JPH03238454A - 干渉露光用マスクの製造方法 - Google Patents
干渉露光用マスクの製造方法Info
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- JPH03238454A JPH03238454A JP2034670A JP3467090A JPH03238454A JP H03238454 A JPH03238454 A JP H03238454A JP 2034670 A JP2034670 A JP 2034670A JP 3467090 A JP3467090 A JP 3467090A JP H03238454 A JPH03238454 A JP H03238454A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は、光学的な回折格子を写真製版で作るときの
干ＰＪｓ露光用マスクの製造方法に関するものである。
干ＰＪｓ露光用マスクの製造方法に関するものである。
第３図（ａ）、（ｂ）はこの種の干渉露光用マスクの従
来技術全説明する図であり、第３図（ａ）（ｉマスク回
折格子の作り方を説明するための図、第３図（ｂ）は干
渉露光用マスクとその動作を示す図である（ＡＰＣＴ′
８９ ｒＴＥｃＨＮＩｃＡＬ ＤＩＧＥＳＴＪ Ｍ、０
ｋａｉ他、ｒＮｏｖｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓｎ ａ
ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔｅｄ ＤＦＢ １ａｓｅｒ
ｕｓｉｎｇ ＊ ｇｒａｔｉｎｇｐｈｏｔｏｗ＋ａｓｋ
ｊ ｐｐ、７５〜７８参照）。
来技術全説明する図であり、第３図（ａ）（ｉマスク回
折格子の作り方を説明するための図、第３図（ｂ）は干
渉露光用マスクとその動作を示す図である（ＡＰＣＴ′
８９ ｒＴＥｃＨＮＩｃＡＬ ＤＩＧＥＳＴＪ Ｍ、０
ｋａｉ他、ｒＮｏｖｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓｎ ａ
ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔｅｄ ＤＦＢ １ａｓｅｒ
ｕｓｉｎｇ ＊ ｇｒａｔｉｎｇｐｈｏｔｏｗ＋ａｓｋ
ｊ ｐｐ、７５〜７８参照）。
従来技術では、まず、第３図（ａ）に示すように、ガラ
ス板８０などの基板上にＡ１等の金属層９０Ｇ蒸着し、
この表面に非常に高精度のカッタ１００で溝を切る。次
にこれをマスクとし、レプリカを作る。すなわち、第３
図（ｂ）に示すように、紫外線硬化樹脂２などを介在さ
せガラス基板１を第３図（ａ）のマスク上に押し付け、
硬化させてマスク表面の凹凸を紫外線硬化例８１２に写
しとる。次に凹凸の一方の面に通過光量調整用のＯｒな
どの金属膜３を蒸着して干渉露光用マスクを得る。
ス板８０などの基板上にＡ１等の金属層９０Ｇ蒸着し、
この表面に非常に高精度のカッタ１００で溝を切る。次
にこれをマスクとし、レプリカを作る。すなわち、第３
図（ｂ）に示すように、紫外線硬化樹脂２などを介在さ
せガラス基板１を第３図（ａ）のマスク上に押し付け、
硬化させてマスク表面の凹凸を紫外線硬化例８１２に写
しとる。次に凹凸の一方の面に通過光量調整用のＯｒな
どの金属膜３を蒸着して干渉露光用マスクを得る。
第３図（ｂ）に示すように、このマスクに所定角度から
レーザ光１０を入射させると、マスク下面には０次光（
透過光）１１と一次回折光１２とが干渉し、光の強度が
マスク凹凸と同周期で変化する干渉パターン２０が形成
される。したがって、この位置にレジストを塗布した被
回折格子形成用基板を置けば、通常の写真製版と同様に
、上記周期パターンがレジスト上に露光されるわけであ
る。
レーザ光１０を入射させると、マスク下面には０次光（
透過光）１１と一次回折光１２とが干渉し、光の強度が
マスク凹凸と同周期で変化する干渉パターン２０が形成
される。したがって、この位置にレジストを塗布した被
回折格子形成用基板を置けば、通常の写真製版と同様に
、上記周期パターンがレジスト上に露光されるわけであ
る。
上記のような従来の干渉露光用マスクの製造方法は、非
常に高精度の機械加工を必要とする。
常に高精度の機械加工を必要とする。
すなわち、通常半導体レーザなどに用いられろ回折格子
の周期は２０００λ程度であり、かつ所定周期からの誤
差も１０λ以下が必要となる。これらは通常の機械加工
精度をはるかに越えており、この加工に（よ極めて高価
で、かつ微妙な調整を要する高度な加工機を必要とする
等の問題点があった。
の周期は２０００λ程度であり、かつ所定周期からの誤
差も１０λ以下が必要となる。これらは通常の機械加工
精度をはるかに越えており、この加工に（よ極めて高価
で、かつ微妙な調整を要する高度な加工機を必要とする
等の問題点があった。
また、非常に微細な凹凸であるため、現在の技術では形
状を制御することは不可能である。このため、−次回行
光強度を透過光強度と同じにするためには、金属などで
一方の光を遮蔽する必要があり、このため、入射光強度
をその分高める必要があり、露光に高出力のレーザを必
要とする問題点があった。
状を制御することは不可能である。このため、−次回行
光強度を透過光強度と同じにするためには、金属などで
一方の光を遮蔽する必要があり、このため、入射光強度
をその分高める必要があり、露光に高出力のレーザを必
要とする問題点があった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、高度な加工機を不要とし、かつ露光
用レーザが低パワーで済むような干渉露光用マスクの製
造方法を得ることを目的とするものである。
になされたもので、高度な加工機を不要とし、かつ露光
用レーザが低パワーで済むような干渉露光用マスクの製
造方法を得ることを目的とするものである。
この発明に係る干渉露光用マスクの製造方法は、−次回
行光と透過光の強度がほぼ等しくなるような角度の面方
位の半導体基板にしンストを塗布した後、電子ビーム露
光による写真製版全行い、前記Ｌ−ｖス）−をマスクに
して化学エツチングを用いて、凹凸形状の格子パターン
を形成してマスクを作製し、このマスクを用いて干渉露
光用マスクを形成するものである。
行光と透過光の強度がほぼ等しくなるような角度の面方
位の半導体基板にしンストを塗布した後、電子ビーム露
光による写真製版全行い、前記Ｌ−ｖス）−をマスクに
して化学エツチングを用いて、凹凸形状の格子パターン
を形成してマスクを作製し、このマスクを用いて干渉露
光用マスクを形成するものである。
この発明においては、−次回行光と透過光の強度がほぼ
等しくなるような角度の面方位の半導体基板に凹凸形状
のパターンを形成してマスクを作成し、このマスクを用
いて干渉露光用マスクを形成することから、−次回行光
を遮蔽する必要がないため、露光用レーザ出力を無駄に
することがない低パワーの半導体レーザを用いることが
できる。
等しくなるような角度の面方位の半導体基板に凹凸形状
のパターンを形成してマスクを作成し、このマスクを用
いて干渉露光用マスクを形成することから、−次回行光
を遮蔽する必要がないため、露光用レーザ出力を無駄に
することがない低パワーの半導体レーザを用いることが
できる。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明のマスクの製造方法の
一実施例を示す図である。Ｓｉなどの半導体基板５０上
にレジスト６０を塗布しく第１図（ａ））、ｍ子ビーム
露光法により、格子パターンを形成する。次に化学エツ
チングにより半導体基板５０をエツチングする。半導体
結晶の性質により、表面の方位を選ぶと異方性のエツチ
ンク゛力く可能となり、図示のように傾斜の異なった凹
凸をもつ格子が得られる（第１図（ｂ））。その後、レ
ジスト６０を除去すると、干渉露光用マスクのマスクが
得られる。
一実施例を示す図である。Ｓｉなどの半導体基板５０上
にレジスト６０を塗布しく第１図（ａ））、ｍ子ビーム
露光法により、格子パターンを形成する。次に化学エツ
チングにより半導体基板５０をエツチングする。半導体
結晶の性質により、表面の方位を選ぶと異方性のエツチ
ンク゛力く可能となり、図示のように傾斜の異なった凹
凸をもつ格子が得られる（第１図（ｂ））。その後、レ
ジスト６０を除去すると、干渉露光用マスクのマスクが
得られる。
このマスクを用いてレプリカ全作成する。すなわち、ガ
ラス基板１の一面に紫外線硬化樹脂２を形成し、゛この
紫外線硬化４！Ｉ脂２をマスクの凹凸形状の格子パター
ンに押し付けて硬化させ、マスク表面の凹凸を写しとる
ことにより、第２図に示すような傾斜の異なった凹凸を
もつ干渉露光用マスクが形成できろ。
ラス基板１の一面に紫外線硬化樹脂２を形成し、゛この
紫外線硬化４！Ｉ脂２をマスクの凹凸形状の格子パター
ンに押し付けて硬化させ、マスク表面の凹凸を写しとる
ことにより、第２図に示すような傾斜の異なった凹凸を
もつ干渉露光用マスクが形成できろ。
次に、第２図により干渉露光用マスクの動作を説明する
。
。
従来と同様に、所定の角度からレーザ光を入射させると
、０次光１１．−次回折光１２はマスク下面で干渉パタ
ーン２０を形成する。このとき、凹凸の傾斜が異なるた
め、−次回行光１２の強度が従来と比べて弱まり、両者
の強度が同しとなる。
、０次光１１．−次回折光１２はマスク下面で干渉パタ
ーン２０を形成する。このとき、凹凸の傾斜が異なるた
め、−次回行光１２の強度が従来と比べて弱まり、両者
の強度が同しとなる。
すなわち、入射光は同じ強度のＯ次光１１．−次回行光
１２に２分され、従来のようにメクル蒸着によって遮蔽
する必要がない。
１２に２分され、従来のようにメクル蒸着によって遮蔽
する必要がない。
なお、上記実施例では、等間隔の格子の場合を述へたが
、デ部間隔が異なったり、あるし）は連続的に周期が変
化するような回折格子も電子ビーム露光の性質からきわ
めて容易に作成することができろ。
、デ部間隔が異なったり、あるし）は連続的に周期が変
化するような回折格子も電子ビーム露光の性質からきわ
めて容易に作成することができろ。
また、レプリカの製造方法などはとくに上記実施例にこ
だわらないことは以上の説明より明らかである。
だわらないことは以上の説明より明らかである。
以上説明したように、この発明は、入射したレーザ光の
一次回折光と透過光の強度がほぼ等しくなるような角度
の面方位の半導体基板に凹凸形状ノ格子バターノを形成
して干渉露光用マスクのマスクを作成し、このマスクを
用いて干渉露光用マスク全形成するので、高価で調整の
難しい機械加工機全必要とせずに干渉露光用マスクを作
成することができ、回折光を有効に利用でき、低出力の
し・−ザ全露光に使うことができる効果があるつ
一次回折光と透過光の強度がほぼ等しくなるような角度
の面方位の半導体基板に凹凸形状ノ格子バターノを形成
して干渉露光用マスクのマスクを作成し、このマスクを
用いて干渉露光用マスク全形成するので、高価で調整の
難しい機械加工機全必要とせずに干渉露光用マスクを作
成することができ、回折光を有効に利用でき、低出力の
し・−ザ全露光に使うことができる効果があるつ
第１図はこの発明の干渉露光用マスクのマスクの作成方
法の一実施例を示す図、第２図は、第１図の７スタを用
いて形成した干渉露光用マスクと、その動作全説明する
ための図、第３図は従来のマスクの作成方法全説明する
ための図である。 図において、１はガラス基板、２は紫外線硬化樹脂、１
０はし２−ザ光、１１は０次光、１２は一次回折光、２
０は干渉バターシ、５０は半導体基板、６０はしシスト
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
法の一実施例を示す図、第２図は、第１図の７スタを用
いて形成した干渉露光用マスクと、その動作全説明する
ための図、第３図は従来のマスクの作成方法全説明する
ための図である。 図において、１はガラス基板、２は紫外線硬化樹脂、１
０はし２−ザ光、１１は０次光、１２は一次回折光、２
０は干渉バターシ、５０は半導体基板、６０はしシスト
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 一次回折光と透過光の強度がほぼ等しくなるような角度
の面方位の半導体基板にレジストを塗布した後、電子ビ
ーム露光を行い、前記レジストをマスクにして化学エッ
チングにより凹凸形状の格子パターンを形成してマスタ
を作成し、このマスタを用いて露光用マスクを形成する
ことを特徴とする干渉露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034670A JPH03238454A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 干渉露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034670A JPH03238454A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 干渉露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238454A true JPH03238454A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12420869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034670A Pending JPH03238454A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 干渉露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238454A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792647A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | ホトマスク |
| US5413884A (en) * | 1992-12-14 | 1995-05-09 | American Telephone And Telegraph Company | Grating fabrication using electron beam lithography |
| WO1999001787A1 (fr) * | 1997-07-03 | 1999-01-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et procede de fabrication |
| JP2012048030A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 基板の製造方法 |
| US9323070B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-04-26 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method for producing a diffraction grating |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2034670A patent/JPH03238454A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413884A (en) * | 1992-12-14 | 1995-05-09 | American Telephone And Telegraph Company | Grating fabrication using electron beam lithography |
| JPH0792647A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | ホトマスク |
| WO1999001787A1 (fr) * | 1997-07-03 | 1999-01-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et procede de fabrication |
| JP2012048030A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 基板の製造方法 |
| US9323070B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-04-26 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method for producing a diffraction grating |
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