KR20030083234A

KR20030083234A - 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20030083234A
Application number: KR1020020021681A
Authority: KR
Inventors: 김성혁; 정태문; 신인균
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2002-04-19
Filing date: 2002-04-19
Publication date: 2003-10-30
Also published as: US20030198875A1; US6919149B2; KR100455384B1; JP2003315978A

Abstract

본 발명의 마스크는 노광원에 대해 투명한 기판 및 기판 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 포함하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크이다. 웨이브 가이드 패턴에 의해 정의되는 복수개의 투광 영역들은 기판 내의 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들을 포함한다. 본 발명의 마스크는 ΔCD 및 X-현상이 발생하지 않거나 최소화되며, 제조 공정시 공정 마진이 넓고 불투명 결함원이 발생하지 않는다. 본 발명의 마스크를 제조하는 방법 또한 제공된다.

Description

웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크 및 그 제조방법{Wave guided alternating phase shift mask and fabrication method thereof}

본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 교번 위상 반전 마스크 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 웨이브 가이드형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 소자의 용량이 1기가(Giga) 비트급 이상인 소자에 있어서는 디자인 룰이 서브 마이크로 이하인 패턴 사이즈가 요구된다. 그러나, 패턴 사이즈가 작아질수록 인접하는 패턴들 간에 근접 효과(proximity effect)가 발생하여 패턴의 해상도(resolution)가 저하된다. 이러한 해상도 저하를 해결하기 위해 마스크를 투과한 빛의 파장을 반전하여 소멸 간섭시키는 원리의 위상 반전 마스크(phase shift mask, 이하 PSM)가 개발되어 사용되고 있다.

도 1은 종래의 교번 PSM(10)을 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 PSM을 사용할 경우 나타나는 실제적인 광 세기 분포를 도시한 그래프이다.

도 1과 같이, 교번 PSM(10)은 마스크 기판(12), 예컨대 석영 기판 상에 형성된 차광 패턴(14), 예컨대 크롬 패턴들에 의해 복수개의 투광 영역(A,B)들이 정의된다. 투광 영역(A, B)들은 입사되는 광의 위상이 변화하지 않는 비반전 영역(A)과 기판(10)을 소정 깊이로 식각하여 입사되는 광의 위상을 반전시키는 반전 영역(B)으로 구성된다. 비반전 영역(A)을 통과한 광과 반전 영역(B)을 통과한 광이 서로 역위상이 되어 간섭하게 되므로 마스크로부터 전사된 패턴의 해상도가 증가하게 된다. 이때, PSM을 통과한 광 세기의 분포는 비반전 영역(A)과 반전 영역(B)에 걸쳐 동일한 광 세기를 나타내어야 한다. 그러나, 실제로는 도 2의 경우처럼 반전영역(B)의 광 세기(I_B)가 비반전 영역(A)의 광 세기(I_A)보다 작다 (I_B＜I_A). 이는 반전 영역(B)을 기판(12)을 식각하여 형성하기 때문이다. 식각에 의해 표면에 미세한 손상을 입은 반전 영역(B)을 빛이 통과하면 빛의 산란이 일어나서 광 세기가 감소한다. 특히 사각 코너 부분에서의 산란이 광 세기 감소의 주된 원인이 된다. 이와 같은 광세기의 차이는 결과적으로 웨이퍼 상에 전사된 인접 패턴 간의 임계 치수(criticla dimension, 이하 CD) 차이(ΔCD)를 발생시킨다. 또한 ΔCD가 없더라도 적정 위상차인 180도를 형성하지 못한 경우 포커스에 따라 CD가 역전되는 X-현상(도 2의 디포커스 0.3㎛의 경우)이 발생한다.

이를 해결하기 위하여 종래의 다른 교번 PSM 마스크는, 먼저 도 3과 같이 차광 패턴(14)이 형성되어 있는 기판(12)의 일부를 투과하는 광의 위상이 180도 이하가 되도록 식각하여 예비 반전 영역(B')을 형성한 후, 도 4와 같이, 등방성 습식 식각을 진행하여 언더컷 형태의 반전 영역(B'')을 형성하여 교번 PSM 마스크(10')를 완성한다. 산란의 주된 원인을 언더컷에 의해 제거하였으므로 광 세기의 감소를 방지할 수 있다.

그러나 이렇게 형성된 교번 PSM 마스크(10')의 경우, 도 5와 같이, 차광 패턴(14)의 일부가 기판(12)에 의해 지지되지 못하여 부러지는 현상(chipping)(16)이 발생하고 부러진 차광 패턴 조각이 불투명 결함원(opaque defect)(18)으로 작용한다. 또한 패턴 크기가 점점 작아지면서 습식 식각 공정의 마진이 감소할 뿐만 아니라 차광 패턴(14)이 부러지는 현상이 더욱 심화된다. 또, 식각 스토퍼 없이 습식 식각 시간조절만으로 식각량을 조절해야 하기 때문에 위상 조절 마진이 매우 작다.

본 발명의 목적은 ΔCD 및 X-현상을 효과적으로 감소시킬 수 있으며 제작시 불투명 결함원이 발생하지 않고 넓은 위상 마진을 가지는 웨이브 가이드형 교번 PSM을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 웨이브 가이드형 교번 PSM을 제조하는데 있어서 가장 적합한 제조방법을 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 교번(alternating) 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask, 이하 PSM)를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 교번 PSM을 사용할 경우 실제로 나타나는 광 세기(intensity) 분포를 도시한 그래프이다.

도 3 및 도4는 종래의 다른 교번 PSM의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.

도 5는 도 4의 교번 PSM의 제조 또는 사용시 발생하는 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이브 가이드형 교번 PSM(WGAPSM)의 일부 평면도이고, 도 7은 도 6의 단면도이고, 도 8은 도 7의 일부 확대도이다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 WGAPSM의 일부 평면도이다.

도 10 및 도 11은 각각 본 발명의 다른 실시예에 의한 WGAPSM과 종래의 교번 PSM을 사용할 경우 나타나는 광 세기 분포를 도시한 그래프들이다.

도 12 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 WGAPSM을 제조하는 방법을 공정 순서별로 설명하기 위한 단면도들이다.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 마스크는 투광 영역을 정의하는 패턴이 단순한 차광 패턴이 아니라 웨이브 가이드 패턴인 웨이브 가이드형 교번 PSM(이하 WGAPSM)이다. 웨이브 가이드 패턴은 노광원에 대해 투명한 기판 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들을 정의한다. 웨이브 가이드 패턴에 의해 정의되는 복수개의 투광 영역들은 기판 내의 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들로 이루어진다.

바람직하기로는 웨이브 가이드 패턴의 두께는 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께, 더욱 바람직하기로는 1회 가이딩할 수 있는 두께이다. 그리고, 상기 두께는 상기 노광원의 파장과 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기를 독립 변수로 하는 2 변수 함수이고, 리세스 영역의 깊이는 노광원의 파장/ 2(기판의 굴절율-1)에 의해 결정된다.

더욱 바람직하기로는, 상기 노광원의 파장은 248㎚ 이하이고, 상기 웨이브가이드 패턴의 피치 크기는 1120㎚이하이고, 상기 두께는 4400 내지 4600Å이다.

웨이브 가이드 패턴은 노광원에 대한 투과율이 0% 이상 30% 미만인 물질로 구성되는 것이 바람직하다.

웨이브 가이드 패턴은 반도체 메모리 소자의 셀 어레이 영역의 라인 앤드 스페이스 패턴 또는 개구부 패턴을 정의하기 위한 패턴인 것이 바람직하다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 WGAPSM의 제조 방법에 따르면, 먼저 노광원에 대해 투명한 마스크 기판 상에 웨이브 가이드 패턴 형성용 물질막을 형성한다. 이어서, 물질막을 패터닝하여 복수개의 투광 영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 형성한 후, 투광 영역들 중 반전 투광 영역이 될 부분을 노출시키는 레지스트 패턴을 상기 기판상에 형성한다. 마지막으로 레지스트 패턴 및 웨이브 가이드 패턴을 식각마스크로 사용하여 기판을 식각하여 리세스 영역을 형성하여 리세스 영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들로 이루어진 투광 영역들을 완성한다.

이 때, 물질막의 두께는 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께, 바람직하기로는 1회 가이딩할 수 있는 두께로 형성한다.

