KR20020078882A - 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명은 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서, 복수의 피쳐들과 더미피쳐들을 포함한다. 상기 피쳐들은 상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지고 적어도 하나 이상의 에지들을 포함한다. 상기 더미피쳐들은 복수의 피쳐들의 밀집 에지에서의 광의 세기와 고립 에지에서의 광의 세기가 거의 동일하도록 상기 고립 에지로부터 소정 거리 떨어진 위치에 상기 최소치수의 선폭으로 상기 고립 에지에 나란하게 배열된다. 따라서, 본 발명에서는 고립 에지의 주변 영역에 투과되는 광량을 더미 피쳐들로 조절하여 밀집 에지에서의 광투과량과 매칭시킴으로써 반도체 기판 상에 전사된 밀집 피쳐와 고립 피쳐들의 치수 차이를 줄일 수 있다.

Description

투과량 조절 마스크 및 그 제조방법{Transmittance Adjustment Mask and Method for Manufacturing thereof}

본 발명은 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 광학 근접 효과(OPE : Optical Proximity Effect)를 보정하기 위하여 집적회로의 각 회로요소에 대응하는 피쳐들의 고립에지(isolated edges) 주변에 더미피쳐(dummy feature)를 갖추어 주변 투과량을 조절하기 위한 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체 칩에 집적된 소자 및 연결선의 최소 선폭이 작아짐에 따라 자외선을 이용한 전통적인 리소그라피 기술로는 웨이퍼에 형성되는 패턴의 왜곡현상을 피하기 힘들게 되었다.

즉, 최근 사용되고 있는 i선, DUV 등의 사용으로 파장이 248㎚ 임에 반하여 최소 선폭은 190㎚에 달하고 있으므로, 빛의 회절 간섭 등에 의한 패턴의 왜곡은 공정에서 심각한 제약조건으로 등장하였다.

이와 같은 패턴의 근접에 따른 왜곡현상은 앞으로 최소 선폭이 더욱 작아짐에 따라 더욱 심각해질 것으로 예상된다. 광리소그라피의 해상 한계에서 발생하는패턴의 왜곡현상에 대한 보정은 이제 불가피한 기술이 되고 있다.

광리소그라피는 일반적으로 포토마스크의 패턴을 광학렌즈를 통하여 웨이퍼에 복사하는 방법을 사용하고 있다. 상을 투영시키는 광학계가 저대역 필터로 작용하기 때문에 웨이퍼에 맺히는 상은 원래의 모양에서 왜곡된 형태가 나타난다.

이 영향은 사각형 모양의 마스크를 사용했을 경우 높은 주파수 부분, 모서리 부분이 투과되지 않으므로 원형의 패턴을 보이게 된다. 마스크 패턴의 크기가 큰 경우에는 기본 공간 주파수가 낮으므로 비교적 많은 차수의 주파수까지 투과가 가능하여 원래의 패턴과 유사한 상이 맺히게 된다. 그러나, 패턴의 사이즈가 작아지면 공간 주파수가 높아지므로 투과되는 개수가 감소하고 따라서 왜곡은 점점 심해지게 된다.

현재까지의 리소그라피 장비의 개발로 이와 같은 문제를 해결해 왔으나, 이제 장비의 한계에 도달하여 설계 차원의 접근이 필요하게 되었다.

근접효과보정(OPC : Optical Proximity Correction)은 이와 같은 왜곡을 감안하여 미리 마스크의 모양을 변형하여 웨이퍼에 맺히는 최종 패턴이 원하는 모양이 되도록 하자는 것이다.

근접효과는 이웃한 피쳐가 패턴 의존적 변이를 만들어 내도록 상호작용을 할 때 발생한다. 예컨대, 같은 디멘죤을 가지도록 설계되었으나 레이아웃 내에서 타 피쳐의 근접도가 다르게 놓여진 라인들은 현상된 후에 서로 같은 디멘죤을 갖지 않는다. 따라서, 조밀하게 밀집된 라인들의 군은 이격된 라인과 비교했을 때, 다르게 전사되는 경향이 있다. 확실한 라인 넓이가 일정하게 재생되지 않을 때, IC에서 중대한 문제가 발생할 수 있다.

