JP3699933B2 - 交互性位相マスク - Google Patents
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Description
【0001】
このような位相マスクは、フォトリソグラフィー工程の際、集積回路を製造するために、とくに集積回路の配線を行うための導線路(Leitbahn)を製造するために用いられる。
【0002】
このような導線路は、通常、絶縁層に組み込まれている。なお、この絶縁層は、集積回路に含まれている基板上に接しているか、または、基板上の金属層の内部(Zwischenlagerung)に位置している。このような基板は、通常、シリコン層からなり、それに対して絶縁層は酸化物層から、好ましくはシリコン酸化物からなる。
【0003】
絶縁層に導線路を製造するために、1つまたは複数の領域に延びる溝およびコンタクトホールが組み込まれる。また、このために、エッチング工程、とくにプラズマエッチング工程を用いることが好ましい。
【0004】
この溝およびコンタクトホールを絶縁層に組み込むために、溝および/またはコンタクトホールに適したホールパターン(Lochmuster)を有するレジストマスクが、絶縁層上に塗布される。コンタクトホールおよび/または溝を、絶縁層の複数領域に組み込むために、通常、多段式工程においてもまた、複数のレジストマスクが連続して塗布される。
【0005】
レジストマスクに位置する適切な開口部を介して、個々の溝およびコンタクトホールが所定の深さにエッチングされる。その後、レジストマスクが絶縁層から取り除かれる。続いて、導線路を製造するために、金属が溝および/またはコンタクトホールとなって析出される。
【0006】
レジストマスクは、よく知られたフォトリソグラフィー工程を用いて、絶縁層上で製造される。まず第1に、絶縁層上に、放射感度の高いレジスト層が塗布される。原型またはそのようなものを備えることによって、このレジスト層は、放射(Strahlung)、とくに光線を、所定の場所に照射される(beaufschlagen)。その後、適切な現像液(Entwickler)の中で、単にレジスト層の露光域か、あるいは非露光域が取り除かれる。前者はいわゆるポジ型レジスト、後者はネガ型レジストである。このようにして生成されたホールパターンを有するレジスト層は、後続のエッチング工程用のレジストマスクを形成する。
【0007】
露光工程では、ビーム(Strahlen)、とくに光線は、所定のホールパターンにしたがって、レジスト層の表面にできるだけ正確に照射(abbilden)されることになっている。また、この場合、フォトレジスト膜における露光域および非露光域から急転移を達成するのと同じく、可能な限り優れた分解能が求められる。
【0008】
また、放射光源(Strahlungsquelle)から、レンズを介して、レジスト層が位置する像(Bildebene)に放射を集束するように、露光される。この像では、塗布されたレジスト層を上に備える個々の基板は、放射光源から放射されたビームのビーム光路(Strahlengang)において、ステッパを用いて位置が決まる(postionieren)。
【0009】
露光の際に、放射はマスクを通して行われる。また、マスクの構造によって、特定の露光パターンを設定できる。マスクは、通常、2成分からなるマスクとして、たとえばクロムマスクの形態で形成されている。このようなクロムマスクは、好ましくはグラス層によって形成されている透過領域と、クロム層によって形成されている非透過層との交互性構造を備えている。
【0010】
レジスト層上の露光領域と非露光領域とのコントラストを高めるために、クロムマスクの代わりに、位相マスクを用いる。
【0011】
このような位相マスクは、特にハーフトーン位相マスクとして形成されている。このようなハーフトーン位相マスクの場合、不透過層は、典型的には透過率(Transmission)6%の部分透過層によって置き換えられる。この層の厚みは、通過する放射が180°の位相差(Phasenhub)を受けるように、形成されている。
【0012】
また、位相マスクを、交互性位相マスクとしても形成できる。このような交互性位相マスクは、クロム層によって分離されて互いに180°の位相のずれを有し、隣り合う各透過領域を、備えている。すなわち、透過領域を通過する放射は、隣り合う透過領域を通る放射に対して180°の位相のずれがある。
【0013】
