JPS60229001A - 集積化回折格子の製造方法 - Google Patents
集積化回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS60229001A JPS60229001A JP8408484A JP8408484A JPS60229001A JP S60229001 A JPS60229001 A JP S60229001A JP 8408484 A JP8408484 A JP 8408484A JP 8408484 A JP8408484 A JP 8408484A JP S60229001 A JPS60229001 A JP S60229001A
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- JP
- Japan
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- exposure
- stripes
- substrate
- mask
- diffraction grating
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の１術分野〕
本発明は、同一基板ヒに周期の異なる回折格子を複数個
集積した集積化回折格子の製造方法に関する。
集積した集積化回折格子の製造方法に関する。
集積化回折絡子は白波器１分光器等の応用、光学的分野
や波長多重用集積化波長制御レーザへの応用が可能であ
る。特に、波長多重用集積化波長１１Ｊ ｔｉｌｌレー
ザでは集積化回折格子が重要な要素機構となっている。
や波長多重用集積化波長制御レーザへの応用が可能であ
る。特に、波長多重用集積化波長１１Ｊ ｔｉｌｌレー
ザでは集積化回折格子が重要な要素機構となっている。
集積化回折格子の製造方法には、電子ビーム描画等によ
る直接書き込みと選択露光マスクによって干渉露光を繰
り返す方法とがある。前者は主として小面積或いは長周
期の回折格子に使われており、上記波長１御レーザの集
積化回折格子の製造（：は後者が適していると考えられ
ている。
る直接書き込みと選択露光マスクによって干渉露光を繰
り返す方法とがある。前者は主として小面積或いは長周
期の回折格子に使われており、上記波長１御レーザの集
積化回折格子の製造（：は後者が適していると考えられ
ている。
従来、選択露光マスクによる集積化回折格子の製造方法
では、基板全面にフォトレジストを塗布した後、特定位
置に選択干渉露光を行っている。
では、基板全面にフォトレジストを塗布した後、特定位
置に選択干渉露光を行っている。
しかし、この方法では干渉露光を行った正確な位置の確
認が難しいという欠点を有している。このため、従来方
法では、後工程におけるパターンの位置合わせが正確に
行えず、回折格子からの方向（又は角度）１位置のずれ
が生じ易かった。
認が難しいという欠点を有している。このため、従来方
法では、後工程におけるパターンの位置合わせが正確に
行えず、回折格子からの方向（又は角度）１位置のずれ
が生じ易かった。
（発明の目的）
本発明の目的は、形成すべき回折格子位置を正確に決め
ることができ、波長多重用集積化波長制御レーザ等に用
いるに好適する集積化回折格子の製造方法を提供するこ
とにある。
ることができ、波長多重用集積化波長制御レーザ等に用
いるに好適する集積化回折格子の製造方法を提供するこ
とにある。
〔発明のＩＩＩり
本発明の概念は、選択干渉露光された位置を知ろうとす
るものではなく、予め定めた位置に選択干渉露光を行う
ということである。そのための手段としてストライブ状
フォトレジストを用意し、その用意したストライブ状フ
ォトレジストに所望の周期を有する回折格子を形成する
ものである。
るものではなく、予め定めた位置に選択干渉露光を行う
ということである。そのための手段としてストライブ状
フォトレジストを用意し、その用意したストライブ状フ
ォトレジストに所望の周期を有する回折格子を形成する
ものである。
また、周期の異なる回折格子を集積するために１つのス
トライブを干渉露光している間は他のストライブを選択
露光マスクによって覆い、次のストライブを露光する際
に選択露光マスクを移動して用いるというものである。
トライブを干渉露光している間は他のストライブを選択
露光マスクによって覆い、次のストライブを露光する際
に選択露光マスクを移動して用いるというものである。
即ち本発明は、周期的凹凸からなる回折格子を凹凸周期
を変えて同一基板上に複数個集積した集積化回折格子を
製造する方法において、前記基板上の全面にポジ型フォ
トレジストを塗布したのち、上記レジストを所定の幅と
間隔とを有する繰り返しのストライブに露光及び現像処
理し、次いで上記ストライブの幅より広く且つ隣接する
両側のストライブまでの幅より狭い幅を有する露光窓＠
設けた露光マスクによって前記基板を覆い、上記露：光
窓を干渉露光を行っていないストライブに合せる移動と
干渉周期の異なる干渉露光とを所定回数繰り返し、次い
で前記基板上の全てのストライブを同時に現像処理し、
しかるのち残存したレジストをマスクとして前記基板を
