KR940015539A - 전자빔 석판 인쇄술을 이용하는 회절격자 제조방법 - Google Patents

전자빔 석판 인쇄술을 이용하는 회절격자 제조방법 Download PDF

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로슨 코치 토마스
윌릴암 오스터메이어 2세 프레데릭
밀란 테난트 도날드
베르디엘 쟌-마르끄
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웬디 더블유 코바
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Abstract

광전자 구조에서 회절격자를 형성하기 위하여 직접기록 전자빔 사진 석판 인쇄술 및 홀로그래피 광학 조사를 이용하는 기술을 설명한다. 직접기록 전자빔 방법은 마스크 기판에서 사각형 회절격자 티스를 형성하는데 사용되며, 여기서 마스크는 패턴을 광전자 장치로 전달하기 위해 위상 마스크로서 사용된다.
유리하게도, 포토마스크에 회절격자 패턴을 형성하기 위해 직접기록 전자빔 기술을 이용하면, 급속한 위상 시프트의 필요한 갯수 및 위치, 다수의 회절격자 피치, 정렬 기준점, 및 어떤 다른 피룡한 모양을 형성하도록 허용한다. 그러므로, 직접기록 전자빔 마스크의 단일 조사는 다수의 다른 회절격자 패턴을 동시에 프린트 할 수 있도록 허용한다.

Description

전자빔 석판 인쇄술을 이용하는 회절격자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의해 제조된 마스크를 이용하여 형성된 실예의 광자 집적 회로 특히, 파장분할 다중방식 송신기 어레이의 도면, 제7도 내지 제11도는 본 발명에 의한 위상 마스크를 형성하기 위해 직접기록 전자빔 석판 인쇄방법을 이용하는 실예를 든 처리단계 세트의 연속도면.

Claims (28)

  1. 광전자 장치에 예정된 회절격자 구조를 제조하는 방법에 있어서, a) 직접기록 전자빔 석판 인쇄술 공정에 의하여 급격한 위상 시프트의 필요한 갯수 및 위치와 다수의 회절격자 피치를 구성하도록 형성된 회절격자 패턴을 포함하는 포토마스크를 제공하는 단계와, b) 전자빔 및 제1차 회절빔을 형성하기에 충분한 예정각도 θi로서 빛을 포토마스크에 조명하는 단계와, c) 전자빔과 제1차 회절빔이 간섭하여서 포토레지스트에서 회절격자 패턴을 모사하는 근거리 강도 패턴을 형성하도록 포토레지스트로 덮힌 광전자 기판을 조사하는 단계와, d) 상기 포토레지스트를 현상하며, 회절격자 패턴을 밑에 놓인 광전자 장치 기판에 전달하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계 a)의 실시예에서 순수한 위상마스크를 제공하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 단계 a)의 실시에서 상기 회절격자 패턴은 직접기 전자빔 석판 인쇄술을 사용하여 다수의 사각형 회절격자 모양을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 다수의 사각형 회절격자 모양은 다수의 구형(square) 회절격자 모양을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 단계 a)의 실시예에서, 상기 회절격자 패턴은 직접기록 전자빔 석판 인쇄술을 이용하여 최소한 하나의 급격한 위상 시프트를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 단계 a)의 실시에서, 상기 직접기록 전자빔 석판 인쇄술은 회절격자 패턴위 피치를 ^라고 정의할때 ^/2의 급속한 위상 시프트를 형성하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 단계 a)의 실시에서, 회절격자 패턴은 직접기록 전자빔 석판 인쇄술을 이용하여 다수의 다른 회절격자 피치(^1,^2, …)를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 다수의 회절격자 피치는 회절격자 구조에 대해 수직방향에서 변화하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 다수의 회절격자 피치는 회절격자 구조에 대해 평행한 방향에서 변화하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 단계 b)의 실시에서 조명은 포토마스크의 법선에 관하여 31°보다 큰 각도θi에서 제공되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 단계 b)의 실시에서 포토마스크는 코히어런트 UV원으로 조명되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 단계 b)의 실시에서 코히어런트 UV원은 아르곤 레이저원을 구성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 단계 b) 실시에서 포토마스크는 인코히어런트 UV 원으로 조명되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 단계 b)의 실시에서 인코히어런트 UV원은 수은/제논 램프를 구성하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 수은/제논 램프원은 대략 단일 라인의 작은 스폿크기의 조명을 형성하도록 필터링 되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 직적기록 전자빔 포토마스크의 형성방법에 있어서, a) 조사해야할 마스크 기판의 영역을 조사하기 위하여 마스킹 층으로 패턴화된 마스크 기판을 제공하는 단계와, b) 단계 a)에서 제공된 기판의 표면에 전자빔 감광 레지스트를 증착하는 단계와, c) 단계 d)에서 증착된 레지스트에 전자빔원을 이용하여 예정된 회절격자 패턴을 기록하는 단계와, d)단계 c)의 기록 작동을 완료한 후 레지스트를 현상하는 단계와, e) 레지스트층에서 예정된 회절격자 패턴을 형성하기 위하여 현상된 레지스트를 반응 이온 에칭하는 단계와, f) 반응이온 에칭을 이용하여 마스크 기판의 표면에 회절격자 패턴을 전달하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 단계 a)의 실시에서 크롬 마스킹층을 갖는 석영기판이 제공되는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  18. 제16항에 있어서, 단계 b)의 실시에서 단일층 전자빔 감광 레지스트가 중착되는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  19. 제18항에 있어서, PMMA가 이용되는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  20. 제16항에 있어서, 단계 b)의 실시예서 3단계 전자빔 감광 레지스트의 증착은, 1) 경화처리된 포토레지스트의 제1층을 형성하는 단계와, 2) 상기 제1레지스트층을 위에서 덮기 위하여 비교적 얇은 게르마늄의 제2층을 증착하는 단계와, 3) 상기 제2레지스트층을 위해서 덮기 위하여 전자빔 감광 레지스터의 제3층을 증착하는 단계를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 단계 d)의 실시에서 현상은, 1) 예정된 회절격자 패턴을 형성하기 위하여 메틸 이소부틸케톤: 이소프로파놀의 4:1 용액으로서 제3레지스트층을 현상하는 단계와, 2) 예정된 회절격자 패턴을 게르마늄의 제2레지스트층으로 전달하기 위하여 CF3Br을 사용하여 반응이온 에칭하는 단계와, 3) 예정된 회절격자 패턴을 경화처리된 제1레지스트층으로 전달하기 위하여 O2를 사용하여 반응이온 에칭하는 단계와, 4) 예정된 회절격자 패턴을 기판으로 전달하기 위하여 CHF3를 이용하여 반응이온 에칭하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  22. 제16항에 있어서, 단계 c)의 실시에서 예정된 회절격자 패턴을 다수의 다른 회절격자 피치를 포함하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  23. 제16항에 있어서, 단계 c)의 실시에서 예정된 회절격자 패턴은 최소한 하나의 급속한 위상 시프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  24. 제23항에 있어서, 최소한 하나의 위상 시프트는 회절격자 피치를^라고 정의할때^/2 위상 시프트를 구성하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  25. 제16항에 있어서, 단계 c)의 실시에서 예정된 회절격자 패턴은 다수의 다른 회절격자 피치와 최소한 하나의 급속한 위상 시프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  26. 제25항에 있어서, 단계 c)의 실시에서 다른 회절격자 피치가 회절격자 구조에 대해 수직방향에서 변화하는 중에 다수의 회절격자 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  27. 제24항에 있어서, 단계 c)의 실시에서 다른 회절격자 피치가 회절격자 구조에 대해 평행한 방향에서 변화하는 중에 다수의 회절격자 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  28. 광전자 및 광학장치에서 회절격자 구조를 형성하기 위해 직접기록 전자빔 석판 인쇄 방법을 이용하여 형성된 다수의 회절격자 구조를 구성하는 포토마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930027154A 1992-12-14 1993-12-10 전자빔 석판 인쇄술을 이용하는 회절격자 제조방법 KR940015539A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706731B1 (ko) * 2000-09-21 2007-04-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 위상 시프트 마스크