이와 같은 광근접효과에 의한 최소 치수(CD : Critical Dimension)의 변동을 감소시키는 방법으로는 크게 두 가지, 즉 노광장비의 파라미터를 최적화시키는 방법과 OPC(Optical Proximity Correction)방법이 이용되고 있다.

첫째는 노광장비의 파라미터를 최적화시키는 방법은 노광장비의 렌즈의 개구율(NA : Numerical Aperture)과 partial coherence를 최적화하는 것이다. C. H. Park. el. al. 등이 발표한 논문 “ A SYSTEMATIC APPROACH TO CORRECT CRITICAL PATTERNS INDUCED BY LITHOGRAPHY PROCESS AT THE FULL-CHIP LEVEL,”(IN PROC. SPIE, VOL.3679,1999)에서는 도 1에 도시한 바와 같이, 개구율 최적화로 CD 변동을 감소시킨 기술을 소개하였다.

즉, 초점심도(DOF ; DEPTH OF FOCUS)는 노광 빔의 파장에 비례하고 개구율에 반비례하므로 개구율이 커질수록 초점심도는 감소되게 된다.

둘째로, 한계해상도 이하의 보조패턴을 사용한 OPC 방식은 도 2에 도시한 바와 같이, 패턴 길이 짧아짐을 방지하기 위한 HEAMMER-HEAD 방식(도 2 (a)), 모서리 효과를 보상하기 위한 SERIF 방식)(도 2 (b)), 에지에 바이어스 패턴을 형성한 BIAS 방식(도 2 (c)) 등이 소개되고 있다. 도 2에서 빗금쳐진 영역은 웨이퍼 상에 전사되어 패턴이 형성하기 위한 피쳐이다.

미국특허 제 5,242,770호 특허는 마스크 패턴 내의 고립된 에지 강도 기울기를 조정하는 해상 불가능한 추가라인 또는 스캐터링 바(scattering bar or assisted bar or intensity leveling bar)를 포함하여 구성한 개선된 마스크에 대하여 기술하고 있다.

고립 에지의 기울기는 추가라인에 의해 조밀하게 밀집된 에지(densed edges)의 에지 강도 기울기에 일치하도록 조정되어진다. 그 결과 고립된 피쳐와 조밀하게 밀집된 피쳐가 비슷하게 전사되고 근접효과가 크게 감소되어진다.

상술한 바와 같이 바 형태의 보조피쳐를 사용하여 근접효과를 보정하는 기술이 활발하게 연구되고 있고 현장에서도 널리 사용되고 있다.

이와 같은 보조피쳐 또는 패턴들은 마스크 검사시 패턴불량으로 오인되어 패턴결함(DEFECT)으로 검출되거나, 마스크 상의 패턴이 복잡해지면 디자인 룰에 위배된 패턴들의 발생확률이 높아지고 이는 디자인 룰 체크(DRC : DESIGN RULE CHECKING)에 의한 싱글러리티(SINGULARITY)검사가 거의 불가능할 정도로 심각할 수도 있다.

다른 접근 방법으로 위상반전 마스크(PSM : Phase Shift Mask)를 사용하는 것이다. PSM은 빛의 간섭, 또는 간섭부분을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 노광함으로써 해상도나 초점심도를 증가시킬 수 있다. 즉 반복적인 패턴의 경우 이웃한 좌우의 개구부로부터 조사되는 빛의 위상을 180도로 반전시켜 주면 사이에 낀 차광부의 광강도가 제로가 되어 개구부와 확연하게 차이가 나는 광강도 조절이 가능하다는 원리를 이용한 것이다.

또 다른 하나의 접근방법은 투과율 조절 마스크를 사용하는 것이다. 투과율 조절 마스크는 마스크 패턴의 일부에서 투과율을 조절함으로써 충실도 및 초점심도를 향상시키고자 하는 것이다.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 마스크 상에 형성된 밀집 피쳐와 고립 피쳐의 각 에지부에 대응하는 웨이퍼 상의 빛의 세기가 서로 동일하도록 피쳐의 주변영역을 통과하는 빛의 량을 조절하기 위한 더미피쳐를 가진 투과량 조절 마스크(TAM : TRANSMITTANCE ADJUSTMENT MASK)를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 투과량 조절마스크의 제조방법을 제공하는 데 있다.

도 1은 종래의 개구율 최적화에 따른 CD 변동 관계를 나타낸 그래프

도 2는 종래 기술에 의한 근접효과 보정용 바형 보조피쳐들의 생성방법을 설명하기 위한 도면.

도 3은 고립피쳐와 밀집피쳐의 광세기를 비교한 그래프.

도 4는 본 발명에 의한 밀집 피쳐의 주변 영역에 설치된 더미피쳐를 나타낸 도면.

도 5는 본 발명에 의한 고립 피쳐의 주변영역에 설치된 더미피쳐를 나타낸 도면.

도 6는 본 발명에 의한 투과율 조절 마스크를 적용한 경우의 고립피쳐와 밀집피쳐의 광세기를 비교한 그래프.

도 7 내지 도 14는 본 발며에 의한 투과율 조절 마스크의 바람직한 일 실시예의 제조공정을 나타낸 공정순서도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 마스크 기판 12, 16 : 피쳐

12a, 16a : 고립 에지14, 18 : 더미 피쳐

100 : 마스크 기판102 : 차광층

104, 108 : 포토레지스트층 106, 114 : 포토레지스트 패턴

108 : 피쳐110 : 투과량 조절층

116 : 더미 피쳐

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지고 적어도 하나 이상의 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들과, 상기 반도체 기판 상에서 상기 복수의 피쳐들의 밀집 에지에서의 광의 세기와 고립 에지에서의 광의 세기가 거의 동일하도록 상기 고립 에지로부터 소정 거리 떨어진 위치에 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지에 나란하게 배열된 적어도 하나 이상의 더미 피쳐들을 구비한 것을 특징으로 한다.

여기서, 더미 피쳐들은 반투명물질로 형성된다. 더미 피쳐들이 반투명물질로 형성되어 웨이퍼 상에 패턴이 전사되지 않을 정도의 투과율을 가진다.

본 발명에서 고립 에지와 더미 피쳐 사이의 소정 거리는 상기 최소 치수 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 마스크는 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서, 상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들과, 상기 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 상기 마스크 상에 위치하고, 상기 반도체 기판 상에서 상기 고립 에지에 대응하는 광의 세기가 상기 밀집 에지에 대응하는 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변의 광 투과량을 조절하는 적어도 하나 이상의 더미 피쳐들을 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크 제조방법에 있어서, 마스크 기판 상에 차광층을 증착하는 단계와, 상기 증착된 차광층을 패터닝하여 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들을 형성하는 단계와, 상기 복수의 피쳐들이 형성된 상기 마스크 기판 상에 투과량 조절층을 증착하는 단계와, 상기 증착된 투과량 조절층을 패터닝하여 상기 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 상기 마스크 상에위치하고, 상기 고립 에지에서의 광의 세기가 상기 밀집 에지에서의 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변의 광 투과량을 조절하는 복수의 더미 피쳐들을 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크 제조방법에 있어서, 마스크 기판 상에 투과량 조절층을 증착하는 단계와, 상기 증착된 투과량 조절층을 패터닝하여 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 위치하고, 상기 반도체 기판 상에서 고립 에지에 대응하는 광의 세기가 밀집 에지에 대응하는 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변의 광 투과량을 조절하는 복수의 더미피쳐들을 형성하는 단계와, 복수의 더미 피쳐들이 형성된 마스크 기판 상에 차광층을 증착하는 단계와, 상기 증착된 차광층을 패터닝하여 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 상기 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 상기 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들을 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.

다음에는 구체적인 특정 예들이 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제공된다. 그러나, 당업자에게는 이러한 구체적인 특정 예들이 본 발명을 실시하기 위해 반드시 채택되어야 하는 것이 아님이 명백할 것이다. 또 다른 경우에 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위하여 공지된 리소그패피 공정 단계들은 자세히 설명하지는 않는다.

도 3을 참조하면, 크롬 바이너리 마스크(CHROME BINARY MASK) 상에 형성된 피쳐를 통해 반도체 기판 상에 전사된 빛의 세기는 주변 피쳐들의 조밀도에 의해 영향을 받게 된다.

즉, 고립 피쳐인 경우에는 주변 피쳐들과 많이 거리 이격되어 있으므로 주변 영역의 개구면적이 넓어서 그만큼 많은 빛이 통과되어 반도체 기판에 도달하게 된다. 따라서, 그만큼 고립 피쳐의 에지에 대응하는 부위에 주변 영역에 도달된 많은 빛이 영향을 미치게되므로 고립 피쳐에 대응하는 영역에서의 빛의 세기(도 3의 A)가 높게 나타나게 된다.

그러나, 밀집 피쳐인 경우에는 주변 피쳐들과의 이격거리가 좁고, 이에 빛이 통과는 주변영역의 개구 면적이 좁아서 상대적으로 고립 피쳐에 비하여 통과되는 광량이 적다. 그러므로, 그만큼 밀집 피쳐의 에지에 대응하는 부위에 주변 영역에 도달된 빛의 영향을 덜 받게 되므로 밀집 피쳐에 대응하는 영역에서의 빛의 세기(도 3의 B)가 상대적으로 낮게 나타나게 된다.

그러므로, 광감응성 포토레지스트는 빛의 양에 따라 빛에 감응되는 영역이 달라지게 되므로, 이와 같은 밀집 피쳐와 고립피쳐에 각각 대응하는 포토레지스트 패턴 사이즈도 달라지게 된다. 즉, 에지에서의 광량이 큰 고립 피쳐에 대응하는 고립패턴의 선폭이 상대적으로 광량이 적은 밀집 피쳐에 대응하는 밀집패턴의 선폭 보다 작게 형성되는 CD 변동이 발생하게 된다. 즉, 반도체 기판 상에서 동일 설계치수의 패턴들이 패턴근접효과에 의해 서로 다른 치수로 형성되는 문제가 발생하게 된다.

따라서, 본 발명에서는 밀집 피쳐와 고립피쳐에 관계없이 반도체 기판 상에서 각 에지에 대응하는 부위의 광세기가 모두 동일하도록 피쳐 주변영역의 광투과량을 조절하고자 한다. 즉, 밀집피쳐나 고립 피쳐들의 주변 영역에서 통과되는 광량이 서로 일치한다면 대응하는 반도체 기판 상에서의 광세기도 모두 동일하게 유지될 것이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에서는 마스크 상에 형성된 밀집 피쳐의 최외곽 주변 영역에는 상대적으로 밀집도가 작은 더미 피쳐를 형성하고, 고립 피쳐의 주변 영역에는 상대적으로 밀집도가 큰 더미 피쳐를 형성함으로써 밀집 피쳐의 주변영역이나 고립 피쳐의 주변영역에서의 통과되는 광량을 서로 매칭되도록 조절할 수 있다.

도 4에서, 마스크 기판(10)에 형성된 고립 피쳐(12)의 주변 영역에 밀집 피쳐들이 형성된 영역과 동일한 개구율이 형성되도록 더미 피쳐들(14)이 형성된다. 더미피쳐(14)들은 고립피쳐(12)의 에지(12a)로부터 소정 거리 이격되어 고립 피쳐(12)와 나란하게 형성된다. 이 때, 이격 거리(d)는 고립 피쳐의 CD 보다 큰 값을 가진다. 바람직하기로는 고립 피쳐의 CD의 1.1 배 이상이 초점심도를 향상시킨다. 더미피쳐들(14)의 폭과 간격은 밀집피쳐들의 CD와 동일한 값을 가진다.

도 5에서, 마스크 기판(10)에 형성된 밀집피쳐들(16)의 최외곽 피쳐의 에지(16a)로부터 소정 거리 이격되어 고립피쳐가 형성된 영역과 동일한 개구율이 형성되도록 더미 피쳐(18)가 형성된다. 더미피쳐(18)는 밀집 피쳐(16)의 에지(16a)로부터 소정 거리 이격되어 피쳐(16)와 나란하게 형성된다. 이 때, 이격 거리(d)는 밀집 피쳐의 CD 보다 큰 값을 가진다. 바람직하기로는 밀집 피쳐의 CD의 1.1 배 이상이 초점심도를 향상시킨다.

즉, 본 발명에서는 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 고립 피쳐와 밀집 피쳐들의 주변 영역에 밀집 피쳐영역과 고립 피쳐영역에서 개구율이 매칭되도록 더미 피쳐를 형성함으로써 주변영역을 통과하는 광투과량이 유사하도록 조절하는 것이다.

본 발명의 더미 피쳐들은 한계 해상도 이하의 선폭을 가지는 OPC용 스캐터링 바와는 달리 한계 해상도인 CD 사이즈를 갖기 때문에 반도체 기판 상에 전사되지 않을 정도의 투과율을 가지면서 또한, 주변 영역의 광투과율의 조절이 가능한 반투명 물질로 형성되어야 한다.

도 6을 참조하면, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 밀집 피쳐들의 주변영역과 고립 피쳐들의 주변영역에 각각 대응하는 조밀도를 가지는 더미 피쳐들을 형성함으로써 고립 피쳐와 밀집 피쳐들의 에지에 대응하는 반도체 기판 상에서의 광 세기를 동일하게 매칭시킬 수 있다.

즉, 에지에 대응하는 부위의 광의 세기가 고립 피쳐나 밀집 피쳐에서 서로 동일하게 매칭되도록 주변 영역에 더미 피쳐를 형성한다.

도 7 내지 도 14를 참조하여 본 발명에 의한 투과량 조절 마스크의 제조방법을 설명한다.

도 7를 참조하면, 마스크 기판(100)에 크롬 차광층(102) 및포토레지스트층(104)이 차례로 적층된 바이너리 크롬 블랭크 마스크를 준비한다.

도 8를 참조하면, 블랭크 마스크의 포토레지스트층(104)을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴(106)을 형성한다. 도 9를 참조하면, 포토레지스트 패턴(106)을 식각 마스크로 사용하여 크롬 차광층(102)를 식각해서 크롬 차광층(102)을 패터닝하고, 포토레지스트 패턴(106)을 제거하면, 마스크 기판(100) 상에 크롬으로 형성된 피쳐(108)가 형성된다.

도 10을 참조하면, 피쳐가 형성된 마스크 기판(100)상에 투과량 조절층(110)을 형성한다. 여기서, 투과량 조절층(110)은 일부 광을 투과시키는 반투명물질로 구성된다. 도 11를 참조하면, 투과량 조절층(110) 상에 포토레지스트층(112)을 형성하고, 도 12에 도시한 바와 같이, 포토레지스트층(112)을 노광현상하여 포토레지스트 패턴(114)을 형성한다.

도 13을 참조하면, 형성된 포토레지스트 패턴(114)을 식각마스크로 사용하여 투과량 조절층(110)을 패터닝하고, 포토레지스트 패턴(114)을 제거하면, 도 14에 도시한 바와 같이 피쳐의 주변 영역에 투과량 조절용 더미 피쳐들(116)이 형성되게 된다.

비록 본 발명의 구성요소들이 특정한 실시예와 관련되어 기술되었지만 본 발명은 수많은 다른 방법으로도 구현될 수 있다. 예컨대, 투과량 조절용 더미 피쳐들을 먼저 만들고, 나중에 피쳐를 형성하는 것도 가능하다.

