JP2017523591A - 半導体パラメータを測定するための装置、技術、およびターゲットデザイン - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、先願である、Noam Sapiens et al.により2014年5月12日に出願された米国仮特許出願第61/991,857号の利益を主張するものであり、同出願の全体をあらゆる目的のために参照によって本願に援用する。
Claims (31)
- ターゲットのパラメータを決定する方法において、
画像化構造とスキャトロメトリ構造を有するターゲットを提供するステップと、
画像化構造の画像を、計測ツールの画像化チャネルで取得するステップと、
スキャトロメトリ構造からのスキャトロメトリ信号を、計測ツールのスキャトロメトリチャネルで取得するステップと、
ターゲットの少なくとも1つのパラメータを、画像とスキャトロメトリ信号の両方に基づいて決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
スキャトロメトリ信号と画像は同時に取得されることを特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法において、
スキャトロメトリ信号と画像は、ターゲットに関して同じ焦点面で画像化およびスキャトロメトリチャネルを動作させることによって取得されることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
スキャトロメトリ信号と画像は逐次的に取得され、スキャトロメトリ信号または画像の一方からの少なくとも1つのパラメータは、スキャトロメトリ信号または画像の他方からの少なくとも1つのパラメータに基づくことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
計測ツールの複数の異なる動作パラメータで、画像およびスキャトロメトリ信号を取得し、複数の異なる既知の1つまたは複数のパラメータ値を有する複数の参照ターゲットに関する少なくとも1つのパラメータを決定する動作を繰り返すステップと、
複数のターゲットに関して決定された少なくとも1つのパラメータのうちのどれが、ターゲットの既知の異なる1つまたは複数のパラメータに最も近かったかに基づいて、計測ツールの異なる動作パラメータの小集合を選択することにより、レシピを決定するステップと、
レシピの決定後、画像および/またはスキャトロメトリ信号を取得し、複数の製造用ターゲットに関する少なくとも1つのパラメータを決定する動作を繰り返すステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法において、
レシピは画像化またはスキャトロメトリチャネルの選択を含むことを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法において、
スキャトロメトリチャネルと画像化チャネルから決定された少なくともパラメータ間のオフセットを測定するステップと、そのようなオフセットに基づいて、スキャトロメトリチャネルまたは画像化チャネルの何れかからの少なくとも1つのパラメータを、製造用ターゲットのために校正するステップと、をさらに含むことを特徴とする方法。 - ターゲットのパラメータを決定する方法において、
画像化構造とスキャトロメトリ構造を有するターゲットを提供するステップと、
スキャトロメトリ構造からのスキャトロメトリ測定値か、画像化構造の測定値の何れかの第一の1つを取得するステップと、
ターゲットの第一のパラメータを、スキャトロメトリ測定値または画像測定値のうちの一方に基づいて決定するステップと、
スキャトロメトリ構造または画像測定値の何れかの他方の1つに基づいて決定された第二のパラメータを、スキャトロメトリまたは画像測定値の第一の1つに基づいて抑制または調整するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
最初に画像測定値が取得され、2番目にスキャトロメトリ測定値が取得されて、ターゲットの非対称性が、画像測定値からの第一のパラメータに基づいてスキャトロメトリ測定値から分離または除去できることを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法において、
第一のパラメータは画像特性を定量化し、第二のパラメータは、第一のパラメータが所定の仕様内であるか否かに基づいて、決定されないように抑制されることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
複数のターゲットに関する第一のパラメータを取得する動作を繰り返すステップをさらに含み、スキャトロメトリ又は画像測定値に関する第二のパラメータが、所定の仕様内にある第一のパラメータを有するターゲットのみについて決定されることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
画像測定値が最初に取得され、第一のパラメータは画像測定を定量化し、スキャトロメトリ測定値は2番目に取得され、第一のパラメータが、第二のパラメータの決定を調整するために使用されることを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法において、
第二のパラメータは、第一のパラメータとスキャトロメトリ測定値が入力されるスキャトロメトリモデルを使って決定されることを特徴とする方法。 - 半導体ターゲットのパラメータを決定する方法において、
1つまたは複数のパラメータの既知のばらつきを有する複数の参照ターゲットの各々から、スキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合を取得するステップと、
信号応答測定(SRM)モデルを、スキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合に基づいて決定するステップと、
SRMモデルを、スキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合と、1つまたは複数のパラメータの既知のばらつきに基づいて訓練するステップと、
ターゲットからのスキャトロメトリおよび画像化測定値をSRMモデルに入力して、1つまたは複数の未知のパラメータを決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 半導体ターゲットのパラメータを決定するための計測装置において、
ターゲットのスキャトロメトリ構造からスキャトロメトリ信号を取得するための、少なくとも1つのスキャトロメトリモジュールと、
ターゲットの画像化構造から画像を取得するための、少なくとも1つの画像化モジュールと、
取得したスキャトロメトリ信号と画像を解析して、ターゲットの少なくとも1つのパラメータを決定するように構成されたプロセッサと、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置において、
スキャトロメトリ信号と画像が同時に取得されることを特徴とする装置。 - 請求項16に記載の装置において、
スキャトロメトリ信号と画像が、ターゲットに関して同じ焦点面で画像化およびスキャトロメトリチャネルを動作させることによって取得されることを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置において、スキャトロメトリ信号と画像が逐次的に取得され、スキャトロメトリ信号と画像の一方からの少なくとも1つのパラメータが、スキャトロメトリ信号と画像の他方からの少なくとも1つのパラメータに基づくことを特徴とする装置。
- 請求項18に記載の装置において、
プロセッサが、
計測ツールの複数の異なる動作パラメータで、画像およびスキャトロメトリ信号を取得し、複数の異なる既知の1つまたは複数のパラメータ値を有する複数の参照ターゲットに関する少なくとも1つのパラメータを決定する動作を繰り返し、
複数のターゲットに関して決定された少なくとも1つのパラメータのうちのどれが、ターゲットの既知の異なる1つまたは複数のパラメータに最も近かったかに基づいて、計測ツールの異なる動作パラメータの小集合を選択することにより、レシピを決定し、
レシピの決定後、画像および/またはスキャトロメトリ信号を取得し、複数の製造用ターゲットに関する少なくとも1つのパラメータを決定する動作を繰り返す
ように構成されることを特徴とする装置。 - 請求項19に記載の装置において、
レシピは画像化またはスキャトロメトリチャネルの選択を含むことを特徴とする装置。 - 請求項19に記載の装置において、
プロセッサが、
スキャトロメトリチャネルと画像化チャネルから決定された少なくともパラメータ間のオフセットを測定し、そのようなオフセットに基づいて、スキャトロメトリチャネルまたは画像化チャネルの何れかからの少なくとも1つのパラメータを、製造用ターゲットのために校正するようにさらに構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項18に記載の装置において、
プロセッサが、
画像化構造とスキャトロメトリ構造を有する第二のターゲットを提供し、
第二のターゲットのスキャトロメトリ構造からのスキャトロメトリ測定値または、第二のターゲットの画像化構造の画像測定値のいずれかのうちの第一の1つを取得し、
第二のターゲットの第一のパラメータを、第二のターゲットからのスキャトロメトリ測定値または画像測定値のうちの1つに基づいて決定し、
第二のターゲットからのスキャトロメトリまたは画像測定値の何れかの他方の1つに基づいて決定された第二のパラメータを、第二のターゲットからのスキャトロメトリまたは画像測定値の第一の1つに基づいて抑制または調整する
ようにさらに構成されることを特徴とする装置。 - 請求項22に記載の装置において、
最初に第二のターゲットからの画像測定値が取得され、2番目に第二のターゲットからのスキャトロメトリ測定値が取得されて、第二のターゲットの非対称性が、第二のターゲットからの画像測定値からの第一のパラメータに基づいて第二のターゲットからのスキャトロメトリ測定値から分離または除去できることを特徴とする装置。 - 請求項23に記載の装置において、
第二のターゲットからの第一のパラメータは画像特性を定量化し、第二のターゲットからの第二のパラメータは、第二のターゲットからの第一のパラメータが所定の仕様内であるか否かに基づいて、決定されないように抑制されることを特徴とする装置。 - 請求項22に記載の装置において、
複数のターゲットに関する第一のパラメータを取得する動作を繰り返すステップをさらに含み、スキャトロメトリまたは画像測定値に関する第二のパラメータが、所定の仕様内にある第一のパラメータを有するターゲットのみについて決定されることを特徴とする装置。 - 請求項22に記載の装置において、
第二のターゲットからの画像測定値が最初に取得され、第一のパラメータは第二のターゲットの画像測定を定量化し、第二のターゲットのスキャトロメトリ測定値は2番目に取得され、第二のターゲットの第一のパラメータが、第二のターゲットの第二のパラメータの決定を調整するために使用されることを特徴とする装置。 - 請求項26に記載の装置において、
第二のターゲットの第二のパラメータは、第二のターゲットの第一のパラメータと第二のターゲットのスキャトロメトリ測定値が入力されるスキャトロメトリモデルを使って決定されることを特徴とする装置。 - 請求項18に記載の装置において、
プロセッサは、
1つまたは複数の既知のパラメータを有する複数の参照ターゲットの各々からスキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合を受け取り、
スキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合に基づいて信号応答測定(SRM)モデルを決定し、
SRMモデルを、スキャトロメトリおよび画像化測定値の第一の集合と、1つまたは複数のパラメータの既知のばらつきに基づいて訓練し、
第二のターゲットからのスキャトロメトリおよび画像化測定値をSRMモデルに入力して、第二のターゲットの1つまたは複数の未知のパラメータを決定する
ようにさらに構成されていることを特徴とする装置。 - オーバレイエラーを測定するためのターゲットにおいて、
画像化チャネルを有する計測ツールにより画像へと分解可能な画像ピッチを有する第一の格子構造と、
計測ツールのスキャトロメトリチャネルによる測定のためのスキャトロメトリピッチを有する第二の格子構造と、を含み、スキャトロメトリピッチは、一次回折光が計測ツール結像瞳を通過すような大きさである
ことを特徴とするターゲット。 - 請求項29に記載のターゲットにおいて、
前記第二の格子構造は、ターゲットと同じ工程で形成される装置のための所定のデザインルールに適合するデザインルールピッチを有する複数の格子にさらに分割される
ことを特徴とするターゲット。 - 請求項29に記載のターゲットにおいて、
前記第一の格子構造は、3つ以上の層間のオーバレイエラーを測定するために3つ以上の層から形成される
ことを特徴とするターゲット。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020505647A (ja) * | 2017-01-25 | 2020-02-20 | ケーエルエー コーポレイション | 非ゼロオフセット予測を伴うオーバレイ制御 |
JP2021514071A (ja) * | 2018-02-20 | 2021-06-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 帯域幅の増加を伴うメトロロジ方法及び装置 |
WO2022190210A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、および、調整用基板 |
JP7478788B2 (ja) | 2017-11-07 | 2024-05-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014062972A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
US9784690B2 (en) * | 2014-05-12 | 2017-10-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters |
NL2014647A (en) * | 2014-05-13 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Substrate and Patterning Device for use in Metrology, Metrology Method and Device Manufacturing Method. |
US10151986B2 (en) | 2014-07-07 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology based on measurements of proxy structures |
US9793178B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-10-17 | University Of Rochester | Focused beam scatterometry apparatus and method |
KR102162234B1 (ko) | 2015-06-17 | 2020-10-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택 |
KR102190305B1 (ko) | 2015-12-23 | 2020-12-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US9754895B1 (en) | 2016-03-07 | 2017-09-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including determining misregistration between semiconductor levels and related apparatuses |
JP6706814B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
US10504759B2 (en) | 2016-04-04 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor metrology with information from multiple processing steps |
US9728470B1 (en) | 2016-05-10 | 2017-08-08 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor structure and methods |
CN109844647B (zh) * | 2016-10-14 | 2022-06-10 | 科磊股份有限公司 | 基于衍射的聚焦度量 |
US10712145B2 (en) | 2016-10-20 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid metrology for patterned wafer characterization |
JP7179742B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2022-11-29 | ケーエルエー コーポレイション | 散乱計測オーバーレイターゲット及び方法 |
WO2018154588A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Nova Measuring Instruments Ltd | An apparatus and method for electrical test prediction |
US10732516B2 (en) * | 2017-03-01 | 2020-08-04 | Kla Tencor Corporation | Process robust overlay metrology based on optical scatterometry |
TW201918700A (zh) * | 2017-05-05 | 2019-05-16 | 美商3M新設資產公司 | 散射測量系統及其使用方法 |
US10598617B2 (en) * | 2017-05-05 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Metrology guided inspection sample shaping of optical inspection results |
CN108962776B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-05-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法 |
US11112369B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid overlay target design for imaging-based overlay and scatterometry-based overlay |
EP3480659A1 (en) * | 2017-11-01 | 2019-05-08 | ASML Netherlands B.V. | Estimation of data in metrology |
US10837919B2 (en) * | 2017-11-06 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Single cell scatterometry overlay targets |
US10962888B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Structures for acoustic wave overlay error determination using periodic structures |
US11022966B1 (en) * | 2017-12-15 | 2021-06-01 | Synopsys, Inc. | Method of modeling e-beam photomask manufacturing process using image-based artificial neural networks |
US10959318B2 (en) * | 2018-01-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator |
US10705435B2 (en) * | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
EP3518040A1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
WO2019166190A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Stichting Vu | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
US10707175B2 (en) * | 2018-05-22 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Asymmetric overlay mark for overlay measurement |
EP3657256A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
KR102638267B1 (ko) | 2018-12-03 | 2024-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 불량 분석 시스템 및 그것의 동작 방법 |
CN109656103A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-19 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 利用scd监控在线产品焦距变化的方法 |