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6618174B2 (en) * 1996-11-15 2003-09-09 Diffraction, Ltd In-line holographic mask for micromachining
CA2197706A1 (en) 1997-02-14 1998-08-14 Peter Ehbets Method of fabricating apodized phase mask
JPH1112769A (ja) * 1997-06-27 1999-01-19 Canon Inc エッチング方法並びに装置及び回折光学素子の製造方法並びに装置
JP3526215B2 (ja) * 1997-07-03 2004-05-10 大日本印刷株式会社 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法
JPH1184623A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Dainippon Printing Co Ltd 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー
US20020028390A1 (en) 1997-09-22 2002-03-07 Mohammad A. Mazed Techniques for fabricating and packaging multi-wavelength semiconductor laser array devices (chips) and their applications in system architectures
WO1999038040A1 (fr) * 1998-01-22 1999-07-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Masque de phase destine a la fabrication d'un reseau de diffraction et procede de fabrication
US6037082A (en) * 1998-10-30 2000-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Design of a new phase shift mask with alternating chrome/phase structures
US6013396A (en) * 1998-10-30 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of chrome/phase grating phase shift mask by interferometric lithography
US6093507A (en) * 1999-01-04 2000-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Simplified process for fabricating levinson and chromeless type phase shifting masks
US6900916B2 (en) * 1999-03-04 2005-05-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Color laser display apparatus having fluorescent screen scanned with modulated ultraviolet laser light
US7045049B1 (en) * 1999-10-01 2006-05-16 Nanoplex Technologies, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobar codes
US6919009B2 (en) 1999-10-01 2005-07-19 Nanoplex Technologies, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes
US8111401B2 (en) 1999-11-05 2012-02-07 Robert Magnusson Guided-mode resonance sensors employing angular, spectral, modal, and polarization diversity for high-precision sensing in compact formats
US7167615B1 (en) 1999-11-05 2007-01-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same
US6510263B1 (en) * 2000-01-27 2003-01-21 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
US6961490B2 (en) * 2000-01-27 2005-11-01 Unaxis-Balzers Aktiengesellschaft Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
JP2001308002A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Canon Inc フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置
JP2001242313A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Dainippon Printing Co Ltd 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー
AU2001259355B2 (en) * 2000-05-03 2005-09-01 Caliper Life Sciences, Inc. Multi depth substrate fabrication processes
US6867143B1 (en) * 2000-06-22 2005-03-15 International Business Machines Corporation Method for etching a semiconductor substrate using germanium hard mask
AU2001296460A1 (en) * 2000-10-02 2002-04-15 Surromed, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes
US7575939B2 (en) * 2000-10-30 2009-08-18 Sru Biosystems, Inc. Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements
US7023544B2 (en) * 2000-10-30 2006-04-04 Sru Biosystems, Inc. Method and instrument for detecting biomolecular interactions
US20030113766A1 (en) * 2000-10-30 2003-06-19 Sru Biosystems, Llc Amine activated colorimetric resonant biosensor
US7306827B2 (en) * 2000-10-30 2007-12-11 Sru Biosystems, Inc. Method and machine for replicating holographic gratings on a substrate
US7202076B2 (en) 2000-10-30 2007-04-10 Sru Biosystems, Inc. Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions
US7371562B2 (en) 2000-10-30 2008-05-13 Sru Biosystems, Inc. Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure
US7875434B2 (en) * 2000-10-30 2011-01-25 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7118710B2 (en) * 2000-10-30 2006-10-10 Sru Biosystems, Inc. Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions
US7175980B2 (en) * 2000-10-30 2007-02-13 Sru Biosystems, Inc. Method of making a plastic colorimetric resonant biosensor device with liquid handling capabilities
US7101660B2 (en) 2000-10-30 2006-09-05 Sru Biosystems, Inc. Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces
US20030092075A1 (en) * 2000-10-30 2003-05-15 Sru Biosystems, Llc Aldehyde chemical surface activation processes and test methods for colorimetric resonant sensors
US7264973B2 (en) * 2000-10-30 2007-09-04 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant optical biosensor
US7142296B2 (en) * 2000-10-30 2006-11-28 Sru Biosystems, Inc. Method and apparatus for detecting biomolecular interactions
US7153702B2 (en) * 2000-10-30 2006-12-26 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7070987B2 (en) * 2000-10-30 2006-07-04 Sru Biosystems, Inc. Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure
US6951715B2 (en) * 2000-10-30 2005-10-04 Sru Biosystems, Inc. Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements
US7217574B2 (en) * 2000-10-30 2007-05-15 Sru Biosystems, Inc. Method and apparatus for biosensor spectral shift detection
US7300803B2 (en) * 2000-10-30 2007-11-27 Sru Biosystems, Inc. Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
US7615339B2 (en) * 2000-10-30 2009-11-10 Sru Biosystems, Inc. Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces
WO2002059653A2 (en) * 2000-12-04 2002-08-01 California Institute Of Technology Method and apparatus for implementing a multi-channel tunable filter
US6433878B1 (en) * 2001-01-29 2002-08-13 Timbre Technology, Inc. Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry
JP3816769B2 (ja) * 2001-09-03 2006-08-30 大日本印刷株式会社 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法、光ファイバー加工用位相マスク並びにブラッググレーティング付き光ファイバー及びこの光ファイバーを用いた分散補償デバイス
US6724533B2 (en) 2002-01-31 2004-04-20 Chromaplex, Inc. Lamellar grating structure with polarization-independent diffraction efficiency
US7429492B2 (en) * 2002-09-09 2008-09-30 Sru Biosystems, Inc. Multiwell plates with integrated biosensors and membranes
US7927822B2 (en) 2002-09-09 2011-04-19 Sru Biosystems, Inc. Methods for screening cells and antibodies
WO2004029722A2 (en) * 2002-09-27 2004-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithographic method for wiring a side surface of a substrate
US7399709B1 (en) * 2002-09-27 2008-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Complementary replacement of material
DE10246268B4 (de) * 2002-10-02 2004-11-18 Pwb-Ruhlatec Industrieprodukte Gmbh Encoderanordnung
US6965628B1 (en) * 2002-10-30 2005-11-15 Finisar Corporation Distributed feedback laser having a differential grating
US7309614B1 (en) 2002-12-04 2007-12-18 Sru Biosystems, Inc. Self-referencing biodetection method and patterned bioassays
US7497992B2 (en) * 2003-05-08 2009-03-03 Sru Biosystems, Inc. Detection of biochemical interactions on a biosensor using tunable filters and tunable lasers
US8298780B2 (en) * 2003-09-22 2012-10-30 X-Body, Inc. Methods of detection of changes in cells
US7585596B1 (en) * 2003-10-16 2009-09-08 Eric G. Johnson Micro-sculpting using phase masks for projection lithography
WO2005047904A2 (en) * 2003-11-06 2005-05-26 Sru Biosystems, Inc. High-density amine-functionalized surface
US20070223074A1 (en) 2005-07-26 2007-09-27 Harris Ken R Hybrid reflection hologram
DE102005051972B4 (de) * 2005-10-31 2012-05-31 Infineon Technologies Ag Kombiniertes Elektronenstrahl- und optisches Lithographieverfahren
GB0601093D0 (en) * 2006-01-19 2006-03-01 Rue De Int Ltd Optically Variable Security Device
CA2680255C (en) * 2006-03-17 2018-03-27 Ken R. Harris Hybrid reflection hologram
US8270788B2 (en) * 2006-05-19 2012-09-18 Herman Peter R Optical devices and digital laser method for writing waveguides, gratings, and integrated optical circuits
US20080213910A1 (en) * 2006-10-31 2008-09-04 Gangadhar Jogikalmath Method for blocking non-specific protein binding on a functionalized surface
US20080299673A1 (en) * 2007-04-19 2008-12-04 Sru Biosystems, Inc. Method for Employing a Biosensor to Detect Small Molecules ("Fragments") that Bind Directly to Immobilized Protein Targets
CN101320205B (zh) * 2007-06-08 2011-06-15 比亚迪股份有限公司 一种电子产品外壳的制备方法
US9134307B2 (en) * 2007-07-11 2015-09-15 X-Body, Inc. Method for determining ion channel modulating properties of a test reagent
NZ582473A (en) * 2007-07-11 2011-12-22 Sru Biosystems Inc Methods of identifying modulators of ion channels using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor
KR100963036B1 (ko) * 2007-10-17 2010-06-14 주식회사 엘지화학 회절 격자를 이용한 레이저 간섭 리소그래피 방법
US8257936B2 (en) * 2008-04-09 2012-09-04 X-Body Inc. High resolution label free analysis of cellular properties
EP2304500A1 (en) * 2008-06-04 2011-04-06 SRU Biosystems, Inc. Detection of promiscuous small submicrometer aggregates
CN101320207B (zh) * 2008-07-14 2011-02-02 苏州大学 一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
FR2938079B1 (fr) * 2008-11-04 2010-11-12 Saint Gobain Reseau comprenant des sous-reseaux a blocs de motifs diffusant la lumiere
CN101487975B (zh) * 2009-02-18 2011-06-29 潍坊学院 θ调制全息光栅的制作方法
JP2012099178A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Hoya Corp ビットパターンドメディア製造用のインプリントモールド及びその製造方法
US9817164B2 (en) * 2011-09-07 2017-11-14 Lumilant, Inc. Method of fabricating an optical grating
US10020636B2 (en) 2013-06-13 2018-07-10 Applied Optoelectronics, Inc. Tunable laser with multiple in-line sections including sampled gratings
CN103616803B (zh) * 2013-11-25 2015-09-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光栅尺真空复制曝光设备
US9304235B2 (en) 2014-07-30 2016-04-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Microfabrication
US10678412B2 (en) 2014-07-31 2020-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic joint dividers for application windows
US10254942B2 (en) 2014-07-31 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive sizing and positioning of application windows
US10592080B2 (en) 2014-07-31 2020-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Assisted presentation of application windows
CN107210584A (zh) * 2014-11-24 2017-09-26 祥茂光电科技股份有限公司 具有包括采样光栅的多个序列式区段的可调谐激光器
US9513480B2 (en) 2015-02-09 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
US9423360B1 (en) 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US9372347B1 (en) 2015-02-09 2016-06-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9429692B1 (en) 2015-02-09 2016-08-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9827209B2 (en) 2015-02-09 2017-11-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9535253B2 (en) 2015-02-09 2017-01-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US11086216B2 (en) 2015-02-09 2021-08-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Generating electronic components
JP7053587B2 (ja) * 2016-09-27 2022-04-12 イラミーナ インコーポレーテッド インプリント基板
US11036145B2 (en) * 2018-12-21 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Large area self imaging lithography based on broadband light source
US11042098B2 (en) 2019-02-15 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Large area high resolution feature reduction lithography technique
US11624836B2 (en) 2019-09-24 2023-04-11 Continental Autonomous Mobility US, LLC Detection of damage to optical element of illumination system
EP3896529A1 (en) 2020-04-13 2021-10-20 Kaunas University of Technology Fabrication method of holographic security label
EP3919949A1 (en) 2020-06-02 2021-12-08 ETH Zürich E-beam based fabrication method for micro-and nano-structures and optical devices fabricated by the method
CN111710473A (zh) * 2020-06-09 2020-09-25 西安交通大学 一种图案化柔性导电薄膜的制备方法
CN111856636B (zh) * 2020-07-03 2021-10-22 中国科学技术大学 一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0110184B1 (en) * 1982-11-04 1987-03-04 Sumitomo Electric Industries Limited Process for fabricating integrated optics
JPS62140485A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Hitachi Ltd 半導体構造体およびその製造方法
US4846552A (en) * 1986-04-16 1989-07-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating high efficiency binary planar optical elements
JPH03238454A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Mitsubishi Electric Corp 干渉露光用マスクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706731B1 (ko) * 2000-09-21 2007-04-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 위상 시프트 마스크

Also Published As

Publication number Publication date
US5413884A (en) 1995-05-09
TW242182B (ko) 1995-03-01
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JPH06265709A (ja) 1994-09-22
EP0602829A2 (en) 1994-06-22
TW248596B (ko) 1995-06-01

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