JP2002357890A - 透過量調節マスクおよびその製造方法 - Google Patents

透過量調節マスクおよびその製造方法

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JP2002357890A
JP2002357890A JP2002099987A JP2002099987A JP2002357890A JP 2002357890 A JP2002357890 A JP 2002357890A JP 2002099987 A JP2002099987 A JP 2002099987A JP 2002099987 A JP2002099987 A JP 2002099987A JP 2002357890 A JP2002357890 A JP 2002357890A
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哲 弘 朴
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透過量調節マスクおよびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 露光装置を用いてマスクから半導体基板
上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
めのマスクには複数のフィーチャーとダミーフィーチャ
ー１４が含まれる。フィーチャーはマスク上に集積回路
を形成する回路要素に対応し、所定の最小寸法を有して
少なくとも一つ以上のエッジ１２ａを含む。ダミーフィ
ーチャー１４は複数のフィーチャーの密集エッジでの光
の強さと孤立エッジでの光の強さがほぼ同一になるよう
に、前記孤立エッジから所定距離離れた位置に前記最小
寸法の線幅で前記孤立エッジに並べて配列される。従っ
て、本発明では、孤立エッジの周辺領域に通過される光
量をダミーフィーチャー１４で調節して密集エッジでの
光透過量とマッチさせることにより、半導体基板上に転
写された孤立フィーチャー１２と密集フィーチャー１６
との寸法差異を減少させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過量調節マスク
及びその製造方法に関するものであり、より詳細には、
光学近接効果（ＯＰＥ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍ
ｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ）を補正するために、集積回路の
各回路要素に対応するフィーチャーの孤立エッジ（Ｉｓ
ｏｌａｔｅｄ ｅｄｇｅｓ）周辺にダミーフィーチャー
（ｄｕｍｍｙ ｆｅａｔｕｒｅ）を設けて周辺透過量を
調節するための透過量調節マスク及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップに集積された素子及び連結
線の最小線幅が小さくなるにつれて、紫外線を利用した
伝統的なリソグラフィ技術ではウェーハに形成されるパ
ターンの歪曲現象を避けることが困難になった。
【０００３】すなわち、最近のｉ線やＤＵＶなどを使用
した場合、波長が２４８ｎｍであるものの、逆に、要求
される最小線幅は１９０ｎｍであるために、光の回折干
渉などによるパターンの歪曲現象が半導体製造工程で著
しい制約条件となる。
【０００４】このようなパターンの近接による歪曲現象
は、最小線幅が小さくなるにつれて、さらに顕著に現れ
る。従って、フォトリソグラフィの解像限界で生じるパ
ターンの歪曲現象を補正する技術が必要になる。
【０００５】フォトリソグラフィは、一般的にフォトマ
スクのパターンを光学レンズを通してウェーハに複写す
る方法を使用している。像を投影させる光学系は低帯域
フィルタとして作用するために、ウェーハに結ばれる像
は元来の模様から歪曲された形態となる。
【０００６】この影響は、四角形模様のマスクを使用し
た場合、高い周波数部分、角部分が透過されないので、
円形のパターンを示すということで現れる。マスクパタ
ーンの大きさが大きい場合には、基本空間周波数が低い
ので、比較的多い次数の周波数まで透過可能であって、
元来のパターンと同様な像が結ばれる。しかし、パター
ンのサイズが小さくなるにしたがって、空間周波数が高
くなるので、透過するパターンの個数が減少し、従って
歪曲は次第に著しくなる。
【０００７】現在までのフォトリソグラフィ装置の開発
においては、このような問題を解決してきたが、現在で
はその限界に到達したために、設計次元の更なる飛躍を
必要とする。
【０００８】近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）では、こ
のような歪曲を勘案して予めマスクの模様を変形してお
き、ウェーハに結ばれる最終パターンが所望の模様にな
るようにする。
【０００９】近接効果は、隣接するフィーチャーがパタ
ーン依存的変位を生じるように相互作用するときに発生
する。例えば、同じディメンションを有するように設計
されたが、レイアウト内で他フィーチャーの近接度が異
なるように置かれたラインは、現象された後では相互に
同じディメンションを有しない。従って、稠密に密集さ