たとえばクロム膜(Chromsteg)のようなクロム層が、距離をおいて互いに平行に延びて配置されているとき、このような交互性の位相マスクを用いて、とくに、正確でコントラストの明確な光学転写(optische Abbildung)を維持できる。透過領域は、クロム膜間に延びて0°と180°との交互性位相を有する膜を、同様に形成する。
【0014】
しかし、分割されてクロム膜として形成された不透過区画(opake Segmente)を有する位相マスクを形成することが、問題である。特に、2つの各クロム膜によって、1つのT型構造が形成される。このようなT字型構造では、第2クロム膜が、第1クロム膜の長辺側に差し込まれている(ausmuenden)ので、第1クロム膜は2つの部分区画(Teilsegmente)に分割される。クロム膜を取り囲む透過領域は、とくに長方形の平面区画(Flaechensegmente)として形成できる。そのために、平面区画の縦横の長さは、境を接する不透過区画またはその部分の長さである。また、1つの不透過区画に対して向き合うそれぞれ2つの平面区画が、180°ずれた位相を有するように、この透過平面区画を配置することが好ましい。しかし、常に、180°ずれた位相を有し、互いに直接境を接する2つの平面区画が残る。この平面区画の境界線で、位相マスクを通過する光線は、干渉効果(Interferenzeffekte)によって消されてしまうので、それによって、レジスト層上の適切な位置で、非露光域が維持されることになる。
【0015】
このことが、第2露光工程を引き起こす。なお、この工程では、この区域が後から露光されることになる。これによって、処理速度が予想以上に遅くなり(Bearbeitungsschritt)、それに伴って時間およびコストがかかりすぎる結果となる。
【0016】
US5,840,447から、異なる位相を有する透過平面区画が備えられた位相マスクが、知られている。異なる位相を有する2つの平面区画の境界線に沿って、周期的なサブ波長構造(Sub-Wellenlaengen-Struktur)が備えられている。このサブ波長構造は、境を接する2つの平面区画と同じ物質でできた、交互性の薄膜からなる。平面区画から別の平面区画へと転移するとき、屈折率は、このサブ波長構造によって、ほぼ連続的に変化する。このようにして、平面区画間の境界線を通る光線が干渉によって消されてしまうということが、回避される。
【0017】
US5,635,316から、0°または180°の位相を有する複数の透過平面区画を備える位相マスクが、知られている。異なる位相を有する2つの平面区画間の境界線を通る光線は、干渉効果によって消されてしまう。平面区画およびそれから生じる境界線構造が適切な構造をしていることによって、非露光線の統一されている網(geschlossenes Netzwerk)が維持される。第2方法措置(Verfahrensschritt)では、第2マスクを用いて、非露光線が部分的に後から露光される(Nachbelichtung)。
【0018】
本発明の目的は、コントラストが高くて転写の質の高い分割された構造が、転写可能であるように、初めに述べたような方法を用いた交互性位相マスクを形成することである。
【0019】
この目的を解決するために、請求項1の特徴が示されている。また、有効な実施形態および実用的な新形態については、従属請求項に記述している。
【0020】
本発明による交互性位相マスクは、少なくとも2つの不透過区画を備えている。また、第1区画は、第2区画の長辺側(Laengsseite)に差し込まれていて(ausmuenden)、第1区画は、差し込み部から、2つの部分区画に分割されている。
【0021】
部分区画および第2区画の両側に、その全長に沿って、180°±△α(△αは最大25°)の位相のずれを有する2つの透過平面区画が、それぞれ配置されている。
【0022】
上記差し込み部と向かい合う第1区画の長辺側で、180±△αずれた位相を有し、互いに向かい合って配置される平面区画は、少なくとも1つの透過平面境界区画(transparentes Flaechengrenzsegment)によって分離されている。この透過平面境界区画の位相は、隣り合う平面区画の位相間にある。この平面境界区画の位相は、隣り合う平面区画の位相の算術平均値に相当することが好ましい。このように形成されている平面境界区画によって、隣り合う平面区画間の境界領域を通る放射の負干渉(negative Interferenz)が、回避される。したがって、この境界領域では、放射は消されないので、これにより、レジスト層の適切な領域が露光されるのである。
【0023】
したがって、フォトレジスト層におけるこれらの領域が、後からの露光を削除できるので、レジストマスクを所望の構造に製造するためのまた別の露光工程は、必要なくなる。
【0024】
この平面境界区画を、材料費または経費が高くつくことなく、交互性位相マスクに組み込むことができる。
【0025】
また、本発明による位相マスクを用いて、転写システムの光学パラメータの幅広いパラメータ領域でコントラストの大きい転写が行われることが、有効である。特に、位相マスクを通る放射が集束しないときも、コントラストの大きいもう1つの転写が行われるのである。
【0026】
次に、本発明を図に基づいて詳述する。図1は、本発明による第1実施形態における位相マスクの断面を示す図である。図2は、図1の位相マスクを含む、レジスト層上の露光構造を示す図である。図3は、本発明による第2実施形態における位相マスクの断面を示す図である。図4は、図3の位相マスクを含む、レジスト層上の露光構造を示す図である。
【0027】
図1は、集積回路を製造するためにフォトリソグラフィー工程を行う場合、感光層を露光するための、第1実施形態における位相マスク1の断面を示している。
【0028】
感光層は、特に、たとえば絶縁層に塗布されるレジスト層として、構成される。この絶縁層は、集積回路を含む基板上に直接位置し、または、その金属層の内部に位置している(unter Zwischenlagerung)。基板はシリコンからなることが好ましい。また、絶縁層は、シリコン酸化物からなることが好ましい。この絶縁層には、導線路が組み込まれている。導線路を所定のパターンにしたがって製造するために、溝およびコンタクトホールがエッチングされ、続いて、そこに金属が析出される。
【0029】
この溝およびコンタクトホールは、エッチング工程によって、好ましくはプラズマエッチング工程によって、絶縁層に組み込まれる。このために、絶縁層上に位置するレジスト層から、しかるべきホールパターンである溝およびコンタクトホールを備えた少なくとも1つのレジストマスクが、製造される。この溝およびコンタクトホールは、レジストマスクのホールを介してエッチングされることによって、組み込まれるのである。
【0030】
フォトリソグラフィー工程を用いて、レジスト層からレジストマスクが製造される。このために、レジスト層は所定の層に対して露光され、その後成長する。この成長段階で、レジスト層がポジ型レジストかネガ型レジストかによって、レジスト層の露光領域または非露光領域が除去される。
この露光工程を実施するために、放射を発する放射光源が備えられている。この放射は、レンズによってレジスト層に集束される。その際、レンズの焦点位置が放射の光路上になるよう、ステッパを用いてそれぞれの層を露光する。レンズの前には、位相マスク1が備えられている。
【0031】
本実施形態においては、レーザーによって形成され、放射としてのコヒーレントなレーザー光線を放射する放射光源が設定される。
【0032】
図1には、本発明による交互性位相マスク1の実施形態の断面が示されており、その断面には、2つの不透過区画が備えられている。この不透過区画は、クロム膜2、3として構成されている。このクロム膜2、3は、透過性の土台(Untergrund)4(たとえばガラス盤から形成されている)上に塗布されている薄膜から形成されている。このクロム膜2、3の断面は、長手の伸びた長方形の形をしている。
【0033】
第2クロム膜3が、第1クロム膜2の長辺側に対して直角に差し込まれているので、2つのクロム膜2・3は、T字型構造になっている。また、第2クロム膜3の差し込み部(Ausmuendung)によって、第1クロム膜2は、2つの部分区画2a・2bに分割される。T型構造の大きさGは、およそG=0.3・λ/NAである。また、λは、露光の際に用いられるレーザー光線の波長であり、NAは、光学転写システムのアパーチャ数である。
【0034】
クロム膜2・3と境を接しているのは、これらと共にほぼ正方形の構造を形成する、全部で4つの透過平面区画5a・5bである。また、平面区画5a・5bは、第1クロム膜2の部分区画2a・2bと、または、第2クロム膜3と、互いに向きあって隣り合うように配置されている。
【0035】
また、平面区画5aまたは5bの側面長さは、第1クロム膜2の部分区画2a・2bの長さ、および、平面区画5aまたは5bの各側面が隣り合う第2クロム膜3の長さに相当する。
【0036】
また、平面区画5a・5bは、異なる位相を有している。各位相を有する平面区画5a・5bは、好ましくは、その領域で土台4を形成しているガラス板が適度な深さにエッチングされることによって製造される。
【0037】
また、互いに向きあう2つの平面区画5a・5bのそれぞれが180°±△αの位相のずれを有するように、平面区画5a・5bの位相を選択する。この角度のずれ△αは、最大でおよそ△α=25°である。図に示した実施形態の場合、△α=0°である。
【0038】
図1に示した実施形態の場合、平面区画5aの2つは、180°の位相をそれぞれ有している。つまり、レーザー光線が通過するとき、レーザー光線は180°の位相差を受けることになる。
【0039】
これに対して、他の2つの平面区画5bは、土台4の位相と同一の、0°の位相をそれぞれ有している。
【0040】
図1から明らかなように、下方の2つの平面区画5a・5bは、クロム層とそれぞれ境を接していて、2つの側面をそれぞれ有する。しかし、上方の2つの平面区画5a・5bは、それらの間にクロム層が配置されておらず、互いに向き合っていて、1つの側面をそれぞれ有する。
【0041】
本発明により、この2つの平面区画5a・5bの間には、透過平面区画6が備えられている。この平面境界区画6は長方形の断面を有し、直線に沿って延びている。なお、この直線に沿って、第2クロム膜3も延びている。平面境界区画6の幅は、第2クロム膜3の幅にも相当する。平面境界区画6の長さは、隣り合う平面区画5a・5bの側面長さに相当する。
【0042】
平面境界区画6の位相差は、隣り合う平面区画5a・5bの位相の間にある。平面境界区画6の位相は、好ましくは、隣り合う平面区画5a・5bの位相の算術平均値に相当する。
【0043】
本実施形態では、平面区画5a・5bの位相は、それぞれ、0°または180°なので、平面境界区画6の位相は、90°である。あるいはそれに替わるものとして、位相を90°+n・180°(nは正の整数)とすることもできる。
【0044】
交互性の位相マスク1が、このように形成されている構造を構成する。この場合、不透過なクロム層によって分離され、それぞれが近接した透過平面区画5a・5bが、180°の位相のずれを有する。
【0045】
この平面境界区画6によって、平面区画5a・5bが、第2クロム膜3の差し込み部と向かい合う第1クロム膜2の長辺側に対して、互いに向かい合う(互いに隣り合ってるのではなく)ことが、回避される。だから、平面境界区画6を間に配置することによって、逐次起こる180°の相変化(Phasensprung)が回避され、平面境界区画6の境界線に、それぞれ90°の相変化のみが発生する。このようにして、この平面区画5a・5b間の境界で起こる干渉効果によってレーザー光線が消されてしまうことが、回避されるのである。これにより、この領域でも、各レジスト構造が露光される。
【0046】
図2は、図1による交互性位相マスク1によって得られる、レジスト層の放射パターンを示した概略図である。明るい領域は、露光部分を示している。暗い領域は、非露光部分を示している。図2から、本発明による位相マスク1を用いて、コントラストが非常に高い転写を行いうるということが、明らかである。クロム区画のT型構造は、非露光域として、露光周辺域から明らかにくっきりと際立つ(abheben)。とくに、平面境界区画6の領域においても、レジスト層の露光は非常に強い。
【0047】
T型構造の上部エッジの中心領域にのみ、非露光領域の小さな舌型隆起(Auswoelbung)7が広がっている。この位置で非露光域が拡大するかどうかは、第2クロム膜3の端に接する第1クロム膜2の断面が拡大するか次第である。
【0048】
図3は、本発明の第2実施形態における位相マスク1を示している。この位相マスク1の構造は、図1の位相マスク1の構造と基本的に一致する。
【0049】
図1の位相マスク1と対比して、図3の位相マスク1は、90°および270°の位相を有する平面区画5a・5bを備えているということである。なおこの位相は、個々のクロム層をはさんで交互に配置されている。平面境界区画6は、90°および270°の位相を有する平面区画5a・5b間に位置し、土台4と同じ0°の位相を有している。
【0050】
図1の位相マスクとのさらなる違いは、図3の位相マスク1では、第1クロム膜2が、そのT型構造の上部エッジとして形成されている長辺側に、窪み(Einbuchtung)8を備えているということである。この窪み8は、第1クロム膜2の長辺側で、第2クロム膜3の端に対して向きあって配置されている。なお、窪み8の幅は、第2クロム膜3の幅と同じである。
【0051】
図4は、図3の交互性位相マスク1によって得られる、レジスト層の露光パターンを示した概略図である。この露光パターンは、図2の露光パターンとほぼ一致する。
