の構成においては、非点補正コイル24の中心にビ
ームが来るようにセットされた時点で試料面17上のビ
ームの動きが止まり、この時反射電子の強度は最大とな
る。これは、電子ビームが常に金の微粒子44の上に当
たっているからである。そこで、CRTモニタ42上に
は、ある点で輝度が最大になるような点が見える。この
輝度が最大となる点がビームが中心軸上を通る条件なの
で、その時の電流を読取り、その電流値に固定すること
でアライメントが完了する。つまり、アライメントコイ
ル26.27の各アライメント電流1直は、CRTモニ
タ42の輝度最大となる点のX。
Y座標を元に求めることができる。
かくして本実施例方法によれば、非点補正コイル24の
通電電流■を可変したときの試料面17上でのビーム位
置の移動を検出することにより、ビームの軸と非点補正
コイル24の中心とが軸合わせされている否かを判定す
ることができ、上記ビーム位置が移動しないようにアラ
イメントコイル26.27のif流を設定することによ
り、非点補正コイル24の中心にビームの軸を合わせる
ことができる。即ち、試料面17上でのビーム移動を検
出するのみで、対物レンズ16に対する荷電ビームの軸
合わせを容易、且つ確実に行うことができる。このため
、試料面17上における電子ビームの分解能の向上、特
に偏向時のビーム分解能の向上をはかり得、描画精度の
著しい向上をはかることができる。また、中心検出用の
アパーチャ等を対物レンズ16の中心部に配置する必要
もないので、大偏向の装置にも容易に適用することがで
きる。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記非点補正コイルは4I極コイルに
限るものではなく、8個のコイルからなる8I極コイル
であってもよい。つまり、4直個のコイルからなり4重
極磁界を発生する多重極コイルであればよい。さらに、
多重極コイルを2段に配置したものに適用することも可
能である。また、多重極コイルは必ずしも非点補正コイ
ルに限定されるものではなく、走査用偏向コイルであっ
てもよい。また、電子光学鏡筒としては第1図に示す構
成に同等限定されるものではなく、対物レンズ、4重極
コイル及び軸合わせ用偏向器を有するものであれば適用
することができる。さらに、電子ビーム描画装置に限ら
ず、イオンビーム描画装置に適用できるのは勿論のこと
である。
その曲、本発明の要旨を逸脱しない鞘囲で、種々変形し
て実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図、第2図は上記Hii!l
こ用いた非点補正コイルの具体的構成を示す平面図、第
3図は試料面上でのビーム移動を示す模式図、第4図は
軸合わせ方法のより具体例を説明するための模式図、第
5図及び第6図はそれぞれ従来方法の問題を説明するた
めの模式図である。 11・・・電子銃、16・・・対物レンズ、17・・・
試料面、24・・・非点補正コイル(4重極コイル)、
24a、〜、24d・・・コイル、25・・・走査用偏
向器、26.27・・・アライメントコイル(軸合わせ
用偏向器)、28・・・電子検出器、41.43・・・
電源回路、42・・・CRTモニタ、44・・・金等の
微粒子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 21に 一一:□ 26〜図 : 図 27χ区 : 区 = テ 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)荷電ビーム放射源から放射された荷電ビームを試
    料上に集束する対物レンズと、このレンズ中に配置され
    た4n個(nは正の整数)のコイルからなる多重極コイ
    ルと、上記対物レンズよりも荷電ビーム放射源側に配置
    されたビーム軸合わせ用偏向器とを備えた荷電ビーム描
    画装置であつて、上記対物レンズの中心に荷電ビームの
    軸を合わせる方法において、前記多重極コイルに4重極
    磁界を発生する電流を供給し、この通電電流の大きさを
    変化させても試料上のビーム位置が移動しないように前
    記ビーム軸合わせ用偏向器にてビームの光路を調整する
    ことを特徴とする荷電ビーム描画装置のビーム軸合わせ
    方法。
  2. (2)前記多重極コイルは、非点補正コイルであること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の荷電ビーム描
    画装置のビーム軸合わせ方法。
JP60255290A 1985-11-14 1985-11-14 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法 Pending JPS62114219A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60255290A JPS62114219A (ja) 1985-11-14 1985-11-14 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60255290A JPS62114219A (ja) 1985-11-14 1985-11-14 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62114219A true JPS62114219A (ja) 1987-05-26

Family

ID=17276706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60255290A Pending JPS62114219A (ja) 1985-11-14 1985-11-14 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62114219A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1263018A2 (en) * 2001-05-30 2002-12-04 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1263018A2 (en) * 2001-05-30 2002-12-04 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus
EP1263018A3 (en) * 2001-05-30 2007-10-24 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus
US7605381B2 (en) 2001-05-30 2009-10-20 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus
EP2309530A2 (en) * 2001-05-30 2011-04-13 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus
EP2309530A3 (en) * 2001-05-30 2011-12-07 Hitachi, Ltd. Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8067732B2 (en) Electron beam apparatus
TWI732305B (zh) 帶電粒子射束設備、場曲校正器、及操作帶電粒子射束設備的方法
US4140913A (en) Charged-particle beam optical apparatus for the reduction imaging of a mask on a specimen
JP2835097B2 (ja) 荷電ビームの非点収差補正方法
JPH046255B2 (ja)
US3753034A (en) Electron beam apparatus
JPS61190839A (ja) 荷電粒子線装置
US7560713B2 (en) Correction lens system for a particle beam projection device
CA1103813A (en) Apparatus for electron beam lithography
KR20010007211A (ko) 하전 입자 빔 결상 방법, 하전 입자 빔 결상 장치 및 하전입자 빔 노광 장치
JP2001202912A (ja) 荷電粒子線装置の開口と光軸の軸合わせ方法
JP2946537B2 (ja) 電子光学鏡筒
JPS62114219A (ja) 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法
KR20220079969A (ko) 하전 입자 빔 디바이스 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키는 방법
JPH0652650B2 (ja) 荷電ビ−ムの軸合わせ方法
JP3400285B2 (ja) 走査型荷電粒子ビーム装置
JPS5983336A (ja) 荷電粒子線集束偏向装置
US20230113759A1 (en) Charged particle beam device, and method for controlling charged particle beam device
CN114300325B (zh) 带电粒子束装置及调整方法
JP2002237270A (ja) 荷電粒子ビーム偏向装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法
JPH01295419A (ja) 電子ビーム露光方法及びその装置
JP3550476B2 (ja) 荷電粒子ビーム加工方法および加工装置
JPS62114220A (ja) 荷電ビ−ム描画装置のビ−ム軸合わせ方法
JPS61294750A (ja) 荷電ビ−ム描画装置
JPH06290726A (ja) 荷電粒子ビーム用集束装置