れたラインの群は離隔されたラインと比較した時、異な
る転写が行われる傾向がある。ラインの幅が着実に一定
に再現されなかったときには、ＩＣでは重大な問題が発
生する。
【００１０】このような光近接効果による最小寸法（Ｃ
Ｄ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の変動を
減少させる方法としては、大きく二つ、すなわち、露光
装置のパラメーターを最適化させる方法とＯＰＣ（Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏ
ｎ）方法が利用されている。
【００１１】第一に、露光装置のパラメーターを最適化
させる方法は、露光装置のレンズの開口率（ＮＡ：Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）とパーシャル コ
ヒーレンス（Ｐａｒｔｉａｌ ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）を
最適化するものである。Ｃ．Ｈ．Ｐａｒｋ．ｅｌ．ａ
ｌ．などが発表した論文“Ａ ＳＹＳＴＥＭＡＴＩＣＡ
ＰＰＲＯＡＣＨ ＴＯ ＣＯＲＲＥＣＴ ＣＲＩＴＩＣ
ＡＬ ＰＡＴＴＥＲＮＳ ＩＮＤＵＣＥＤ ＢＹ ＬＩ
ＴＨＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＡＴＴＨＥ Ｆ
ＵＬＬ−ＣＨＩＰ ＬＥＶＥＬ、”（ＩＮ ＰＲＯＣ．
ＳＰＩＥ、ＶＯＬ．３６７９、１９９９）では、図１に
示すように、開口率の最適化にＣＤ変動を減少させた技
術を紹介している。
【００１２】すなわち、焦点深度（ＤＯＦ：ＤＥＰＴＨ
ＯＦ ＦＯＣＵＳ）は露光ビームの波長に比例し、開
口率に反比例するので、開口率が大きくなるほど焦点深
度は減少する。
【００１３】第二に、限界解像度以下の補助パターンを
使用したＯＰＣ方式は図２に示したように、パターン長
さが短くなることを防止するためのハンマ−ヘッド（Ｈ
ＡＭＭＥＲ ＨＥＡＤ）方式（図２（ａ）、角効果を補
償するためのセリフ（ＳＥＲＩＦ）方式（図２
（ｂ））、エッジにバイアスパターンを形成したＢＩＡ
Ｓ方式（図２（ｃ））などが紹介されている。図２にお
いて斜線が引かれている領域は、ウェーハ上に転写され
パターンを形成するためのフィーチャーである。
【００１４】米国特許第５，２４２，７７０号には、マ
スクパターン内の孤立されたエッジ強度傾きを調整する
解像不可能である追加ライン又はスキャッタリングバー
（ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｂａｒ ｏｒ ａｓｓｉｓｔ
ｅｄ ｂａｒ ｏｒ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｌｅｖｅｌ
ｉｎｇ ｂａｒ）を含むことにより構成した、改善され
たマスクが開示されている。
【００１５】孤立エッジの傾きは、追加ラインにより稠
密に密集されたエッジ（ｄｅｎｓｅｄ ｅｄｇｅｓ）の
エッジ強度傾きに一致するように調整される。その結
果、孤立されたフィーチャーと稠密に密集されたフィー
チャーとが同様に転写され、近接効果が大きく減少され
る。
【００１６】上述したように、バー形態の補助フィーチ
ャーを使用して近接効果を補正する技術が活発に研究さ
れており、現場でも広く使用されている。
【００１７】このような補助フィーチャー又はパターン
は、マスク検査ときにパターン不良と間違えられ、パタ
ーン欠陥（ＤＥＦＥＣＴ）として検出され、又はマスク
上のパターンが複雑になると、デザイン−ルールにそぐ
わないパターンの発生確率が高まり、デザイン−ルール
チェック（ＤＲＣ：ＤＥＳＩＧＮ ＲＵＬＥ ＣＨＥＣ
ＫＩＮＧ）によるシンギュレリティ（ＳＩＮＧＵＬＡＲ
ＩＴＹ）検査がほとんど不可能になる。
【００１８】他の接近方法としては、位相反転マスク
（ＰＳＭ：Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔＭａｓｋ）を使用す
るものがある。ＰＳＭは光の干渉、又は干渉部分を利用
して所望の大きさのパターンを露光することにより、解
像度や焦点深度を増加させることができる。すなわち、
反復的なパターンの場合に、隣接する左右の開口部から
照射される光の位相を１８０度に反転させると、挿入さ
れた遮光部の光強度がゼロになって、開口部と明確に差
異がでるという、光の強度調節が可能な原理を利用する
ものである。
【００１９】また、他の一つの接近方法は、透過率調節
マスクを使用するものである。透過率調節マスクはマス
クパターンの一部で透過率を調節することにより、忠実
度及び焦点深度を向上させる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マス
ク上に形成された密集フィーチャーと孤立フィーチャー
の各エッジ部に対応するウェーハ上の光の強さが相互に
同一となるようにフィーチャーの周辺領域を通過する光
の量を調節するためのダミーフィーチャーを有した透過
量調節マスク（ＴＡＭ：ＴＲＡＮＳＭＩＴＴＡＮＣＥ
ＡＤＪＵＳＴＭＥＮＴ ＭＡＳＫ）を提供することにあ
る。
【００２１】本発明の他の目的は、透過量調節マスクの
