KR200188671Y1 - 노광빛난반사방지용포토마스크 - Google Patents

Abstract

본 고안은 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어서; 웨이퍼상의 감광막에 전사되는 패턴 이외의 지역에 노광시 웨이퍼상에는 전사되지 않는 크기의 선폭을 갖는 그물망 형상의 난반사 방지용 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 노광 빛 난반사 방지용 포토 마스크에 관한 것으로, 평탄화 되지 않은 하층막 위에서도 쉽게 패턴을 형성함으로, 평탄화를 위한 공정이 생략가능하여 공정단순화 및 원가 절감과 고집적 소자의 개발을 앞당기는 효과가 있다.

Description

노광 빛 난반사 방지용 포토 마스크

본 고안은 반도체 소자 제조 공정중 노광공정 수행시 발생하는 노광 빛의 난반사를 방지하기 위한 포토 마스크에 관한것이다.

반도체 제조시 소자의 설계 회로를 웨이퍼 상에 형성하는 사진식각공정(lithography)을 수행하게 되는데, 사진식각공정은 웨이퍼상에 감광막을 도포하고, 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 투과한 빛으로 조사(exposure)한 후 현상을 거쳐 마스크 패턴이 웨이퍼상에 형성되도록 하는 것이다.

이때, 감광막이 도포된 웨이퍼상에 패턴이 형성된 포토마스크를 투과한 빛을조사하는 공정을 노광공정이라 일컬으며, 일반적으로 노발생하여 감광막(13)이 노광되지 않아야 될 지역도 노광되게 되는 것이다.

상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 고안은 포토마스크를 투과하는 빛이 상쇄간섭을 일으키도록 하여 웨이퍼에 도달하는 빛의 양을 감소시켜 하층막의 난반사를 방지하는 노광 빛 난반사 방지용 포토 마스크를 제공함을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어서, 웨이퍼상의 감광막에 전사되는 패턴 이외의 지역에 노광시 웨이퍼상에는 전사되지 않는 크기의 선폭을 갖는 그물망 형상의 난반사 방지용 패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 제 2 도를 참조하여 본 고안의 일실시예를 상세히 설명한다.

제 2 도는 본 고안의 일실시예에 따른 포토마스크를 나타내는 평면도로서, 도면에 도시된 바와같이 웨이상에 원하는 패턴을 전사하기 위한 크롬패턴(21) 주위의 비크롬지역에 약 0.1㎛의 선폭을 갖는 그물망 형태의 크롬패턴(22)이 형성되어 있다.

이 그물망 형태의 패턴은 크롬 지역이지만, 선폭이 아주 작으므로 노광시 웨이퍼에 전사되지는 않는다.

이와같은 포토마스크를 사용하여 빛을 조사하면 그물망을 빠져나온 빛의 강도가 그물망이 없는 경우에 비하여 급격히 감소하게 되는 데, 그것은 빛의 회절과상쇄 간섭이 많이 발생하기 때문이다.

따라서, 웨이퍼에 도달하는 빛의 양이 크게 감속함으로 감광막 하부층이 굴곡을 가지고 있더라토 난반사가 일어나지않아 원하는 패턴을 형성할 수 있다.

이상, 상기 설명과 같은 본 고안은 평탄화 되지 않은 하층막 위에서도 쉽게 패턴을 형성함으로, 평탄화를 위한 공정이 생략가능하여 공정단순화 및 원가 절감과 고집적 소자의 개발을 앞당기는 효과가 있다.

제 1A 도 및 제 1C 도는 종래기술의 문제점을 나타내는 예시도,

제 2 도는 본 고안의 일실시예에 따른 포토마스크를 나타내는 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 석영기판 12,21: 웨이퍼에 전사되는 크롬패턴

13: 감광막 14: 감광막 하부층

22: 난반사 방지용 그물망 패턴

Claims (1)

1. 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어서;

   웨이퍼상의 감광막에 전사되는 패턴 이외의 지역에 노광시 웨이퍼상에는 전사되지 않는 크기의 선폭을 갖는 그물망 형상의 난반사 방지용 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 노광 빛 난반사 방지용 포토마스크.