JP4704332B2 - パラメータ変動性分析による焦点の中心の決定 - Google Patents
パラメータ変動性分析による焦点の中心の決定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4704332B2 JP4704332B2 JP2006509890A JP2006509890A JP4704332B2 JP 4704332 B2 JP4704332 B2 JP 4704332B2 JP 2006509890 A JP2006509890 A JP 2006509890A JP 2006509890 A JP2006509890 A JP 2006509890A JP 4704332 B2 JP4704332 B2 JP 4704332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction
- focus
- code
- field
- diffractive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4788—Diffraction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
- G01N2021/95615—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method with stored comparision signal
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
前記リソグラフィ装置を備える一連のウェハ上にある同じように配置された露光済みフィールドにある複数の回折構造を露光する工程、一連のウェハ上にある同じように配置された露光済みフィールドそれぞれにある複数の回折構造のそれぞれについて放射源ベースの器具により回折符号を測定する工程、それぞれのウェハについてフィールドにある前記複数の回折構造から得られた測定された回折符号の変動性を決定する工程、および前記ウェハに関連付けられた変動性を比較して前記リソグラフィ装置の所望のパラメータを制御する工程を含んでいる。本方法は好ましくは前記ウェハに関連付けられた比較された変動性に応じて前記リソグラフィ装置の少なくとも1つの所望のパラメータを調整するさらなる工程をさらに備えている。変動性は好ましくは経験的にまたは理論的に決定された変動性範囲と比較される。少なくとも1つの所望のパラメータは好ましくは焦点または線量を含んでいる。回折構造は好ましくは格子のように単一周期、二重周期、複数周期、または非周期的構造である。ウェハは好ましくは半導体ウェハを備えている。
・構造の底部および/または最上部のCD
・ライン、柱、または他の構造の高さまたは厚さのような高さまたは厚さ
・回折符号によって定義される領域の全高
・矩形、台形、三角形、円形、または他の幾何学的形状のような構造の形状
・構造または領域の底部および/または最上部における湾曲の半径
・側壁
・格子の周期
・ラインまたは他の構造の幅
・構造の材料パラメータ、そのさまざまな層のパラメータも含む
・構造の下のフィルムの厚みおよびフィルムの屈折率のような、構造が配置される基板の材料パラメータ
・ 特定の位置のCD、構造および基板の相対的寄与により重み付けされた値など のようなさまざまな重み付けされたまたは平均の値。
断面積=H・W (1)
ここでHは格子高さであり、Wは格子幅である。ステッパ焦点の中心を決める際の精度を高めるためにより詳細な理論的モデルを使ってよい。かかるモデルの1つとしては台形が挙げられ、これは側壁角度の寸法を付け加えるものである。台形格子の断面を決定する数式は、
断面積=H・(W−H/tan A) (2)
ここでHは格子高さ、Wは格子の底部における幅、Aは台形の側壁角度である。他方、端部が丸い台形、ガウスまたはシグモイドプロファイル、またはユーザーによって指定される他の特注プロファイルのようなより複雑な形状を使って理論的モデルを作成することもできる。より複雑な形状を使うと、断面積に関して格子形状を表現するのにより複雑な数式が必要となる。
ここでθiは負の角度として採用される入射角であり、θnとして採用されるのはn番目の回折等級の角度位置であり、λは入射光の波長であり、dは回折構造の空間周期またはピッチである。従って0番目または鏡面回折等級については、入射角は鏡面回折等級の角度位置に等しいことがわかる。しかしながら、鏡面以外の回折等級、または一般的な光分散または回折を採用してよく、また上述のようにして決定された適切な角度位置を採用してよい。同様の関係は他の回折符号生成モードも支配して、いずれの回折符号生成モードでも鏡面回折等級またはいくらかより高い回折等級または一般的な光分散または回折を採用できるようにしている。例えば波長解像装置では、角度θ1は一定に保持され波長λが変動され、数式は所定のnでθnについて解答される。
Claims (42)
- 複数のフィールドを備える基板を提供する工程であって、それぞれの前記フィールドは異なる焦点値で露光されており、それぞれの前記フィールドはまたリソグラフィ装置を利用してリソグラフィプロセスによって前記基板上に形成されている複数の回折構造を含んでおり、同一のフィールドに含まれる複数の前記回折構造は同一の焦点値によって形成されている、複数のフィールドを備える基板を提供する工程と、
放射源ベースの器具によって複数のフィールドにある前記複数の回折構造のそれぞれについて回折符号を測定する工程と、
それぞれのフィールドについてそのフィールド内に配置されている複数の回折構造から得られた測定された回折符号の変動性を決定する工程と、
フィールドに関連づけられた変動性を比較してリソグラフィ装置の所望のパラメータを決定する工程と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置に関連するパラメータの測定方法。 - 前記回折構造は単一周期、二重周期、複数周期、または非周期的構造であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記回折構造が格子を備えることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記基板が半導体ウェハを備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記放射源ベースの器具が光源ベースの器具を備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記光源ベースの器具は入射レーザー光線源、レーザー光線を焦点合わせし入射角のいくらかの範囲にわたって走査を行う光学的システム、および得られた回折符号を得られた測定角度にわたって検出するための検出器を備えることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記光源ベースの器具は角度分解スキャタロメータを備えることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記光源ベースの器具は複数のレーザー光線源を備えることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 光源ベースの器具は、入射広域スペクトラル光源、光を焦点合わせし入射波長のいくらかの範囲にわたって照明を行う光学的システム、および得られた回折符号を得られた測定波長にわたって検出するための検出器を備えることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記光源ベースの器具は、入射光源、SおよびP分極の振幅および位相を変動させるための成分、光を焦点合わせし入射位相のいくらかの範囲にわたって照明を行う光学的システム、および得られた回折符号の位相を検出するための検出器を備えることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 回折符号を測定する工程は、固定の角度、可変入射角度θ、または可変スイープ角度Φで作動する広域スペクトラル放射源ベースの器具源によって位相測定する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 回折符号を測定する工程は、固定の角度、可変入射角度θ、または可変スイープ角度Φで作動する単一波長放射源ベースの器具源によって位相測定する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 回折符号を測定する工程は、複数の離散的な波長放射源ベースの器具によって位相を測定する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記回折符号は反射性回折符号であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記回折符号は透過性回折符号であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記回折符号は鏡面回折符号等級であることを特徴とする、請求項1に記載方法。
- 前記回折符号はより高い等級の回折符号であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記回折符号は一般的な光分散または回折の測定値であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記所望のパラメータは焦点の中心であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記所望のパラメータは線量であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ装置の所望のパラメータの値は回折符号の最小の変動性を持つフィールドに関連付けられた所望のパラメータの値によって決定されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記決定する工程は、それぞれのフィールドについてそのフィールド内に配置されている複数の測定された回折構造から得られた回折符号の強度の範囲を測定する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記決定する工程は、変動性の統計学的測定値を算出する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記統計学的測定値は回折符号の根平均二乗誤差であることを特徴とする、請求項23に記載の方法。
- 公知の異なる焦点設定および公知の異なる線量設定で複数の回折構造を形成する工程、および焦点に対する線量の影響を決定する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の回折構造は同じ公知の異なる焦点設定回折構造のセットを備えており、前記セットは異なる公知の線量設定によって変動することを特徴とする、請求項25に記載の方法。
- 前記決定する工程は、
理論的回折構造から生み出された理論的回折符号のライブラリを提供する工程、
前記ライブラリ中でそれぞれの測定された回折符号にもっとも適合する理論的回折符号を決定する工程、
もっとも適合する理論的回折符号の選択された特性を測定された回折符号に関連付ける工程、および
それぞれのフィールドについてそのフィールド内に配置されている複数の回折構造に関連付けられた選択された特性の変動性を決定する工程、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記選択された特性は臨界寸法(CD)であることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記選択された特性は断面積であることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記選択された特性は断面体積であることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記選択された特性は、適合する理論的回折符号を提供する理論的回折構造の2つ以上の特性の積であることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記決定する工程は、それぞれのフィールドについてそのフィールド内に配置されている複数の測定された回折構造に関連付けられている選択された特性の範囲を測定する工程を含むことを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記決定する工程は変動性の統計学的測定値を算出する工程を含むことを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 前記統計学的測定値は選択された特性の標準的なずれであることを特徴とする、請求項33に記載の方法。
- 前記回折構造は潜像回折構造を備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板は現像プロセスを経ていないことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 請求項19の方法によってリソグラフィ装置の焦点の中心を決定する工程、および
リソグラフィ装置の焦点設定を決定された焦点の中心に調整する工程、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置において焦点の中心についてプロセス制御する方法。 - 前記調整する工程はコンピュータベースの制御システムを利用する工程を含むことを特徴とする、請求項37に記載の方法。
- 前記調整する工程は、オートフォーカス制御システムを備えており、前記オートフォーカス制御システムへの少なくとも1つの入力は最小の変動値に関連する測定値を備えることを特徴とする、請求項37に記載の方法。
- 前記調整する工程は、選択されたフィールド内に配置されている複数の回折構造から得られた測定された回折符号の変動性を経時的に測定する工程を含むことを特徴とする、請求項37に記載の方法。
- 前記選択されたフィールドが焦点の中心になるようあらかじめ決定されていることを特徴とする、請求項40に記載の方法。
- 前記変動性が所定の制御範囲を上回る場合においてはリソグラフィ装置の焦点が調整されることを特徴とする、請求項40に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US46235303P | 2003-04-10 | 2003-04-10 | |
US60/462,353 | 2003-04-10 | ||
US10/820,911 | 2004-04-08 | ||
US10/820,911 US7119893B2 (en) | 2003-04-10 | 2004-04-08 | Determination of center of focus by parameter variability analysis |
PCT/US2004/011083 WO2004092832A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-04-09 | Determination of center of focus by parameter variability analysis |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006523039A JP2006523039A (ja) | 2006-10-05 |
JP4704332B2 true JP4704332B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=33303080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006509890A Expired - Fee Related JP4704332B2 (ja) | 2003-04-10 | 2004-04-09 | パラメータ変動性分析による焦点の中心の決定 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7119893B2 (ja) |
EP (1) | EP1618436A4 (ja) |
JP (1) | JP4704332B2 (ja) |
KR (1) | KR20060006807A (ja) |
WO (1) | WO2004092832A2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7515279B2 (en) * | 2001-03-02 | 2009-04-07 | Nanometrics Incorporated | Line profile asymmetry measurement |
US7487064B2 (en) * | 2003-07-18 | 2009-02-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Method for detecting and monitoring defects |
JP4786224B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-10-05 | 富士フイルム株式会社 | 投影ヘッドピント位置測定方法および露光方法 |
US20070046954A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of verifying consistent measurement between a plurality of CD metrology tools |
US7481579B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-01-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Overlay metrology using X-rays |
US7596422B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-09-29 | Tokyo Electron Limited | Determining one or more profile parameters of a structure using optical metrology and a correlation between profile models and key profile shape variables |
JP5270109B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-08-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US20090191113A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing ammonia from a methanol containing stream |
US8203695B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-06-19 | Micron Technology, Inc. | Photolithography systems and associated methods of focus correction |
CN101782369B (zh) * | 2009-01-16 | 2012-09-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像量测对焦系统及方法 |
US8233142B2 (en) * | 2009-09-29 | 2012-07-31 | United Microelectronics Corp. | Monitoring method of exposure apparatus |
DE102010030755B4 (de) * | 2010-06-30 | 2016-06-16 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Verfahren und System zur Überwachung von Ausreißern in optischen Lithographieprozessen bei der Herstellung von Mikrostrukturbauelementen |
CN102519521B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种相位移焦距检测光罩及制造方法及检测焦距差的方法 |
WO2013189724A2 (en) | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method |
NL2011816A (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-04 | Asml Netherlands Bv | Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
US9383661B2 (en) | 2013-08-10 | 2016-07-05 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for determining focus |
US10935893B2 (en) | 2013-08-11 | 2021-03-02 | Kla-Tencor Corporation | Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets |
NL2014938A (en) | 2014-06-30 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
KR102238708B1 (ko) | 2014-08-19 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 리소그래피 공정의 초점 이동 체크 방법 및 이를 이용한 전사 패턴 오류 분석 방법 |
EP3086175B1 (en) | 2015-04-22 | 2022-01-26 | IMEC vzw | Method for hotspot detection and ranking of a lithographic mask |
KR102066588B1 (ko) | 2015-06-12 | 2020-01-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 장치, 검사 방법, 리소그래피 장치, 패터닝 디바이스 및 제조 방법 |
US11313809B1 (en) * | 2016-05-04 | 2022-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Process control metrology |
US10699969B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Quick adjustment of metrology measurement parameters according to process variation |
KR102327116B1 (ko) * | 2017-08-30 | 2021-11-16 | 케이엘에이 코포레이션 | 프로세스 변동에 따른 계측 측정 파라미터들의 신속한 조정 |
CN111983899A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-11-24 | 百及纳米科技(上海)有限公司 | 亚纳米级高精度光刻写场拼接方法、所用光刻机系统、晶圆及电子束漂移的测定方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001272766A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法 |