製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明は、露光装置を用いてマスクから半導体基板
上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
めのマスクにおいて、マスク上に、集積回路を形成する
回路要素に対応し、所定の最小寸法を有し、孤立エッジ
と複数の密集エッジを含む複数のフィーチャーと、半導
体基板上で、複数のフィーチャーの複数の密集エッジに
対応する部位の光の強さと複数のフィーチャーの孤立エ
ッジに対応する部位の光の強さがほぼ同一であるよう
に、複数のフィーチャーの孤立エッジから所定距離離れ
た位置に、所定の最小寸法の線幅で前記複数のフィーチ
ャーの孤立エッジに並べて配列された少なくとも一つの
半透明ダミーフィーチャーとを備えることを特徴とす
る。
【００２３】ここで、ダミーフィーチャーは、半透明物
質に形成される。ダミーフィーチャーが半透明物質に形
成され、ウェーハ上にパターンが転写されない程度の透
過率を有する。
【００２４】本発明で孤立エッジとダミーフィーチャー
との間の所定距離は、最小寸法以上であることを特徴と
する。
【００２５】本発明のマスクは、露光装置を用いてマス
クから半導体基板上に集積回路に対応するパターンを光
学的に転写するためのマスクにおいて、マスク上に、集
積回路を形成する回路要素に対応し、所定の最小寸法を
有し、他のエッジと近接する密集エッジと他のエッジと
遠く離れた孤立エッジとを含む複数のエッジを有する複
数のフィーチャーと、孤立エッジ各々に対応して各孤立
エッジから所定距離離れた所定の最小寸法の線幅で孤立
エッジに並べて前記マスク上に位置し、孤立エッジに対
応する半導体基板の部位の光の強さが前記密集エッジに
対応する半導体基板の部位の光の強さとマッチされるよ
うに、孤立エッジ周辺領域の透過量を調節するための複
数のダミーフィーチャーとを備えることを特徴とする。
【００２６】また、本発明は、露光装置を用いてマスク
から半導体基板上に集積回路に対応するパターンを光学
的に転写するためのマスクの製造方法において、マスク
基板上に遮光層を蒸着する段階と、蒸着された遮光層を
パターニングして、集積回路を形成する回路要素に対応
し、所定の最小寸法を有し、他のエッジと近接する密集
エッジと他のエッジと遠く離れた孤立エッジとを含む複
数のエッジを含む複数のフィーチャーを形成する段階
と、複数のフィーチャーが形成されたマスク基板上に半
透明の透過量調節層を蒸着する段階と、蒸着された透過
量調節層をパターニングして、孤立エッジ各々に対応し
て、各孤立エッジから所定距離離れて孤立エッジに並べ
てマスク上に位置し、孤立エッジに対応する半導体基板
部位の光の強さが密集エッジに対応する半導体基板部位
の光の強さとマッチされるように対応する孤立エッジ周
辺の透過量を調節するための複数のダミーフィーチャー
を形成する段階とを備えることを特徴とする。
【００２７】また、本発明は、露光装置を用いてマスク
から半導体基板上に集積回路に対応するパターンを光学
的に転写するためのマスクの製造方法において、マスク
基板上に半透明の透過量調節層を蒸着する段階と、蒸着
された透過量調節層をパターニングして、所定の最小寸
法を有し、他のエッジと近接する密集エッジとまた他の
エッジと遠く離れた孤立エッジとを含む複数のエッジを
含む複数ダミーフィーチャーを形成する段階と、複数の
ダミーフィーチャーが形成されたマスク基板上に遮光層
を蒸着する段階と、蒸着された遮光層をパターニングし
て、集積回路を形成する回路要素に対応し、孤立エッジ
に対応する半導体基板部位の光の強さが前記密集エッジ
に対応する前記半導体基板部位の光の強さとマッチされ
るように、孤立エッジ周辺の透過量を調節するために複
数のダミーフィーチャーの孤立エッジに並べて所定距離
離れて位置し、最小寸法の線幅を有する複数のフィーチ
ャーを形成する段階とを備えることを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２９】図３に示すように、クロムバイナリマスク
（ＣＨＲＯＭＥ ＢＩＮＡＲＹ ＭＡＳＫ）上に形成さ
れたフィーチャーを通じて半導体基板上に転写された光
の強さは周辺フィーチャーの稠密度により影響を受け
る。
【００３０】すなわち、孤立フィーチャーである場合に
は、周辺フィーチャーと大きく離隔されているので周辺
領域の開口面積が広くなり、より多くの光が通過して半
導体基板に到達することになる。従って、孤立フィーチ
ャーのエッジに対応する部位には、周辺領域に到達され
た多くの光が影響を及ぼすので、孤立フィーチャーに対
応する領域での光の強さ（図３のＡ）が大きく現れる。
【００３１】しかし、密集フィーチャーである場合に
は、周辺フィーチャーとの離隔距離が狭く、これにより
光が通過する周辺領域の開口面積が狭くなり、相対的に
孤立フィーチャーに比べて通過する光量が少なくなる。
従って、密集フィーチャーのエッジに対応する部位は、
周辺領域に到達された光の影響を小さく受けるために、
密集フィーチャーに対応する領域での光の強さ（図３の
Ｂ）が相対的に低く現れる。
【００３２】従って、光感応性フォトレジストは光の量
により光に感応される領域が異なるので、このような密
集フィーチャーと孤立フィーチャーに各々対応するフォ
