JPS63153818A - アライメント用マ−ク - Google Patents
アライメント用マ−クInfo
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- JPS63153818A JPS63153818A JP61299876A JP29987686A JPS63153818A JP S63153818 A JPS63153818 A JP S63153818A JP 61299876 A JP61299876 A JP 61299876A JP 29987686 A JP29987686 A JP 29987686A JP S63153818 A JPS63153818 A JP S63153818A
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- Pending
Links
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、回折格子を利用したマスクとウェハのアライ
メント用マークに係り、特に、半導体製造プロセス変動
によりアライメントが困難になることを除去し、より安
定したアライメントが可能なアライメント用マークの構
造に関するものである。
メント用マークに係り、特に、半導体製造プロセス変動
によりアライメントが困難になることを除去し、より安
定したアライメントが可能なアライメント用マークの構
造に関するものである。
(従来の技術)
、 従来、回折格子を利用したマスクとウェハのアラ
イメント法はいくつかのものが提案されている。
イメント法はいくつかのものが提案されている。
例えば、マスクに設けた第1の回折格子とウェハに設け
た第2の回折格子とを一定のギャップをおいて重ね、こ
れら第1及び第2の回折格子にコヒーレント光を垂直に
入射させ、再回折格子によって生じる回折光の強度の変
化によってマスクとウェハの相対変位を検出して位置合
わせを行うように構成したものがある。なお、この分野
の技術を示すものとして、例えば、特開昭59−756
28号が挙げられる。
た第2の回折格子とを一定のギャップをおいて重ね、こ
れら第1及び第2の回折格子にコヒーレント光を垂直に
入射させ、再回折格子によって生じる回折光の強度の変
化によってマスクとウェハの相対変位を検出して位置合
わせを行うように構成したものがある。なお、この分野
の技術を示すものとして、例えば、特開昭59−756
28号が挙げられる。
また、第3図に示されるように、−次元フレネルゾーン
プレート1及びマスクマーク2をマスクに設け、このゾ
ーンプレート1のゾーンと同じ方向に一定のピッチで直
線状に延びるアライメント用マーク(ウェハマーク)3
をウェハに設け、マスクマーク2とウェハマーク3の位
置が一致して、ゾーンプレート阜の集束光が回折格子と
して作用するウェハマーク3上に丁度入射する時に、ウ
ェハマーク3から“その長手方向に回折する光を検出し
て位置合わせを行うものもある。なお、この分 ・野の
技術を示すものとして、例えば、米国特許第4.311
,389号明細書(US、 Cl−356/354)が
挙げられる。
プレート1及びマスクマーク2をマスクに設け、このゾ
ーンプレート1のゾーンと同じ方向に一定のピッチで直
線状に延びるアライメント用マーク(ウェハマーク)3
をウェハに設け、マスクマーク2とウェハマーク3の位
置が一致して、ゾーンプレート阜の集束光が回折格子と
して作用するウェハマーク3上に丁度入射する時に、ウ
ェハマーク3から“その長手方向に回折する光を検出し
て位置合わせを行うものもある。なお、この分 ・野の
技術を示すものとして、例えば、米国特許第4.311
,389号明細書(US、 Cl−356/354)が
挙げられる。
このような回折格子は、第3図に示すように、アライメ
ント用光源の波長λの4分の1の段差を持つステップを
ある固定のピッチで直線状に並べたものである。このス
テップにより回折された光は、ステップの高さくd)と
ピッチ(P)により、その位相が縦方向にλ/2ずれて
、凹部と凸部での位相差がλ/2となり、検出角θは、
θ富士5in−λ/P となり光強度のピークを持つことになる。この検出され
たピークによりアライメントを行うことができる。
ント用光源の波長λの4分の1の段差を持つステップを
ある固定のピッチで直線状に並べたものである。このス
テップにより回折された光は、ステップの高さくd)と
ピッチ(P)により、その位相が縦方向にλ/2ずれて
、凹部と凸部での位相差がλ/2となり、検出角θは、
θ富士5in−λ/P となり光強度のピークを持つことになる。この検出され
たピークによりアライメントを行うことができる。
1(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記した従来のアライメント用マークに
おいては、実際の半導体製造プロセスにおいて、アライ
メント前にレジストがその上に塗られた場合、回折光の
位相が丁度?/2だけずれなくなるために、回折光強度
のピー りが所定の角度で得られず、アライメントが困
難になるといった問題があった。
おいては、実際の半導体製造プロセスにおいて、アライ
メント前にレジストがその上に塗られた場合、回折光の
位相が丁度?/2だけずれなくなるために、回折光強度
のピー りが所定の角度で得られず、アライメントが困
難になるといった問題があった。
本発明は、上記問題点を除去し、どのような半導体製造
プロセスに対してもマスクとウェハのアライメントが可
能となるような構造の回折格子を利用したアライメント
用マークを提供することを目的とする。
プロセスに対してもマスクとウェハのアライメントが可
能となるような構造の回折格子を利用したアライメント
用マークを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、回折格子を利
用したアライメント用マークにおいて、レジスト塗布後
レジスト塗布時での凹部の凸部に対する深さがアライメ
ント用光源の波長λ/4或いはその近傍の値をとるよう
に、複数のピッチを持ち直線状に並んだ凹凸形状を設け
るようにしたものである。
用したアライメント用マークにおいて、レジスト塗布後
レジスト塗布時での凹部の凸部に対する深さがアライメ
ント用光源の波長λ/4或いはその近傍の値をとるよう
に、複数のピッチを持ち直線状に並んだ凹凸形状を設け
るようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成することにより、ウ
ェハ上にある厚さのレジストを塗布した場合、ピッチが
異なるマークの凹部でのレジスト膜厚はマークによって
異なるが、凹部の凸部に対する深さがλ/4或いはその
近傍の値をとるマークが存在することになり、マーク下
層の膜構造に依存することがなく、しかも、レジスト塗
布時の膜厚変動に対しても常に安定した回折光強度のピ
ークが得られ、安定したアライメントを行うことができ
る。
ェハ上にある厚さのレジストを塗布した場合、ピッチが
異なるマークの凹部でのレジスト膜厚はマークによって
異なるが、凹部の凸部に対する深さがλ/4或いはその
近傍の値をとるマークが存在することになり、マーク下
層の膜構造に依存することがなく、しかも、レジスト塗
布時の膜厚変動に対しても常に安定した回折光強度のピ
ークが得られ、安定したアライメントを行うことができ
る。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すアライメント用マーク
の構成図であり、第1図(a)はその断面図、第1図(
b)はその平面図を示している。
の構成図であり、第1図(a)はその断面図、第1図(
b)はその平面図を示している。
これらの図から明らかなように、ウェハlO上の直線状
のアライメント用マーク11は、異なるピッチP+ 、
Pt、Psの複数の凹凸マークを直線状に並べたものか
らなる。各マークの凹凸部の段差は等しいものとするが
、これは必ずしも必要な条件ではない、このような構造
にすることにより、ウェハlO上にある厚さのレジスト
12を塗布した場合、ピッチが異なるマークの凹部での
レジスト膜厚はマークによって異なるが、凹部の凸部に
対するす深さがλ/4の値或いはその近傍の値をとるマ
ークが存在するようにすることができる。従って、この
ような複数のピッチを有するアライメント用マスクを用
いることにより、アライメントを安定して行うことがで
きる。
のアライメント用マーク11は、異なるピッチP+ 、
Pt、Psの複数の凹凸マークを直線状に並べたものか
らなる。各マークの凹凸部の段差は等しいものとするが
、これは必ずしも必要な条件ではない、このような構造
にすることにより、ウェハlO上にある厚さのレジスト
12を塗布した場合、ピッチが異なるマークの凹部での
レジスト膜厚はマークによって異なるが、凹部の凸部に
対するす深さがλ/4の値或いはその近傍の値をとるマ
ークが存在するようにすることができる。従って、この
ような複数のピッチを有するアライメント用マスクを用
いることにより、アライメントを安定して行うことがで
きる。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第2図は本発明の他の害施例を示すアライメント用マー
クの平面図である。
クの平面図である。
この実施例においては、異なるピッチのマークを多数用
意しなければならない場合に、これらを1本の直線上に
並べるとアライメント用マークが長(なり過ぎるのを避
けるために、第2図に示されるように、これを複数列の
アライメント用マ−り21.22.23に分けて平行に
配置するようにしたものである。
意しなければならない場合に、これらを1本の直線上に
並べるとアライメント用マークが長(なり過ぎるのを避
けるために、第2図に示されるように、これを複数列の
アライメント用マ−り21.22.23に分けて平行に
配置するようにしたものである。
上記したアライメント用マークは、各マークのピッチを
異ならせて、レジスト塗布後にも段差がλ/4のものが
存在するようにしたものであるが、各マークのピッチを
同じにし、段差を予め少しずつ異なるようにすることも
可能である。また、各マークのピッチと段差を同じにし
、凹部と凸部の面積比を予め少しずつ異なるようにする
ことも可能である。このように構成することにより、同
様にレジスト塗布後のレジスト表面上での凹部の凸部に
対する深さがλ/4或いはその近傍の値をとるマークが
存在するようにすることができる。
異ならせて、レジスト塗布後にも段差がλ/4のものが
存在するようにしたものであるが、各マークのピッチを
同じにし、段差を予め少しずつ異なるようにすることも
可能である。また、各マークのピッチと段差を同じにし
、凹部と凸部の面積比を予め少しずつ異なるようにする
ことも可能である。このように構成することにより、同
様にレジスト塗布後のレジスト表面上での凹部の凸部に
対する深さがλ/4或いはその近傍の値をとるマークが
存在するようにすることができる。
なお、以上の説明においては、フレネルゾーンプレート
を用いる回折格子を利用したアライメント用マークを念
頭において説明したが、本発明のアライメント用マーク
はこの方法に限らず、ウニ、1ハ上に設けた位相型の回
折格子を用いる全ての回折格子法アライメント用マーク
に適用できることは明らかである。
を用いる回折格子を利用したアライメント用マークを念
頭において説明したが、本発明のアライメント用マーク
はこの方法に限らず、ウニ、1ハ上に設けた位相型の回
折格子を用いる全ての回折格子法アライメント用マーク
に適用できることは明らかである。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、回折格
子を利用したアライメント用マークにおいて、レジスト
塗布後の表面上での凹部の凸部に対する深さをλ/4或
いはその近傍に設定できるように複数のピッチを持つ構
造にしたので、マーク下層の膜構造に依存することがな
く、しかも、レジスト塗布時の膜厚変動に対しても常に
安定した回折光強度のピークが得られ、安定したアライ
メントを行うことができる。
子を利用したアライメント用マークにおいて、レジスト
塗布後の表面上での凹部の凸部に対する深さをλ/4或
いはその近傍に設定できるように複数のピッチを持つ構
造にしたので、マーク下層の膜構造に依存することがな
く、しかも、レジスト塗布時の膜厚変動に対しても常に
安定した回折光強度のピークが得られ、安定したアライ
メントを行うことができる。
また、マーク下層の膜構造に依存しないため、プロセス
的にも応用範囲が広い。
的にも応用範囲が広い。
第1図は本発明の一実施例を示すアライメント用マーク
の構成図、第2図は本発明の他の実施例を示すアライメ
ント−用マークの平面図、第3図は従来のアライメント
を説明する斜視図である。 10・・・ウェハ、11.21.22.23・・・アラ
イメント用マーク、13・・・レジスト、P+ 、Pg
、Ps 、P++。
の構成図、第2図は本発明の他の実施例を示すアライメ
ント−用マークの平面図、第3図は従来のアライメント
を説明する斜視図である。 10・・・ウェハ、11.21.22.23・・・アラ
イメント用マーク、13・・・レジスト、P+ 、Pg
、Ps 、P++。
Claims (2)
- (1)回折格子を利用したマスクとウェハとのアライメ
ント用マークにおいて、 レジスト塗布後レジスト表面上での凹部の凸部に対する
深さがアライメント用光源の波長λ/4或いはその近傍
の値をとるように、複数のピッチを持ち直線状に並んだ
凹凸形状を有することを特徴とするアライメント用マー
ク。 - (2)異なるピッチを持つ直線状に並んだ凹凸形状を有
するマークを分割し平行に複数列並設してなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のアライメント用マ
ーク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61299876A JPS63153818A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | アライメント用マ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61299876A JPS63153818A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | アライメント用マ−ク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63153818A true JPS63153818A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17878024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61299876A Pending JPS63153818A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | アライメント用マ−ク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63153818A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
JP2009147328A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | 位置合わせ方法、アライメントシステムおよびアライメントマークを有する製品 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61299876A patent/JPS63153818A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
US7898662B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP4701209B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
US8064056B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate used in a method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2009147328A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | 位置合わせ方法、アライメントシステムおよびアライメントマークを有する製品 |
US8072615B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Alignment method, alignment system, and product with alignment mark |
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