KR0157928B1 - 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법 - Google Patents

자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법에 관한 것으로, 투명기판 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴을 형성하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 감광성 유기물층을 형성하는 공정과; 상기 감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로, 감광성 유기물층을 표면처리하여, 유기물질이 스며든 감광성 유기물층의 표면에 난용층을 형성하는 공정과; 후면 노광 및 현상을 실시하여 상기 차광 패턴 상에, 양 에지 상측 측면에 돌출부가 형성되어 있는 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로 기판을 선택 식각하여, 상기 차광 패턴 사이의 기판 표면에 주패턴과 보조패턴을 정의 하는 공정 및; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 제거하는 공정을 구비하여 위상반전 마스크 제조를 완료하므로써, 1) 차광 패턴을 초기 단계에서 완성한 후 아웃-리거 패턴을 형성하므로, 차광 패턴의 언더-컷 또는 정렬 오차를 사전에 방지할 수 있고, 2) 차광 패턴 상단의 난용층이 포함된 레지스트 패턴을 마스크로 한 식각공정을 통하여 보조패턴이 정의되므로, 자체 정렬이 가능할 뿐 아니라 보조패턴의 폭 결정이 용이하고, 3) 기판 식각시 2가의 인 이온을 이온주입한 후 습식식각을 이용하므로, 매끈한 기판 표면을 얻을 수 있고, 4) 주패턴과 보조패턴 간의 정확한 배열(alignment)이 가능하게 되어 인접 마스크 패턴 간에 서로 대칭적인 광강도를 얻을 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 차광효과 또한 개선할 수 있게 된다.

Description

자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법
제1(a)도 내지 제1(d)도는 종래 기술에 따른 PSM의 제조방법 및 그 평면 구조를 도시한 것으로,
제1(a)도 내지 제1(c)도는 PSM 제조방법을 나타낸 공정수순도.
제1(d)도는 제1(c)도의 평면 구조를 도시한 평면도.
제2(a)도 내지 제2(d)도는 종래 기술에 따른 다른 형태의 PSM 제조방법을 도시하 공정수순도.
제3(a)도 내지 제3(e)도는 본 발명의 제1실시예에 따른 PSM 제조방법을 도시한 공정수순도.
제4(a)도 내지 제4(h)도는 본 발명의 제2실시예에 따른 PSM 제조방법 및 그 평면 구조를 도시한 것으로,
제4(a)도 내지 제4(g)도는 PSM 제조방법을 도시한 공정수순도.
제4(h)도는 제4(g)도의 평면 구조를 도시한 평면도.
제5도는 본 발명에 의해 제조된 PSM과 종래 기술에 의해 제조된 PSM의 거리에 따른 광강도 변화를 비교 도시한 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 투명기판 102 : 차광 패턴
104, 104a, 104b : 레지스트층 104', 104b' : 레지스트 패턴
106 : 난용층 106' : 난용층 패턴
108 : 인 이온주입영역 110, 110' : SiO2패턴
112, 112' : 보조패턴
본 발명은 반도체 소자 제조시 이용되는 마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 위상반전마스크(phase shift mask: 이하, PSM이라 한다)에 적합하도록 형성된 자체 정합형 아웃-리거(out-rigger) 위상반전마스크 제조방법에 관한 것이다.
최근까지, 반도체 소자를 집적화하기 위하여 여러 가지 형태의 리소그라피(lithography) 기술이 개발되어 왔으며, 그 중에서도 위상반전 효과를 이용해 고해상도 패터닝(patterning)이 가능하도록 한 기술은 비약적인 발전을 거듭하고 있다. 이러한 노력의 대부분이 얼트네이트(alternate)형 PSM, 혹은 RIM형 PSM 및, 아웃-리거형 PSM 등의 제조기술에 모아졌다.
이들의 공통점은 종래의 차광/투광 형태의 단순 개념에서 벗어나 위상반전 효과(예컨대, 180°반전 또는 기타)를 이용할 수 있도록 쉬프터 물질을 추가하였다는 점이다.
즉, 투광층은 100%에 가까운 투과율을 유지하고, 쉬프터층은 투광층의 통과 광에 대해 180°만큼 위상이 차이나도록 단차를 형성하는 기술로서, 이때 쉬프터층의 광투과율은 마스크 형태 및 제조 목적에 따라 다양하게 변화시킬 수 있다. 이중, 얼터네이트형 PSM을 제외한 나머지는 차광부를 경계로 투광층이나 쉬프터층을 적절히 배열하는 형태를 갖는다.
1982년 IBM의 M.D. Levenson이 SPIE에 처음으로 PSM의 구현방법을 구체화한 이래, 아웃-리거형도 이를 응용한 방법으로 제시되었다.
초기에 등장한 관용적인 기술로는, 마스크면 위에 차광부를 둘러싸인 개구부를 형성한 뒤 그 주변 사면에 해상되지 않는 보조 패턴을 배치하는 방법을 들 수 있으며, 미국특허 5,260,152에는 이를 개량한 형태로서 개구(open)부 주위를 미세 쉬프터로 모두 에워싼 형태를 갖는 PSM이 보고된 바 있다.
제1(a)도 내지 제1(d)도에 도시된 공정수순도를 참조하여 미국특허 5,260,152에 보고된 PSM 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 제1(a)도에 도시된 바와 같이 투명기판(1) 상에 기판(1) 표면이 소정 부분 드러나도록 차광 패턴(2)을 형성하고, 상기 차광 패턴(2) 위에 레지스트(resist) 패턴(3)을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴(3)을 마스크로 레지스트 패턴(3)의 개구폭(a)보다 넓은 개구폭(b)을 갖도록 상기 차광 패턴(2)을 습식식각한다.
그후, 제1(b)도에 도시된 바와 같이 위상반전 효과가 있는 쉬프터 물질 예컨대, SiO2를 상기 패턴 전면에 기화 증착(evaporation deposition)시켜 표면이 드러난 부분의 기판(1) 상부와 레지스트 패턴(3) 상부에 SiO2패턴(5), (5')을 각각 형성한다.
이어서, 제1(c)도에 도시된 바와 같이 리프트-오프(lift-off) 방법으로 레지스트 패턴(3) 위에 증착된 SiO2패턴(5')과 레지스트 패턴(3)를 제거하므로써, PSM 제조를 완료한다.
제1(d)도에는 이러한 공정을 통해 제조된 PSM의 평면 구조를 나타낸 평면도가 도시되어 있다. 상기 도면에서 6a 및 6b는 SiO2패턴(5)과 차광 패턴(2) 사이에 형성된 보조패턴의 좌/우측 간격을 나타낸다.
그러나, 상기 공정은 차광 패턴(2) 형성시 습식식각을 행하기 때문에 차광 패턴의 식각면에 언더 컷(under cut)이 발생하게 되어, 차광 패턴(2)의 차광 효과가 불균일해질 뿐 아니라 보조패턴의 간격 조절이 어려워 PSM의 해상도가 저하되는 단점을 가진다.
한편, 이와는 또 다른 제조방법으로서, 미국 특허 5,300,379에는 마스크 기판을 식각하여 아웃 리거 형태의 PSM을 구현한 기술이 보고되어 있다.
상기 기술은 덴스(dense)한 패턴 간의 상호 간섭을 배제하기 위하여 인접 홀(hole)을 기준으로 보조 패턴 간의 위상 및 홀 간의 위상을 반대로 형성한 것으로, 이를 제2(a)도 내지 제2(d)도에 도시된 공정수순도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 제2(a)도에 도시된 바와 같이 투명기판(1) 위에 차광층(예컨대, Cr층)(12)을 증착한 뒤, 그 위에 레지스트를 증착하고, 상기 차광층(12) 표면이 선택적으로 드러나도록 상기 레지스트를 식각하여 제1레지스트 패턴(3)을 형성한다.
그후, 제2(b)도에 도시된 바와 같이 상기 레지스트 패턴(3)을 마스크 표면이 노출된 부분의 차광층(2) 및 그 하부의 기판(1) 일부를 식각하고, 상기 레지스트 패턴(3)을 제거한다.
이어서, 제2(c)도에 도시된 바와 같이 상기 패턴 전면에 다시 레지스트를 증착하고, 이를 선택적으로 노광하여 레지스트 패턴(3)을 형성한다.
그 다음, 제2(d)도에 도시된 바와 같이 상기 레지스트 패턴(3)을 마스크로 노출된 차광층(12)을 제거하고, 상기 레지스트 패턴(3)을 제거하므로써, PSM 제조를 완료한다.
그 결과, 마스크 패턴이 밀집해 있을 때 보조패턴(7a), (7b) 간의 광 간섭 현상을 개선되었지만, 상기 공정은 보조패턴(7a), (7b) 형성시나 또는 주패턴(main pattern)(8a), (8b) 형성시에 그들 각각의 정확한 배열(alignment)에 어려움이 따라 공정 진행이 까다롭다는 단점을 갖는다.
이에 본 발명은 상기와 같은 단점을 개선하기 위하여 이루어진 것으로, 인접한 아웃-리거 패턴 간의 광 간섭 현상을 방지할 수 있으면서도 보조패턴의 정렬 정확도를 향상시킬 수 있도록 한, 자체 정합형 아웃-리거 PSM 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 따른 자체 접합형 아웃-리거 PSM 제조방법은, 투명기판 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴을 형성하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 감광성 유기물층을 형성하는 공정과; 상기 감광성 유기물층의 현상 용해속도를 억제하는 유기물질로, 감광성 유기물층을 표면처리하여, 유기물질이 스며든 감광성 유기물층의 표면에 난용층을 형성하는 공정과; 후면 노광 및 현상을 실시하여 상기 차광 패턴 상에, 양 에지 상측 측면에 돌출부가 형성되어 있는 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로 기판을 선택 식각하여, 상기 차광 패턴 사이의 기판 표면에 주패턴과 보조패턴을 정의하는 공정 및; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2실시예에 따른 자체 접합형 아웃-리거 PSM 제조방법은, 투명기판 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴을 형성하는 공정과; 상기 차광 패턴 과 기판 상에 제1감광성 유기물층을 증착하고, 임의의 기판 표면이 노출되도록 선택 노광을 실시하는 공정과; 상기 제1감광성 유기물층을 마스크로 노출된 기판 표면을 소정 두께 식각하고, 제1감광성 유기물층을 제거하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 제2감광성 유기물층을 형성하는 공정과, 상기 제2감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로, 제2감광성 유기물층을 표면처리하여, 유기물질이 스며든 제2감광성 유기물층의 표면에 난용층을 형성하는 공정과; 후면 노광 및 현상을 실시하여 상기 차광 패턴 상에, 양 에지 상측 측면에 돌출부가 형성되어 있는 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로 기판 노출부에 투광성막을 형성하는 공정 및; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 제거하여 차광 패턴 사이의 기판에 주패턴과 보조패턴을 정의하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 공정 결과, PSM의 보조패턴 및 주패턴의 정렬 정확도를 향상시킬 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 차광 패턴 상단의 난용층이 포함된 레지스트 패턴을 이용하여 자체 정렬 방식으로 보조 패턴을 형성하므로써, 보조 패턴의 정렬 정확도를 높이고, 인접한 아웃-리거 패턴 간의 광 간섭을 막는데 주안점을 둔 것으로, 이를 제3도 및 제4도에 도시된 공정수순도를 이용하여 구체적으로 살펴본다.
여기서, 제3(a)도 내지 제3(e)도에 도시된 공정수순도는 본 발명의 제1실시예에 따른 PSM 제조방법을 나타낸 것이며, 제4(a)도 내지 제4(g)도에 도시된 공정수순도는 본 발명의 제2실시예에 따른 PSM 제조방법을 나타낸 것이다.
먼저, 제1실시예를 살펴본다. 제1단계로서, 제3(a)도에 도시된 바와 같이, 투명기판(100) 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴(102)을 형성하고, 상기 차광 패턴(102)을 포함한 기판(100) 전면에 감광성 유기물 예컨대, PFI-15(25cp) 레지스트층(104)을 1.02㎛의 두께를 가지도록 회전 도포한 후, 연화 굽기(soft bake)를 90℃에서 120초간 실시한다. 이어, 상기 레지스트층(104) 표면을 알카리 처리하기 위하여 상기 감광성 유기물의 현상 용액 속도를 억제하는 유기물인 TOK NMD-3 원액에, 상기 패턴을 250초 동안 침적시킨다. 그 결과, 상기 레지스트층(104) 표면으로 알카리 용액이 스며든 부분에 난용층(106)이 형성된다. 이때, 상기 난용층(106)의 두께는 알카리 표면처리 이전의 상기 레지스트층(104) 총 두께의 5% 내지 50% 두께 범위 내에서 형성한다.
제2단계로서, 제3(b)도에 도시된 바와 같이 상기 기판(100)의 이면을 자외선(UV)으로 0.43 도 동안 플러드 노광(flood exposure)하고, 100℃의 핫 플레이트(hot plate) 온도에서 110초간 굽기를 실시한다.
이어 제3단계로서, 제3(c)도에 도시된 바와 같이 퍼들(PUDDLE) 타입의 NMD-3 현상액으로 50초 동안 현상을 실시한다. 그 결과, 양 에지 후 상단 측면에 돌출부(over-hanging part)를 갖는 난용층/레지스트 적층 패턴(106'), (104')이 차광 패턴(102) 위에 자동정렬 방식으로 서로 C 간격 만큼 이격된 형태로 형성된다. 이와 같이 레지스트 패턴(104') 상부에 돌출부를 갖는 난용층 패턴(106')이 형성된 것은, 알카리 표면 처리(alkaline surface treatment)에 의해 형성된 난용층(106)이 레지스트층(104) 보다 현상 용해 속도가 더 낮기 때문에 식각이 더디게 이루어지기 때문이다.
제4단계로서, 제3(d)에 도시된 바와 같이 상기 난용층/레지스트 적층 패턴(106'), (104')을 마스크로 2가의 인 이온(P2+)을 140KeV의 가속전압으로 이온주입(implant)하여 C에 해당되는 영역의 기판(100) 내부에 인 이온주입영역(108)을 형성한다.
제5단계로서, 제3(e)도에 도시된 바와 같이 제4단계에서 형성된 패턴을 25%의 NaOH 용액에 침적시켜, 인 이온주입영역(108)의 기판 표면을 선택적으로 식각하고, 상기 난용층/레지스트 적층 패턴(106'), (104')을 제거한다. 이때, 상기 기판의 식각 깊이는 위상 반전을 일으키는 두께 T(T=λ/2(n-1), 여기서 λ: 노광파장, n: 쉬프터의 굴절률)만큼 식각된다. 이로써, 자체 접합형 아웃-리거 PSM 제조를 완료한다.
그 결과, 상기 도면에서 알 수 있듯이, 상기 차광 패턴(102) 사이의 기판 표면에 표면 단차를 갖는 주패턴(d)과 상기 주패턴(d) 양측에 표면 단차를 가지지 않는 보조 패턴(e)이 형성된다.
이때, 상기 주패턴(d) 폭은 인접된 차광 패턴(102) 사이의 기판 표면 중심점에 정의하되, 그 중심점을 기준으로 좌/우측 폭이 동일하도록 형성되며, 상기 보조 패턴(e)의 폭은 상기 감광성 유기질 패턴(104')에서 차광 패턴(102)의 크기를 뺀 크기와 일치하도록 형성된다.
한편, 상기 실시예는 제3(c)도에 도시된 공정 진행후, 인 이온주입공정을 거치지 않고, 곧 바로 상기 난용층/레지스트 적층 패턴을 마스크로 하여 산소 RI(reaction ion)을 이용한 반응성이온식각(RIE)법으로 기판을 T(T=λ/2(n-1)) 두께 만큼 식각하여 PSM을 제조할 수도 있다.
다음으로, 제2실시예를 살펴본다. 제1단계로서, 제4(a)도에 도시된 바와 같이, 투명기판(100) 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴(102)을 형성하고, 상기 차광 패턴(102)을 포함한 기판(100) 전면에 감광성 유기물인 제1레지스트층(104a)을 회전 도포한 후, 자외선(UV) 노광을 선택적으로 행하고, 현상(develope) 공정을 실시하여, 자외선이 노광된 부분의 기판 표면이 노출되도록 제1레지스트층(104a)을 식각한다.
이어 제2단계로서, 제4(b)도에 도시된 바와 같이 상기 제1레지스트층(104a)을 마스크로 표면이 노출된 부분의 기판을 소정 깊이 식각하고, 상기 제1레지스트층(104a)을 제거한다.
제3단계로서, 제4(c)도에 도시된 바와 같이 상기 패턴 전면에 다시 감광성 유기물인 제2레지스트층(104b)을 형성하고, 제1실시예에서와 같이 상기 제2레지스트층(104b)을 알카리 표면 처리하여 알카리 용액이 스며든 부분의 제2레지스트층(104b) 표면에 난용층(106)을 형성한다.
제4단계로서, 제4(d)도에 도시된 바와 같이 상기 투명기판(100) 이면에 자외선(UV)으로 플러드 노광을 실시한다.
제5단계로서, 제4(e)도에 도시된 바와 같이 자외선에 노광된 부분을 현상처리하여, 양 에지측 상단 측면에 돌출부를 갖는 난용층/제2레지스트 적층 패턴(106'), (104b')을 차광 패턴(102) 위에 서로 C 간격 만틈 이격되도록 형성한다. 이어, 상기 난용층/제2레지스트 적층 패턴(106'), (104b')을 보호막으로 하여 쉬프터로 사용 가능한 SiO2물질(또는 투광부로 사용 가능한 SiO2물질)을 스퍼터링(sputtering)법으로 증착한다. 그 결과, 제4(f)도에 도시된 바와 같이 표면이 노출된 기판 표면에 위상반전을 일으킬 수 있는 두께 T(T=λ/2(n-1), 여기서 λ: 노광 파장, n: 쉬프터의 굴절률)를 갖는 SiO2패턴(110), (110')이 자체정렬 방식으로 형성된다.
제6단계로서, 제4(g)도에 도시된 바와 같이 상기 난용층/제2레지스트 적층 패턴(106')(104b')을 제거하므로써, PSM 제조를 완료한다.
그 결과, 상기 도면에서 알 수 있듯이 기판 함몰부(f)에 형성된 SiO2패턴(110)은 주패턴으로서 0°의 위상을 가지며, 이를 둘러싸고 있는 그 양측의 보조패턴(112)은 180°의 위상차를 갖는다.
차광 패턴(102)을 사이에 두고, 이러한 아웃-리거 패턴과 인접되어 있는 패턴은 이와 반대의 위상을 가지게 되는데, 기판 표면부(g)의 중심에 형성된 SiO2패턴(110')은 주패턴으로서 180°의 위상을 가지며, 이를 둘러싸고 있는 그 양측의 보조패턴(112')은 0°의 위상차를 갖는다.
제4(h)도에는 이 완성된 아웃-리거 PSM의 평면도가 도시되어 있다. 상기 도면으로부터 보조패턴(112), (112')이 일정하게 균일한 폭을 가지도록 형성되어 있음을 알 수 있다.
제5도에는 상기 공정을 이용하여 제조된 PSM과 종래 사용되던 PSM의 거리에 따른 광강도 변화를 비교도시해 놓은 그래프가 제시되어 있다. 상기 그래프에서 점선 부분은 종래의 광강도 세기를 나타내며, 실선 부분은 본 발명이 광강도 세기를 나타낸다.
상기 그래프를 참조하면, 종래의 경우는 보조 패턴 형성시 정렬 오차(mis align)에 의해 보조 패턴 폭이 위치에 따라 달라지게 되므로 주 패턴 간의 광강도도 달라지게 되어 두 패턴 사이의 차광영역에서 차광효과 또한 감소되는 반면, 본 발명의 경우는 보조패턴 폭이 위치에 상관 없이 일정하게 형성되므로 인접 패턴 간의 광강도를 서로 대칭적으로 유지할 수 있을 뿐 아니라 차광효가 또한 개선할 수 있게 됨을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 1) 차광 패턴을 초기 단계에서 완성한 후 아웃-리거 패턴을 형성하므로, 차광 패턴의 언더-컷 또는 정렬 오차를 사전에 방지할 수 있고, 2) 차광 패턴 상단의 난용층이 포함된 레지스트 패턴을 마스크로 한 식각 공정을 통하여 보조패턴이 정의되므로, 자체 정렬이 가능할 뿐 아니라 보조패턴의 폭 결정이 용이하고, 3) 기판 식각시 2가의 인 이온을 이온주입한 후 습식식각을 이용하므로, 매끈한 기판 표면을 얻을 수 있고, 4) 주패턴과 보조패턴간의 정확한 배열(alignment)이 가능하게 되어 인접 마스크 패턴 간에 서로 대칭적인 광강도를 얻을 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 차광효과를 개선할 수 있게 된다.

Claims (16)

  1. 투명기판 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴을 형성하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 감광성 유기물층을 형성하는 공정과; 상기 감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로, 감광성 유기물층을 표면처리하여, 유기물질이 스며든 감광성 유기물층의 표면에 난용층을 형성하는 공정과; 후면 노광 및 현상을 실시하여 상기 차광 패턴 상에, 양 에지 상측 측면에 돌출부가 형성되어 있는 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로 기판을 선택 식각하여, 상기 차광 패턴 사이의 기판 표면에 주패턴과 보조패턴을 정의 하는 공정 및; 상기 난용층/감광성 유기물 적층 패턴을 제거하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로는 알카리 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 난용층은 표면처리 이전의, 감광성 유기물층 총 두께의 5% 내지 50% 두께 범위를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판을 선택 식각하여 주패턴과 보조패턴을 정의하는 공정은, 상기 감광성 유기물 패턴을 마스크로 기판 표면에 인 이온을 주입하는 공정 및; NaOH 용액으로 인 이온이 주입된 부분의 기판 표면을 소정 두께 식각하는 공정을 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판을 선택 식각하여 주패턴과 보조패턴을 정의하는 공정은, 상기 감광성 유기물 패턴을 마스크로 하여 반응성이온 식각법으로 기판을 소정 두께 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 위상반전이 일어나는 두께(T), T=λ/2(n-1) 만큼 식각하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법. (여기서, λ: 노광 파장, n: 쉬프터의 굴절률)
  7. 제1항에 있어서, 상기 주패턴은 서로 인접된 임의의 차광 패턴 사이의 기판 표면 중심점에 위치하되, 그 중심점을 기준으로 좌/우측이 동일한 폭을 가지도록 정의되는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보조패턴은 임의의 난용층/감광성 유기질 적층 패턴에서 임의의 차광 패턴을 뺀 크기와 일치하도록, 상기 차광 패턴 사이의 주패턴 양측에 정의되는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  9. 투명기판 상에 서로 소정 간격 이격되도록 차광 패턴을 형성하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 제1감광성 유기물층을 증착하고, 임의의 기판 표면이 노출되도록 선택 노광을 실시하는 공정과; 상기 제1감광성 유기물층을 마스크로 노출된 기판 표면을 소정 두께 식각하고, 제1감광성 유기물층을 제거하는 공정과; 상기 차광 패턴과 기판 상에 제2감광성 유기물층을 형성하는 공정과; 상기 제2감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로, 제2감광성 유기물층을 표면처리하여, 유기물질이 스며든 제2감광성 유기물층의 표면에 난용층을 형성하는 공정과; 후면 노광 및 현상을 실시하여 상기 차광 패턴 상에, 양 에지 상측 측면에 돌출부가 형성되어 있는 난용층/제2감광성 유기물 적층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 난용층/제2감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로 기판 노출부에 투과성막을 형성하는 공정 및; 상기 난용층/제2감광성 유기물층 적층 패턴을 제거하여 차광 패턴 사이의 기판에 주패턴과 보조패턴을 정의 하는 공정 을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전 마스크 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 투광성막은 SiO2로 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 투과성막은 난용층/제2감광성 유기물 적층 패턴을 마스크로한 스퍼터링법을 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크로 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 투과성막은 위상반전이 일어나는 두께(T), T=λ/2(n-1)를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.(여기서, λ: 노광 파장, n: 쉬프터의 굴절률)
  13. 제9항에 있어서, 제2 상기 감광성 유기물층의 현상 용해 속도를 억제하는 유기물질로는 알카리 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 난용층은 표면처리 이전의, 제2감광성 유기물층 총 두께의 5% 내지 50% 두께 범위를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 주패턴은 서로 인접된 임의의 차광 패턴 사이의 기판 표면 중심점에 위치하되, 그 중심점을 기준으로 좌/우측이 동일한 폭을 가지도록 정의되는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 보조패턴은 임의의 난용층/제2감광성 유기질 적층 패턴에서 임의의 차광 패턴을 뺀 크기와 일치하도록, 상기 차광 패턴 사이의 주패턴 양측에 정의되는 것을 특징으로 하는 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법.
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