JP2003521726A - 交互性位相マスク - Google Patents
交互性位相マスクInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
るために、とくに集積回路の配線を行うための導線路(Leitbahn)を製造するた
めに用いられる。
、集積回路に含まれている基板上に接しているか、または、基板上の金属層の内
部(Zwischenlagerung)に位置している。このような基板は、通常、シリコン層
からなり、それに対して絶縁層は酸化物層から、好ましくはシリコン酸化物から
なる。
ンタクトホールが組み込まれる。また、このために、エッチング工程、とくにプ
ラズマエッチング工程を用いることが好ましい。
コンタクトホールに適したホールパターン(Lochmuster)を有するレジストマス
クが、絶縁層上に塗布される。コンタクトホールおよび/または溝を、絶縁層の
複数領域に組み込むために、通常、多段式工程においてもまた、複数のレジスト
マスクが連続して塗布される。
ホールが所定の深さにエッチングされる。その後、レジストマスクが絶縁層から
取り除かれる。続いて、導線路を製造するために、金属が溝および/またはコン
タクトホールとなって析出される。
上で製造される。まず第1に、絶縁層上に、放射感度の高いレジスト層が塗布さ
れる。原型またはそのようなものを備えることによって、このレジスト層は、放
射(Strahlung)、とくに光線を、所定の場所に照射される(beaufschlagen)。
その後、適切な現像液(Entwickler)の中で、単にレジスト層の露光域か、ある
いは非露光域が取り除かれる。前者はいわゆるポジ型レジスト、後者はネガ型レ
ジストである。このようにして生成されたホールパターンを有するレジスト層は
、後続のエッチング工程用のレジストマスクを形成する。
したがって、レジスト層の表面にできるだけ正確に照射(abbilden)されること
になっている。また、この場合、フォトレジスト膜における露光域および非露光
域から急転移を達成するのと同じく、可能な限り優れた分解能が求められる。
置する像(Bildebene)に放射を集束するように、露光される。この像では、塗
布されたレジスト層を上に備える個々の基板は、放射光源から放射されたビーム
のビーム光路(Strahlengang)において、ステッパを用いて位置が決まる(post
ionieren)。
特定の露光パターンを設定できる。マスクは、通常、2成分からなるマスクとし
て、たとえばクロムマスクの形態で形成されている。このようなクロムマスクは
、好ましくはグラス層によって形成されている透過領域と、クロム層によって形
成されている非透過層との交互性構造を備えている。
ムマスクの代わりに、位相マスクを用いる。
。このようなハーフトーン位相マスクの場合、不透過層は、典型的には透過率(
Transmission)6%の部分透過層によって置き換えられる。この層の厚みは、通
過する放射が180°の位相差(Phasenhub)を受けるように、形成されている
。
性位相マスクは、クロム層によって分離されて互いに180°の位相のずれを有
し、隣り合う各透過領域を、備えている。すなわち、透過領域を通過する放射は
、隣り合う透過領域を通る放射に対して180°の位相のずれがある。
行に延びて配置されているとき、このような交互性の位相マスクを用いて、とく
に、正確でコントラストの明確な光学転写(optische Abbildung)を維持できる
。透過領域は、クロム膜間に延びて0°と180°との交互性位相を有する膜を
、同様に形成する。
を有する位相マスクを形成することが、問題である。特に、2つの各クロム膜に
よって、1つのT型構造が形成される。このようなT字型構造では、第2クロム
膜が、第1クロム膜の長辺側に差し込まれている(ausmuenden)ので、第1クロ
ム膜は2つの部分区画(Teilsegmente)に分割される。クロム膜を取り囲む透過
領域は、とくに長方形の平面区画(Flaechensegmente)として形成できる。その
ために、平面区画の縦横の長さは、境を接する不透過区画またはその部分の長さ
である。また、1つの不透過区画に対して向き合うそれぞれ2つの平面区画が、
180°ずれた位相を有するように、この透過平面区画を配置することが好まし
い。しかし、常に、180°ずれた位相を有し、互いに直接境を接する2つの平
面区画が残る。この平面区画の境界線で、位相マスクを通過する光線は、干渉効
果(Interferenzeffekte)によって消されてしまうので、それによって、レジス
ト層上の適切な位置で、非露光域が維持されることになる。
から露光されることになる。これによって、処理速度が予想以上に遅くなり(Be
arbeitungsschritt)、それに伴って時間およびコストがかかりすぎる結果とな
る。
位相マスクが、知られている。異なる位相を有する2つの平面区画の境界線に沿
って、周期的なサブ波長構造(Sub-Wellenlaengen-Struktur)が備えられている
。このサブ波長構造は、境を接する2つの平面区画と同じ物質でできた、交互性
の薄膜からなる。平面区画から別の平面区画へと転移するとき、屈折率は、この
サブ波長構造によって、ほぼ連続的に変化する。このようにして、平面区画間の
境界線を通る光線が干渉によって消されてしまうということが、回避される。
平面区画を備える位相マスクが、知られている。異なる位相を有する2つの平面
区画間の境界線を通る光線は、干渉効果によって消されてしまう。平面区画およ
びそれから生じる境界線構造が適切な構造をしていることによって、非露光線の
統一されている網(geschlossenes Netzwerk)が維持される。第2方法措置(Ve
rfahrensschritt)では、第2マスクを用いて、非露光線が部分的に後から露光
される(Nachbelichtung)。
写可能であるように、初めに述べたような方法を用いた交互性位相マスクを形成
することである。
施形態および実用的な新形態については、従属請求項に記述している。
。また、第1区画は、第2区画の長辺側(Laengsseite)に差し込まれていて(a
usmuenden)、第1区画は、差し込み部から、2つの部分区画に分割されている
。
は最大25°)の位相のずれを有する2つの透過平面区画が、それぞれ配置され
ている。
有し、互いに向かい合って配置される平面区画は、少なくとも1つの透過平面境
界区画(transparentes Flaechengrenzsegment)によって分離されている。この
透過平面境界区画の位相は、隣り合う平面区画の位相間にある。この平面境界区
画の位相は、隣り合う平面区画の位相の算術平均値に相当することが好ましい。
このように形成されている平面境界区画によって、隣り合う平面区画間の境界領
域を通る放射の負干渉(negative Interferenz)が、回避される。したがって、
この境界領域では、放射は消されないので、これにより、レジスト層の適切な領
域が露光されるのである。
できるので、レジストマスクを所望の構造に製造するためのまた別の露光工程は
、必要なくなる。
クに組み込むことができる。
広いパラメータ領域でコントラストの大きい転写が行われることが、有効である
。特に、位相マスクを通る放射が集束しないときも、コントラストの大きいもう
1つの転写が行われるのである。
おける位相マスクの断面を示す図である。図2は、図1の位相マスクを含む、レ
ジスト層上の露光構造を示す図である。図3は、本発明による第2実施形態にお
ける位相マスクの断面を示す図である。図4は、図3の位相マスクを含む、レジ
スト層上の露光構造を示す図である。
光層を露光するための、第1実施形態における位相マスク1の断面を示している
。
。この絶縁層は、集積回路を含む基板上に直接位置し、または、その金属層の内
部に位置している(unter Zwischenlagerung)。基板はシリコンからなることが
好ましい。また、絶縁層は、シリコン酸化物からなることが好ましい。この絶縁
層には、導線路が組み込まれている。導線路を所定のパターンにしたがって製造
するために、溝およびコンタクトホールがエッチングされ、続いて、そこに金属
が析出される。
ズマエッチング工程によって、絶縁層に組み込まれる。このために、絶縁層上に
位置するレジスト層から、しかるべきホールパターンである溝およびコンタクト
ホールを備えた少なくとも1つのレジストマスクが、製造される。この溝および
コンタクトホールは、レジストマスクのホールを介してエッチングされることに
よって、組み込まれるのである。
れる。このために、レジスト層は所定の層に対して露光され、その後成長する。
この成長段階で、レジスト層がポジ型レジストかネガ型レジストかによって、レ
ジスト層の露光領域または非露光領域が除去される。 この露光工程を実施するために、放射を発する放射光源が備えられている。この
放射は、レンズによってレジスト層に集束される。その際、レンズの焦点位置が
放射の光路上になるよう、ステッパを用いてそれぞれの層を露光する。レンズの
前には、位相マスク1が備えられている。
トなレーザー光線を放射する放射光源が設定される。
、その断面には、2つの不透過区画が備えられている。この不透過区画は、クロ
ム膜2、3として構成されている。このクロム膜2、3は、透過性の土台(Unte
rgrund)4(たとえばガラス盤から形成されている)上に塗布されている薄膜か
ら形成されている。このクロム膜2、3の断面は、長手の伸びた長方形の形をし
ている。
ので、2つのクロム膜2・3は、T字型構造になっている。また、第2クロム膜
3の差し込み部(Ausmuendung)によって、第1クロム膜2は、2つの部分区画
2a・2bに分割される。T型構造の大きさGは、およそG=0.3・λ/NA
である。また、λは、露光の際に用いられるレーザー光線の波長であり、NAは
、光学転写システムのアパーチャ数である。
する、全部で4つの透過平面区画5a・5bである。また、平面区画5a・5b
は、第1クロム膜2の部分区画2a・2bと、または、第2クロム膜3と、互い
に向きあって隣り合うように配置されている。
・2bの長さ、および、平面区画5aまたは5bの各側面が隣り合う第2クロム
膜3の長さに相当する。
区画5a・5bは、好ましくは、その領域で土台4を形成しているガラス板が適
度な深さにエッチングされることによって製造される。
の位相のずれを有するように、平面区画5a・5bの位相を選択する。この角度
のずれ△αは、最大でおよそ△α=25°である。図に示した実施形態の場合、
△α=0°である。
ぞれ有している。つまり、レーザー光線が通過するとき、レーザー光線は180
°の位相差を受けることになる。
相をそれぞれ有している。
れぞれ境を接していて、2つの側面をそれぞれ有する。しかし、上方の2つの平
面区画5a・5bは、それらの間にクロム層が配置されておらず、互いに向き合
っていて、1つの側面をそれぞれ有する。
えられている。この平面境界区画6は長方形の断面を有し、直線に沿って延びて
いる。なお、この直線に沿って、第2クロム膜3も延びている。平面境界区画6
の幅は、第2クロム膜3の幅にも相当する。平面境界区画6の長さは、隣り合う
平面区画5a・5bの側面長さに相当する。
平面境界区画6の位相は、好ましくは、隣り合う平面区画5a・5bの位相の算
術平均値に相当する。
°なので、平面境界区画6の位相は、90°である。あるいはそれに替わるもの
として、位相を90°+n・180°(nは正の整数)とすることもできる。
合、不透過なクロム層によって分離され、それぞれが近接した透過平面区画5a
・5bが、180°の位相のずれを有する。
込み部と向かい合う第1クロム膜2の長辺側に対して、互いに向かい合う(互い
に隣り合ってるのではなく)ことが、回避される。だから、平面境界区画6を間
に配置することによって、逐次起こる180°の相変化(Phasensprung)が回避
され、平面境界区画6の境界線に、それぞれ90°の相変化のみが発生する。こ
のようにして、この平面区画5a・5b間の境界で起こる干渉効果によってレー
ザー光線が消されてしまうことが、回避されるのである。これにより、この領域
でも、各レジスト構造が露光される。
パターンを示した概略図である。明るい領域は、露光部分を示している。暗い領
域は、非露光部分を示している。図2から、本発明による位相マスク1を用いて
、コントラストが非常に高い転写を行いうるということが、明らかである。クロ
ム区画のT型構造は、非露光域として、露光周辺域から明らかにくっきりと際立
つ(abheben)。とくに、平面境界区画6の領域においても、レジスト層の露光
は非常に強い。
oelbung)7が広がっている。この位置で非露光域が拡大するかどうかは、第2
クロム膜3の端に接する第1クロム膜2の断面が拡大するか次第である。
マスク1の構造は、図1の位相マスク1の構造と基本的に一致する。
°の位相を有する平面区画5a・5bを備えているということである。なおこの
位相は、個々のクロム層をはさんで交互に配置されている。平面境界区画6は、
90°および270°の位相を有する平面区画5a・5b間に位置し、土台4と
同じ0°の位相を有している。
膜2が、そのT型構造の上部エッジとして形成されている長辺側に、窪み(Einb
uchtung)8を備えているということである。この窪み8は、第1クロム膜2の
長辺側で、第2クロム膜3の端に対して向きあって配置されている。なお、窪み
8の幅は、第2クロム膜3の幅と同じである。
ーンを示した概略図である。この露光パターンは、図2の露光パターンとほぼ一
致する。
非露光域の上面に位置する図1による位相マスク1の第1クロム膜2にある窪み
8によって、今や、舌型隆起7が存在しないということにある。
則的に、平面境界区画6を、異なる位相を有するいくつかの域に分割することも
できる。また、この位相が連続的に変化できるという特殊な事例もある。
Claims (18)
- 【請求項1】 互いに位相がずれた透過平面区画(5a、5b)から構成されるT型構造、お
よび隣り合う平面区画(5a、5b)の位相間の位相を示す平面境界区画(6)
を含み、フォトリソグラフィー法によって感光層を露光するための、交互性位相
マスクにおいて、 上記位相マスクが、少なくとも2つの不透過区画(2、3)を備え、不透過区
画(2)の長辺側に第2不透過区画(3)が差し込まれていて、上記第1不透過
区画(2)は、差し込み部から2つの不透過部分区画(2a,2b)に分割され
ていて、 上記部分区画(2a、2b)および第2不透過区画(3)の両側に、その全長
に沿って、180°±△α(△αは最大25°)の位相のずれを有する2つの透
過平面区画(5a、5b)がそれぞれ配置されており、 上記差し込み部と向かい合う第1区画(2)の長辺側で、180°±△αの位
相のずれを有し、向かい合って配置される上記透過平面区画(5a、5b)が、
少なくとも1つの透過平面境界区画(6)によって分離されていることを特徴と
する、交互性位相マスク。 - 【請求項2】 上記不透過区画(2、3)が、T型構造を形成するために、互いに補完しあう
ことを特徴とする、請求項1に記載の交互性位相マスク。 - 【請求項3】 上記T型構造の大きさGが、およそG=0.3・λ/NAであり、前記λが、
露光の際に用いられる放射の波長であり、前記NAが、露光に用いられる転写シ
ステムのアパーチャの数であることを特徴とする、請求項2に記載の交互性位相
マスク。 - 【請求項4】 上記不透過区画(2、3)が、おもに、長手に伸びた長方形の形をしているこ
とを特徴とする、請求項3に記載の交互性位相マスク。 - 【請求項5】 上記第1不透過区画(2)が、第2不透過区画(3)の上記差し込み部と向か
い合う側面に、上記差し込み部の長さに沿って広がる窪み(8)を有することを
特徴とする、請求項2から4のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項6】 上記第1および上記第2不透過区画が、クロム膜(2、3)として形成されて
いることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項7】 △α=0°であることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の交互
性位相マスク。 - 【請求項8】 上記平面境界区画(6)が、隣り合う平面区画(5a、5b)の境界平面に対
して横に、位相が異なる部分区画(2a、2b)に分割されることを特徴とする
、請求項1から7のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項9】 上記平面境界区画(6)が、均一の位相を有することを特徴とする、請求項1
から7のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項10】 上記透過平面区画(5a、5b)が、長方形の断面を有することを特徴とする
、請求項2から9のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項11】 上記透過平面区画(5a、5b)の長さおよび幅が、隣り合う区画または部分
区画(2a、2b)の長さであることを特徴とする、請求項10に記載の交互性
位相マスク。 - 【請求項12】 上記透過平面区画(5a、5b)が、0°または180°の位相を有すること
を特徴とする、請求項7から11のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項13】 上記平面境界区画(6)が、90°の位相を有することを特徴とする、請求項
12に記載の交互性位相マスク。 - 【請求項14】 上記平面境界区画(6)が、90°または270°の位相を有することを特徴
とする、請求項7から13のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項15】 上記平面境界区画(6)が、0°の位相を有することを特徴とする、請求項1
4に記載の交互性位相マスク。 - 【請求項16】 上記平面境界区画(6)が、長手に伸びた長方形の形をしていることを特徴と
する、請求項8から15のいずれかに記載の交互性位相マスク。 - 【請求項17】 上記平面境界区画(6)の幅が、第2不透過区画(3)の幅に相当することを
特徴とする、請求項16に記載の交互性位相マスク。 - 【請求項18】 上記平面境界区画(6)の長さが、隣り合う透過平面区画(5a、5b)の長
さに相当することを特徴とする、請求項16または17に記載の交互性位相マス
ク。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006178391A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Hynix Semiconductor Inc | 多重透過位相マスク及びこれを用いた露光方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7083879B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-08-01 | Synopsys, Inc. | Phase conflict resolution for photolithographic masks |
US20020192676A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-19 | Madonna Angelo J. | Method for determining if a type of bacteria is present in a mixture |
DE10129202C1 (de) | 2001-06-18 | 2002-09-26 | Infineon Technologies Ag | Alternierende Phasenmaske |
US20030151118A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
US6821348B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
US8216780B2 (en) * | 2002-04-12 | 2012-07-10 | Microphage (Tm) Incorporated | Method for enhanced sensitivity in bacteriophage-based diagnostic assays |
US20050003346A1 (en) * | 2002-04-12 | 2005-01-06 | Colorado School Of Mines | Apparatus and method for detecting microscopic living organisms using bacteriophage |
ES2346424T3 (es) * | 2002-04-12 | 2010-10-15 | Colorado School Of Mines | Procedimiento de deteccion de bajas concentraciones de una bacteria diana que utiliza fagos para infectar celulas bacterianas diana. |
US20110097702A1 (en) * | 2005-03-31 | 2011-04-28 | Voorhees Kent J | Methods and compositions for in situ detection of microorganisms on a surface |
US8092990B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-01-10 | Colorado School Of Mines | Apparatus and method for detecting microscopic organisms using bacteriophage |
KR100809331B1 (ko) | 2006-08-29 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 그 제조 방법 |
US7773307B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-08-10 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corporation | Phase mask with continuous azimuthal variation for a coronagraph imaging system |
CA2690809A1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-24 | Microphage Incorporated | Method of detection of microorganisms with enhanced bacteriophage amplification |
US8697434B2 (en) * | 2008-01-11 | 2014-04-15 | Colorado School Of Mines | Detection of phage amplification by SERS nanoparticles |
US9441204B2 (en) * | 2008-04-03 | 2016-09-13 | Colorado School Of Mines | Compositions and methods for detecting Yersinia pestis bacteria |
US9455202B2 (en) * | 2014-05-29 | 2016-09-27 | United Microelectronics Corp. | Mask set and method for fabricating semiconductor device by using the same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0395425B1 (en) * | 1989-04-28 | 1996-10-16 | Fujitsu Limited | Mask, mask producing method and pattern forming method using mask |
US5229255A (en) * | 1991-03-22 | 1993-07-20 | At&T Bell Laboratories | Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay |
US5472814A (en) | 1994-11-17 | 1995-12-05 | International Business Machines Corporation | Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement |
US5523186A (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Split and cover technique for phase shifting photolithography |
US5595843A (en) | 1995-03-30 | 1997-01-21 | Intel Corporation | Layout methodology, mask set, and patterning method for phase-shifting lithography |
US5942355A (en) | 1996-09-04 | 1999-08-24 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask |
US6228539B1 (en) * | 1996-09-18 | 2001-05-08 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus |
US5923566A (en) * | 1997-03-25 | 1999-07-13 | International Business Machines Corporation | Phase shifted design verification routine |
US5840447A (en) | 1997-08-29 | 1998-11-24 | International Business Machines Corporation | Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures |
-
1999
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2000
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