KR20030009328A - 교번 위상 마스크 - Google Patents

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KR20030009328A
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Abstract

본 발명은 2개의 불투명한 세그먼트로 이루어진 분기된 구조물을 가진 교번 위상 마스크(1)에 관한 것이다. 2개의 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)는 각각 상기 세그먼트 또는 그것의 부분의 양측에 배치된다. 상기 표면 세그먼트는 180°±Δα만큼 변이된 위상으로 제공되며, 상기 Δα는 25°를 초과하지 않는다. 상기 표면 세그먼트(5a, 5b)는 적어도 하나의 투명한 표면 경계 세그먼트(6)에 의해 분리되고, 상기 표면 경계 세그먼트의 위상은 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상들 사이에 놓인다.

Description

교번 위상 마스크{Alternating phase mask}
상기 방식의 위상 마스크는 집적 회로를 제조하기 위한, 특히 집적 회로의 와이어링을 위한 스트립 도체를 제조하기 위한 포토리소그래피 프로세스에 사용된다.
상기 방식의 스트립 도체는 통상적으로 집적 회로를 포함하는 기판 상에 직접 또는 중간에 금속층의 배치 하에 놓인 절연체 층 내에 형성된다. 상기 방식의 기판은 통상적으로 실리콘층으로 이루어지는 한편, 절연체 층은 산화물층, 바람직하게는 실리콘 산화물로 이루어진다.
절연체 층 내에 스트립 도체를 제조하기 위해, 동일한 평면에 또는 다수의 평면에 배열된 트렌치 및 콘택홀들이 형성된다. 이것을 위해, 바람직하게는 에칭 프로세스, 특히 플라즈마 에칭 프로세스가 사용된다.
상기 트렌치 및 콘택홀을 절연체 층 내에 형성하기 위해, 레지스트 마스크가 상기 트렌치 및/또는 콘택홀에 상응하는 홀 패턴으로 절연체 층 상에 제공된다. 통상적으로 다단계 프로세스에서 차례로 다수의 레지스트 마스크가 제공됨으로써, 콘택홀 및/또는 트렌치가 절연체 층의 다수의 평면에 형성된다.
레지스트 마스크 내의 개구를 통해 주어긴 깊이로 개별 트렌치 및 콘택홀들이 에칭된다. 그리고 나서, 레지스트 마스크가 절연체 층으로부터 제거된다. 끝으로, 스트립 도체의 제조를 위해 금속이 트렌치 및/또는 콘택홀 내로 디포짓된다.
절연체 층 상에 레지스트 마스크를 제조하는 것은 공지된 포토리소그래피 프로세스에 의해 이루어진다. 먼저, 절연체 층 상에 감광성 레지스트 층을 도포한다. 패턴 등의 배치에 의해 상기 레지스트 층의 정해진 부분에 방사선, 특히 광선이 제공된다. 그리고 나서, 적합한 현상기에서 레지스트 층의 노광된 또는 노광되지 않은 영역만이 제거된다. 첫번째 경우에는 소위 포지티브 레지스트가, 두번째 경우에는 네거티브 레지스트가 주어진다. 이렇게 형성된 홀 패턴을 가진 레지스트 층이 후속하는 에칭 프로세스용 레지스트 마스크를 형성한다.
노광 프로세스에서 방사선, 특히 광선은 주어진 홀 패턴을 따라 가급적 정확히 레지스트 층의 표면 상에 이미징되어야 한다. 이 경우, 가급적 높은 해상도가 얻어져야 하는데, 이것은 포토레지스트 층에서 노광된 부분과 노광되지 않은 부분이 가급적 명확히 구분되어야 한다는 것과 동일한 의미이다.
노광은 광원으로부터 광선이 방출되고, 상기 광선이 대물렌즈를 통해, 레지스트 층이 놓인 하나의 평면에 포커싱되는 방식으로 이루어진다. 상기 평면에서 레지스트 층을 가진 개별 기판이 스테퍼에 의해, 광원으로부터 방출되는 광선의 경로에 위치 설정된다.
노광 시에 광선은 마스크를 거쳐 마스크의 구조에 따라 일정한 노광 패턴이 주어질 수 있다. 마스크는 통상적으로 예컨대 크롬 마스크의 형태인 바이너리 마스크로 형성된다. 이러한 방식의 크롬 마스크는 특히 유리층으로 형성된 투명한 영역과, 크롬층으로 형성된 불투명한 영역의 교번 구조를 갖는다.
레지스트 층에서 노광된 영역과 노광되지 않은 영역의 콘트라스트를 높이기 위해, 크롬 마스크 대신에 위상 마스크가 사용된다.
이러한 위상 마스크는 특히 하프톤 위상 마스크로서 형성될 수 있다. 이러한 하프톤 위상 마스크에서는 불투명한 층이 전형적으로 6%의 투과율을 갖는 부분 투과 층으로 대체되고, 상기 층의 두께는 광선이 180°의 위상 변이를 갖도록 형성된다.
또한, 위상 마스크는 교번 위상 마스크로도 형성될 수 있다. 이러한 방식의 교번 위상 마스크는 크롬층으로부터 분리된 인접한 투명 영역을 가지며, 상기 영역은 각각 180°변이된 위상을 갖는다. 즉, 투명 영역을 통과한 광선은 인접한 투명 영역을 통해 안내되는 광선에 비해 180°만큼 위상 변이된다.
상기 방식의 교번 위상 마스크에 의해, 크롬층이 크롬 스트립으로서 서로 간격을 두고 평행하게 배치되면, 정확하고 콘트라스트가 큰 광학 이미지가 얻어진다. 이 경우, 투명한 영역은 마찬가지로 스트립을 형성하는데, 상기 스트립은 크롬 스트립 사이에 연장되며 0°및 180° 의 교번 위상을 갖는다.
그러나, 분기된, 크롬 스트립으로서 형성된 불투명한 세그먼트를 갖는 위상 마스크의 형성에는 문제가 있다. 특히, 각각 2개의 크롬 스트립은 T형 구조물을 형성한다. 이러한 방식의 T형 구조물에서는 제 1 크롬 스트립의 종측면에 제 2 크롬 스트립이 배치되므로, 제 1 크롬 스트립이 2개의 부분 세그먼트로 세분된다.크롬 스트립을 둘러싸는 투명한 영역은 특히 직사각형 표면 세그먼트로서 형성되고, 상기 표면 세그먼트의 길이 및 폭은 인접한 불투명한 세그먼트 또는 그 부분의 길이에 따라 조정된다. 투명한 표면 세그먼트는 바람직하게는 불투명한 세그먼트에 마주 놓인 각각 2개의 표면 세그먼트가 180°만큼 변이된 위상을 갖도록 배치된다. 물론, 직접 서로 인접한 2개의 표면 세그먼트는 항상 180°만큼 변이된 위상을 갖게 된다. 상기 표면 세그먼트의 경계선에서 위상 마스크를 통과하는 광선은 간섭 효과에 의해 소멸되므로, 그로 인해 레지스트 층의 상응하는 위치에 노광되지 않은 구역이 주어지게 된다.
이로 인해, 상기 구역을 추후에 노광하기 위한 제 2 노광 프로세스가 필요하게 된다. 이것은 바람직하지 않은 추가 처리 단계 및 그에 따라 시간 및 비용의 추가 소비를 의미한다.
미국 특허 제 5,840,447호에는 상이한 위상을 가진 투명한 표면 세그먼트들을 포함하는 위상 마스크가 공지되어 있다. 상이한 위상을 가진 2개의 표면 세그먼트의 경계선을 따라 주기적인 서브 파장 구조물이 제공된다. 상기 서브 파장 구조물은 2개의 인접한 표면 세그먼트의 재료로 이루어진 교번하는 얇은 층으로 이루어진다. 상기 서브 파장 구조물에 의해, 한 표면 세그먼트로부터 다른 표면 세그먼트로의 전이 시에 거의 연속하는 굴절율의 전이가 주어진다. 따라서, 간섭에 의해 표면 세그먼트들 간의 경계선을 통과하는 광선이 소멸되는 것이 방지된다.
미국 특허 제 5,635,316호에는 0°또는 180°의 위상을 가진 다수의 투명한 표면 세그먼트들을 가진 위상 마스크가 공지되어 있다. 2개의 표면 세그먼트 간의경계선을 통과하는 광선은 간섭 효과에 의해 소멸된다. 표면 세그먼트 및 그것으로부터 주어지는 경계선 구조의 적합한 배치에 의해 노광되지 않은 선의 폐쇄된 회로망이 얻어진다. 제 2 단계에서 제 2 마스크에 의해 노광되지 않은 선의 부분적 재노광이 이루어진다.
본 발명은 청구항 제 1항의 전제부에 따른 위상 마스크에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 위상 마스크의 제 1 실시예.
도 2는 레지스트 층 상에 도 1에 따른 위상 마스크에 의해 얻어진 노광 구조물의 개략도.
도 3는 본 발명에 따른 위상 마스크의 제 2 실시예.
도 4는 레지스트 층 상에 도 3에 따른 위상 마스크에 의해 얻어진 노광 구조물의 개략도.
본 발명의 목적은 분기된 구조물이 높은 콘트라스트 및 높은 이미징 품질로 이미징될 수 있도록 상기 방식의 교번 위상 마스크를 형성하는 것이다.
상기 목적은 청구항 제 1항의 특징에 의해 달성된다. 바람직한 실시예는 종속 청구항에 제시된다.
본 발명에 따른 교번 위상 마스크는 적어도 2개의 불투명한 세그먼트들을 포함한다. 제 1 세그먼트는 제 2 세그먼트의 종측면에 배치되고 상기 제 1 세그먼트는 상기 제 2 세그먼트 단부 양측에서 2개의 부분 세그먼트로 세분된다.
부분 세그먼트 및 제 2 세그먼트의 양측에는 각각 그 전체 길이에 걸쳐 2개의 투명한 표면 세그먼트들이 배치된다. 상기 세그먼트들은 180°±Δα만큼 변이된 위상을 가지며, 상기 Δα는 최대 25°이다.
상기 제 2 세그먼트 단부에 마주 놓인 제 1 세그먼트의 종측면에서 마주 놓이며 180°±Δα만큼 변이된 위상을 가진 표면 세그먼트는 적어도 하나의 투명한 표면 경계 세그먼트에 의해 분리되고, 상기 표면 경계 세그먼트의 위상은 인접한 표면 세그먼트들의 위상들 사이에 놓인다. 바람직하게는 상기 표면 경계 세그먼트의 위상은 인접한 표면 세그먼트의 위상의 산술적 평균에 상응한다.
이렇게 형성된 표면 경계 세그먼트에 의해, 인접한 표면 세그먼트들 간의 경계 영역을 통과하는 광선의 네거티브 간섭이 피해진다. 따라서, 상기 경계 영역에서 광선이 소멸되지 않으므로, 레지스트 층의 상응하는 영역이 노광된다.
따라서, 포토레지스트 층의 상기 영역의 재노광이 필요 없게 되므로, 레지스트 마스크의 소정 구조를 형성하기 위해 부가의 노광 프로세스가 필요 없다.
표면 경계 세그먼트는 큰 재료 또는 비용의 소비 없이 교번 위상 마스크에 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 위상 마스크에 의해, 이미징 시스템의 광학 파라미터의 넓은 파라미터 범위에서 콘트라스트가 큰 이미징이 주어질 수 있다. 특히, 위상 마스크를 통과하는 광선이 디포커싱될 때도 콘트라스트가 큰 이미징이 얻어진다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.
도 1은 집적 회로의 제조를 위한 포토리소그래피 프로세스에서 감광성 층의 노광을 위한 위상 마스크(1)의 제 1 실시예를 도시한다.
감광성 층은 예컨대 절연체층 상에 제공된 특히 레지스트 층으로서 형성된다. 절연체 층은 직접 또는 중간에 금속층의 존재 하에, 집적 회로를 포함하는 기판 상에 놓인다. 상기 기판은 바람직하게는 실리콘으로 이루어진다. 절연체 층은 바람직하게는 실리콘 산화물로 이루어진다. 상기 절연체 층 내에 스트립 도체가 형성된다. 상기 스트립 도체의 제조를 위해 미리 정해진 패턴에 따라 트렌치 및 콘택홀이 에칭된 다음, 상기 트렌치 및 콘택홀에 금속이 디포짓된다.
트렌치 및 콘택홀은 에칭 프로세스에 의해, 바람직하게는 플라즈마 에칭 프로세스에 의해 절연체 층 내에 형성된다. 이것을 위해 절연체 층 상에 놓인 레지스트 층으로 적어도 하나의 레지스트 마스크가 제조된다. 상기 레지스트 마스크는 트렌치 및 콘택홀에 상응하는 홀 패턴을 갖는다. 트렌치 및 콘택홀의 형성은 홀 및 레지스트 마스크를 통한 에칭에 의해 이루어진다.
레지스트 층으로 레지스트 마스크를 제조하는 것은 포토리소그래피 프로세스에 의해 이루어진다. 이것을 위해 레지스트 층은 미리 정해진 층에서 노광된 다음 현상된다. 레지스트 층이 포지티브 레지스트인지 또는 네거티브 레지스트인지에 따라 현상 시에 노광된 또는 노광되지 않은 레지스트 층 영역이 제거된다.
노광 프로세스를 실행하기 위해, 광선을 방출하는 광원이 제공된다. 광선은 대물렌즈에 의해 레지스트 층에 포커싱된다. 스테퍼에 의해 노광될 층이 광선 경로에서 대물렌즈의 초점으로 이동된다. 대물렌즈 앞에 위상 마스크(1)가 제공된다.
본 실시예에서 레이저로 형성된 광원이 제공되며, 상기 광원은 광선으로서 간섭성 레이저 광선을 방출한다.
도 1에는 본 발명에 따른 교번 위상 마스크(1)의 실시예가 도시된다. 상기 위상 마스크(1)에는 2개의 불투명한 세그먼트가 제공된다. 상기 불투명한 세그먼트들은 크롬 스트립(2, 3)으로서 형성된다. 크롬 스트립(2, 3)은 예컨대 유리 플레이트로 형성된 투명한 베이스(4)상에 제공된 얇은 층으로 형성된다. 크롬 스트립(2, 3)의 횡단면은 긴 직사각형 형태를 갖는다.
제 1 크롬 스트립(2)의 종측면에는 제 2 크롬 스트립(3)이 직각으로 배치됨으로써, 2개의 크롬 스트립(2, 3)이 T-형 구조물을 형성한다. 제 2 크롬 스트립(3)의 단부에 의해 제 1 크롬 스트립(2)이 2개의 부분 세그먼트(2a, 2b)로 세분된다. T형 구조물의 크기는 약 G = 0.3 ·λ/NA이다. 상기 식에서, λ는 노광 시에 사용된 레이저 광선의 파장이며, NA는 광학 이미징 시스템의 개구수이다.
크롬 스트립(2, 3)에 인접하게 총 4개의 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)가 제공된다. 상기 세그먼트들은 크롬 스트립(2, 3)과 함께 정방형을 형성한다. 표면 세그먼트(5a, 5b)는 표면 세그먼트 중 2개(5a, 5b)가 제 1 크롬 스트립(2)의 부분 세그먼트(2a, 2b)에 또는 제 2 크롬 세그먼트(3)에 마주 놓여 접하도록 배치된다.
표면 세그먼트(5a 또는 5b)의 측면 길이는 제 1 크롬 스트립(2)의 부분 세그먼트(2a, 2b)의 길이, 또는 표면 세그먼트(5a)의 각각의 측면이 인접한 제 2 크롬 스트립(3)의 길이에 상응한다.
표면 세그먼트(5a, 5b)는 상이한 위상을 갖는다. 바람직하게는 표면 세그먼트(5a, 5b)의 영역에 베이스(4)를 형성하는 유리 플레이트가 상응하는 깊이로 에칭되는 방식으로, 각각의 위상을 가진 표면 세그먼트(5a, 5b)가 제조된다.
표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상은 마주 놓인 2개의 표면 세그먼트(5a, 5b)가 180°± Δα각 만큼 변이된 위상을 갖도록 선택된다. 상기 각 오프셋 Δα은 약 Δα = 25°를 넘지 않는다. 도면에 도시된 실시예에서 각 오프셋 Δα = 0°이다.
도 1에 도시된 실시예에서 표면 세그먼트 중 2개(5a)는 위상 180°을 갖는다. 즉, 레이저 광선의 통과 시 레이저 광선은 180°의 위상 편차를 갖는다.
이에 비해, 다른 2개의 표면 세그먼트(5b)는 베이스(4)의 위상과 동일한 0°의 위상을 갖는다.
도 1에 나타나는 바와 같이, 2개의 하부 표면 세그먼트(5a, 5b)는 각각 2개의 측면이 크롬 층에 인접한다. 그러나, 2개의 상부 표면 세그먼트(5a, 5b)는 그사이에 크롬 층이 배치되지 않으므로, 각각 하나의 측면이 크롬 층에 인접한다.
본 발명에 따라 상기 2개의 표면 세그먼트(5a, 5b) 사이에 투명한 표면 경계 세그먼트(6)가 제공된다. 상기 표면 경계 세그먼트(6)는 직사각형 횡단면을 가지며 트렌치를 따라 연장된다. 상기 트렌치를 따라 제 2 크롬 스트립(3)도 연장된다. 표면 경계 세그먼트(6)의 폭은 제 2 크롬 스트립(3)의 폭에 상응한다. 표면 경계 세그먼트(6)의 길이는 표면 세그먼트(5a, 5b)의 인접한 측면의 길이에 상응한다.
표면 경계 세그먼트(6)의 위상은 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상들 사이에 놓인다. 바람직하게는 표면 경계 세그먼트(6)의 위상이 그것에 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상의 산술적 평균값에 상응한다.
본 실시예에서 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상들은 0°또는 180°이므로, 표면 경계 세그먼트(6)의 위상은 90°이다. 대안으로서 상기 위상은 90°+ n·180°일 수 있다. 상기 식에서, n는 양의 정수이다.
이렇게 형성된 장치는 교번 위상 마스크(1)를 형성한다. 상기 마스크에서는 불투명한 크롬층에 의해 분리된 인접한 투명 표면 세그먼트(5a, 5b)가 180°만큼 변이된 위상을 갖는다.
표면 경계 세그먼트(6)에 의해, 제 2 크롬 스트립(3)의 단부에 마주 놓인 제 1 크롬 스트립(2)의 종측면에 마주 놓인 표면 세그먼트(5a, 5b)는 서로 직접 인접하지 않게 된다. 표면 경계 세그먼트(6)가 중간에 배치됨으로써, 180°의 갑작스런 위상 변이가 피해진다. 오히려, 표면 경계 세그먼트(6)의 경계선에서는 단지 90°의 위상 변이만이 나타난다. 이로 인해, 상기 표면 세그먼트(5a, 5b) 사이의 경계에서 간섭 효과로 인해 레이저 광선의 소멸이 나타나지 않게 되므로, 이 영역에서도 각각의 레지스트 구조물의 노광이 이루어진다.
도 2는 도 1에 따른 교번 위상 마스크(1)에 의해 얻어진 레지스트 층의 노광 패턴을 개략적으로 도시한다. 밝은 부분은 노광된 지점를 나타낸다. 어두운 부분은 노광되지 않은 지점을 나타낸다. 도 2에 나타나는 바와 같이, 본 발명에 따른 위상 마스크(1)에 의해 매우 높은 콘트라스트를 가진 이미지가 주어진다. 크롬 세그먼트의 T형 구조물은 노광되지 않은 영역으로서 주변에 놓인 노광된 영역으로부터 정확한 윤곽으로 두드러진다. 특히, 표면 경계 세그먼트(6)의 영역에서도 레지스트 층의 매우 강력한 노광이 이루어진다.
T형 구조물의 상부 에지의 중심 부분에서만 노광되지 않은 영역의 작은 텅형(tongue-shaped) 돌출부(7)가 연장된다. 이 지점에서 노광되지 않은 영역의 확대는 제 2 크롬 스트립(3)의 단부에서 제 1 크롬 스트립(2)의 횡단면 확대에 기인한다.
도 3은 본 발명에 따른 위상 마스크(1)의 제 2 실시예를 도시한다. 상기 위상 마스크(1)의 구성은 도 1에 따른 위상 마스크(1)의 구성에 실질적으로 상응한다.
도 1에 따른 위상 마스크(1)와의 차이점은 도 3에 따른 위상 마스크(1)가 개별 크롬 층에 대해 교대로 배치된, 90° 및 270°의 위상을 가진 표면 세그먼트(5a, 5b)를 갖는다는 것이다. 90° 및 270°의 위상을 가진 표면 세그먼트(5a, 5b) 사이에 놓인 표면 경계 세그먼트(6)는 베이스(4)에 상응하는 0°의 위상을 갖는다.
도 1에 따른 위상 마스크(1)와의 또다른 차이점은 도 3에 따른 위상 마스크(1)에서 제 1 크롬 스트립(2)이 T형 구조물의 상부 에지를 형성하는 그 종측면에 홈(8)을 갖는다는 것이다. 상기 홈(8)은 제 1 크롬 스트립(2)의 종측면에 있는 제 2 크롬 스트립(3)의 단부에 마주 놓이게 배치된다. 상기 홈(8)의 폭은 제 2 크롬 스트립(3)의 폭에 상응한다.
도 4는 도 3에 따른 교번 위상 마스크(1)에 의해 얻어진 레지스트 층의 노광 패턴을 개략적으로 도시한다. 노광 패턴은 도 2에 따른 노광 패턴과 거의 동일하다.
노광 패턴의 유일한 차이점은 홈(8)에 의해 도 1에 따른 위상 마스크(1)의 제 1 크롬 스트립(2)에서 불투명한 세그먼트의 T형 구조물에 의해 생긴 노광되지 않은 영역의 상부면에 텅형 돌출부(7)가 더 이상 나타나지 않는다는 것이다.
본 실시예에서 표면 경계 세그먼트(6)는 균일한 위상을 가진 투명한 영역으로 이루어진다. 기본적으로, 표면 경계 세그먼트(6)는 상이한 위상을 가진 다수의 영역으로 세분될 수 있으며, 극단의 경우 위상이 연속적으로 변할 수도 있다.

Claims (18)

  1. 서로 변이된 위상을 가진 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)로 이루어진 T 패턴 구조물 및 상기 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 위상들 사이에 놓인 위상을 가진 표면 경계 세그먼트(6)를 포함하는 포토리소그래피 프로세스에서 감광성 층을 노광하기 위한 교번 위상 마스크에 있어서,
    상기 위상 마스크는 적어도 2개의 불투명한 세그먼트(2, 3)를 포함하고, 상기 제 1 불투명한 세그먼트(2)의 종측면에는 제 2 불투명한 세그먼트(3)가 배치됨으로써, 제 1 불투명한 세그먼트(2)가 제 2 불투명한 세그먼트(3) 단부 양측에서 2개의 불투명한 부분 세그먼트(2a, 2b)로 세분되고, 상기 부분 세그먼트(2a, 2b) 및 제 2 불투명한 세그먼트(3)의 양측에 각각 그 전체 길이에 걸쳐 각각 2개의 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)가 배치되며, 상기 2개의 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)는 180°±Δα만큼 변이된 위상을 가지며, 상기 Δα는 25°를 초과하지 않고, 제 2 불투명한 세그먼트(3) 단부에 마주 놓인 제 1 세그먼트(2)의 종측면에서 마주 놓이고 180°±Δα만큼 변이된 위상을 가진 상기 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)는 적어도 하나의 투명한 표면 경계 세그먼트(6)에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 불투명한 세그먼트(2, 3)가 T형 구조물을 형성하는 것을 특징을 교번위상 마스크.
  3. 제 2항에 있어서,
    T형 구조물의 크기(G)가 약 G = 0.3·λ/NA이고, 상기 식에서 λ은 노광 시에 사용된 광선의 파장이며, NA는 노광을 위해 사용된 이미징 시스템의 개구수인 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 불투명한 세그먼트(2, 3)가 실질적으로 긴 직사각형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 불투명한 세그먼트(2)가 제 2 불투명한 세그먼트(3)의 단부에 마주 놓인 측면에 상기 단부의 길이에 걸쳐 연장되는 홈(8)을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 불투명한 세그먼트가 크롬 스트립(2, 3)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    Δα = 0°인 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)가 인접한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 경계면에 대해 횡으로 상이한 위상을 가진 부분 세그먼트(2a, 2b)로 나눠지는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  9. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)가 균일한 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  10. 제 2항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)가 직사각형 횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 길이 및 폭이 각각 인접한 세그먼트 또는 부분 세그먼트(2a, 2b)의 길이에 상응하는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  12. 제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)가 0°또는 180°의 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)가 90°의 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  14. 제 7항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)가 90°또는 270°의 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)가 0°의 위상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  16. 제 8항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)가 긴 직사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)의 폭이 제 2 불투명한 세그먼트(3)의 폭에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
  18. 제 16항 또는 제 17항에 있어서,
    상기 표면 경계 세그먼트(6)의 길이가 인접한 투명한 표면 세그먼트(5a, 5b)의 길이에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 교번 위상 마스크.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846619B2 (en) 2006-08-29 2010-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Hybrid photomask and method of fabricating the same

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7083879B2 (en) * 2001-06-08 2006-08-01 Synopsys, Inc. Phase conflict resolution for photolithographic masks
US20020192676A1 (en) * 2001-06-18 2002-12-19 Madonna Angelo J. Method for determining if a type of bacteria is present in a mixture
DE10129202C1 (de) 2001-06-18 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Alternierende Phasenmaske
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US20030151118A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US20050003346A1 (en) * 2002-04-12 2005-01-06 Colorado School Of Mines Apparatus and method for detecting microscopic living organisms using bacteriophage
US8216780B2 (en) * 2002-04-12 2012-07-10 Microphage (Tm) Incorporated Method for enhanced sensitivity in bacteriophage-based diagnostic assays
EP1540018B1 (en) * 2002-04-12 2010-05-26 Colorado School Of Mines Method for detecting low concentrations of a target bacterium that uses phages to infect target bacterial cells
KR100675882B1 (ko) * 2004-12-22 2007-02-02 주식회사 하이닉스반도체 다중투과 위상 마스크 및 이를 이용한 노광 방법
US20110097702A1 (en) * 2005-03-31 2011-04-28 Voorhees Kent J Methods and compositions for in situ detection of microorganisms on a surface
WO2006105504A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Microphage Incorporated Apparatus and method for detecting microorganisms using flagged bacteriophage
US7773307B2 (en) * 2006-12-12 2010-08-10 Northrop Grumman Space & Mission Systems Corporation Phase mask with continuous azimuthal variation for a coronagraph imaging system
US8455186B2 (en) 2007-06-15 2013-06-04 MicroPhage™ Incorporated Method of detection of microorganisms with enhanced bacteriophage amplification
US8697434B2 (en) * 2008-01-11 2014-04-15 Colorado School Of Mines Detection of phage amplification by SERS nanoparticles
US9441204B2 (en) * 2008-04-03 2016-09-13 Colorado School Of Mines Compositions and methods for detecting Yersinia pestis bacteria
US9455202B2 (en) * 2014-05-29 2016-09-27 United Microelectronics Corp. Mask set and method for fabricating semiconductor device by using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69028871T2 (de) * 1989-04-28 1997-02-27 Fujitsu Ltd Maske, Herstellungsverfahren und Musterherstellung mit einer solchen Maske
US5229255A (en) * 1991-03-22 1993-07-20 At&T Bell Laboratories Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay
US5472814A (en) 1994-11-17 1995-12-05 International Business Machines Corporation Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement
US5523186A (en) * 1994-12-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Split and cover technique for phase shifting photolithography
US5595843A (en) 1995-03-30 1997-01-21 Intel Corporation Layout methodology, mask set, and patterning method for phase-shifting lithography
US5942355A (en) 1996-09-04 1999-08-24 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask
US6228539B1 (en) * 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5923566A (en) * 1997-03-25 1999-07-13 International Business Machines Corporation Phase shifted design verification routine
US5840447A (en) 1997-08-29 1998-11-24 International Business Machines Corporation Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846619B2 (en) 2006-08-29 2010-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Hybrid photomask and method of fabricating the same

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Publication number Publication date
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EP1244937A2 (de) 2002-10-02
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US20030008218A1 (en) 2003-01-09
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JP2003521726A (ja) 2003-07-15
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DE19957542A1 (de) 2001-07-05
WO2001040868A2 (de) 2001-06-07

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