JP2020511003A - オーバレイ計量データの確率論的挙動の影響の判別 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は2017年2月28日付米国仮特許出願第62/464382号の利益を主張する出願であり、この参照によりその全体が本願に繰り入れられる。
Claims (31)
- 所与計測不確定性仕様に従わせることが必要なターゲット要素の推定最小寸法をプロセス関連ラインエッジ粗さ(LER)のパラメタから導出するステップと、
前記推定最小寸法に従うターゲット設計パラメタを有することとなるよう計量ターゲットを設計するステップと、
を有し、前記導出及び前記設計のうち少なくとも一方が少なくとも1個のコンピュータプロセッサにより実行される方法。 - 請求項1に記載の方法であって、その計量ターゲットが周期構造を有し、その特徴が前記ターゲット設計パラメタにより記述される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、更に、設計されたターゲットのオーバレイ計測の不確定性誤差でありLERによるものを推定するステップを有する方法。
- 非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、それを以てコンピュータ可読プログラムが体現されており、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
- 請求項4に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
- 周期的でセグメント化されている構造を有し、そのセグメント化のパラメタが、請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の方法により導出された推定最小寸法に従うセグメント化オーバレイターゲット。
- CDSEM(限界寸法走査型電子顕微法)ターゲットからSEM(走査型電子顕微鏡)により導出されたCDSEM計量指標値のLER関連不確定性誤差を、
そのLERの特徴を記述する少なくとも1個の確率論的パラメタの変動範囲を推定すること、
前記計量指標値に関し、所与計測モデルに従い前記推定範囲から帰結される誤差を解析的に及び/又はシミュレーションを用い導出すること、並びに
導出された誤差を使用し前記LER関連不確定性誤差を推定すること、
により推定するステップを有し、前記推定、前記導出及び前記使用のうち少なくとも一つが少なくとも1個のコンピュータプロセッサにより実行される方法。 - 請求項7に記載の方法であって、更に、単一ターゲット不確定性に基づき複数個の計測モデルに関しLER関連不確定性誤差を推定するステップと、それら計測モデルのうちそのLER関連不確定性誤差が所与所要仕様に従う1個を選択するステップと、を有する方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記複数個の計測モデルがウェハモデル、ウェハ兼フィールドモデル及び/又はフィールドモデルを含む方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記複数個の計測モデルが少なくともHOモデル及びCPEモデルを含む方法。
- 請求項7に記載の方法であって、更に、導出された誤差を基準とし対応する計測モデルのモデル複雑度を判別するステップを有する方法。
- 非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、それを以てコンピュータ可読プログラムが体現されており、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項7〜11のうちいずれか一項に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
- 請求項12に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
- 光学計量指標値の不確定性誤差でありLERによるものを、
そのLERの特徴を記述する少なくとも1個の確率論的パラメタの変動範囲を推定すること、
前記計量指標値に関し、所与計測モデルに従い前記推定範囲から帰結される誤差を解析的に又はシミュレーションを用い導出すること、並びに
導出された誤差を使用し前記不確定性誤差を推定すること、
により推定するステップを有し、前記推定、前記導出及び前記使用のうち少なくとも一つが少なくとも1個のコンピュータプロセッサにより実行される方法。 - 請求項14に記載の方法であって、更に、単一ターゲット不確定性に基づき複数個の計測モデルに関し前記不確定性誤差を推定するステップと、それら計測モデルのうちそのLER関連不確定性誤差がその所要仕様に従う1個を選択するステップと、を有する方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記複数個の計測モデルがウェハモデル、ウェハ兼フィールドモデル及び/又はフィールドモデルを含む方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記複数個の計測モデルが少なくともHOモデル及びCPEモデルを含む方法。
- 請求項15〜17のうちいずれか一項に記載の方法であって、更に、選択された計測モデルの最適なモデル複雑度を、導出されたモデル不確定性誤差及び所与所要不確定性仕様を基準として判別するステップを有する方法。
- 非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、それを以てコンピュータ可読プログラムが体現されており、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項14〜18のうちいずれか一項に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
- 請求項19に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
- 特定の計量モデルを適用することで導出された、所与オーバレイ計量データセットに対する確率論的ノイズの影響を、
ランダム合成ノイズのノイズ実現値を複数通り生成すること、
生成されたノイズ実現値を所与オーバレイ計量データセットに付加することで修正データセットを生み出すこと、並びに
少なくとも1個の計量指標を用い、所与オーバレイ計量データセットに関する指標値と修正データセットに関する指標値とを比較すること、
により判別するステップを有し、
前記比較によって、前記所与オーバレイ計量データセットに対するノイズ影響推定結果がもたらされ、
前記生成、前記付加及び前記比較のうち少なくとも一つが少なくとも1個のコンピュータプロセッサにより実行される方法。 - 請求項21に記載の方法であって、前記ノイズ実現値の生成が、計測による計量結果を用い実行される方法。
- 請求項21に記載の方法であって、更に、前記特定の計量モデルを適用することで導出された、複数個の所与オーバレイ計量データセットの不確定性に対するノイズの影響を推定することで、当該特定の計量モデルに対するノイズの影響を推定するステップを、有する方法。
- 請求項21に記載の方法であって、更に、前記特定の計量モデルに対するノイズの影響を、その所要不確定性仕様と比較することで、当該特定の計量モデルの種類を最適化するステップを、有する方法。
- 請求項24に記載の方法であって、更に、モデルパラメタに対するノイズ影響推定結果の依存性に関し解析的表現を導出するステップを有する方法。
- 請求項24又は25に記載の方法であって、前記パラメタが、少なくとも、標本サイズと、前記特定の計量モデルに関しもたらされる不確定性仕様と、を含む方法。
- 請求項21に記載の方法であって、前記確率論的ノイズがラインエッジ粗さ(LER)特性を含む方法。
- 請求項26に記載の方法であって、更に、ターゲット要素のラインエッジ位置を検出するステップを有する方法。
- 請求項26に記載の方法であって、更に、そのエッジ検出結果に対するLERの影響を統計的に解析するステップを有する方法。