US11231362B1 (en) * | 2018-12-20 | 2022-01-25 | Kla Corporation | Multi-environment polarized infrared reflectometer for semiconductor metrology |
US11410290B2 (en) * | 2019-01-02 | 2022-08-09 | Kla Corporation | Machine learning for metrology measurements |
US10804167B2 (en) * | 2019-01-24 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for co-located metrology |
JP2022539425A (ja) * | 2019-07-08 | 2022-09-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び関連のコンピュータプロダクト |
US11042981B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-22 | SVXR, Inc. | Methods and systems for printed circuit board design based on automatic corrections |
US10921721B1 (en) * | 2019-09-13 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement system and grating pattern array |
US11415898B2 (en) * | 2019-10-14 | 2022-08-16 | Kla Corporation | Signal-domain adaptation for metrology |
US11520321B2 (en) * | 2019-12-02 | 2022-12-06 | Kla Corporation | Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization |
CN115428135B (zh) * | 2020-04-06 | 2024-01-26 | 诺威有限公司 | 用于基于光谱的计量和过程控制的机器和深度学习方法 |
US11460783B2 (en) * | 2021-01-07 | 2022-10-04 | Kla Corporation | System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target |
US11967535B2 (en) * | 2021-04-13 | 2024-04-23 | Kla Corporation | On-product overlay targets |
TWI782539B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-11-01 | 聯策科技股份有限公司 | 智慧化加工之方法與系統 |
KR102441250B1 (ko) | 2022-02-21 | 2022-09-07 | (주)네온테크 | 레이저를 사용하여 소재의 들뜸을 측정하는 검출 시스템 및 이를 사용한 소재의 들뜸을 측정하는 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003294436A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-10-15 | Fei Co | 統合測定方法およびシステム |
JP2004513509A (ja) * | 2000-09-20 | 2004-04-30 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
JP2006509219A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US6934024B2 (en) | 2000-10-18 | 2005-08-23 | Regents Of The University Of Minnesota | Ellipsometry methods and apparatus using solid immersion tunneling |
US20030002043A1 (en) | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
DE10142316A1 (de) | 2001-08-30 | 2003-04-17 | Advanced Micro Devices Inc | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Bestimmung kritischer Dimensionen und Überlagerungsfehler |
US6778275B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
US7170604B2 (en) | 2002-07-03 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction |
US6927080B1 (en) | 2002-10-28 | 2005-08-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Structures for analyzing electromigration, and methods of using same |
JP4078257B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2008-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法及び荷電粒子線装置 |
US7608468B1 (en) | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
JP4065817B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2008-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光プロセスモニタ方法 |
US20050185174A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
WO2006012388A2 (en) | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
US7557921B1 (en) * | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
US7408642B1 (en) | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
US7528941B2 (en) | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
NL1036098A1 (nl) | 2007-11-08 | 2009-05-11 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus lithographic, processing cell and device manufacturing method. |
US7684038B1 (en) | 2008-04-04 | 2010-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology target |
US8004679B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Target design and methods for scatterometry overlay determination |
JP5439375B2 (ja) | 2008-08-06 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
US8891061B2 (en) | 2008-10-06 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target |
SG172294A1 (en) * | 2008-12-30 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
KR101257453B1 (ko) * | 2009-05-12 | 2013-04-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피에 사용하는 검사 방법 |
EP2457071A4 (en) | 2009-07-22 | 2015-09-02 | Kla Tencor Corp | ANTISYMMETRIC RADAR DIFFUSIOMETRY WITH ANGULAR RESOLUTION |
KR101429629B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2014-08-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
US8441639B2 (en) | 2009-09-03 | 2013-05-14 | Kla-Tencor Corp. | Metrology systems and methods |
NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
US8913237B2 (en) * | 2012-06-26 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corporation | Device-like scatterometry overlay targets |
US9581430B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corporation | Phase characterization of targets |
US10101670B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-10-16 | Kla-Tencor Corporation | Statistical model-based metrology |
WO2014205274A1 (en) | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid imaging and scatterometry targets |
CN103530819A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-22 | 国家电网公司 | 并网型光伏电站发电系统的输出功率的测定方法及设备 |
US9784690B2 (en) | 2014-05-12 | 2017-10-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters |
-
2015
- 2015-05-08 US US14/708,058 patent/US9784690B2/en active Active
- 2015-05-11 WO PCT/US2015/030192 patent/WO2015175425A1/en active Application Filing
- 2015-05-11 CN CN201580024936.0A patent/CN106463430B/zh active Active
- 2015-05-11 CN CN201811326714.6A patent/CN109632819B/zh active Active
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- 2015-05-11 KR KR1020167033572A patent/KR102332956B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-11 JP JP2016567621A patent/JP6566968B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-08 US US15/671,661 patent/US10107765B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-30 JP JP2019139947A patent/JP6735884B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004513509A (ja) * | 2000-09-20 | 2004-04-30 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 半導体製造プロセスのための方法とシステム |
JP2003294436A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-10-15 | Fei Co | 統合測定方法およびシステム |
JP2006509219A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020505647A (ja) * | 2017-01-25 | 2020-02-20 | ケーエルエー コーポレイション | 非ゼロオフセット予測を伴うオーバレイ制御 |
JP7478788B2 (ja) | 2017-11-07 | 2024-05-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
JP2021514071A (ja) * | 2018-02-20 | 2021-06-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 帯域幅の増加を伴うメトロロジ方法及び装置 |
JP7002663B2 (ja) | 2018-02-20 | 2022-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 帯域幅の増加を伴うメトロロジ方法及び装置 |
WO2022190210A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、および、調整用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6735884B2 (ja) | 2020-08-05 |
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