JP4701209B2 - 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 - Google Patents
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Description
基板上にオーバーレイターゲットを露光する露光ツールと、
基板上のオーバーレイターゲットを照射する光源と、
基板のオーバーレイターゲットから反射された光の回折スペクトルを検出するディテクタとを含み、
オーバーレイターゲットが2つ以上の重ね合わせ層を含み、各層が2つ以上の格子を含み、各格子の配向が互いに垂直であり、互いに異なるピッチを有する、検査装置が提供される。
基板上に、第1のピッチを有する第1の格子を施すことと、
基板上に、第1の格子に垂直な配向と、第1の格子ピッチとは異なるピッチとを有する第2の格子を施すことと、
基板上にレジスト層を施すことと、
基板上の各格子がその上に重ね合わされる第2の格子を有するように、レジスト層に、基板の第1および第2の格子と同様の第1および第2の格子を施すことと、
重ね合わされた格子にオーバーレイ放射ビームを照射することと、
重ね合わされた格子から反射される光の回折スペクトルを測定することと、
各重ね合わされた格子のオーバーレイ度合いを判定するために、互に重ね合わされた格子の垂直方向の各組からの測定された回折スペクトルを互いに比較し、かつそれらをモデルデータと比較することと
を含む方法が提供される。
基板上に、第1の方向に第1のピッチを有し、垂直方向に第2のピッチを有する方形構造のアレイを含む第1の格子を施すことと、
基板上に、第1の格子に垂直に配向され、第1の方向に第2のピッチを有し、垂直方向に第1のピッチを有する方形構造のアレイを含む第2の格子を施すことと、
基板上にレジスト層を施すことと、
基板上の各格子が、その上に重ね合わされる第2の格子を有するように、レジスト層に、基板の第1および第2の格子と同様の第1および第2の格子を施すことと、
重ね合わされた格子にオーバーレイ放射ビームを照射することと、
重ね合わされた格子から反射される光の回折スペクトルを測定することと、
各重ね合わされた格子のオーバーレイ度合いを判定するために、互に重ね合わされた格子の垂直方向の各組からの測定された回折スペクトルを互いに比較し、かつそれらをモデルデータと比較することと
を含む方法が提供される。
基板上にオーバーレイターゲットを露光する露光ツールであって、オーバーレイターゲットが2つ以上の重ね合わせ層を含み、各層が2つ以上の格子を含み、各格子が互いに異なるピッチを有する露光ツールと、
オーバーレイターゲットを照射するためにオーバーレイビームを供給する放射源と、
オーバーレイターゲットから反射されたオーバーレイビームの回折スペクトルを検出するディテクタと
を含むリソグラフィ装置が提供される。
基板上にオーバーレイターゲットを露光する露光ツールであって、オーバーレイターゲットが2つの重ね合わせ層を含み、各層が2つ以上の格子を含み、各格子が互いに異なるピッチを有する露光ツールと、
オーバーレイターゲットを照射するためにオーバーレイビームを供給する放射源と、
オーバーレイターゲットから反射されたオーバーレイビームの回折スペクトルを検出するディテクタと
を含むリソグラフィセルが提供される。
[0022] 放射ビームB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0023] パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0024] 基板(例えば、レジストコートされたウェーハ)Wを保持するように構成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0025] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
実施形態1
バイアス−dと未知のオーバーレイOVとを有する格子1の場合、
非対称A(−)=K(OV−d) (1)
バイアス+dと未知のオーバーレイOVとを有する格子2の場合、
非対称A(+)=K(OV+d) (2)
ただし、Kはプロセス特質およびターゲット特質によって決まる定数である。これら2つの等式を使用して、オーバーレイ(および定数K)を求めることができる。dの大きさは、使用するターゲットのタイプ(例えば、各格子のピッチおよびデューティサイクル)および使用するプロセス(例えば、それぞれの層がいかに処理されるか)によって決まる。
実施形態2
Claims (8)
- オーバーレイターゲットを含む基板であって、前記オーバーレイターゲットが2つ以上の重ね合わせ層を含み、各層が似ているオーバーレイターゲットを含み、各層内の前記オーバーレイターゲットが2つ以上の格子を含み、前記格子が互いに異なるピッチを有し、
前記オーバーレイターゲットの各層が2組の格子を含み、第1の組が垂直配向された2つの格子と第1の格子ピッチとを含み、第2の組が垂直配向された2つの格子と第2の格子ピッチとを含み、
各組の格子が4つの格子を含み、そのうち第1および第2の格子が平行配向され、そのうち第3および第4の格子が前記第1および第2の格子に対し垂直配向され、かつ互いに平行であり、前記第1および第3の格子が前記第2および第4の格子に対して異なるオフセットを有し、
各格子のオフセットの方向が異なる、基板。 - 前記各格子が規定の幅および距離間隔を有するバーを含む2次元格子である、請求項1に記載の基板。
- オーバーレイターゲットを含む基板であって、前記オーバーレイターゲットが2つの重ね合わせ層を含み、各層が前記基板の各垂直軸方向に2組の格子を含み、各格子が方形構造のアレイを含み、
第1の組の各アレイが、第1の方向に第1のピッチを有し、垂直方向に第2のピッチを有し、第2の組の各アレイが、前記第1の方向に第2のピッチを有し、垂直方向に第1のピッチを有し、
各格子のオフセットの方向が異なる、基板。 - 基板の特性を測定する検査装置であって、
前記基板上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のオーバーレイターゲットを露光する露光ツールと、
基板上のオーバーレイターゲットを照射する光源と、
前記基板の前記オーバーレイターゲットから反射された光の回折スペクトルを検出するディテクタとを含む検査装置。 - 検査方法であって、
基板上に、請求項1又は2に記載の各格子を施すことと、
前記基板上にレジスト層を施すことと、
前記基板上の各格子がその上に重ね合わされる格子を有するように、前記レジスト層に、前記基板に施された各格子と同様の格子を施すことと、
前記重ね合わされた格子にオーバーレイ放射ビームを照射することと、
前記重ね合わされた格子から反射される光の回折スペクトルを測定することと、
各重ね合わされた格子のオーバーレイ度合いを判定するために、垂直方向に重ね合わされた格子の各組からの測定された回折スペクトルを互いに比較し、かつそれらをモデルデータと比較することとを含む方法。 - 検査方法であって、
基板上に、第1の方向に第1のピッチを有し、垂直方向に第2のピッチを有する方形構造のアレイを含む第1の格子を施すことと、
前記基板上に、前記第1の格子に対して垂直に配向され、且つ前記第1の方向に前記第2のピッチを有し、前記垂直方向に前記第1のピッチを有する方形構造のアレイを含む第2の格子を施すことと、
前記基板上にレジスト層を施すことと、
前記基板上の各格子がその上に重ね合わされる第2の格子を有するように、前記レジスト層に、前記基板の前記第1および第2の格子と同様の第1および第2の格子を施すことと、
前記重ね合わされた格子にオーバーレイ放射ビームを照射することと、
前記重ね合わされた格子から反射される光の回折スペクトルを測定することと、
各重ね合わされた格子のオーバーレイ度合いを判定するために、垂直方向に重ね合わされた格子の各組からの測定された回折スペクトルを互いに比較し、かつそれらをモデルデータと比較することとを含み、
前記各格子のオフセットの方向が異なる、方法。 - 基板の特性を測定するリソグラフィ装置であって、
前記基板上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のオーバーレイターゲットを露光する露光ツールと、
前記オーバーレイターゲットを照射するためにオーバーレイビームを供給する放射源と、
前記オーバーレイターゲットから反射された前記オーバーレイビームの回折スペクトルを検出するディテクタと
を含むリソグラフィ装置。 - 基板の特性を測定するリソグラフィセルであって、
前記基板上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のオーバーレイターゲットを露光する露光ツールと、
前記オーバーレイターゲットを照射するためにオーバーレイビームを供給する放射源と、
前記オーバーレイターゲットから反射された前記オーバーレイビームの回折スペクトルを検出するディテクタと
を含むリソグラフィセル。
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