JP2006178391A - 多重透過位相マスク及びこれを用いた露光方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置に使用されるマスクにおいて、透明基板10と、該透明基板10の上部に形成されており、光透過領域Aと光遮断領域Bとを定義する光遮断膜12と、前記光透過領域Aの所定領域に形成され、光の位相を反転させて透過させる位相反転領域14と、を備えてなることを特徴とする多重透過位相マスク及びこれを用いた露光方法を提供する。
【選択図】図4
Description
Claims (20)
- 露光装置に使用されるマスクにおいて、
透明基板と、
前記透明基板の上部に形成されており、光透過領域と光遮断領域とを定義する光遮断膜と、
前記光透過領域の所定領域に形成され、露光光の位相を反転させて透過させる位相反転領域と、
を備えてなることを特徴とする多重透過位相マスク。 - 前記位相反転領域は、前記透明基板を所定の深さにエッチングして形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記位相反転領域は、前記光透過領域に対して180゜の位相差を有することを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記位相反転領域は、前記光遮断膜により定義される光透過領域の行方向に形成されることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記位相反転領域は、前記光遮断膜により定義される光透過領域の列方向に形成されることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記露光光は、KrFレーザー、ArFレーザー及びF2レーザーのいずれかにより生成されることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記光遮断膜は、クロム(Cr)膜及び光の一部だけを透過させて位相を反転させるハーフトーン(half tone)膜のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記光遮断膜は、クロム(Cr)膜及び光の一部だけを透過させて位相を反転させるハーフトーン(half tone)膜を選択的に組み合わせたものであることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 前記光透過領域と接しない所定部分に追加された位相反転領域をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の多重透過位相マスク。
- 露光装置に使用される多重透過位相マスクを用いた露光方法において、
透明基板と、該透明基板の上部で光透過領域と光遮断領域とを定義する光遮断膜と、前記光透過領域の所定領域に形成され、露光光の位相を反転させて透過させる位相反転領域とを備える多重透過位相マスクを使用し、
少なくとも2つ以上のポール(pole)を有し、各ポールは既に設定されたオープン角度を有する変形照明系を通じて、前記多重透過位相マスクに露光光を照射してウェハ上に半導体素子のパターンを露光することを特徴とする多重透過位相マスクを用いた露光方法。 - 前記位相反転領域は、前記透明基板を所定の深さにエッチングして形成されたものであることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記位相反転領域は、前記光透過領域に対して180゜の位相差を有することを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記位相反転領域は、前記光遮断膜により定義される光透過領域の行方向に形成されることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記位相反転領域は、前記光遮断膜により定義される光透過領域の列方向に形成されることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記露光光は、KrFレーザー、ArFレーザー及びF2レーザーのいずれかにより生成されることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記光遮断膜は、クロム(Cr)膜及び光の一部だけを透過させて位相を反転させるハーフトーン(half tone)膜のいずれかであることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記光遮断膜は、クロム(Cr)膜及び光の一部だけを透過させて位相を反転させるハーフトーン(half tone)膜を選択的に組み合わせたものであることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記光透過領域と接しない所定部分に追加される位相反転領域をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記露光方法は、イマージョン(immersion)タイプの露光方法にも適用されることを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
- 前記変形照明系は、ヘキサポールを有することを特徴とする請求項10に記載の多重透過位相マスクを用いた露光方法。
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---|---|---|---|---|
KR100915067B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성방법 |
CN102193307B (zh) * | 2010-03-15 | 2013-07-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于增强待量测图案的可辨认度的方法 |
NL2021258B1 (en) * | 2018-06-14 | 2019-12-20 | Illumina Inc | Device for luminescent imaging |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0611826A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JPH06266096A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-09-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフト・マスク |
JPH07134391A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-05-23 | Sony Corp | ハーフトーン方式位相シフトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
JPH09101616A (ja) * | 1989-04-28 | 1997-04-15 | Fujitsu Ltd | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 |
JPH1069060A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-03-10 | Lg Semicon Co Ltd | 位相反転マスク及びその製造方法 |
JPH1172904A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-03-16 | Matsushita Electron Corp | 位相シフトマスクおよびこのマスクを用いた電子装置の製造方法 |
JP2001068398A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法 |
JP2002357890A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 透過量調節マスクおよびその製造方法 |
JP2003521726A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-07-15 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 交互性位相マスク |
JP2003330159A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-19 | Nec Electronics Corp | 透過型位相シフトマスク及び該透過型位相シフトマスクを用いたパターン形成方法 |
JP2004029746A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、その作成方法、及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法 |
JP2004502971A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | ニューメリカル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 複合パターンのための位相シフトマスキング |
JP2004272228A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-30 | Canon Inc | マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120474B2 (ja) * | 1991-06-10 | 2000-12-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US5466904A (en) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system |
JPH08146590A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
KR100219548B1 (ko) * | 1996-08-19 | 1999-09-01 | 윤종용 | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
KR100243713B1 (ko) * | 1996-09-02 | 2000-02-01 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 위상쉬프트 마스크 및 그 제조방법 |
KR19980050140A (ko) * | 1996-12-20 | 1998-09-15 | 김영환 | 위상반전마스크와 비대칭 변형조명을 결합한 결상방법 |
TW353157B (en) * | 1998-06-25 | 1999-02-21 | United Microelectronics Corp | Double faced mask |
JP2001042545A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6777141B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
US7092073B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Method of illuminating a photomask using chevron illumination |
KR100468740B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 변형 조명을 제공하는 위상 격자 패턴 설계 방법 및 이를이용한 포토 마스크 제조 방법 |
EP1450206B1 (en) * | 2003-02-21 | 2016-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask and its manufacturing method, exposure, and semiconductor device fabrication method |
US7135257B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Multi-step phase shift mask and methods for fabrication thereof |
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2004
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09101616A (ja) * | 1989-04-28 | 1997-04-15 | Fujitsu Ltd | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 |
JPH0611826A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JPH06266096A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-09-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフト・マスク |
JPH07134391A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-05-23 | Sony Corp | ハーフトーン方式位相シフトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
JPH1069060A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-03-10 | Lg Semicon Co Ltd | 位相反転マスク及びその製造方法 |
JPH1172904A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-03-16 | Matsushita Electron Corp | 位相シフトマスクおよびこのマスクを用いた電子装置の製造方法 |
JP2001068398A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法 |
JP2003521726A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-07-15 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 交互性位相マスク |
JP2004502971A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | ニューメリカル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 複合パターンのための位相シフトマスキング |
JP2002357890A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 透過量調節マスクおよびその製造方法 |
JP2004029746A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、その作成方法、及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法 |
JP2003330159A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-19 | Nec Electronics Corp | 透過型位相シフトマスク及び該透過型位相シフトマスクを用いたパターン形成方法 |
JP2004272228A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-30 | Canon Inc | マスク及びその製造方法、露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
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