- 非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、それを以てコンピュータ可読プログラムが体現されており、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項21〜29のうちいずれか一項に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
- 請求項30に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762464382P | 2017-02-28 | 2017-02-28 | |
US62/464,382 | 2017-02-28 | ||
US201762591104P | 2017-11-27 | 2017-11-27 | |
US62/591,104 | 2017-11-27 | ||
PCT/US2018/019793 WO2018160502A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-02-27 | Determining the impacts of stochastic behavior on overlay metrology data |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020511003A true JP2020511003A (ja) | 2020-04-09 |
JP2020511003A5 JP2020511003A5 (ja) | 2021-04-15 |
JP6960462B2 JP6960462B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=63371265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019546861A Active JP6960462B2 (ja) | 2017-02-28 | 2018-02-27 | オーバレイ計量データの確率論的挙動の影響の判別 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10901325B2 (ja) |
JP (1) | JP6960462B2 (ja) |
KR (1) | KR102351345B1 (ja) |
CN (1) | CN110383442B (ja) |
SG (1) | SG11201907074RA (ja) |
TW (1) | TWI735747B (ja) |
WO (1) | WO2018160502A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018160502A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Determining the impacts of stochastic behavior on overlay metrology data |
US11361937B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-06-14 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10656532B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-05-19 | Fractilia, Llc | Edge detection system and its use for optical proximity correction |
US11521825B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-12-06 | Fractilia, Llc | System and method for predicting stochastic-aware process window and yield and their use for process monitoring and control |
US11355306B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-06-07 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10664955B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-05-26 | Fractilia, Llc | Edge detection system and its use for machine learning |
US11380516B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-07-05 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10648801B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-05-12 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
US10522322B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-12-31 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements |
US10488188B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-11-26 | Fractilia, Llc | System and method for removing noise from roughness measurements |
US11508546B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-11-22 | Fractilia, Llc | System and method for low-noise edge detection and its use for process monitoring and control |
US10176966B1 (en) | 2017-04-13 | 2019-01-08 | Fractilia, Llc | Edge detection system |
US10445889B2 (en) * | 2017-06-08 | 2019-10-15 | Inspectrology LLC | Method for measuring overlay offset in an integrated circuit and related technology |
JP6942555B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US11333982B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-05-17 | Kla Corporation | Scaling metric for quantifying metrology sensitivity to process variation |
US11567413B2 (en) * | 2019-02-25 | 2023-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining stochastic variation of printed patterns |
US10990019B2 (en) * | 2019-04-09 | 2021-04-27 | Kla Corporation | Stochastic reticle defect dispositioning |
US11353799B1 (en) * | 2019-07-23 | 2022-06-07 | Kla Corporation | System and method for error reduction for metrology measurements |