トレジストパターンサイズも異なってくる。すなわち、
エッジでの光量が大きな孤立フィーチャーに対応する孤
立パターンの線幅が相対的に光量が小さい密集フィーチ
ャーに対応する密集パターンの線幅より小さく形成され
るＣＤ変動が発生する。すなわち、半導体基板上で同一
設計寸法のパターンがパターン近接効果により相互に他
の寸法で形成されるという問題が発生する。
【００３３】従って、本発明では、密集フィーチャーや
孤立フィーチャーには無関係に、半導体基板上で各エッ
ジに対応する部位の光の強さが全て同一であるようにフ
ィーチャー周辺領域の光透過量が調節できる。すなわ
ち、密集フィーチャーや孤立エッジの周辺領域を通過す
る光量が相互に一致すると、対応する半導体基板上での
光の強さも全て同一になる。
【００３４】図４及び図５に示すように、本発明ではマ
スク上に形成された密集フィーチャーの最外郭周辺領域
に、相対的に密集度が小さいダミーフィーチャーを形成
し、孤立フィーチャーの周辺領域には相対的に密集度が
大きなダミーフィーチャーを形成することにより、密集
フィーチャーの周辺領域や孤立フィーチャーの周辺領域
に通過する光量を、互いにマッチされるように調節でき
る。
【００３５】図４で、マスク基板１０に形成された孤立
フィーチャー１２の周辺領域に、密集フィーチャーが形
成された領域と同一の開口率が形成されるようにダミー
フィーチャー１４が形成される。ダミーフィーチャー１
４は孤立フィーチャー１２のエッジ１２ａから所定距離
離隔され、孤立フィーチャー１２と並べて形成される。
この時、離隔距離ｄ1は孤立フィーチャーのＣＤより大
きい値を有する。望ましくは、孤立フィーチャーのＣＤ
の１．１倍以上にすれば焦点深度が向上する。ダミーフ
ィーチャー１４の幅と間隔は密集フィーチャーのＣＤと
同一の値を有する。
【００３６】図５で、マスク基板１０に形成された密集
フィーチャー１６の最外郭フィーチャーのエッジ１６ａ
から所定距離離隔され、孤立フィーチャーが形成された
領域と同一の開口率が形成されるようにダミーフィーチ
ャー１８が形成される。ダミーフィーチャー１８は密集
フィーチャー１６のエッジ１６ａから所定距離離隔され
密集フィーチャー１６と並べて形成される。この時、離
隔距離ｄ２は密集フィーチャーのＣＤより大きな値を有
する。望ましくは密集フィーチャーのＣＤの１．１倍以
上にすれば焦点深度が向上する。
【００３７】すなわち、本発明では、図４及び図５に示
すように、孤立フィーチャーと密集フィーチャーの周辺
領域に、密集フィーチャー領域と孤立フィーチャー領域
で開口率がマッチされるようにダミーフィーチャーを形
成することにより、周辺領域を通過する光透過量が同様
であるように調節するものである。
【００３８】本発明のダミーフィーチャーは、限界解像
度以下の線幅を有するＯＰＣ用スキャッタリングバーと
は異なり、限界解像度であるＣＤサイズを有するため
に、半導体基板上に転写されない程度の透過率を有し、
また、周辺領域の光透過率の調節が可能である半透明物
質で形成されなければならない。
【００３９】図６を参照すると、図４及び図５に示した
ように、密集フィーチャーの周辺領域と孤立フィーチャ
ーの周辺領域に各々対応する稠密度を有するダミーフィ
ーチャーを形成することにより、孤立フィーチャーと密
集フィーチャーのエッジに対応する半導体基板上での光
の強さを同一にマッチさせることができる。
【００４０】すなわち、エッジに対応する部位の光の強
さが孤立フィーチャーや密集フィーチャーで互いに同一
にマッチされるように周辺領域にダミーフィーチャーを
形成する。
【００４１】図７乃至図１４に示すように、本発明によ
る透過量調節マスクの製造方法を説明する。
【００４２】図７に示すように、マスク基板１００にク
ロム遮光層１０２及びフォトレジスト層１０４が順次に
積層されたバイナリクロムブランクマスクを用意する。
【００４３】図８に示すように、ブランクマスクのフォ
トレジスト層１０４を露光及び現像してフォトレジスト
パターン１０６を形成する。図９に示すように、フォト
レジストパターン１０６をエッチングマスクに使用し、
クロム遮光層１０２をエッチングしてクロム遮光層１０
２をパターニングし、フォトレジストパターン１０６を
除去すると、マスク基板１００上にクロムにより形成さ
れたフィーチャー１０８が形成される。
【００４４】図１０に示すように、フィーチャーが形成
されたマスク基板１００上に透過量調節層１１０を形成
する。ここで、透過量調節層１１０は一部光を透過させ
る半透明物質により構成される。図１１に示すように、
透過量調節層１１０上にフォトレジスト層１１２を形成
し、図１２に示すように、フォトレジスト層１１２を露
光現像してフォトレジストパターン１１４を形成する。
【００４５】図１３に示すように、形成されたフォトレ
ジストパターン１１４をエッチングマスクに使用して透
過量調節層１１０をパターニングし、フォトレジストパ
ターン１１４を除去すると、図１４に示すように、フィ
ーチャーの周辺領域に透過量調節用ダミーフィーチャー
１１６が形成される。
【００４６】以上、本発明を実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【００４７】
【発明の効果】上述した本発明によれば、マスクは孤立
フィーチャーと密集フィーチャーの周辺領域で透過され
る光量をダミーフィーチャーにより同一にマッチさせる
ことにより、密集フィーチャーでのエッジに対応する光
の強さと孤立フィーチャーでのエッジに対応する光の強
さが同一に制御される。このため、マスク上のパターン
稠密度による近接効果によってウェーハ上に形成される
密集パターンと孤立パターンのＣＤを均一に形成するこ
とができる。
【００４８】また、本発明でダミーフィーチャーのＣＤ
がメインフィーチャーのＣＤと同一であるために、マス
ク設計が簡単であり、マスクパターンのデザイン検査が
容易であるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の開口率の最適化によるＣＤ変動関係を示
すグラフである。
【図２】従来技術における、近接効果補正用バータイプ
補助フィーチャーの生成方法を説明するための図であ
る。
【図３】孤立フィーチャーと密集フィーチャーとの光の
強さを比較したグラフである。
【図４】本発明による密集フィーチャーの周辺領域に設
けられたダミーフィーチャーを示す図である。
【図５】本発明による孤立フィーチャーの周辺領域に設
けられたダミーフィーチャーを示す図である。
【図６】本発明による透過率調節マスクを適用した場合
の孤立フィーチャーと密集フィーチャーの光の強さを比
較したグラフである。
【図７】本発明による透過率調節マスクの望ましい一実
施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図８】本発明による透過率調節マスクの望ましい一実
施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図９】本発明による透過率調節マスクの望ましい一実
施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図１０】本発明による透過率調節マスクの望ましい一
実施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図１１】本発明による透過率調節マスクの望ましい一
実施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図１２】本発明による透過率調節マスクの望ましい一
実施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図１３】本発明による透過率調節マスクの望ましい一
実施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【図１４】本発明による透過率調節マスクの望ましい一
実施形態の製造工程を示す工程順序図である。
【符号の説明】
１０、１００ マスク基板 １２、１６ 孤立フィーチャー １２ａ、１６ａ エッジ １４、１８ ダミーフィーチャー １０２ 遮光層 １０４、１０８ フォトレジスト層 １０６、１１４ フォトレジストパターン １０８ フィーチャー １１０ 透過量調節層 １１６ ダミーフィーチャー

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光装置を用いてマスクから半導体基板
    上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
    めのマスクにおいて、 前記マスク上に、 前記集積回路を形成する回路要素に対応し、所定の最小
    寸法を有し、孤立エッジと複数の密集エッジを含む複数
    のフィーチャーと、 前記半導体基板上で、前記複数のフィーチャーの前記複
    数の密集エッジに対応する部位の光の強さと前記複数の
    フィーチャーの孤立エッジに対応する部位の光の強さが
    ほぼ同一であるように、前記複数のフィーチャーの孤立
    エッジから所定距離離れた位置に前記所定の最小寸法の
    線幅で前記複数のフィーチャーの孤立エッジに並べて配
    列された少なくとも一つの半透明ダミーフィーチャーと
    を備えることを特徴とする透過量調節マスク。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも一つの半透明ダミーフィ
    ーチャーは、半導体基板上にパターンとして転写されな
    い程度の光透過率を有する半透明物質に形成されること
    を特徴とする請求項１に記載の透過量調節マスク。
  3. 【請求項３】 前記複数のフィーチャーの孤立エッジと
    ダミーフィーチャーとの間の所定距離は、前記所定の最
    小寸法以上であることを特徴とする請求項１に記載の透
    過量調節マスク。
  4. 【請求項４】 前記複数のフィーチャーの孤立エッジ
    は、隣接エッジと最小限前記所定の最小寸法の３倍以上
    離隔されることを特徴とする請求項１に記載の透過量調
    節マスク。
  5. 【請求項５】 前記複数のダミーフィーチャーとの間の
    間隔が前記所定の最小寸法である複数の半透明のダミー
    フィーチャーをさらに含むことを特徴とする請求項１に
    記載の透過量調節マスク。
  6. 【請求項６】 露光装置を用いてマスクから半導体基板
    上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
