JP2009230126A - 多階調フォトマスク、その製造方法及びパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板11上に遮光領域A、第1半透光領域B(暗い半透光領域)、第2半透光領域C(明るい半透光領域)及び透光領域Dを設ける。第1半透光領域B部及び第2半透光領域Cは、膜厚の異なる実質的に同一組成の膜で構成されており、互いに膜厚及び露光光に対する透過率が異なっており、露光光の透過率がいずれも10%〜70%であり、かつ、両者は10%以下の透過率差を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
通常、透過率の異なる2つ以上の半透光部を形成しようとすると、それぞれの半透光部で異なる膜を使用するか、又は、それぞれの半透光部で積層数が異なる膜を使用することが考えられる。しかしながら、異なる膜を使用する場合には、エッチング工程が増加して複雑になり、膜間のエッチング選択性を考慮する必要が生じるために、膜材料が制約されてしまう。また、積層数が異なる膜を使用する場合には、積層部分に膜の界面が形成されるため、この部分での露光光の反射による透過率への影響を考慮しなければならない。つまり、達成すべき2つの透過率を制御するシミュレーションが複雑になり、条件出しのための工程が増えてしまう。さらに、半透光部を構成する膜の露光光透過率は、通常波長依存性を持つため、露光機の差異によって異なる波長特性の光源が用いられると、異なる透過率を呈してしまう。したがって、異なる膜を使用したり、積層数の異なる膜を使用する場合には、露光機の波長特性に応じて、各半透光部の膜の透過率を予めあわせ込む必要がある上、異なる露光機を用いる場合には、相互の被転写体パターンが許容範囲以内のばらつきで生産できるか否かを考慮する必要がある。
12 遮光膜
13 反射防止膜
14 半透光膜
14a 薄い半透光膜
15 レジスト層
Claims (11)
- 透明基板上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光を一部透過させる半透光膜とを各々パターン加工することにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光領域は、互いに前記露光光の透過率が異なる第1半透光部及び第2半透光部を有し、前記第1半透光部及び前記第2半透光部は、実質的に同一組成の成膜材料により形成された、露光光の透過率が10%〜70%の膜で構成されており、かつ、前記第1半透光部と第2半透光部には膜厚又は膜質の差異によって透過率差があることにより、少なくとも4階調を持つことを特徴とする多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光部及び前記第2半透光部の透過率差が10%以下であることを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記半透光膜は、金属シリサイドを含有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の多階調フォトマスク。
- 透明基板上に、少なくとも露光光を一部透過させる半透光膜と、前記露光光を遮光する遮光膜とを設けたフォトマスクブランクを準備する工程と、前記半透光膜及び遮光膜をそれぞれパターン加工する工程とを有し、前記半透光膜をパターン加工する工程において、前記半透光膜の一部の領域に対して前記一部の領域とは別の領域に対するものとは異なる表面処理を施すことにより、第1半透光部と、前記第1半透光部と異なる露光光透過率を有する第2半透光部とを形成して、少なくとも4階調を持つ多階調フォトマスクを得ることを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記表面処理は、薬液による化学的表面処理であることを特徴とする請求項4記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記表面処理は、エネルギー線の照射であることを特徴とする請求項4記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクブランクは、前記透明基板上に、少なくとも前記半透光膜と、前記遮光膜とをこの順に設けたものであることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上に第1レジストパターンを形成し、前記第1レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第1遮光膜パターンを形成し、前記第1レジストパターン又は前記第1遮光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングして透光領域を形成する第1フォトリソグラフィ工程と、前記第1遮光膜パターンの所定領域上に第2レジストパターンを形成し、前記第2レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第2半透光部を形成する第2フォトリソグラフィ工程と、前記第1遮光膜パターンの前記所定領域と異なる領域上に第3レジストパターンを形成し、前記第3レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングして第1半透光部を形成する第3フォトリソグラフィ工程と、を具備することを特徴とする請求項4から請求項7のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記表面処理は、前記第2フォトリソグラフィ工程によって露出した第2半透光部に対して行う、及び/又は前記第3フォトリソグラフィ工程によって露出した第1半透光部に対して行うことを特徴とする請求項4から請求項8のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 前記表面処理は、前記第2フォトリソグラフィ工程及び/又は前記第3フォトリソグラフィ工程におけるレジストパターン除去と共に行われることを特徴とする請求項4から請求項9のいずれかに記載の多階調フォトマスクの製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の多階調フォトマスクを用い、露光機による露光光を照射することによって前記多階調フォトマスクの転写パターンを被加工層に転写することを特徴とするパターン転写方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011232605A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び多階調フォトマスクの使用方法 |
CN102446704A (zh) * | 2010-10-14 | 2012-05-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 双重图形化方法 |
WO2014111983A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2014219575A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | クリーンサアフェイス技術株式会社 | ハーフトーンブランクス |
CN104779145A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
KR20160073922A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101330793B1 (ko) * | 2011-04-04 | 2013-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749410A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク及びその製造方法 |
JPH07104457A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | 露光用マスクとその製造方法及び製造装置 |
JPH08250446A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-09-27 | Samsung Electron Co Ltd | グレートーンマスク、これを用いたパターンの形成方法およびイオン注入方法 |
JP2001296646A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置 |
JP2003029393A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法 |
JP2005037933A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2006030319A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
JP2007199700A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-08-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
JP2007249198A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク |
JP2007271696A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクブランク及びフォトマスク |
JP2008203374A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | ハーフトーンブランクス |
JP2008256759A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3744877B2 (ja) | 2002-04-15 | 2006-02-15 | 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ | Cmp加工用ドレッサ |
-
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-
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749410A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク及びその製造方法 |
JPH07104457A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | 露光用マスクとその製造方法及び製造装置 |
JPH08250446A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-09-27 | Samsung Electron Co Ltd | グレートーンマスク、これを用いたパターンの形成方法およびイオン注入方法 |
JP2001296646A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置 |
JP2003029393A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法 |
JP2005037933A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2006030319A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
JP2007199700A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-08-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
JP2007249198A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク |
JP2007271696A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクブランク及びフォトマスク |
JP2008203374A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | ハーフトーンブランクス |
JP2008256759A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011232605A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び多階調フォトマスクの使用方法 |
CN102446704A (zh) * | 2010-10-14 | 2012-05-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 双重图形化方法 |
WO2014111983A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | パナソニック株式会社 | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
US9507252B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-11-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photomask and pattern forming method using photomask |
JPWO2014111983A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2017-01-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2014219575A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | クリーンサアフェイス技術株式会社 | ハーフトーンブランクス |
KR20160073922A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2016118774A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
CN104779145A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
US10185216B2 (en) | 2015-04-10 | 2019-01-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask sheet and method of manufacturing mask sheet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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