【0052】
上記露光パターンの唯一の違いは、不透過区画のT型構造によって生成された非露光域の上面に位置する図1による位相マスク1の第1クロム膜2にある窪み8によって、今や、舌型隆起7が存在しないということにある。
【0053】
本実施形態では、平面境界区画6は、均一の位相を有する透過域からなる。原則的に、平面境界区画6を、異なる位相を有するいくつかの域に分割することもできる。また、この位相が連続的に変化できるという特殊な事例もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による第1実施形態における位相マスクの断面を示す図である。
【図2】 図1の位相マスクを含む、レジスト層上の露光構造を示す図である。
【図3】 本発明による第2実施形態における位相マスクの断面を示す図である。
【図4】 図3の位相マスクを含む、レジスト層上の露光構造を示す図である。
Claims (14)
- 互いに位相がずれた透過平面区画(5a、5b)から構成されるT型構造、および隣り合う平面区画(5a、5b)の位相間の位相を示す平面境界区画(6)を含み、フォトリソグラフィー法によって感光層を露光するための、交互性位相マスクにおいて、
上記位相マスクが、少なくとも2つの不透過区画(2、3)を備え、不透過区画(2)の長辺側に第2不透過区画(3)が差し込まれていて、上記第1不透過区画(2)は、差し込み部から2つの不透過部分区画(2a,2b)に分割されていて、
上記部分区画(2a、2b)および第2不透過区画(3)の両側に、その全長に沿って、180°±△α(△αは最大25°)の位相のずれを有する2つの透過平面区画(5a、5b)がそれぞれ配置されており、
上記差し込み部と向かい合う第1区画(2)の長辺側で、180°±△αの位相のずれを有し、向かい合って配置される上記透過平面区画(5a、5b)が、少なくとも1つの透過平面境界区画(6)によって分離されていて、
上記平面境界区画(6)が、長手に伸びた長方形の形をしており、上記平面境界区画(6)の幅が、第2不透過区画(3)の幅に相当することを特徴とする交互性位相マスク。 - 上記第1および第2不透過区画(2、3)は集まってT型構造を形成することを特徴とする、請求項1に記載の交互性位相マスク。
- 上記第1不透過区画(2)が、第2不透過区画(3)の上記差し込み部と向かい合う側面に、上記差し込み部の長さに沿って広がる窪み(8)を有することを特徴とする、請求項2に記載の交互性位相マスク。
- 上記第1および上記第2不透過区画が、クロム膜(2、3)として形成されていることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- △α=0°であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記平面境界区画(6)が、隣り合う平面区画(5a、5b)の境界平面に対して横に、位相が異なる部分区画に分割されることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記平面境界区画(6)が、均一の位相を有することを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記透過平面区画(5a、5b)が、長方形の断面を有することを特徴とする、請求項2から7のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記透過平面区画(5a、5b)の長さおよび幅が、隣り合う区画または部分区画(2a、2b)の長さであることを特徴とする、請求項8に記載の交互性位相マスク。
- 上記透過平面区画(5a、5b)が、0°または180°の位相を有することを特徴とする、請求項5から9のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記平面境界区画(6)が、90°の位相を有することを特徴とする、請求項10に記載の交互性位相マスク。
- 上記透過平面区画(5a、5b)が、90°または270°の位相を有することを特徴 とする、請求項5から11のいずれかに記載の交互性位相マスク。
- 上記平面境界区画(6)が、0°の位相を有することを特徴とする、請求項12に記載の交互性位相マスク。
- 上記平面境界区画(6)の長さが、隣り合う透過平面区画(5a、5b)の長さに相当することを特徴とする、請求項1に記載の交互性位相マスク。
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