이하에서는 본 발명에 따른 WGAPSM 및 이의 제조 방법에 대하여 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록하며, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 투광 영역 및 패턴들의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위하여 과장 확대하여 도시한 것이다. 한편, 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부 평면도이고, 도 7은 도6 의 VII-VII'선을 따라 자른 단면도이고, 도 8은 도 7의 일부 확대도이다.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 의한 마스크(100)는 투광 영역을 정의하는 패턴이 단순히 차광 기능만을 하는 패턴이 아니라 웨이브 가이드 패턴(104)인 웨이브 가이드형 교번 PSM(WGAPSM)이다. 웨이브 가이드 패턴(104)은 노광원에 대해 투명한 기판(102) 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들(A,B)을 정의한다. 복수개의 투광 영역들(A, B)은 기판 내의 리세스 영역(108)으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역(A)들과 반전 투광 영역(A)들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역(B)들로 이루어진다.

노광원에 대해 투명한 기판(102)으로는 석영 기판이 적합하다.

반전 투광 영역(B)은 이를 통과하는 광의 위상이 반전될 수 있는 깊이로 기판(102)을 식각하여 형성한 리세스 영역(108)으로 구성된다. 리세스 영역(108)의 이는, 깊이 = {마스크에 사용되는 노광원의 파장/ 2 (기판의 굴절율-1)} 와 같은 관계식에 의해 결정된다.

웨이브 가이드 패턴(104)은 투광 영역(A)과 반전 투광 영역(B)을 각각 통과하는 광의 세기의 균형(balance)을 맞추어주는 역할을 한다. 구체적으로, 도 8에도시되어 있는 바와 같이, 식각에 의해 형성된 리세스 영역(108)으로 이루어진 반전 투광 영역(B)을 통과하는 파면(wavefront)은 고주파 성분(1차, 2차 등)을 많이 가지고 있다. 이런 고주파 성분을 웨이브 가이드 패턴(104)이 가이딩함으로써 반전 투광 영역(B)을 통과하는 광의 세기가 비반전 투광 영역(A)을 통과하는 광의 세기와 거의 동일하도록 균형을 맞추어 준다. 따라서, 웨이브 가이드 패턴(104)의 두께는 반전 투광 영역(B)들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께인 것이 바람직하다. 그런데, 웨이브 가이드 패턴(104)의 두께는 가능한 낮은 것이 마스크(100)의 제조 공정 및 비용면에서 유리하다. 따라서, 도 8에 도시되어 있는바와 같이,고주파 성분을 1회 가이딩할 수 있는 두께가 가장 바람직하다.

그런데, 노광원의 파장이 짧아질수록 회절 각도는 작아지는 반면, 웨이브 가이드 패턴(104)의 피치가 작아질수록 회절 각도는 커진다. 따라서, 웨이브 가이드 패턴(104)의 두께(T)는 아래 식과 같이 노광원의 파장(X)과 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기(Y)를 독립 변수로 하는 2 변수 함수 {T = f(X, Y)} 이다.

248㎚ 이하 파장의 노광원을 사용하고 기판(102)을 석영으로 형성할 경우, 리세스 영역(108)의 깊이는 1000Å 이하이다. 그리고, 웨이퍼상에 전사되어 형성될 패턴의 피치가 280㎚이고 1/4 축소 스테퍼에 사용되는 마스크일 경우 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기는 280 ×4 ㎚ 가 된다. 따라서, 상술한 함수 관계를 고려할 때, 웨이브 가이드 패턴(104)의 두께는 4400 내지 4600Å인 것이 바람직하다.

웨이브 가이드 패턴(104)은 노광원에 대한 투과율이 0% 이상 30% 미만인 물질로 구성되는 것이 패턴의 해상도를 향상시키는데 바람직하다. 상기 물질로는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴 실리사이드(MoSi) 또는 산화 크롬(CrOx) 등을 예로 들 수 있다.

도 6 내지 도 8에 도시되어 있는 마스크는 라인 앤드 스페이스 패턴을 정의하는 마스크로, 특히 반도체 메모리 소자의 셀 어레이 영역의 라인 앤드 스페이스 패턴과 같이 고집적화된 패턴을 정의하는 마스크이다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 WGAPSM 마스크는 도 9에 도시되어 있는 바와 같이, 반도체 메모리 소자의 셀 어레이 영역의 복수개의 개구부들(109)을 정의하는 마스크일 수도 있다.

도 10은 4500Å 두께의 웨이브 가이드 패턴(104)을 구비하는 본 발명의 일 실시예에 따른 WGAPSM을 사용할 경우 나타나는 광 세기 분포를 도시한 그래프이고, 도 11은 700Å 두께의 차광 패턴(도 1의 14)을 구비하는 종래의 교번 PSM을 사용할 경우 나타나는 광 세기 분포를 도시한 그래프이다. 본 발명의 마스크와 종래의 마스크 모두 280nm 피치의 패턴을 웨이퍼상에 전사하기 위한 마스크로 248nm 파장의 DUV로 노광하였다.

도 10에 도시되어 있는 바와 같이 본 발명에 따른 WGAPSM을 사용할 경우 반전 투광 영역(B)을 통과하는 광 세기(I_B)와 비반전 영역(A)을 통과하는 광 세기(I_A) 사이의 거의 광 세기 차이가 존재하지 않으며,X현상도 발생하지 않음을 알수 있다.

반면, 종래의 마스크를 사용할 경우, 도 11에 도시되어 있는 바와 같이, 반전 투광 영역(B)을 통과하는 광 세기(I_B)와 비반전 영역(A)을 통과하는 광 세기(I_A) 사이의 상당한 광 세기 차이가 존재하며, 디포커스 0.3㎛의 경우에는 X 현상이 발생하고 있음을 알 수 있다.

도 12 내지 도 15는 본 발명에 의한 WGAPSM을 제조하는 방법을 공정순서별로 설명하기 위한 단면도들이다.

먼저, 도 12에 도시되어 있는 바와 같이 노광원에 대해 투명한 마스크 기판(102) 상에 웨이브 가이드 패턴 형성용 물질막(103)을 형성한다.

예컨대, 석영으로 된 마스크 기판(102) 상에 광 투과율이 0% 이상 30% 미만인, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴 실리사이드(MoSi) 또는 산화 크롬(CrOx) 등을 증착 방법에 의해 소정 두께로 물질막(103)을 형성한다.

물질막(103)의 두께는 마스크 구조에서 설명한 바와 같이, 물질막(103)으로 구성될 웨이브 가이드 패턴(도 15의 104)이 투광 영역, 특히 반전 투광 영역(B)을 통과하는 광의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께로 형성한다. 이 때, 웨이브 가이드 패턴(104)의 피치와 마스크에 사용될 노광원의 파장을 고려하여 두께를 결정한다.

예를 들어, 280㎚ 이하 파장의 노광원을 사용하고, 웨이퍼상에 전사되어 형성될 패턴의 피치가 280㎚이고 1/4 축소 스테퍼에 사용되는 마스크일 경우 물질막(103)은 4400 내지 4600Å 두께로 형성한다.

도 13은 웨이브 가이드 패턴(104)을 형성하는 단계를 나타낸다. 물질막(103) 전면에 포토레지스트막을 도포한 뒤 노광 및 현상하여 투광 영역들이 될 부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴(105)을 형성한다. 이어서, 포토레지스트 패턴(105)을 식각마스크로 사용하여 상기 물질막(103)을 식각하여 투광 영역들(A,B)을 정의하는소정 피치의 웨이브 가이드 패턴(104)을 형성한다.

도 14는 반전 투광 영역(B)을 형성하는 단계를 나타낸다. 먼저 웨이브 가이드 패턴(104)을 형성하는데 사용되었던 포토레지스트 패턴(105)을 제거한 후, 포토레지스트막을 도포한 뒤 노광 및 현상하여 반전 투광 영역(B)들이 될 부분들을 정의하는 포토레지스트 패턴(107)을 형성한다. 노출된 마스크 기판(102)을 포토레지스트 패턴(107) 및 웨이브 가이드 패턴(104)을 식각마스크로 사용하여 소정의 깊이로 식각하여 리세스 영역(108)을 형성하여 반전 투광 영역(B)을 완성한다. 리세스 영역(108)의 깊이는 통과하는 광의 위상을 반전시키기에 적합한 깊이로 식각한다. 식각깊이는 마스크에사용되는 노광원의 파장/2(기판의 굴절율-1)에 의해 결정한다.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 의해 WGAPSM(100)을 완성하는 단계를 나타낸다. 반전 투광 영역(B)을 형성하는데 사용되었던 포토레지스트 패턴(107)을 제거하여 비반전 투광 영역(A)과 비반전 투광 영역(B)이 교대로 배열되고, 이들 투광 영역들(A,B)이 웨이브 가이드 패턴(104)에 의해 정의되는 WGAPSM을 완성한다.

본 발명에 의한 WGAPSM은 종래의 교번 PSM에서 발생하던 ΔCD 및 X-현상 발생을 최소화할 수 있고, 제조 공정시에도 불투명 결함원이 발생하는 문제점을 방지할 수 있다. 또, 웨이브 가이드의 특성상 넓은 위상 마진을 가짐으로 해서 적정 위상 형성을 위한 위상 조절의 여유도를 증가시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 종래의 마스크에서 정 위상, 즉 180도 위상차의 형성은 기판의 식각에 주로 의존한다. 기판의 식각은 주로 건식 식각에 의해 진행되는데 식각을 정확하게, 균일하게조절하는 것이 어렵다. 따라서 위상 마진이 약 3도 정도로 매우 작으며, 식각을 정확하게 조절하지 못할 경우 ΔCD 및 X-현상이 심해진다. 반면 본 발명의 마스크는 180도 위상차의 형성을 주로 웨이브 가이드의 높이로 조절한다. 웨이브 가이드의 높이 조절은 웨이브 가이드 형성용 물질막의 증착 두께를 조절하면 되므로 식각 깊이 조절에 비해 훨씬 용이하다. 따라서 본 발명의 WGAPSM의 위상 마진은 약 5 내지 6도 정도로 넓은 위상 마진을 가진다.

Claims

노광원에 대해 투명한 기판 및 상기 기판 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 포함하며, 상기 복수개의 투광 영역들은 상기 기판 내의 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제1 항에 있어서, 상기 웨이브 가이드 패턴의 두께는 상기 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제2 항에 있어서, 상기 웨이브 가이드 패턴의 두께는 상기 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 1회 가이딩할 수 있는 두께인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제2 항에 있어서, 상기 두께는 상기 노광원의 파장과 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기를 독립 변수로 하는 2 변수 함수인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리세스 영역의 깊이는 노광원의 파장/2(기판의 굴절율-1)에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제5 항에 있어서, 상기 노광원의 파장은 248㎚ 이하이고, 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기가 1120㎚이하이고, 상기 두께는 4400 내지 4600Å인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제1 항에 있어서,상기웨이브 가이드 패턴은 노광원에 대한 투과율이 0% 이상 30%미만인 물질로 구성된것을 특징으로 하는 웨이브가이드형 교번위상 반전마스크.
제1 항에 있어서, 상기 웨이브 가이드 패턴은 반도체 메모리 소자의 셀 어레이 영역의 라인 앤드 스페이스 패턴 또는 개구부 패턴을 정의하기 위한 패턴인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
노광원에 대해 투명한 마스크 기판 상에 웨이브 가이드 패턴 형성용 물질막을 형성하는 단계;

상기 물질막을 패터닝하여 복수개의 투광 영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 형성하는 단계;

상기 투광 영역들 중 반전 투광 영역이 될 부분을 노출시키는 레지스트 패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계; 및

상기 레지스트 패턴 및 상기 웨이브 가이드 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판을 식각하여 리세스 영역을 형성하여 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들로 이루어진 투광 영역들을 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제9 항에 있어서, 상기 물질막의 두께는 상기 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 적어도 1회 가이딩할 수 있는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제10 항에 있어서, 상기 물질막의 두께는 상기 반전 투광 영역들을 통과하는 파면의 고주파 성분을 1회 가이딩할 수 있는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크.
제10 항에 있어서, 상기 두께는 상기 노광원의 파장과 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기를 독립 변수로 하는 2 변수 함수에 의해 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제9 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리세스 영역의 깊이는 노광원의 파장/2(기판의 굴절율-1)에 의해 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제13 항에 있어서, 상기 노광원은 248㎚ 이하의 파장이고, 상기 웨이브 가이드 패턴의 피치 크기가 1120㎚ 이하이고, 상기 두께는 4400 내지 4600Å 인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법
제9 항에 있어서, 상기 물질막은 노광원에 대한 투과율이 0% 이상 30% 미만인 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.
제9 항에 있어서, 상기 웨이브 가이드 패턴은 반도체 메모리 소자의 셀 어레이 영역의 라인 앤드 스페이스 패턴 또는 개구부 패턴을 정의하기 위한 패턴인 것을 특징으로 하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크의 제조 방법.