CN104779145A - 掩膜板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜板及其制备方法,属于显示技术领域。所述掩膜板包括:遮光区域和透光区域,在所述遮光区域上形成有邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述掩膜板的邻接部的厚度。本发明解决了蒸镀薄膜的质量较差的问题,实现了提高蒸镀薄膜的质量的效果,用于制备有机发光二极管显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜板及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管显示装置制备过程中,使用掩膜板制作衬底基板蒸镀时所需要的图形是一个非常重要的环节。掩膜板包括遮光区域和透光区域,遮光区域设置有多个位于不同区域的遮光层,遮光层用于遮光。近年来,随着高分辨率显示技术的发展,小尺寸高精度金属掩膜板(英文:Fine Metal Mask;简称:FMM)受到了广泛的关注。
现有的FMM通常是先对掩膜板表面进行涂覆、曝光、显影和刻蚀,制作蒸镀时所需要的图形,然后再将该掩膜板张网并焊接到框架表面。使用FMM制作图形时,先利用光源照射掩膜板,透过掩膜板透光区域的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光,光刻胶之下为薄膜层,然后再经过显影和刻蚀使衬底基板获得蒸镀时所需要的图形。
FMM在刻蚀的过程中会产生带有弧度的锥形角,而由于现有的FMM如图1所示,所采用的掩膜板的遮光区域101的厚度d通常为100um(微米),厚度较大,而厚度越大,蒸镀薄膜102的阴影效应就越明显,蒸镀薄膜的质量越差。因此,蒸镀薄膜的质量较差。
发明内容
为了解决蒸镀薄膜的质量较差的问题,本发明提供了一种掩膜板及其制备方法。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种掩膜板,所述掩膜板包括:遮光区域和透光区域,
在所述遮光区域上形成有邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述掩膜板的邻接部的厚度。
可选的,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
可选的,所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
可选的,所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
第二方面,提供了一种掩膜板的制备方法,所述方法包括:
在不透光基板上形成透光区域,所述不透光基板上除所述透光区域外的区域为遮光区域;
在所述遮光区域上形成邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述邻接部的厚度。
可选的,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
可选的,所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
可选的,所述在所述遮光区域上形成邻接部,包括:
在所述遮光区域上通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成所述邻接部,所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
可选的,所述在不透光基板上形成透光区域,包括:
对所述不透光基板的两面分别进行一次构图工艺,形成所述透光区域。
本发明提供了一种掩膜板及其制备方法,通过在遮光区域上,且在透光区域与遮光区域的邻接处形成有邻接部,同时遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度,从而使透光区域的边缘的厚度减小,相较于现有的FMM,蒸镀薄膜的阴影效应的区域更小,蒸镀薄膜的质量更好。因此,提高了蒸镀薄膜的质量。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的现有FMM的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种掩膜板上某一透光区域及其周围的遮光区域的侧视图;
图4是本发明实施例提供的一种掩膜板的邻接部宽度的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种掩膜板的制备方法的流程图;
图6是本发明实施例提供的一种不透光基板一面涂覆光刻胶的侧视图;
图7是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行曝光的侧视图;
图8是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行显影的侧视图;
图9是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行刻蚀的侧视图;
图10是本发明实施例提供的一种不透光基板一面剥离光刻胶后的侧视图;
图11是本发明实施例提供的一种不透光基板另一面涂覆光刻胶的侧视图;
图12是本发明实施例提供的一种不透光基板另一面进行曝光的侧视图;
图13是本发明实施例提供的一种不透光基板另一面进行显影的侧视图;
图14是本发明实施例提供的一种不透光基板另一面进行刻蚀的侧视图;
图15是本发明实施例提供的一种形成透光区域的侧视图;
图16是本发明实施例提供的一种不透光基板两面分别通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成透光区域的俯视图。
通过上述附图,已示出本发明明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种掩膜板,如图2所示,该掩膜板包括:遮光区域201和透光区域202,在遮光区域201上形成有邻接部203,邻接部203位于透光区域202与遮光区域201的邻接处,掩膜板的遮光区域201上除邻接部203外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部203的厚度。图2中的21为掩膜板框架,该掩膜板框架用于放置掩膜板。
综上所述,本发明实施例提供的掩膜板,通过在遮光区域上,且在透光区域与遮光区域的邻接处形成邻接部,同时遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度,从而使遮光区域的内边缘的厚度减小,相较于现有的FMM,蒸镀薄膜的阴影效应的区域更小,蒸镀薄膜的质量更好。因此,提高了蒸镀薄膜的质量。
进一步的,掩膜板的遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度为掩膜板的邻接部的厚度的b倍,可选的,b大于等于2,且小于等于3。如图1中现有的FMM的遮光区域101的厚度d为100um,图3为本发明实施例提供的掩膜板上某一透光区域202及其周围的遮光区域的侧视图,如图3所示,该掩膜板上位于遮光区域201和透光区域202的邻接处的邻接部203的厚度b为30~50um,即遮光区域201的内边缘的厚度为30~50um。相较于图1中的蒸镀薄膜的阴影效应的区域,随着遮光区域201的内边缘的厚度减小,蒸镀薄膜的阴影效应的区域减小,蒸镀薄膜的质量提高。图3中的22为衬底基板,23为蒸镀薄膜。需要补充说明的是,图1中的103为衬底基板,104为透光区域。此外,图3中的衬底基板22应该与该掩膜板的正面接触。
如图4所示,邻接部203的宽度c范围为1~2毫米,即宽度c大于等于1毫米,且小于等于2毫米。由于形成的邻接部的宽度较小,所以整个形成过程对掩膜板强度影响较小。
进一步的,如图3中的虚线围成的部分,邻接部203的边缘厚度由遮光区域向透光区域逐渐减小。
综上所述,本发明实施例提供的掩膜板,通过在遮光区域上,且在透光区域与遮光区域的邻接处形成邻接部,遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度,使得遮光区域的内边缘的厚度减小,同时形成的邻接部的宽度较小,整个形成过程对掩膜板强度的影响较小,相较于现有的FMM,蒸镀薄膜的阴影效应的区域更小,蒸镀薄膜的质量更好。因此,提高了蒸镀薄膜的质量。
本发明实施例提供了一种掩膜板的制备方法,如图5所示,该方法包括:
步骤401、在不透光基板上形成透光区域,不透光基板上除透光区域外的区域为遮光区域。
具体的,步骤401可以包括:对不透光基板的两面分别进行一次构图工艺,形成透光区域。其中,对不透光基板的一面进行一次构图工艺,构图工艺通常包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀及光刻胶剥离等工艺,涂覆的光刻胶可以为正性光刻胶,也可以为负性光刻胶,这里以涂覆的光刻胶为正性光刻胶为例进行说明,具体过程可以为:先在不透光基板601上均匀涂覆光刻胶602,涂覆后的结构示意图如图6所示。再通过现有掩膜板603的遮光作用,有选择性地使光刻胶感光,完成曝光过程,如图7所示。然后再进行显影,如图8所示,可以通过化学作用,将感光的光刻胶溶解去掉,将未感光的光刻胶固化。接着对显影后的不透光基板进行刻蚀,如图9所示,按照显影之后的固化光刻胶,对不透光基板表面覆盖的薄膜进行选择性的刻蚀。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀,可以根据制造过程中的实际需求,选择刻蚀的方式。最后剥离上述光刻胶,形成图形的侧视图如图10所示的。
同样的,对不透光基板的另一面进行一次构图工艺,构图工艺通常包括涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀及剥离光刻胶等工艺,涂覆的光刻胶可以为正性光刻胶,也可以为负性光刻胶,这里以涂覆的光刻胶为正性光刻胶为例进行说明,具体过程可以为:先在不透光基板601上均匀涂覆光刻胶602,涂覆后的结构示意图如图11所示。再通过现有掩膜板603的遮光作用,有选择性地使光刻胶感光,完成曝光过程,如图12所示。然后再进行显影,如图13所示,可以通过化学作用,将感光的光刻胶溶解去掉,将未感光的光刻胶固化。接着对显影后的不透光基板进行刻蚀,如图14所示,按照显影之后的固化光刻胶,对不透光基板表面覆盖的薄膜进行选择性的刻蚀。最后剥离上述光刻胶,如图15所示,形成透光区域202。不透光基板601上除透光区域202外的区域为遮光区域201。
本发明实施例提供的掩膜板适用于现有技术中的蒸镀工艺,关于蒸镀工艺的具体过程可以参考现有技术,本发明实施例对此不再赘述。
经过步骤401,形成的透光区域的俯视图如图16所示,21为掩膜板框架,201为掩膜板上的遮光区域,202为掩膜板上的透光区域。
步骤402、在遮光区域上形成邻接部,邻接部位于透光区域与遮光区域的邻接处,掩膜板的遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度。
在步骤401的基础上完成步骤402,形成邻接部。步骤402具体可以包括:在遮光区域上通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成邻接部。步骤402通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀,形成的邻接部的结构示意图如图2所示,步骤402的具体过程可以参考步骤401中的构图工艺的过程,需要说明的是,步骤402曝光显影的区域完全覆盖了步骤401曝光显影的区域,且优选的,两次曝光显影的区域的边界间的距离为1~2毫米。且步骤402刻蚀的深度约为步骤401中的掩膜板的遮光区域的厚度的1/2~2/3,从而使掩膜板的遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度为掩膜板的邻接部的厚度的b倍,可选的,b大于等于2,且小于等于3。需要说明的是,在遮光区域上形成邻接部时需要在遮光区域的两面分别进行一次涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀等步骤。
步骤402制作完成的掩膜板的遮光区域的内边缘的厚度减小,蒸镀薄膜的阴影效应的区域减小,蒸镀薄膜的质量变好,同时,由于形成的邻接部的宽度较小,所以整个形成过程对掩膜板强度的影响较小。
需要说明的是,本发明实施例提供的掩膜板的制备方法步骤的先后顺序可以进行适当调整,步骤也可以根据情况进行相应增减,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化的方法,都应涵盖在本发明的保护范围之内,因此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的方法实施例,可以对应参考前述装置实施例,在此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的掩膜板的制备方法,通过在遮光区域上,且在透光区域与遮光区域的邻接处形成邻接部,遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度,从而使遮光区域的内边缘的厚度减小,同时形成的邻接部的宽度较小,整个形成过程对掩膜板强度的影响较小,相较于现有的FMM,蒸镀薄膜的阴影效应的区域更小,蒸镀薄膜的质量更好。因此,提高了蒸镀薄膜的质量。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括:遮光区域和透光区域,
在所述遮光区域上形成有邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述掩膜板的邻接部的厚度。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,
所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
3.根据权利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,
所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,
所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
5.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在不透光基板上形成透光区域,所述不透光基板上除所述透光区域外的区域为遮光区域;
在所述遮光区域上形成邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述邻接部的厚度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述邻接部厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在所述遮光区域上形成邻接部,包括:
在所述遮光区域上通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成所述邻接部,所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
9.根据权利要求5至8任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述在不透光基板上形成透光区域,包括:
对所述不透光基板的两面分别进行一次构图工艺,形成所述透光区域。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |