KR20070013735A - 노광 마스크 및 그 형성 방법 - Google Patents
노광 마스크 및 그 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070013735A KR20070013735A KR1020050068306A KR20050068306A KR20070013735A KR 20070013735 A KR20070013735 A KR 20070013735A KR 1020050068306 A KR1020050068306 A KR 1020050068306A KR 20050068306 A KR20050068306 A KR 20050068306A KR 20070013735 A KR20070013735 A KR 20070013735A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- material layer
- pattern region
- exposure mask
- semi
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 노광 마스크 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 독립 패턴 영역 상부에만 반투과물질층을 형성하여 독립 패턴 영역의 투과율을 조절하여 밀집 패턴 영역에 최적화된 노광 조건을 제공하고 독립 패턴 영역의 과노광 현상을 방지하여 공정 마진을 향상시키는 기술에 관한 것이다.
Description
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 노광 마스크를 이용한 시뮬레이션 결과.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 노광 마스크 형성 방법을 도시한 단면도들.
도 4는 본 발명에 따른 노광 마스크를 이용한 시뮬레이션 결과.
도 5a 및 도 5b는 종래 기술 및 본 발명의 노광 마스크의 사용시 DICD 를 비교한 그래프.
본 발명은 노광 마스크 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 독립 패턴 영역 상부에만 반투과물질층을 형성하여 독립 패턴 영역의 투과율을 조절하여 밀집 패턴 영역에 최적화된 노광 조건을 제공하고 독립 패턴 영역의 과노광 현상을 방지하여 공정 마진을 향상시키는 기술에 관한 것이다.
현재 동일한 노광 마스크상에 밀집 패턴 영역과 독립 패턴 영역이 동시에 형성되어 있을 경우 밀집 패턴 영역에 노광 에너지 조건을 최적화 할 경우 독립 패턴 영역은 과노광이 되어 노광 공정시 포커스 마진이 감소되는 문제점이 있다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 노광 마스크를 사용한 노광 공정을 HOST(Hynix OPC Simulation Tools)를 이용하여 시뮬레이션한 결과이다.
도 1을 참조하면, 80nm의 라인/스페이스 패턴을 형성하는 밀집 패턴 영역은 0.7μm이상의 충분한 포커스 마진을 가지는 것을 알 수 있다.
도 2를 참조하면, 120nm 라인/스페이스 패턴을 형성하는 독립 패턴 영역은 밀집 패턴 영역에 노광 에너지 조건을 최적화하였기 때문에 과노광으로 인하여 0.15μm 이하의 포커스 마진을 가지는 것을 알 수 있다.
상술한 종래 기술에 따른 노광 마스크 및 그 형성 방법에서, 동일 마스크상에 밀집 패턴 영역과 독립 패턴 영역이 형성되면 밀집 패턴 영역에 노광 에너지 조건을 최적화 할 경우 독립 패턴 영역은 과노광되어 포커스 마진이 감소되는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 독립 패턴 영역 상부에만 반투과물질층을 형성하여 독립 패턴 영역의 투과율을 조절하여 공정 마진을 향상시키며, 밀집 패턴 영역에 최적화된 노광 조건을 제공하고 독립 패턴 영역은 과노광 현상을 방지하여 공정 마진을 향상시키는 노광 마스크 및 그 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 노광 마스크는
밀집 (Dense) 패턴 영역과 독립 (Isolation) 패턴 영역이 형성된 노광 마스크에 있어서,
라인/스페이스 패턴이 구비된 석영기판과,
독립 패턴 영역의 석영 기판 상부에 구비된 반투과물질층
을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 노광 마스크 형성 방법은
밀집 패턴 영역과 독립 패턴 영역이 형성된 노광 마스크에 있어서,
라인/스페이스 패턴이 구비된 석영 기판 상부에 반투과물질층을 형성하는 단계와,
반투과물질층 상부에 밀집 패턴 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계와,
광막 패턴을 마스크로 상기 반투과물질층을 식각하여 독립 패턴 영역 상부에 반투과물질층 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 노광 마스크 및 그 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 밀집 (Dense) 패턴 영역(Ⅰ)과 독립 (Isolation) 패턴 영역(Ⅱ)이 구비된 노광 마스크에 있어서, 밀집 패턴(20) 및 독립 패턴(25)이 구비된 석영 기판(10)상부에 반투과물질층(30)을 형성한다.
여기서, 반투과물질층(30)은 5 내지 95%의 빛 투과율을 가지는 Cr, F, Mo의 금소 원소가 도핑된 산화물로 형성하며, 독립 패턴의 소한 정도에 따라 적어도 단층 이상으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 3b를 참조하면, 독립 패턴 영역(Ⅱ) 상부에 감광막 패턴(40)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 감광막 패턴(40)을 마스크로 반투과물질층(30)을 식각하여 반투과물질층 패턴(35)을 형성한 후 감광막 패턴(40)을 제거한다.
독립 패턴 영역(Ⅱ)에만 선택적으로 반투과물질층(30)을 형성하여 밀집 패턴 영역(Ⅰ)에 노광 에너지를 최적화하여도 독립 패턴 영역(Ⅱ)의 반투과물질층(30)이 투과율을 조절하여 과노광을 방지할 수 있다.
여기서, 노광 마스크는 바이너리 마스크, 위상 반전 마스크 및 크롬리스 마스크에 적용되며, I-Line, KrF, ArF 및 F2 광원의 노광 공정에 적용된다.
도 4는 본 발명에 따른 노광 마스크를 사용한 노광 공정을 HOST (Hynix OPC Simulation Tools) 를 이용하여 시뮬레이션한 결과이다.
도 4를 참조하면, 독립 패턴 영역의 라인/스페이스 패턴은 투과율을 낮추어 독립 패턴 영역에 노광 에너지를 최적화함으로써 0.05μm 이상의 포커스 마진 개선 효과를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 종래 기술과 본 발명에 따른 노광 마스크의 독립 패턴 영역의 DICD (Develop Inspection Critical Dimension) 를 에너지 및 포커스별로 비교한 그래프이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, HOST (Hynix OPC Simulation Tools) 시뮬레이션을 이용하여 종래 기술(도 5a)과 본 발명(도 5b)의 노광 마스크를 이용한 독립 패턴 영역에 에너지를 최적화한 공정의 120nm 라인 패턴의 DICD를 에너지 및 포커스별로 비교한 그래프로써, 독립 패턴 영역에만 반투과물질층을 형성한 경우 공정 마진이 개선된 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 노광 마스크 및 그 형성 방법은 독립 패턴 영역 상부에만 반투과물질층을 형성하여 독립 패턴 영역의 투과율을 조절하여 공정 마진을 향상시키며, DRAM의 게이트 레이어 포토 마스크 공정의 포커스 마진 향상으로 공정을 안정화시키는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Claims (8)
- 밀집 (Dense) 패턴 영역과 독립 (Isolation) 패턴 영역이 형성된 노광 마스크에 있어서,라인/스페이스 패턴이 구비된 석영기판; 및상기 독립 패턴 영역의 석영 기판 상부에 구비된 반투과물질층;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 반투과물질층은 5 내지 95%의 빛 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 반투과물질층은 Cr, F, Mo 원소가 도핑된 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 반투과물질층은 적어도 단층 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
- 밀집 패턴 영역과 독립 패턴 영역이 형성된 노광 마스크에 있어서,라인/스페이스 패턴이 구비된 석영 기판 상부에 반투과물질층을 형성하는 단계;상기 반투과물질층 상부에 밀집 패턴 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 반투과물질층을 식각하여 상기 독립 패턴 영역 상부에 반투과물질층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 반투과물질층은 5 내지 95%의 빛 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 반투과물질층은 Cr, F, Mo 원소가 도핑된 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 반투과물질층은 적어도 단층 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050068306A KR20070013735A (ko) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 노광 마스크 및 그 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050068306A KR20070013735A (ko) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 노광 마스크 및 그 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070013735A true KR20070013735A (ko) | 2007-01-31 |
Family
ID=38013391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050068306A Ceased KR20070013735A (ko) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 노광 마스크 및 그 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070013735A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110062881A (ko) * | 2009-12-04 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05241319A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体集積回路用レチクル |
| JPH05249648A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-28 | Nec Corp | ホトマスク |
| JPH09246149A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路パタン形成用マスク装置及び回路パタン形成方法 |
| JPH10161297A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-19 | Sony Corp | 半導体装置製造用マスク |
| KR20020078882A (ko) * | 2001-04-11 | 2002-10-19 | 삼성전자 주식회사 | 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-07-27 KR KR1020050068306A patent/KR20070013735A/ko not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05241319A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体集積回路用レチクル |
| JPH05249648A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-28 | Nec Corp | ホトマスク |
| JPH09246149A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路パタン形成用マスク装置及び回路パタン形成方法 |
| JPH10161297A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-19 | Sony Corp | 半導体装置製造用マスク |
| KR20020078882A (ko) * | 2001-04-11 | 2002-10-19 | 삼성전자 주식회사 | 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110062881A (ko) * | 2009-12-04 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3518275B2 (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| Plat et al. | Impact of optical enhancement techniques on the mask error enhancement function (MEEF) | |
| KR100618811B1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR102638753B1 (ko) | 표시 장치 제조용 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20050048377A1 (en) | Mask for improving lithography performance by using multi-transmittance photomask | |
| JPH0973166A (ja) | 露光用フォトマスクおよびその製造方法 | |
| TW200301399A (en) | Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions | |
| KR100732749B1 (ko) | 미세 패턴 형성용 마스크 | |
| JPH10254122A (ja) | 露光用フォトマスク | |
| JPH09222719A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| KR20070013735A (ko) | 노광 마스크 및 그 형성 방법 | |
| KR100854926B1 (ko) | 반도체 소자용 마스크 | |
| US7816061B2 (en) | Lithography masks for improved line-end patterning | |
| KR0183852B1 (ko) | 포토레지스트 열적흐름의 경계효과 보정방법 | |
| US20030039892A1 (en) | Method of optical proximity correction | |
| JPH08106151A (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 | |
| US20070015089A1 (en) | Method of making a semiconductor device using a dual-tone phase shift mask | |
| KR100835469B1 (ko) | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR20020001230A (ko) | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 | |
| JPH09288346A (ja) | フォトマスク | |
| KR100924193B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR20020051109A (ko) | 하프톤 마스크의 제조 방법 | |
| JPH1167640A (ja) | 露光方法及び露光用マスク | |
| KR20110010441A (ko) | 이중 노광 방법을 이용한 광 근접효과 제거방법 | |
| KR19980015333A (ko) | 미세 패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050727 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20100701 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20050727 Comment text: Patent Application |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110718 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20110922 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20110718 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |