JP5336226B2 - 多階調フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
通常、透過率の異なる2つ以上の半透光部を形成しようとすると、それぞれの半透光部で異なる膜を使用するか、又は、それぞれの半透光部で積層数が異なる膜を使用することが考えられる。しかしながら、異なる膜を使用する場合には、エッチング工程が増加して複雑になり、膜間のエッチング選択性を考慮する必要が生じるために、膜材料が制約されてしまう。また、積層数が異なる膜を使用する場合には、積層部分に膜の界面が形成されるため、この部分での露光光の反射による透過率への影響を考慮しなければならない。つまり、達成すべき2つの透過率を制御するシミュレーションが複雑になり、条件出しのための工程が増えてしまう。さらに、半透光部を構成する膜の露光光透過率は、通常波長依存性を持つため、露光機の差異によって異なる波長特性の光源が用いられると、異なる透過率を呈してしまう。したがって、異なる膜を使用したり、積層数の異なる膜を使用する場合には、露光機の波長特性に応じて、各半透光部の膜の透過率を予めあわせ込む必要がある上、異なる露光機を用いる場合には、相互の被転写体パターンが許容範囲以内のばらつきで生産できるか否かを考慮する必要がある。
12 遮光膜
13 反射防止膜
14 半透光膜
14a 薄い半透光膜
15 レジスト層
Claims (5)
- 透明基板上に、金属シリサイドを含有し、露光光を一部透過させる半透光膜と、前記半透光膜とは異なる成膜材料からなり、前記露光光を遮光する遮光膜とがこの順に設けられ、前記半透光膜と前記遮光膜とを各々パターン加工することにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光領域は、互いに前記露光光の透過率が異なる第1半透光部及び第2半透光部を有する多階調フォトマスクを製造する製造方法において、
前記透明基板上に、前記半透光膜と前記遮光膜とをこの順に設けたフォトマスクブランクを準備する工程と、前記半透光膜及び前記遮光膜をそれぞれパターン加工する工程とを有し、
前記半透光膜をパターン加工する工程において、少なくとも前記第2半透光部の前記半透光膜に対して薬液による表面処理を行うことにより、前記第1半透光部と前記第2半透光部の透過率差を形成し、次いで、透過率差が形成された後の前記第1半透光部と前記第2半透光部の前記半透光膜の表面を改質し、耐薬性を向上させることを特徴とする、少なくとも4階調を持つ多階調フォトマスクの製造方法。 - 前記半透光膜及び前記遮光膜をそれぞれパターン加工する工程は、
前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上に第1レジストパターンを形成し、前記第1レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第1遮光膜パターンを形成し、前記第1レジストパターン又は前記第1遮光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングして透光領域を形成する第1フォトリソグラフィ工程と、前記第1遮光膜パターンの所定領域上に第2レジストパターンを形成し、前記第2レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第2半透光部を形成する第2フォトリソグラフィ工程と、前記第1遮光膜パターンの前記所定領域と異なる領域上に第3レジストパターンを形成し、前記第3レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第1半透光部を形成する第3フォトリソグラフィ工程と、を具備し、
前記表面処理は、前記第2フォトリソグラフィ工程において行うことを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 前記表面処理は、前記第1半透光部と前記第2半透光部における半透光膜の膜厚差を形成するとともに、前記第2レジストパターンを除去するものであることを特徴とする請求項2記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記第3フォトリソグラフィ工程において、前記遮光膜のエッチングにより露出した、第1半透光部及び第2半透光部における半透光膜に、薬液による第2の表面処理を行うことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記第2の表面処理は、前記第1半透光部及び前記第2半透光部における半透光膜の膜厚を低下させるとともに、前記第3レジストパターンを除去するものであることを特徴とする請求項4記載の多階調フォトマスクの製造方法。
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