US6429930B1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-08-06 | Accent Optical Technologies, Inc. | Determination of center of focus by diffraction signature analysis |
US6501534B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated periodic focus and exposure calibration of a lithography stepper |
JP2003203841A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 評価方法、製造条件補正方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2005004211A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Nikon Corporation | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 |
JP2005505929A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-02-24 | アクセント オプティカル テクノロジーズ,インク. | 断面解析による焦点中心の決定 |
JP2006515958A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-06-08 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 2以上の計測された散乱計測信号間の比較によるプロセス最適化および制御の方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4920273A (en) | 1985-06-17 | 1990-04-24 | View Engineering, Inc. | Z-axis measurement system |
US4710642A (en) | 1985-08-20 | 1987-12-01 | Mcneil John R | Optical scatterometer having improved sensitivity and bandwidth |
US4759626A (en) | 1986-11-10 | 1988-07-26 | Hewlett-Packard Company | Determination of best focus for step and repeat projection aligners |
KR890004566B1 (ko) | 1987-03-21 | 1989-11-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조공정중의 패턴의 씨디변화를 모니타링하기 위한 테스트 패턴 |
US5044750A (en) | 1990-08-13 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Method for checking lithography critical dimensions |
US5241369A (en) | 1990-10-01 | 1993-08-31 | Mcneil John R | Two-dimensional optical scatterometer apparatus and process |
US5164790A (en) | 1991-02-27 | 1992-11-17 | Mcneil John R | Simple CD measurement of periodic structures on photomasks |
US5830611A (en) * | 1992-03-05 | 1998-11-03 | Bishop; Kenneth P. | Use of diffracted light from latent images in photoresist for optimizing image contrast |
JP3287017B2 (ja) * | 1992-07-10 | 2002-05-27 | 株式会社ニコン | 結像特性の測定方法 |
US5266790A (en) | 1992-12-21 | 1993-11-30 | Ultratech Stepper, Inc. | Focusing technique suitable for use with an unpatterned specular substrate |
JP3265668B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス位置の算出方法 |
JP3339174B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5712707A (en) | 1995-11-20 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Edge overlay measurement target for sub-0.5 micron ground rules |
US5805290A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
US5877860A (en) | 1996-05-13 | 1999-03-02 | Boxer Cross, Inc. | System and method for measuring the microroughness of a surface of a substrate |
US5889593A (en) | 1997-02-26 | 1999-03-30 | Kla Instruments Corporation | Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement |
US5867276A (en) | 1997-03-07 | 1999-02-02 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Method for broad wavelength scatterometry |
US5953128A (en) | 1997-08-28 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Optically measurable serpentine edge tone reversed targets |
US5952132A (en) | 1997-09-12 | 1999-09-14 | Taiwan Semiconductor Mfg. Co. | Method for forming a stepper focus pattern through determination of overlay error |
US5912741A (en) | 1997-10-10 | 1999-06-15 | Northrop Grumman Corporation | Imaging scatterometer |
KR100233621B1 (ko) | 1997-10-24 | 1999-12-01 | 조성욱 | 광학창을 이용한 비접촉식 3차원 미소형상 측정방법 |
US6088113A (en) | 1998-02-17 | 2000-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Focus test mask for projection exposure system, focus monitoring system using the same, and focus monitoring method |
JPH11233434A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