    めのマスクにおいて、 前記マスク上に、 前記集積回路を形成する回路要素に対応し、所定の最小
    寸法を有し、他のエッジと近接する密集エッジと他のエ
    ッジと遠く離れた孤立エッジとを含む複数のエッジを有
    する複数のフィーチャーと、 前記孤立エッジ各々に対応して各孤立エッジから所定距
    離離れた前記所定の最小寸法の線幅で前記孤立エッジに
    並べて前記マスク上に位置し、前記孤立エッジに対応す
    る前記半導体基板の部位の光の強さが前記密集エッジに
    対応する前記半導体基板の部位の光の強さとマッチされ
    るように孤立エッジ周辺領域の透過量を調節するための
    複数のダミーフィーチャーとを備えることを特徴とする
    透過量調節マスク。
  7. 【請求項７】 露光装置を用いてマスクから半導体基板
    上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
    めのマスクの製造方法において、 マスク基板上に遮光層を蒸着する段階と、 前記蒸着された遮光層をパターニングして、前記集積回
    路を形成する回路要素に対応し、所定の最小寸法を有
    し、他のエッジと近接する密集エッジと他のエッジと遠
    く離れた孤立エッジとを含む複数のエッジを有する複数
    のフィーチャーを形成する段階と、 前記複数のフィーチャーが形成された前記マスク基板上
    に半透明の透過率調節層を蒸着する段階と、 前記蒸着
    された透過量調節層をパターニングして、前記孤立エッ
    ジ各々に対応して、各孤立エッジから所定距離離れて前
    記孤立エッジに並べて前記マスク上に位置し、前記孤立
    エッジに対応する前記半導体基板部位の光の強さが前記
    密集エッジに対応する前記半導体基板部位の光の強さと
    マッチされるように対応する孤立エッジ周辺の透過量を
    調節するための複数のダミーフィーチャーを形成する段
    階とを備えることを特徴とする透過量調節マスクの製造
    方法。
  8. 【請求項８】 露光装置を用いてマスクから半導体基板
    上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するた
    めのマスクの製造方法において、 マスク基板上に半透明の透過量調節層を蒸着する段階
    と、 前記蒸着された透過量調節層をパターニングして、所定
    の最小寸法を有し、他のエッジと近接する密集エッジと
    他のエッジと遠く離れた孤立エッジとを含む複数のエッ
    ジを有する複数のダミーフィーチャーを形成する段階
    と、 前記複数のダミーフィーチャーが形成されたマスク基板
    上に遮光層を蒸着する段階と、 前記蒸着された遮光層をパターニングして、前記集積回
    路を形成する回路要素に対応し、前記孤立エッジに対応
    する前記半導体基板部位の光の強さが前記密集エッジに
    対応する前記半導体基板部位の光の強さとマッチされる
    ように、前記孤立エッジ周辺の透過量を調節するために
    複数のダミーフィーチャーの孤立エッジに並べて所定距
    離離れて位置し、前記最小寸法の線幅を有する複数のフ
    ィーチャーを形成する段階とを備えることを特徴とする
    透過量調節マスクの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法よ
    り少なくとも１．１倍以上であることを特徴とする請求
    項１に記載の透過量調節マスク。
  10. 【請求項１０】 前記ダミーフィーチャーは、半導体基
    板上にパターンに転写されない程度の光透過率を有する
    半透明物質に形成されることを特徴とする請求項６に記
    載の透過量調節マスク。
  11. 【請求項１１】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    以上であることを特徴とする請求項６に記載の透過量調
    節マスク。
  12. 【請求項１２】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    より少なくとも１．１倍以上であることを特徴とする請
    求項６に記載の透過量調節マスク。
  13. 【請求項１３】 前記孤立エッジは、隣接エッジと最小
    限前記所定の最小寸法の３倍以上離隔されることを特徴
    とする請求項６に記載の透過量調節マスク。
  14. 【請求項１４】 前記複数のダミーフィーチャー間の間
    隔が前記最小寸法であることを特徴とする請求項６に記
    載の透過量調節マスク。
  15. 【請求項１５】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    以上であることを特徴とする請求項７に記載の透過量調
    節マスクの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    より少なくとも１．１倍以上であることを特徴とする請
    求項７に記載の透過量調節マスクの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記孤立エッジは、隣接エッジと最小
    限前記所定の最小寸法の３倍以上離隔されることを特徴
    とする請求項７に記載の透過量調節マスクの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記複数のダミーフィーチャー間の間
    隔が前記最小寸法であることを特徴とする請求項７に記
    載の透過量調節マスクの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    以上であることを特徴とする請求項８に記載の透過量調
    節マスクの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記所定距離は、前記所定の最小寸法
    より少なくとも１．１倍以上であることを特徴とする請
    求項８に記載の透過量調節マスクの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記孤立エッジは、隣接エッジと最小
    限前記所定の最小寸法の３倍以上離隔されることを特徴
    とする請求項８に記載の透過量調節マスクの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記複数のダミーフィーチャー間の間
    隔が前記最小寸法であることを特徴とする請求項８に記
    載の透過量調節マスクの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043664A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Fujitsu Ltd 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法，光近接補正された露光データの生成装置，及び光近接補正された露光データの露光装置
JP2006178391A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Hynix Semiconductor Inc 多重透過位相マスク及びこれを用いた露光方法
KR20180133319A (ko) * 2017-06-06 2018-12-14 호야 가부시키가이샤 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050095513A1 (en) * 2002-07-31 2005-05-05 Fujitsu Limited Photomask
US20040058550A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Infineon Technologies North America Corp. Dummy patterns for reducing proximity effects and method of using same
JP3703799B2 (ja) * 2002-12-13 2005-10-05 沖電気工業株式会社 残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法
US7811720B2 (en) * 2004-05-10 2010-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Utilizing compensation features in photolithography for semiconductor device fabrication
US7202148B2 (en) * 2004-05-10 2007-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method utilizing compensation features in semiconductor processing
US20050286052A1 (en) * 2004-06-23 2005-12-29 Kevin Huggins Elongated features for improved alignment process integration
KR100653993B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-05 주식회사 하이닉스반도체 다중투과 위상 마스크 및 그 제조 방법
KR20070013735A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 그 형성 방법
US8048589B2 (en) * 2005-07-30 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Phase shift photomask performance assurance method
WO2007034930A1 (ja) * 2005-09-21 2007-03-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 階調をもつフォトマスクおよびその製造方法
