JPH06265709A - 電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法 - Google Patents

電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法

Info

Publication number
JPH06265709A
JPH06265709A JP5342035A JP34203593A JPH06265709A JP H06265709 A JPH06265709 A JP H06265709A JP 5342035 A JP5342035 A JP 5342035A JP 34203593 A JP34203593 A JP 34203593A JP H06265709 A JPH06265709 A JP H06265709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
diffraction grating
grating pattern
mask
performing step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5342035A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas L Koch
ローソン コーク トーマス
Jr Frederick W Ostermayer
ウィリアム オスターメイヤー、ジュニア フレデリック
Donald M Tennant
ミラン テナント ドナルド
Jean-Marc Verdiell
マーク ベルディエル ジィーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH06265709A publication Critical patent/JPH06265709A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 直接描画電子線リソグラフィとホログラフィ
露光とを用いて、光電子構造物に回折格子を形成する技
術を提供する。 【構成】 直接描画電子線リソグラフィを用いて、マス
ク基板に矩形回折格子歯が形成される。ついで、マスク
は、矩形回折格子パターンを光電子素子に転写する位相
マスクとして使用される。フォトマスクに矩形回折格子
パターンを形成するために直接描画電子線リソグラフィ
を利用すれば、所望の数と位置とを有する階段移相、多
格子ピッチ、アラインメント基準および他の所望の構造
を形成することが可能となる。したがって、直接描画電
子線マスクの１回露光で、種々の格子パターンを同時に
焼付けすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電子素子および光素
子の回折格子の製造方法に関し、特に、電子線リソグラ
フィとホログラフィ露光との組合せを利用する回折格子
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】波型導波路回折格子は、フィルタ、分散
形フィードバック（ＤＦＢ）レーザ、分散形ブラッグ反
射器（ＤＢＲ）レーザのような数多くの光素子の重要要
素と考えられている。このような素子は、将来の光波通
信システムにおいて重要な役割を果すと期待される。波
型形導波路の製造は、１９８５年５月１４日付でケイ・
オカモトその他に発行された、発明の名称「集積光部品
の製造方法」の米国特許第４，５１７，２８０号に教示
されているように、しばしば、ホログラフィ技術を利用
して行われる。当業者に公知のように、このようなホロ
グラフィ技術は、２本の干渉性紫外線レーザビームを用
いてレジストを露光することに依存する。干渉パターン
は、サブミクロンピッチで回折格子を形成するのを可能
とする。しかし、この干渉パターンは、一処理ステップ
中に可能な種々の構造に限定される。
【０００３】光電子素子または光素子用の波形回折格子
構造物を製造するのに広く使用されている他の技術は、
直接描画電子線（ｅ−ビーム）リソグラフィである。こ
の技術によれば、所期の周期構造は、直接、電子線によ
って、最終回折格子構造物を含むべき基板を覆う感電子
線性レジスト（例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭ
ＭＡ））内に露光される。事実、この技術は、１枚のウ
ェーハ上に階段移相と多格子ピッチとを形成するのに所
望の自在性を証明したのである。例えば、１９８９年５
月の電子レター、２５巻、１０号、６５０−１頁に掲載
された、シー・イー・ザー（Ｃ．Ｅ．Ｚah）その他によ
る論文「１．５μｍ λ／４移相分散形フィードバック
−ＳＩＰＢＨレーザダイオード」を参照してほしい。こ
の技術の主な欠点は、各ウェーハまたは基板を個別に処
理しなければならないことである。すなわち、各ウェー
ハまたは基板は、標本を真空室に配置することを含む全
直接描画、および、精度調整および（通常）極めて長す
ぎる直接描画露光過程そのものを含む電子線リソグラフ
ィ過程を経なければならない。本質的に、光電子素子用
格子のような広域構造物の直接描画電子線露光は、製造
可能な過程と見られない。
【０００４】他の技術は、１９８９年７月の応用物理レ
ター、５５巻、５号、４１５−６頁に掲載された、エム
・オカイ（Ｍ．Ｏkai）その他による論文「回折格子フ
ォトマスクを用いる、λ／４移相分散形フィードバック
レーザ用波型構造の新製造方法」に詳述されている。こ
の場合、三角断面溝を有する金属基板を形成するのに精
密刻線機が使用される。ついで、この三角断面溝パター
ンは、透明ポリマーフィルムに転写される。これによ
り、透明ポリマーフィルムは、三角波位相マスクとな
る。このマスクは、軸外し露光されると、回折ビームを
生じる。回折ビームは、透過ビームと干渉することによ
り、従来型２ビームホログラフィ干渉法において観察さ
れるのと類似した干渉パターンを生じる。上記マスクの
遠側上に強度干渉パターンにより生じた変調は、パター
ン形成しようとする実標本に塗着されたレジストを露光
するためのものである。
【０００５】しかし、三角波位相マスクは、レジスト露
光に適した高コントラスト比干渉パターンを得るのに必
要な等強度の透過ビームと回折ビームとを生じうる。こ
れは、全体強度を犠牲にして（したがって、露光時間を
長くして）、軸外れで金属膜を蒸着し、それにより、ポ
リマーマスク上の三角格子構造を非対称的にコーティン
グし、これによって、透過ビームの強度と回折ビームの
強度とを等しくすることにより救済される。この技術
は、また、現在、従来型２−ビームホログラフィ干渉法
と類似のレーザ露光システムを必要とすると理解されて
いる。回折格子を形成する刻線機の利用により、望み通
りに、焼付１回中に、回折格子内のピッチ変化（したが
って、移相）を組入れるようにマスクを修正するのを可
能とする。
【０００６】オカイその他のマスクは、その製造技術に
改良の余地があるが、この製造技術の手法の柔軟性は、
依然、特に、形成されうる１ｍｍ当りの溝の数に関し
て、刻線機の能力により、幾分限定されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来技術に残された欠
点は、本発明により処理される。本発明は、光電子素子
および光素子の回折格子の製造方法を提供し、特に、電
子線リソグラフィとホログラフィ露光との組合せを利用
する回折格子製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、光電子素子に
所定の格子構造を製造する方法において、直接描画電子
線リソグラフィにより形成された回折格子パターンを含
むフォトマスクを供給し、回折格子パターンは、所望の
数と位置との階段移相と所望複数の格子ピッチとからな
るステップと、透過ビームと第１次回折ビームとを形成
するのに十分な所定角θi でフォトマスクに光を照射す
るステップと、フォトレジスト内に回折格子パターンを
複製する近視野強度パターンを、透過ビームと第１次回
折ビームとが干渉することにより形成するように、フォ
トレジスト被覆電子素子基板を露光するステップと、フ
ォトレジストを現像し、回折格子パターンを下層の光電
子素子基板に転写するステップとからなる。
【０００９】本発明の一実態様によれば、直接描画電子
線リソグラフィと反応性イオンエッチングとがマスク基
板上に方形波格子を製造するのに使用される。提案した
方法により製造された方形波は、深さを適当に選択すれ
ば、アカイその他の方法の場合のような振幅格子を追加
することなく、透過ビームと回折ビームとの強度を等し
くすることができる。ついで、マスクは、素子基板上の
格子近視野ホログラフィ焼付け用の純位相マスクとして
使用される。
【００１０】
【実施例】直接描画電子線マスク焼付けの原理が図１に
示されている。特に、電子線リソグラフィにより製造さ
れた矩形波位相マスク１０と、これに同伴する近視野強
度パターン１２とが示されている。（図示しない）照射
源からの紫外線照射１４が法線に対して所定角度θi で
マスク１０に入射する。紫外線照射１４は、マスク１０
内を通過する。マスク１０において、照射のそれぞれの
部分は、これらの照射部分がマスク１０の表面に形成さ
れた回折格子歯１６を通過するので、位相的に遅れる。
後述するように、回折格子歯１６は、本発明の直接描画
電子線技術を用いて形成される。
【００１１】再び、図１を参照すれば分るように、照射
１４の一部は、マスク１０を透過し（０次）、１４ｔと
名付けられる。また、照射１４の一部は、回折され（１
次）、１４ｄと名付けられる。回折ビーム１４ｔは、法
線に対して角θd でマスク１０から出射する。この時、
透過ビーム１４ｔと回折ビーム１４ｄとは、（当業者に
周知であり、上に引用された文献に詳述されている）２
ビーム干渉ホログラフィと同様に作用し、近視野におい
て周期的強度変動１２を生じる。この変動の周期は、マ
スク１０に形成された回折格子歯１６の空間周期Λg で
ある。図示されているように、強度変動１２は、明領域
および暗領域で変化する。したがって、強度変動１２
は、（図示しない）フォトレジスト被覆基板を露光し、
基板表面に塗布されたフォトレジスト内に所望の回折格
子パターンを形成するのに使用されうる。
【００１２】マスク１０の回折格子歯１６の一例は、図
示の通りに形成された階段半周期移相１８（Λg ／２）
を有する空間周期（すなわち、ピッチ）Λg からなるも
のとして定義される。このような階段移相は、光素子
（例えば、移相分散形フィードバックレーザ）において
必要となることが多い。上述の通り、マスク１０の回折
格子歯１６を形成するのに使用される直接描画法は、描
画過程を制御するだけで、容易に上記階段移相の形成を
可能とする。この直接描画法は、（２本の回折ビームΛ
g1およびΛg2を含むマスク２０を説明する）図２に示さ
れているように、多移相をも形成しうる。図３には、階
段移相２４と多格子ピッチとの両方を含むマスク２２が
示されている。
【００１３】上記の通り、多格子ピッチは、図面に垂直
な方向に形成されうる。また、多格子ピッチは、同一基
板に同時に生じる種々の波長で種々の光素子が動作する
のを可能とするように、基板に沿って横方向に（すなわ
ち、平行に）配置されうる。この例は、図４に示されて
いる。図４は、多波長アレイ２６単一周波数分散形ブラ
ッグ反射器半導体レーザを示す。この構造物を製作する
場合には、露光は、水銀ランプ源と、上述した本発明の
技術を用いて電子線リソグラフィにより製造された純位
相矩形波フォトマスクとを用いて、行われうる。特に、
製作された８個のレーザが示されている。各レーザの中
心間距離は、例えば、５０８μｍである。各レーザは、
図４に示されているように、種々のピッチΛ1 ，Λ2 ，
…Λ8 を有する。図５は、８個のレーザのそれぞれの相
対ピッチ（オングストローム単位で）レーザが製品ウェ
ーハから製作されたときは、全てのレーザの波長は、図
６に示されているように、所望の８オングストローム波
長の間隔を有する。
【００１４】先行技術を使用するときは、上記のように
狭い間隔は、８回連続の２ビームホログラフィ露光か、
または、ウェーハ自体の低速直接描画電子線直接露光か
を利用する場合にのみ可能であろう。この場合には、こ
れらのいずれの方法も、製造に適しているとは思えな
い。一般的に、位相マスクを形成する直接描画電子線リ
ソグラフィは、所望タイプの回折構造を含むのに使用し
うる。特に、本発明の方法は、例えば、１９９０年５月
８日付でシー・エッチ・ヘンリー（Ｃ．Ｈ．Ｈenry）そ
の他に発行された、発明の名称「集束形ブラッグ反射器
を用いる光マルチプレクサ／光デマルチプレクサ」の米
国特許第４，９２３，２７１号に詳述された、ウェーハ
面内集束構造物を形成する曲線回折格子を組込むのに使
用しうる。
【００１５】図１に示された構造については、０次透過
ビーム１４ｔと１次回折ビーム１４ｄとのみが示されて
いる。一般的に、既知ピッチΛg を有する格子は、複数
のｍ高次数の回折ビームを生じる。ｋx 値は、以下の通
り定義される。
【００１６】
【数１】
【００１７】数式中、
【００１８】
【数２】
【００１９】数式中、λは、照射の波長である。本発明
の技術思想による従来型フォトリソグラフィ機器につい
て、格子ピッチΛg は、約２４０ｎｍであり、λは、約
３６４ｎｍである。（非減衰伝搬に必要な）条件ｋxm＜
２π／λを満すために、ｍ＝０とｍ＝−１とのみが上記
数式（１）および（２）を満す。本範例に使用されたΛ
g とλとの値について、回折波を生じるためにも、以下
の数式（３）を満す必要があることが判明した。
【００２０】
【数３】
【００２１】図７〜図１１は、本発明の技術思想により
フォトマスクを製作するのに直接描画電子線リソグラフ
ィを利用する過程の一例を示す。図７は、出発フォトマ
スクブランク３０を示す。出発フォトマスクブランク３
０は、幾つかの場合においては、（任意選択の）クロム
上層３４を有する（例えば、石英のような）基板３２か
らなる。クロム上層３４は、パターン形成されるべき、
基板３２の領域３６を露光するため、前以って処理（パ
ターン形成またはエッチング）されている。ついで、感
電子線性レジスト４０が基板３２およびクロム層３４上
に形成される。
【００２２】以下説明する過程の一例について、三水準
レジストが使用されている。本発明を実施するのに適当
な（ポリメタクリル酸メチルのような）単層レジストま
たは多層感電子線性レジストを使用しうることを理解す
べきである。図７に示されているように、三水準レジス
トは、通常の硬焼きフォトレジストからなる第１レジス
ト層４２、ゲルマニウムからなる比較的薄い第２レジス
ト層４４、および、感電子線性レジストからなる第３レ
ジスト層４６からなる。
【００２３】ついで、（図示しない）電子線源を用い
て、所定位相マスクを形成するための所望の方形波パタ
ーン５０が形成される。本発明の技術思想によれば、方
形波パターン５０を形成するために直接描画電子線源を
利用することは、上記の通り、および、図１〜図４に示
した通り、所望の数と位置との複数格子ピッチおよび複
数階段移相を形成するのに、多大の柔軟性を与える。直
接描画リソグラフィのほかに、ある場合には、集束イオ
ンビームも露光過程に適当でありうると考えられる。
【００２４】第３レジスト層４６の現像後、（例えば、
メチルイソブチルケトン対イソプロパールの１対２溶液
を用いて）露光されていないレジスト材が除去されるの
で、構造は、図８に示されたものに類似する。図８は、
第３レジスト層４６に転写されたものとしての所望の回
折格子パターン５０を示す。ついで、回折格子パターン
５０は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）過程を用い
て、下層の第１レジスト層４２と第２レジスト層４４と
に転写される。
【００２５】上記レジスト材に使用するのに適した反応
性イオンエッチン過程は、第２レジスト層４４をエッチ
ングするための三フッ化臭化炭素（ＣＦ3 Ｂｒ）を使用
する第１反応性イオンエッチングと、これに続く、層４
２をエッチングするための酸素ガス（Ｏ2 ）を使用する
第２反応性イオンエッチングとからなりうる。これらの
反応性イオンエッチング過程の終りにおけるマスクの構
造が図９に示されている。
【００２６】ついで、図１０に示されているように、さ
らに、反応性イオンエッチング過程（例えば、三フッ化
炭化水素（ＣＨＦ3 ）を用いて）が回折格子パターン５
０を基板３２に転写するために行われる。図１１に示さ
れているように、最終マスク構造６０を形成するため、
最終ステップは、（酸素ガス（Ｏ2 ）中で反応性イオン
エッチンググを用いて）残留マスク材料を除去すること
を必要とする。
【００２７】本発明の技術を用いて作られる代表的格子
ピッチは、例えば、１９０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲を取
りうる。回折格子は、５〜２０μｍの長さでありうる
（線を長くすることは、可能であるが、描画時間が長大
となる）。格子領域の長さは、数センチメートルとなる
こともあるマスクの全長に対して増大しうる。上記種々
の反応性イオンエッチング過程中に、格子ピッチΛによ
って割られた構造の長さｌとして定義される、回折格子
パターン５０の衝撃係数が変動しうる。特に、三フッ化
炭化水素による反応性イオンエッチング過程は、溝底か
らポリマー材料を除去すると同時に、回折格子の側壁に
ポリマー材料を沈着させることもある。
【００２８】図１２は、単層および三層レジストのため
の電子線量の関数としての衝撃係数（％）変動を示す。
このようなデータを使用すれば、電子線量は、処理偏差
を補償するために調整し、これにより、透過ビームと回
折ビームとの強度を等しくするのに望ましい衝撃係数を
得ることができる。
【００２９】本発明の直接描画電子線リソグラフィ技術
を用いて形成されたフォトマスクを利用する利点は、可
干渉性照射および非干渉性照射のいずれを用いても、回
折格子を基板中に焼付けしうることである。この場合、
基板がマスクの近視野（例えば、１０μｍ以内）に配置
され、非干渉性線源の面積が小さく、中程度の空間的可
干渉性を与えるかぎり、非干渉性線源が適当である。非
干渉性線源は、時間的可干渉性を達成するため、ある程
度のスペクトルろ波を必要とする。しかし、全必要可干
渉性は、従来のホログラフィ露光２ビーム干渉法と比較
すれば、劇的に減少する。
【００３０】図１３は、直接描画マスクを照射するアル
ゴンレーザ源を用いて焼付けられフォトレジストに形成
された回折格子構造の一例の走査形電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）写真である。図１４は、図１３に関連して使用され
たのと同一のマスクを用いてフォトレジストに形成され
た他の回折格子構造の走査形顕微鏡写真である。相違
は、図１４の場合、マスクが非干渉性線源（０．２５ｍ
ｍ線源寸法を有する水銀ランプまたはキセノフォンラン
プから出射される３６５ｎｍでの三重線）により露光さ
れていることである。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、直接描画電子線リソグ
ラフィとホログラフィ露光とを用いて、光電子構造物に
回折格子が形成される。フォトマスクに矩形回折格子パ
ターンを形成するために直接描画電子線リソグラフィを
利用すれば、所望の数と位置とを有する階段移相、多格
子ピッチ、アラインメント基準および他の所望の構造を
形成することが可能となる。したがって、直接描画電子
線マスクの１回露光で、種々の格子パターンを同時に焼
付けすることができる。
【００３２】本発明の直接描画電子線リソグラフィを利
用する利点は、（格子線に対して平行な領域と垂直な領
域とにおいて）段階移相と多回折ピッチとを焼付けし、
他の微細構造（例えば、基準標識）を焼付けしうること
である。この場合、全ての格子および他の構造は、１回
の光学マスキングステップとして同時露光されうる。し
たがって、提案した技術は、各ウェーハを連続低速直接
描画することなく、直接描画電子線リソグラフィの能力
が発揮されることを可能とし、オカイその他によって使
用された複製刻線機の使用によっては不可能な方形波パ
ターンの製造を可能とする。電子線リソグラフィを使用
することによってはじめて可能な構造を有する単一ロバ
スト性マスクが製造される。ついで、この位相マスク
は、実標本の急速単純ホログラフィ焼付け処理に使用さ
れる。
【００３３】広範な実験を通して得られた本発明の他の
利点は、位相マスクに倣う高コントラスト干渉を達成す
るのにレーザ源を不要としうることである。特に、主と
して１本の線にスペクトルを限定する光学フィルタを使
用すれば、水銀ランプで十分であることが判明した。光
源は、中程度の空間可干渉性を与えるため、平行光線と
しなければならず、小さな光源でなければならない。し
かし、このような光源は、その使用が、２ビーム干渉
法、または、オカイその他により教示された方法に共通
して使用されている代表的な紫外線レーザに比較して、
はるかにロバスト性が高く易しい。したがって、本発明
の技術によれば、現在のクリーンルーム処理環境に共通
して見られるほぼ従来型光学装置を用いて、光素子また
は光電子素子用の任意複雑なサブミクロンピッチ格子基
本構造物の大量製造が可能となる。また、他の従来構造
（例えば、アラインメント構造、基準等）もマスク上に
形成しうる。
【００３４】他の利点は、直接描画電子線リソグラフィ
により形成されるマスクのロバスト性にある。大抵の場
合、マスクを形成するのに、石英を使用しうる。また、
石英は、幾千回でも露光することができ、標準洗浄手法
を用いて、洗浄しうる。これは、マスクの本質的特徴の
結果である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の直接描画電子線リソグラフィを用いて
形成された位相マスクの一例と位相マスクから生じた近
視野強度パターンとを示す説明図である。
【図２】本発明の直接描画電子線リソグラフィを用いて
形成された、種々の格子ピッチを有する他のマスクのを
示す説明図である。
【図３】本発明により形成され、階段移相と多格子ピッ
チとの両方を有する、さらに他の直接描画電子線マスク
を示す説明図である。
【図４】本発明により製造されたマスクを用いて形成さ
れた光子集積回路（詳しく言えば、波長分割多重化送信
器アレイ）の一例を示す説明図である。
【図５】図４に示された複数個の送信器の波長に関する
種々のデータを示すグラフである。
【図６】図４に示された複数個の送信器の格子ピッチに
関する種々のデータを示すグラフである。
【図７】直接描画電子線リソグラフィを用いて本発明に
より位相マスクを形成する処理ステップを示す説明図で
ある。
【図８】直接描画電子線リソグラフィを用いて本発明に
より位相マスクを形成する処理ステップを示す説明図で
ある。
【図９】直接描画電子線リソグラフィを用いて本発明に
より位相マスクを形成する処理ステップを示す説明図で
ある。
【図１０】直接描画電子線リソグラフィを用いて本発明
により位相マスクを形成する処理ステップを示す説明図
である。
【図１１】直接描画電子線リソグラフィを用いて本発明
により位相マスクを形成する処理ステップを示す説明図
である。
【図１２】衝撃係数と５０ｋｅＶでの電子線気中線量と
の関係を示すグラフである。
【図１３】電子線描画マスクを用いアルゴンレーザで露
光して得られた、インジウム燐（ＩｎＰ）に塗着された
紫外線フォトレジストに露光され現像された回折格子の
走査形電子顕微鏡写真である。
【図１４】図１３に示された格子を形成するのに用いら
れたのと同一の電子線描画マスクを用い、水銀ランプで
照射されることにより、インジウム燐に塗着された紫外
線フォトレジストに露光され現像された回折格子の走査
形電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１０ 矩形波位相フォトマスク １２ 近視野強度パターン １４ 照射 １８ 階段半周期移相 ２０ マスク ２２ マスク ２４ 階段移相 ２６ 多波長アレイ ３０ 出発フォトマスクブランク ３２ マスク基板 ３４ クロム層 ４０ 感電子線性レジスト ４２ 第１レジスト層 ４４ 第２レジスト層 ４６ 第３レジスト層 ５０ 方形波パターン ６０ 最終マスク構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ローソン コーク アメリカ合衆国、07733 ニュージャージ ー、ホルムデル、マンマウス カウンテ ィ、ドナー ストリート 12 (72)発明者 フレデリック ウィリアム オスターメイ ヤー、ジュニア アメリカ合衆国、07922 ニュージャージ ー、バークレー ハイツ、ユニオン カウ ンティ、バークシェアー ドライブ 28 (72)発明者 ドナルド ミラン テナント アメリカ合衆国、07728 ニュージャージ ー、フリーホールド、マンマウス カウン ティ、フーバー ストリート 27 (72)発明者 ジィーン マーク ベルディエル アメリカ合衆国、94303 カリフォルニア、 パロ アルト、イースト チャールストン ロード 703エー

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光電子素子に所定の格子構造を製造する
    方法において、 ａ） 直接描画電子線リソグラフィにより形成された回
    折格子パターンを含むフォトマスクを供給し、回折格子
    パターンは、所望の数と位置との階段移相と所望複数の
    格子ピッチとからなるステップと、 ｂ） 透過ビームと第１次回折ビームとを形成するのに
    十分な所定角θi でフォトマスクに光を照射するステッ
    プと、 ｃ） フォトレジスト内に回折格子パターンを複製する
    近視野強度パターンを、透過ビームと第１次回折ビーム
    とが干渉することにより形成するように、フォトレジス
    ト被覆電子素子基板を露光するステップと、 ｄ） フォトレジストを現像し、回折格子パターンを下
    層の光電子素子基板に転写するステップと からなる電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方
    法。
  2. 【請求項２】 上記方法は、ステップａ）の遂行におい
    て、純位相マスクを供給することを特徴とする請求項１
    記載の方法。
  3. 【請求項３】 ステップａ）の遂行において、回折格子