IL123727A (en) | 1998-03-18 | 2002-05-23 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for measurement of patterned structures |
JPH11325870A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Matsushita Electron Corp | 焦点位置計測方法 |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6643557B1 (en) | 2000-06-09 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control |
AU2001279247A1 (en) | 2000-08-10 | 2002-02-25 | Sensys Instruments Corporation | Database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures |
US6728663B2 (en) | 2000-09-13 | 2004-04-27 | Accent Optical Technologies, Inc. | Structure identification using scattering signatures |
US6433878B1 (en) | 2001-01-29 | 2002-08-13 | Timbre Technology, Inc. | Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry |
-
2004
- 2004-04-08 US US10/820,911 patent/US7119893B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-09 WO PCT/US2004/011083 patent/WO2004092832A2/en active Search and Examination
- 2004-04-09 KR KR1020057019295A patent/KR20060006807A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-04-09 JP JP2006509890A patent/JP4704332B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-09 EP EP04759392A patent/EP1618436A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001272766A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法 |
US6429930B1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-08-06 | Accent Optical Technologies, Inc. | Determination of center of focus by diffraction signature analysis |
JP2004508559A (ja) * | 2000-09-06 | 2004-03-18 | アクセント オプティカル テクノロジーズ,インク. | 回折シグニチャー分析による焦点の中心の決定 |
US6501534B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated periodic focus and exposure calibration of a lithography stepper |
JP2005505929A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-02-24 | アクセント オプティカル テクノロジーズ,インク. | 断面解析による焦点中心の決定 |
JP2003203841A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 評価方法、製造条件補正方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006515958A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-06-08 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 2以上の計測された散乱計測信号間の比較によるプロセス最適化および制御の方法 |
WO2005004211A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Nikon Corporation | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004092832A2 (en) | 2004-10-28 |
WO2004092832A3 (en) | 2005-01-13 |
KR20060006807A (ko) | 2006-01-19 |
US7119893B2 (en) | 2006-10-10 |
JP2006523039A (ja) | 2006-10-05 |
US20040233445A1 (en) | 2004-11-25 |
EP1618436A2 (en) | 2006-01-25 |
EP1618436A4 (en) | 2010-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4704332B2 (ja) | パラメータ変動性分析による焦点の中心の決定 | |
JP6738423B2 (ja) | 測定を向上させるための非対称なサブ分解能フィーチャを用いるリソグラフィプロセスの光学計測 | |
KR102332956B1 (ko) | 반도체 파라미터들을 측정하기 위한 장치, 기법들, 및 타겟 설계들 | |
US6429930B1 (en) | Determination of center of focus by diffraction signature analysis | |
US7110099B2 (en) | Determination of center of focus by cross-section analysis | |
US10054862B2 (en) | Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus, patterning device and manufacturing method | |
JP2007522432A (ja) | 差動限界寸法およびオーバーレイ測定装置および測定方法 | |
TW201807515A (zh) | 度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統 | |
TW201712440A (zh) | 檢測設備、檢測方法、微影設備及製造方法 | |
KR20050008687A (ko) | 언더커트 다중층 회절 구조의 스캐터로미터 측정 방법 | |
US10268124B2 (en) | Asymmetry monitoring of a structure | |
KR100877321B1 (ko) | 차분 임계 치수 및 오버레이 계측 장치 및 측정 방법 | |
TW200424499A (en) | Determination of center of focus by parameter variability analysis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070404 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110309 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |