JP2007266604A - オーバーレイ測定品質表示を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置は、基板中に設けられた2つの基準回折格子14およびこれらの基準回折格子の上の2つの測定回折格子12を含み、測定回折格子は、基準回折格子に似ており、ただ1つの方向でそれぞれの基準回折格子に対して逆に偏っている。イメージセンサを有するオーバーレイ測定デバイスは、2つの測定回折格子の各々の測定スポットのピクセルデータを得るために使用される。測定スポットの各ピクセルの非対称が測定され、2つの測定回折格子の各々の関連したピクセルのピクセル非対称測定から、オーバーレイ値22およびプロセスに依存した値、ならびに、オーバーレイ値およびプロセスに依存した値の品質インディケータが決定される。
【選択図】図4
Description
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次に、異なるターゲット部分Cが露光されるように、基板テーブルWTはX方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは同期してスキャンされる(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の(非スキャン方向の)幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の(スキャン方向の)高さが決定される。
3.他のモードでは、マスクテーブルMTは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、そして基板テーブルWTは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に、動かされる、すなわちスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、そしてプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
I+1−I−1=K×OV (1)。
ここでKは定数であり、プロセスに依存するので知られていない。
Claims (15)
- パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置は、前記基板中の2つの基準回折格子および前記基準回折格子上の2つの測定回折格子を設けるように構成され、前記測定回折格子が、前記基準回折格子に似ており、かつ単一方向で前記それぞれの基準回折格子に対して逆に偏っており、
前記リソグラフィ装置は、オーバーレイ測定デバイスを備え、当該オーバーレイ測定デバイスが、前記2つの測定回折格子の各々の測定スポットのピクセルデータを得るためのイメージセンサを備え、さらに、前記測定スポットの各ピクセルの非対称を測定し、かつ前記2つの測定回折格子の各々の関連したピクセルのピクセル非対称測定からオーバーレイ値およびプロセスに依存した値、ならびに前記オーバーレイ値および前記プロセスに依存した値の品質インディケータを決定するように構成されている、リソグラフィ装置。 - 前記偏りが距離dにわたるシフトを備え、dが前記回折格子の周期よりも小さい、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ピクセル非対称測定が、A+=K(OV+d)およびA−=K(OV−d)としてそれぞれ与えられ、A+が前記第1の偏った測定回折格子の非対称測定であり、A−が前記他の偏った測定回折格子の非対称測定であり、Kがプロセスに依存した値であり、OVが前記オーバーレイ値であり、さらにdが前記偏り距離である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記品質インディケータが、前記ピクセル非対称測定の統計的なパラメータ値を備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記測定スポットが、前記基準回折格子の全面積と一致するように整えられている、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記品質インディケータが、基板上の複数の測定スポットのために決定される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記オーバーレイ測定デバイスが、前記回折格子の反射スペクトルから非対称を測定するためのスキャトロメータを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記基板中の2つの基準回折格子および前記基準回折格子上の2つの測定回折格子を設けるステップであって、前記測定回折格子は、前記基準回折格子に似ており、かつ単一方向で前記それぞれの基準回折格子に対して逆に偏っている、ステップと
前記2つの測定回折格子構造の各々の測定スポットのピクセルデータを得るステップと、
前記測定スポットの各ピクセルの非対称を測定するステップと、
前記2つの測定回折格子の各々の関連したピクセルの前記ピクセル非対称測定から、オーバーレイ値およびプロセスに依存した値、ならびに前記オーバーレイ値および前記プロセスに依存した値の品質インディケータを決定するステップと、を備えるデバイス製造方法。 - 前記逆の偏りが距離dにわたるシフトを備え、dが前記回折格子の周期よりも小さい、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記ピクセル非対称測定が、A+=K(OV+d)およびA−=K(OV−d)としてそれぞれ与えられ、A+が前記第1の偏った測定回折格子の非対称測定であり、A−が前記他の偏った測定回折格子の非対称測定であり、Kがプロセスに依存した値であり、OVが前記オーバーレイ値であり、さらにdが前記偏り距離である、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記品質インディケータが、前記ピクセル非対称測定の統計的なパラメータ値を備える、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記測定スポットが、前記基準回折格子の全面積と一致している、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記品質インディケータが、前記基板上の複数の測定スポットのために決定される、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 前記非対称が、スキャトロメータを使用して前記回折格子の反射スペクトルから測定される、請求項8に記載のデバイス製造方法。
- 請求項8に記載の方法に従って製造されたデバイス。
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