    パターンは、直接描画電子線リソグラフィを用いて、複
    数の矩形格子構造を含むように形成されることを特徴と
    する請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記複数の矩形格子構造は、複数個の方
    形格子構造を含むことを特徴とする請求項３記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 ステップａ）の遂行において、回折格子
    パターンは、直接描画電子線リソグラフィを用いて、少
    なくとも１個の階段移相を含むことを特徴とする請求項
    １記載の方法。
  6. 【請求項６】 ステップａ）の遂行において、直接描画
    電子線リソグラフィは、Λ／２（ただし、Λは、回折格
    子パターンのピッチである）の階段移相を形成するのに
    使用されることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 ステップａ）の遂行において、回折格子
    パターンは、直接描画電子線リソグラフィを用いて、互
    いに異なる複数の格子ピッチ（Λ1 ，Λ2 ，…）を含む
    ことを特徴とする請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 上記複数の格子ピッチは、格子構造と垂
    直な方向に変化することを特徴とする請求項７記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 上記複数の格子ピッチは、格子構造と平
    行な方向に変化することを特徴とする請求項７記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 ステップｂ）の遂行において、上記照
    射は、フォトマスクの法線に対して３１゜より大きい角
    θi で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ステップｂ）の遂行において、フォト
    マスクは、可干渉性紫外線源により照射されることを特
    徴とする請求項１記載の方法。
  12. 【請求項１２】 ステップｂ）の遂行において、可干渉
    性紫外線源は、アルゴンレーザ源からなることを特徴と
    する請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 ステップｂ）の遂行において、フォト
    マスクは、非干渉性紫外線源により照射されることを特
    徴とする請求項１記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ステップｂ）の遂行において、非干渉
    性紫外線源は、水銀ランプ、または、キセノンランプか
    らなることを特徴とする請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 水銀ランプ光源、または、キセノンラ
    ンプ光源は、ほぼ、単線かつ点光源の照明を形成するよ
    うにろ波されることを特徴とする請求項１４記載の方
    法。
  16. 【請求項１６】 直接描画電子線フォトマスクを形成す
    る方法において、 ａ） マスク基板の露光されるべき領域を露光するよう
    にマスク層でパターン形成されたマスク基板を供給する
    ステップと、 ｂ） ステップａ）において供給されたマスク基板の表
    面に感電子線性レジストを塗着するステップと、 ｃ） ステップｂ）において塗着された感電子線性レジ
    ストに、電子線源を用いて、所定回折格子パターンを描
    画するステップと、 ｄ） ステップｃ）の描画が終了した後、感電子線性レ
    ジストを現像するステップと、 ｅ） 現像された感電子線性レジストを反応性イオンエ
    ッチングすることにより、感電子線性レジスト層に所定
    回折格子パターンを形成するステップと、 ｆ） 反応性イオンエッチングを使用することにより、
    回折格子パターンをマスク基板の表面に転写するステッ
    プと からなる電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 ステップａ）の遂行において、クロム
    からなるマスキング層を有する石英基板が供給されるこ
    とを特徴とする請求項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 ステップｂ）の遂行において、単層感
    電子線性レジストが塗着されることを特徴とする請求項
    １６記載の方法。
  19. 【請求項１９】 ポリメタクリル酸メチルが用いられる
    ことを特徴とする請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 ステップａ）の遂行において、三層感
    電子線性レジストは、 １） 硬焼きフォトレジス
    トからなる第１レジスト層を塗着するステップと、 ２） ゲルマニウムからなる比較的薄い第２レジスト層
    を第１レジスト層に重ねて塗着するステップと、 ３） 感電子線性レジストからなる第３レジスト層を第
    ２レジスト層に重ねて塗着するステップとを用いて、塗
    着されることを特徴とする請求項１６記載の方法。
  21. 【請求項２１】 ステップｄ）の遂行において、上記現
    像は、 １） メチルイソブチルケトン対イソプロパノールの４
    対１溶液内で第３レジスト層を現像することにより、所
    定回折格子パターンを形成するステップと、
    ２） 三フッ化臭化炭素（ＣＦ3 Ｂｒ）を用いる反応性
    イオンエッチングにより、所定回折格子パターンを第２
    レジスト層に転写するステップと、 ３） 酸素ガス（Ｏ2 ）を用いる反応性イオンエッチン
    グにより、所定回折格子パターンを第２レジスト層に転
    写するステップと、 ４） 三フッ化炭化水素（ＣＨＦ3 ）を使用する反応性
    イオンエッチングにより、所定回折格子パターンをマス
    ク基板に転写するステップと からなることを特徴とする請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 ステップｃ）の遂行において、所定回
    折格子パターンは、複数の格子ピッチを含むことを特徴
    とする請求項１６記載の方法。
  23. 【請求項２３】 ステップｃ）の遂行において、少なく
    とも１個の階段移相を含むことを特徴とする請求項１６
    記載の方法。
  24. 【請求項２４】 上記階段移相は、Λ／２（ただし、Λ
    は、格子ピッチである）移相を含むことを特徴とする請
    求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 ステップｃ）の遂行において、所定回
    折格子パターンは、複数の格子ピッチと少なくとも１個
    の階段移相をと含むことを特徴とする請求項１６記載の
    方法。
  26. 【請求項２６】 ステップｃ）の遂行は、種々の格子ピ
    ッチが格子構造と垂直な方向に変化する複数の格子構造
    を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２５
    記載の方法。
  27. 【請求項２７】 ステップａ）の遂行は、種々の格子ピ
    ッチが格子構造と平行な方向に変化する複数の格子構造
    を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２５
    記載の方法。
  28. 【請求項２８】 光電子素子および光素子に格子構造を
    形成するフォトマスクであって、直接描画電子線リソグ
    ラフィを用いて形成された複数の格子構造からなるフォ
    トマスク。
JP5342035A 1992-12-14 1993-12-14 電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法 Pending JPH06265709A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/989,690 US5413884A (en) 1992-12-14 1992-12-14 Grating fabrication using electron beam lithography
US989690 1997-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06265709A true JPH06265709A (ja) 1994-09-22

Family

ID=25535369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5342035A Pending JPH06265709A (ja) 1992-12-14 1993-12-14 電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5413884A (ja)
EP (1) EP0602829A3 (ja)
JP (1) JPH06265709A (ja)
KR (1) KR940015539A (ja)
TW (2) TW248596B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999001787A1 (fr) * 1997-07-03 1999-01-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et procede de fabrication
WO1999038040A1 (fr) * 1998-01-22 1999-07-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Masque de phase destine a la fabrication d'un reseau de diffraction et procede de fabrication
CN1295530C (zh) * 2000-01-27 2007-01-17 尤纳克西斯巴尔策斯公司 光栅结构、用于产生此光栅结构的方法、瞬逝场传感器板和微滴定度板
KR100963036B1 (ko) * 2007-10-17 2010-06-14 주식회사 엘지화학 회절 격자를 이용한 레이저 간섭 리소그래피 방법
JP2013174890A (ja) * 2006-01-19 2013-09-05 De La Rue Internatl Ltd 光学的可変セキュリティ装置
CN103616803A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光栅尺真空复制曝光设备
CN111856636A (zh) * 2020-07-03 2020-10-30 中国科学技术大学 一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2688799C (en) * 1996-11-15 2014-09-30 Marsupial Holdings, Inc. In-line holographic mask for micromachining
CA2197706A1 (en) * 1997-02-14 1998-08-14 Peter Ehbets Method of fabricating apodized phase mask
JPH1112769A (ja) * 1997-06-27 1999-01-19 Canon Inc エッチング方法並びに装置及び回折光学素子の製造方法並びに装置
JPH1184623A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Dainippon Printing Co Ltd 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー
US20020028390A1 (en) 1997-09-22 2002-03-07 Mohammad A. Mazed Techniques for fabricating and packaging multi-wavelength semiconductor laser array devices (chips) and their applications in system architectures
US6013396A (en) * 1998-10-30 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of chrome/phase grating phase shift mask by interferometric lithography
US6037082A (en) * 1998-10-30 2000-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Design of a new phase shift mask with alternating chrome/phase structures
US6093507A (en) * 1999-01-04 2000-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Simplified process for fabricating levinson and chromeless type phase shifting masks
US6900916B2 (en) * 1999-03-04 2005-05-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Color laser display apparatus having fluorescent screen scanned with modulated ultraviolet laser light
US6919009B2 (en) 1999-10-01 2005-07-19 Nanoplex Technologies, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes
US7045049B1 (en) * 1999-10-01 2006-05-16 Nanoplex Technologies, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobar codes
US7167615B1 (en) 1999-11-05 2007-01-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same
US8111401B2 (en) 1999-11-05 2012-02-07 Robert Magnusson Guided-mode resonance sensors employing angular, spectral, modal, and polarization diversity for high-precision sensing in compact formats
US6961490B2 (en) * 2000-01-27 2005-11-01 Unaxis-Balzers Aktiengesellschaft Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
JP2001308002A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Canon Inc フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置
JP2001242313A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Dainippon Printing Co Ltd 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー
ATE503209T1 (de) * 2000-05-03 2011-04-15 Caliper Life Sciences Inc Herstellungsprozesse für substrate mit mehreren tiefen
US6867143B1 (en) * 2000-06-22 2005-03-15 International Business Machines Corporation Method for etching a semiconductor substrate using germanium hard mask
JP3715189B2 (ja) * 2000-09-21 2005-11-09 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトマスク
WO2002029136A1 (en) * 2000-10-02 2002-04-11 Surromed, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes
US7300803B2 (en) * 2000-10-30 2007-11-27 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7142296B2 (en) * 2000-10-30 2006-11-28 Sru Biosystems, Inc. Method and apparatus for detecting biomolecular interactions
US7202076B2 (en) 2000-10-30 2007-04-10 Sru Biosystems, Inc. Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions
US7264973B2 (en) * 2000-10-30 2007-09-04 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant optical biosensor
US7217574B2 (en) * 2000-10-30 2007-05-15 Sru Biosystems, Inc. Method and apparatus for biosensor spectral shift detection
US6951715B2 (en) * 2000-10-30 2005-10-04 Sru Biosystems, Inc. Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements
US20030113766A1 (en) * 2000-10-30 2003-06-19 Sru Biosystems, Llc Amine activated colorimetric resonant biosensor
US20030092075A1 (en) * 2000-10-30 2003-05-15 Sru Biosystems, Llc Aldehyde chemical surface activation processes and test methods for colorimetric resonant sensors
US7153702B2 (en) * 2000-10-30 2006-12-26 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7175980B2 (en) * 2000-10-30 2007-02-13 Sru Biosystems, Inc. Method of making a plastic colorimetric resonant biosensor device with liquid handling capabilities
US7094595B2 (en) * 2000-10-30 2006-08-22 Sru Biosystems, Inc. Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions
US7615339B2 (en) * 2000-10-30 2009-11-10 Sru Biosystems, Inc. Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces
US7070987B2 (en) * 2000-10-30 2006-07-04 Sru Biosystems, Inc. Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure
US7371562B2 (en) 2000-10-30 2008-05-13 Sru Biosystems, Inc. Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure
US7875434B2 (en) * 2000-10-30 2011-01-25 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7306827B2 (en) * 2000-10-30 2007-12-11 Sru Biosystems, Inc. Method and machine for replicating holographic gratings on a substrate
US7023544B2 (en) * 2000-10-30 2006-04-04 Sru Biosystems, Inc. Method and instrument for detecting biomolecular interactions
US7101660B2 (en) 2000-10-30 2006-09-05 Sru Biosystems, Inc. Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces
US7575939B2 (en) * 2000-10-30 2009-08-18 Sru Biosystems, Inc. Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements
US6829067B2 (en) * 2000-12-04 2004-12-07 California Institute Of Technology Method and apparatus for implementing a multi-channel tunable filter
US6433878B1 (en) * 2001-01-29 2002-08-13 Timbre Technology, Inc. Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry
JP3816769B2 (ja) * 2001-09-03 2006-08-30 大日本印刷株式会社 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法、光ファイバー加工用位相マスク並びにブラッググレーティング付き光ファイバー及びこの光ファイバーを用いた分散補償デバイス
US6724533B2 (en) 2002-01-31 2004-04-20 Chromaplex, Inc. Lamellar grating structure with polarization-independent diffraction efficiency
US7429492B2 (en) * 2002-09-09 2008-09-30 Sru Biosystems, Inc. Multiwell plates with integrated biosensors and membranes
US7927822B2 (en) * 2002-09-09 2011-04-19 Sru Biosystems, Inc. Methods for screening cells and antibodies
TW200423837A (en) 2002-09-27 2004-11-01 Koninkl Philips Electronics Nv Lithographic method for wiring a side surface of a substrate
US7399709B1 (en) * 2002-09-27 2008-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Complementary replacement of material
DE10246268B4 (de) * 2002-10-02 2004-11-18 Pwb-Ruhlatec Industrieprodukte Gmbh Encoderanordnung
US6965628B1 (en) * 2002-10-30 2005-11-15 Finisar Corporation Distributed feedback laser having a differential grating
US7309614B1 (en) 2002-12-04 2007-12-18 Sru Biosystems, Inc. Self-referencing biodetection method and patterned bioassays
US7497992B2 (en) * 2003-05-08 2009-03-03 Sru Biosystems, Inc. Detection of biochemical interactions on a biosensor using tunable filters and tunable lasers
US8298780B2 (en) * 2003-09-22 2012-10-30 X-Body, Inc. Methods of detection of changes in cells
US7585596B1 (en) * 2003-10-16 2009-09-08 Eric G. Johnson Micro-sculpting using phase masks for projection lithography
US20050214803A1 (en) * 2003-11-06 2005-09-29 Sru Biosystems, Llc High-density amine-functionalized surface
US20070223074A1 (en) 2005-07-26 2007-09-27 Harris Ken R Hybrid reflection hologram
DE102005051972B4 (de) * 2005-10-31 2012-05-31 Infineon Technologies Ag Kombiniertes Elektronenstrahl- und optisches Lithographieverfahren
CA2680255C (en) * 2006-03-17 2018-03-27 Ken R. Harris Hybrid reflection hologram
US8270788B2 (en) * 2006-05-19 2012-09-18 Herman Peter R Optical devices and digital laser method for writing waveguides, gratings, and integrated optical circuits
KR20090086235A (ko) * 2006-10-31 2009-08-11 에스알유 바이오시스템즈, 인코포레이티드 작용기화된 표면 상에서 비­특이적 단백질 결합을 차단하는 방법
AU2008242664B2 (en) * 2007-04-19 2011-10-20 Sru Biosystems, Inc. Method for employing a biosensor to detect small molecules that bind directly to immobilized targets
CN101320205B (zh) * 2007-06-08 2011-06-15 比亚迪股份有限公司 一种电子产品外壳的制备方法
US9134307B2 (en) * 2007-07-11 2015-09-15 X-Body, Inc. Method for determining ion channel modulating properties of a test reagent
EP2171454B1 (en) * 2007-07-11 2013-03-20 X-Body, Inc. Methods of identifying modulators of ion channels
US8257936B2 (en) * 2008-04-09 2012-09-04 X-Body Inc. High resolution label free analysis of cellular properties
WO2009149285A1 (en) * 2008-06-04 2009-12-10 Sru Biosystems, Inc. Detection of promiscuous small submicrometer aggregates
CN101320207B (zh) * 2008-07-14 2011-02-02 苏州大学 一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
FR2938079B1 (fr) * 2008-11-04 2010-11-12 Saint Gobain Reseau comprenant des sous-reseaux a blocs de motifs diffusant la lumiere
CN101487975B (zh) * 2009-02-18 2011-06-29 潍坊学院 θ调制全息光栅的制作方法
JP2012099178A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Hoya Corp ビットパターンドメディア製造用のインプリントモールド及びその製造方法
US9817164B2 (en) * 2011-09-07 2017-11-14 Lumilant, Inc. Method of fabricating an optical grating
US10020636B2 (en) 2013-06-13 2018-07-10 Applied Optoelectronics, Inc. Tunable laser with multiple in-line sections including sampled gratings
US9304235B2 (en) 2014-07-30 2016-04-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Microfabrication
US10592080B2 (en) 2014-07-31 2020-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Assisted presentation of application windows
US10254942B2 (en) 2014-07-31 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive sizing and positioning of application windows
US10678412B2 (en) 2014-07-31 2020-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic joint dividers for application windows
CN107210584A (zh) * 2014-11-24 2017-09-26 祥茂光电科技股份有限公司 具有包括采样光栅的多个序列式区段的可调谐激光器
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9827209B2 (en) 2015-02-09 2017-11-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
US9423360B1 (en) 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US9513480B2 (en) 2015-02-09 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide
US11086216B2 (en) 2015-02-09 2021-08-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Generating electronic components
US9535253B2 (en) 2015-02-09 2017-01-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9372347B1 (en) 2015-02-09 2016-06-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9429692B1 (en) 2015-02-09 2016-08-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
RU2748273C9 (ru) * 2016-09-27 2021-07-28 Иллюмина, Инк. Подложка с наноотпечатком
US11036145B2 (en) * 2018-12-21 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Large area self imaging lithography based on broadband light source
US11042098B2 (en) * 2019-02-15 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Large area high resolution feature reduction lithography technique
US11624836B2 (en) 2019-09-24 2023-04-11 Continental Autonomous Mobility US, LLC Detection of damage to optical element of illumination system
EP3896529A1 (en) 2020-04-13 2021-10-20 Kaunas University of Technology Fabrication method of holographic security label
