JPS63153818A - アライメント用マ−ク - Google Patents

アライメント用マ−ク

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Publication number
JPS63153818A
JPS63153818A JP61299876A JP29987686A JPS63153818A JP S63153818 A JPS63153818 A JP S63153818A JP 61299876 A JP61299876 A JP 61299876A JP 29987686 A JP29987686 A JP 29987686A JP S63153818 A JPS63153818 A JP S63153818A
Authority
JP
Japan
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alignment
marks
mark
resist
sections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61299876A
Other languages
English (en)
Inventor
Daiichi Harada
原田 大一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP61299876A priority Critical patent/JPS63153818A/ja
Publication of JPS63153818A publication Critical patent/JPS63153818A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、回折格子を利用したマスクとウェハのアライ
メント用マークに係り、特に、半導体製造プロセス変動
によりアライメントが困難になることを除去し、より安
定したアライメントが可能なアライメント用マークの構
造に関するものである。
(従来の技術) 、  従来、回折格子を利用したマスクとウェハのアラ
イメント法はいくつかのものが提案されている。
例えば、マスクに設けた第1の回折格子とウェハに設け
た第2の回折格子とを一定のギャップをおいて重ね、こ
れら第1及び第2の回折格子にコヒーレント光を垂直に
入射させ、再回折格子によって生じる回折光の強度の変
化によってマスクとウェハの相対変位を検出して位置合
わせを行うように構成したものがある。なお、この分野
の技術を示すものとして、例えば、特開昭59−756
28号が挙げられる。
また、第3図に示されるように、−次元フレネルゾーン
プレート1及びマスクマーク2をマスクに設け、このゾ
ーンプレート1のゾーンと同じ方向に一定のピッチで直
線状に延びるアライメント用マーク(ウェハマーク)3
をウェハに設け、マスクマーク2とウェハマーク3の位
置が一致して、ゾーンプレート阜の集束光が回折格子と
して作用するウェハマーク3上に丁度入射する時に、ウ
ェハマーク3から“その長手方向に回折する光を検出し
て位置合わせを行うものもある。なお、この分 ・野の
技術を示すものとして、例えば、米国特許第4.311
,389号明細書(US、 Cl−356/354)が
挙げられる。
このような回折格子は、第3図に示すように、アライメ
ント用光源の波長λの4分の1の段差を持つステップを
ある固定のピッチで直線状に並べたものである。このス
テップにより回折された光は、ステップの高さくd)と
ピッチ(P)により、その位相が縦方向にλ/2ずれて
、凹部と凸部での位相差がλ/2となり、検出角θは、
θ富士5in−λ/P となり光強度のピークを持つことになる。この検出され
たピークによりアライメントを行うことができる。
1(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記した従来のアライメント用マークに
おいては、実際の半導体製造プロセスにおいて、アライ
メント前にレジストがその上に塗られた場合、回折光の
位相が丁度?/2だけずれなくなるために、回折光強度
のピー りが所定の角度で得られず、アライメントが困
難になるといった問題があった。
本発明は、上記問題点を除去し、どのような半導体製造
プロセスに対してもマスクとウェハのアライメントが可
能となるような構造の回折格子を利用したアライメント
用マークを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決するために、回折格子を利
用したアライメント用マークにおいて、レジスト塗布後
レジスト塗布時での凹部の凸部に対する深さがアライメ
ント用光源の波長λ/4或いはその近傍の値をとるよう
に、複数のピッチを持ち直線状に並んだ凹凸形状を設け
るようにしたものである。
(作用) 本発明によれば、上記のように構成することにより、ウ
ェハ上にある厚さのレジストを塗布した場合、ピッチが
異なるマークの凹部でのレジスト膜厚はマークによって
異なるが、凹部の凸部に対する深さがλ/4或いはその
近傍の値をとるマークが存在することになり、マーク下
層の膜構造に依存することがなく、しかも、レジスト塗
布時の膜厚変動に対しても常に安定した回折光強度のピ
ークが得られ、安定したアライメントを行うことができ
る。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すアライメント用マーク
の構成図であり、第1図(a)はその断面図、第1図(
b)はその平面図を示している。
これらの図から明らかなように、ウェハlO上の直線状
のアライメント用マーク11は、異なるピッチP+ 、
Pt、Psの複数の凹凸マークを直線状に並べたものか
らなる。各マークの凹凸部の段差は等しいものとするが
、これは必ずしも必要な条件ではない、このような構造
にすることにより、ウェハlO上にある厚さのレジスト
12を塗布した場合、ピッチが異なるマークの凹部での
レジスト膜厚はマークによって異なるが、凹部の凸部に
対するす深さがλ/4の値或いはその近傍の値をとるマ
ークが存在するようにすることができる。従って、この
ような複数のピッチを有するアライメント用マスクを用
いることにより、アライメントを安定して行うことがで
きる。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第2図は本発明の他の害施例を示すアライメント用マー
クの平面図である。
この実施例においては、異なるピッチのマークを多数用
意しなければならない場合に、これらを1本の直線上に
並べるとアライメント用マークが長(なり過ぎるのを避
けるために、第2図に示されるように、これを複数列の
アライメント用マ−り21.22.23に分けて平行に
配置するようにしたものである。
上記したアライメント用マークは、各マークのピッチを
異ならせて、レジスト塗布後にも段差がλ/4のものが
存在するようにしたものであるが、各マークのピッチを
同じにし、段差を予め少しずつ異なるようにすることも
可能である。また、各マークのピッチと段差を同じにし
、凹部と凸部の面積比を予め少しずつ異なるようにする
ことも可能である。このように構成することにより、同
様にレジスト塗布後のレジスト表面上での凹部の凸部に
対する深さがλ/4或いはその近傍の値をとるマークが
存在するようにすることができる。
なお、以上の説明においては、フレネルゾーンプレート
を用いる回折格子を利用したアライメント用マークを念
頭において説明したが、本発明のアライメント用マーク
はこの方法に限らず、ウニ、1ハ上に設けた位相型の回
折格子を用いる全ての回折格子法アライメント用マーク
に適用できることは明らかである。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、回折格
子を利用したアライメント用マークにおいて、レジスト
塗布後の表面上での凹部の凸部に対する深さをλ/4或
いはその近傍に設定できるように複数のピッチを持つ構
造にしたので、マーク下層の膜構造に依存することがな
く、しかも、レジスト塗布時の膜厚変動に対しても常に
安定した回折光強度のピークが得られ、安定したアライ
メントを行うことができる。
また、マーク下層の膜構造に依存しないため、プロセス
的にも応用範囲が広い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すアライメント用マーク
の構成図、第2図は本発明の他の実施例を示すアライメ
ント−用マークの平面図、第3図は従来のアライメント
を説明する斜視図である。 10・・・ウェハ、11.21.22.23・・・アラ
イメント用マーク、13・・・レジスト、P+ 、Pg
 、Ps 、P++。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)回折格子を利用したマスクとウェハとのアライメ
    ント用マークにおいて、 レジスト塗布後レジスト表面上での凹部の凸部に対する
    深さがアライメント用光源の波長λ/4或いはその近傍
    の値をとるように、複数のピッチを持ち直線状に並んだ
    凹凸形状を有することを特徴とするアライメント用マー
    ク。
  2. (2)異なるピッチを持つ直線状に並んだ凹凸形状を有
    するマークを分割し平行に複数列並設してなることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のアライメント用マ
    ーク。
JP61299876A 1986-12-18 1986-12-18 アライメント用マ−ク Pending JPS63153818A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008021984A (ja) * 2006-06-20 2008-01-31 Asml Netherlands Bv 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置
JP2009147328A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Asml Netherlands Bv 位置合わせ方法、アライメントシステムおよびアライメントマークを有する製品

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