KR100689836B1 (ko) * 2005-12-23 2007-03-08 삼성전자주식회사 보조 포토 마스크를 갖는 노광장비 및 이를 이용하는노광방법
KR100746221B1 (ko) 2005-12-23 2007-08-03 삼성전자주식회사 사입사 조명장치, 노광장비 및 사입사 조명방법
US20070148558A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Shahzad Akbar Double metal collimated photo masks, diffraction gratings, optics system, and method related thereto
JP5050365B2 (ja) * 2006-02-23 2012-10-17 富士通セミコンダクター株式会社 フォトマスクの製造方法
WO2008039674A2 (en) * 2006-09-20 2008-04-03 Luminescent Technologies, Inc. Photo-mask and wafer image reconstruction
TWI326391B (en) * 2007-05-03 2010-06-21 Nanya Technology Corp High-transmission attenuating psm
ITGE20080036A1 (it) * 2008-04-30 2009-11-01 Dott Ing Mario Cozzani Srl Metodo per il controllo della posizione di un attuatore elettromeccanico per valvole di compressori alternativi.
US8440371B2 (en) 2011-01-07 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Imaging devices, methods of forming same, and methods of forming semiconductor device structures
CN105223773B (zh) * 2014-05-30 2020-02-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光掩模图案透光强度修正的方法
CN112946995A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版以及半导体结构的形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242770A (en) 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
US5597668A (en) * 1995-07-19 1997-01-28 Vlsi Technology, Inc. Patterned filled photo mask generation for integrated circuit manufacturing
US6258489B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Mask design utilizing dummy features

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043664A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Fujitsu Ltd 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法，光近接補正された露光データの生成装置，及び光近接補正された露光データの露光装置
JP4615156B2 (ja) * 2001-08-02 2011-01-19 富士通セミコンダクター株式会社 光近接補正された露光パターンを利用する露光方法，光近接補正された露光データの生成装置，及び光近接補正された露光データの露光装置
JP2006178391A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Hynix Semiconductor Inc 多重透過位相マスク及びこれを用いた露光方法
KR20180133319A (ko) * 2017-06-06 2018-12-14 호야 가부시키가이샤 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법
JP2018205693A (ja) * 2017-06-06 2018-12-27 Hoya株式会社 フォトマスク、及び、表示装置の製造方法
KR102502725B1 (ko) 2017-06-06 2023-02-23 호야 가부시키가이샤 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법

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