EP3919949A1 (en) 2020-06-02 2021-12-08 ETH Zürich E-beam based fabrication method for micro-and nano-structures and optical devices fabricated by the method
CN111710473A (zh) * 2020-06-09 2020-09-25 西安交通大学 一种图案化柔性导电薄膜的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4517280A (en) * 1982-11-04 1985-05-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for fabricating integrated optics
JPS62140485A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Hitachi Ltd 半導体構造体およびその製造方法
US4846552A (en) * 1986-04-16 1989-07-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating high efficiency binary planar optical elements
JPH03238454A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Mitsubishi Electric Corp 干渉露光用マスクの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999001787A1 (fr) * 1997-07-03 1999-01-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Masque de phase pour le façonnage de fibres optiques et procede de fabrication
WO1999038040A1 (fr) * 1998-01-22 1999-07-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Masque de phase destine a la fabrication d'un reseau de diffraction et procede de fabrication
US6200711B1 (en) 1998-01-22 2001-03-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase mask for manufacturing diffraction grating, and method of manufacture
CN1295530C (zh) * 2000-01-27 2007-01-17 尤纳克西斯巴尔策斯公司 光栅结构、用于产生此光栅结构的方法、瞬逝场传感器板和微滴定度板
JP2013174890A (ja) * 2006-01-19 2013-09-05 De La Rue Internatl Ltd 光学的可変セキュリティ装置
KR100963036B1 (ko) * 2007-10-17 2010-06-14 주식회사 엘지화학 회절 격자를 이용한 레이저 간섭 리소그래피 방법
CN103616803A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光栅尺真空复制曝光设备
CN111856636A (zh) * 2020-07-03 2020-10-30 中国科学技术大学 一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法
CN111856636B (zh) * 2020-07-03 2021-10-22 中国科学技术大学 一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940015539A (ko) 1994-07-21
TW248596B (ja) 1995-06-01
EP0602829A2 (en) 1994-06-22
TW242182B (ja) 1995-03-01
US5413884A (en) 1995-05-09
EP0602829A3 (en) 1995-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06265709A (ja) 電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法
US5760960A (en) Cascaded self-induced holography
EP0188919B1 (en) A method for the formation of a diffraction grating
JP4724183B2 (ja) サンプル上に周期的及び／又は準周期的パターンを生成するためのシステム及び方法
US8904316B2 (en) Method and apparatus for printing high-resolution two-dimensional periodic patterns
EP0684491A1 (en) Bragg gratings in waveguides
Tennant et al. Characterization of near‐field holography grating masks for optoelectronics fabricated by electron beam lithography
CA2283403C (en) Diffraction grating-fabricating phase mask, and its fabrication method
Verdiell et al. 8-wavelength DBR laser array fabricated with a single-step Bragg grating printing technique
JP4824273B2 (ja) 回折格子作製用位相マスク
JP2936187B2 (ja) レジストパタ−ンの形成方法
JP2004045575A (ja) 回折格子形成用の位相マスクとその製造方法、および回折格子の形成用方法
Tennant et al. Phase grating masks for photonic integrated circuits fabricated by e-beam writing and dry etching: Challenges to commercial applications
CA2385118A1 (en) Method for fabricating phase masks having a phase-shift based apodisation profile
JPH07508593A (ja) グレーティング構造の製造
JP2000089014A (ja) 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法
JP2007264476A (ja) 周期構造パターン形成方法及び干渉露光装置
JP3487492B2 (ja) 回折格子作製用位相マスクの製造方法
Huster et al. Scanning phase-mask DUV inscription of short-period large-area photoresist gratings
JPH03238454A (ja) 干渉露光用マスクの製造方法
Lin et al. Cascade self-induced holography: a new grating fabrication technology for DFB/DBR lasers and WDM laser arrays
US7081323B2 (en) Method of making gratings and phase masks for fiber grating fabrication
Cheng et al. Phase masks fabricated by interferometric lithography for working in 248 nm wavelength
JPS63187202A (ja) ブレ−ズドホログラフイツク回折格子
Jones et al. The application of electron beam lithography to device fabrication for optical communication systems