결론적으로, 설명하는 과정에서 묘사된 특정한 실시예는 절대로 한정적으로 해석되기를 의도한 것이 아니라는 것이다. 본 실시예의 구체적인 부분에 대한 참조는 본 발명의 필수 구성요소라고 간주되는 특징만을 기술하고 있는 청구범위의 보호영역을 한정하려는 의도가 아니다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 마스크는 고립 피쳐와 밀집 피쳐의 주변 영역에서 투과되는 광량을 더미 피쳐의 조밀에 의해 동일하도록 매칭함으로써, 밀집 피쳐에서의 에지에 대응되는 광세기와 고립 피쳐에서의 에지에 대응하는 광세기가 동일하게 제어된다. 그러므로, 마스크 상의 패턴 조밀도에 의한 근접효과로 웨이퍼 상에 형성되는 밀집 패턴과 고립패턴의 CD를 균일하게 형성할 수 있다.

또한, 본 발명에서 더미 피쳐들의 CD가 메인 피쳐들의 CD와 동일하기 때문에 마스크 설계가 간단하고 마스크 패턴의 디자인 검사가 용이한 잇점이 있다.

Claims (8)

1. 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서,

   상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지고 적어도 하나 이상의 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들; 및

   상기 반도체 기판 상에서, 상기 복수의 피쳐들의 밀집 에지에 대응하는 부위의 광의 세기와 고립 에지에 대응하는 부위의 광의 세기가 거의 동일하도록 상기 고립 에지로부터 소정 거리 떨어진 위치에 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지에 나란하게 배열된 적어도 하나 이상의 반투명 더미 피쳐들을 구비한 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 더미 피쳐들은 반도체 기판 상에 패턴으로 전사되지않을 정도의 광투과율을 가지는 반투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 소정 거리는 상기 최소 치수 이상인 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 고립 에지는 인접 에지와 최소한 상기 최소 치수의3배 이상 이격된 것임을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 더미 피쳐들의 간격은 상기 최소 치수인 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
6. 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크에 있어서,

   상기 마스크 상에 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들; 및

   상기 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 상기 마스크 상에 위치하고, 상기 고립 에지에 대응하는 상기 반도체 기판의 부위의 광의 세기가 상기 밀집 에지에 대응하는 상기 반도체 기판의 부위의 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변영역의 투과량을 조절하기 위한 복수의 더미피쳐들을 구비한 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크.
7. 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크 제조방법에 있어서,

   마스크 기판 상에 차광층을 증착하는 단계;

   상기 증착된 차광층을 패터닝하여 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들을 형성하는 단계;

   상기 복수의 피쳐들이 형성된 상기 마스크 기판 상에 반투명의 투과량 조절층을 증착하는 단계; 및

   상기 증착된 투과량 조절층을 패터닝하여 상기 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 상기 마스크 상에 위치하고, 상기 고립 에지에 대응하느 상기 반도체 기판 부위의 광의 세기가 상기 밀집 에지에 대응하는 상기 반도체 기판 부위의 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변의 투과량을 조절하기 위한 복수의 더미피쳐들을 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크의 제조방법.
8. 노광장치를 사용하여 마스크로부터 반도체 기판 상에 집적회로에 대응하는 패턴을 광학적으로 전사하기 위한 마스크 제조방법에 있어서,

   마스크 기판 상에 반투명의 투과량 조절층을 증착하는 단계; 및

   상기 증착된 투과량 조절층을 패터닝하여 고립 에지들 각각에 대응하여 각 고립 에지로부터 소정 거리 떨어져서 상기 최소 치수의 선폭으로 상기 고립 에지들에 나란하게 위치하고, 상기 고립 에지에 대응하는 반도체 기판 부위의 광의 세기가 밀집 에지에 대응하는 상기 반도체 기판 부위의 광의 세기와 매칭되도록 대응하는 고립 에지 주변영역의 투과량을 조절하기 위한 복수의 더미피쳐들을 형성하는 단계;

   상기 복수의 더미 피쳐들이 형성된 마스크 기판 상에 차광층을 증착하는 단계; 및

   상기 증착된 차광층을 패터닝하여 상기 집적회로를 형성하는 회로요소들에 대응하고, 소정의 최소 치수를 가지며, 다른 에지들과 매우 가깝게 근접된 상기 밀집 에지들과 다른 에지들과 멀리 떨어진 상기 고립 에지들을 포함하는 복수의 피쳐들을 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 투과량 조절 마스크의 제조방법.