US11568101B2 (en) * | 2019-08-13 | 2023-01-31 | International Business Machines Corporation | Predictive multi-stage modelling for complex process control |
WO2023039186A1 (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Fractilia, Llc | Detection of probabilistic process windows |
CN117311103B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-08-06 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 | 套刻误差测量方法、装置、系统及存储介质 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
US20100099033A1 (en) * | 2007-02-07 | 2010-04-22 | Yoel Cohen | Method and system for measuring in patterned structures |
US20130132036A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | International Business Machines Corporation | Scatterometry measurement of line edge roughness in the bright field |
JP2013145880A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-25 | Asml Netherlands Bv | 確率的影響を低減するための照明源マスクの最適化 |
JP2015203614A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および検査装置 |
JP2017505462A (ja) * | 2014-02-11 | 2017-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 任意パターンにおける確率的変動を計算するためのモデル |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US7478019B2 (en) | 2005-01-26 | 2009-01-13 | Kla-Tencor Corporation | Multiple tool and structure analysis |
JP5605727B2 (ja) | 2010-04-06 | 2014-10-15 | Jnc株式会社 | セレンテラジン類縁体及びセレンテラミド類縁体 |
US20130042089A1 (en) | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Word line late kill in scheduler |
US8843875B2 (en) * | 2012-05-08 | 2014-09-23 | Kla-Tencor Corporation | Measurement model optimization based on parameter variations across a wafer |
TWI526777B (zh) * | 2012-08-06 | 2016-03-21 | Asml荷蘭公司 | 用於藉由嵌段共聚物之自我組裝在一基板上提供微影特徵之方法 |
US9329033B2 (en) * | 2012-09-05 | 2016-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy |
KR20160131110A (ko) * | 2014-03-18 | 2016-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패턴 배치 에러 인식의 최적화 |
WO2018160502A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Determining the impacts of stochastic behavior on overlay metrology data |
CN111033382B (zh) | 2017-10-22 | 2021-12-14 | 科磊股份有限公司 | 在成像叠加计量中利用叠加错位误差估计 |
-
2018
- 2018-02-27 WO PCT/US2018/019793 patent/WO2018160502A1/en active Application Filing
- 2018-02-27 SG SG11201907074RA patent/SG11201907074RA/en unknown
- 2018-02-27 US US15/763,662 patent/US10901325B2/en active Active
- 2018-02-27 JP JP2019546861A patent/JP6960462B2/ja active Active
- 2018-02-27 CN CN201880014361.8A patent/CN110383442B/zh active Active
- 2018-02-27 KR KR1020197028612A patent/KR102351345B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-27 TW TW107106629A patent/TWI735747B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
US20100099033A1 (en) * | 2007-02-07 | 2010-04-22 | Yoel Cohen | Method and system for measuring in patterned structures |
US20130132036A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | International Business Machines Corporation | Scatterometry measurement of line edge roughness in the bright field |
JP2013145880A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-25 | Asml Netherlands Bv | 確率的影響を低減するための照明源マスクの最適化 |
JP2017505462A (ja) * | 2014-02-11 | 2017-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 任意パターンにおける確率的変動を計算するためのモデル |
JP2015203614A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190049858A1 (en) | 2019-02-14 |
JP6960462B2 (ja) | 2021-11-05 |
TW201840954A (zh) | 2018-11-16 |
US10901325B2 (en) | 2021-01-26 |
SG11201907074RA (en) | 2019-09-27 |
KR20190115105A (ko) | 2019-10-10 |
TWI735747B (zh) | 2021-08-11 |
CN110383442B (zh) | 2023-10-10 |
WO2018160502A1 (en) | 2018-09-07 |
CN110383442A (zh) | 2019-10-25 |
KR102351345B1 (ko) | 2022-01-13 |
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