エツチング処理するようにした方法である。
を変えて同一基板上に複数個集積した集積化回折格子を
製造する方法において、前記基板上の全面にポジ型フォ
トレジストを塗布したのち、上記レジストを所定の幅と
間隔とを有する繰り返しのストライブに露光及び現像処
理し、次いで上記ストライブの幅より広く且つ隣接する
両側のストライブまでの幅より狭い幅を有する露光窓＠
設けた露光マスクによって前記基板を覆い、上記露：光
窓を干渉露光を行っていないストライブに合せる移動と
干渉周期の異なる干渉露光とを所定回数繰り返し、次い
で前記基板上の全てのストライブを同時に現像処理し、
しかるのち残存したレジストをマスクとして前記基板を
エツチング処理するようにした方法である。
本発明によれば、予め定められたストライブ上に回折格
子が形成されることになり、後工程においては上記のス
トライブにパターンを合わせれば良いことになる。この
ため、回折格子に対する後工程パターンの方向（又は角
度）位置が正しく合わせられるという効果を奏する。従
って、パターン精度の高い集積化回折格子を要素構成と
する波長多重用集積化波長制御レーザの製作等に極めて
有効である。 “ 〔発明の実施例〕 第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係わる集積
化回折格子の製造工程を示す平面図である。まず、第１
図Ｎ（ａ）に示す如く回折格子作製用基板１上にポジ型
フォトレジストを塗布し、通常の露光及び現像処理を行
ってフォトレジストによるストライブ２を形成する。こ
こで、図中斜線−で示す部分がレジストの残っている領
域である。
子が形成されることになり、後工程においては上記のス
トライブにパターンを合わせれば良いことになる。この
ため、回折格子に対する後工程パターンの方向（又は角
度）位置が正しく合わせられるという効果を奏する。従
って、パターン精度の高い集積化回折格子を要素構成と
する波長多重用集積化波長制御レーザの製作等に極めて
有効である。 “ 〔発明の実施例〕 第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係わる集積
化回折格子の製造工程を示す平面図である。まず、第１
図Ｎ（ａ）に示す如く回折格子作製用基板１上にポジ型
フォトレジストを塗布し、通常の露光及び現像処理を行
ってフォトレジストによるストライブ２を形成する。こ
こで、図中斜線−で示す部分がレジストの残っている領
域である。
１ポジ型フオトレジストは非露光領域が残るため再露光
が可能である。ポジ型フォトレジストの例としては、キ
ノンジアザイド系フォトレジストが適している。
が可能である。ポジ型フォトレジストの例としては、キ
ノンジアザイド系フォトレジストが適している。
次に、第１図（ｂ）に示す如く特定のストライブ２のみ
が露出するような露光窓３を有する選択露光マスク４に
よって前記基板１を覆う。そして、特定のストライブ２
を露光窓３から露出させ、干渉露光によって露出したス
トライブ２に回折格子パターンを露光する。次いで、干
渉露光系の設定周期の変更を行い、また選択露光マスク
４を別のストライブ２に移動させ干渉露光を行う。この
ような干渉露光系の設定周期変更と選択露光マスク４の
移動、そして干渉露光を繰り返すことにより全てのスト
ライプ２に回折格子パターンを露光する。
が露出するような露光窓３を有する選択露光マスク４に
よって前記基板１を覆う。そして、特定のストライブ２
を露光窓３から露出させ、干渉露光によって露出したス
トライブ２に回折格子パターンを露光する。次いで、干
渉露光系の設定周期の変更を行い、また選択露光マスク
４を別のストライブ２に移動させ干渉露光を行う。この
ような干渉露光系の設定周期変更と選択露光マスク４の
移動、そして干渉露光を繰り返すことにより全てのスト
ライプ２に回折格子パターンを露光する。
次に、上記のようにして全てのストライプ２に干渉露光
が施された基板１を所定の現ａｌｌに浸漬し、全てのス
トライプ２に現像処理を施す。この現ｍ処理後の状態を
第１図（Ｃ）に示す。図中５（５ａ、〜、５ｄ）は現像
された回折格子パターンであり、この後に回折格子パタ
ーン５の基板１への転写を行う。即ち、上記残存したパ
ターン５をマスクとして反応性イオンエツチング等によ
り基板１を選択エツチングすることによって、所望の回
折格子が形成されることになる。
が施された基板１を所定の現ａｌｌに浸漬し、全てのス
トライプ２に現像処理を施す。この現ｍ処理後の状態を
第１図（Ｃ）に示す。図中５（５ａ、〜、５ｄ）は現像
された回折格子パターンであり、この後に回折格子パタ
ーン５の基板１への転写を行う。即ち、上記残存したパ
ターン５をマスクとして反応性イオンエツチング等によ
り基板１を選択エツチングすることによって、所望の回
折格子が形成されることになる。
かくして本実施例方法によれば、周期の異なる複数個の
回折格子を同一基板１上に集積形成することができる。
回折格子を同一基板１上に集積形成することができる。
そしてこの場合、露・光マスク４を用いた干渉露光の際
に、予め形成されたストライプ２に合わせてパターンの
位置あわせを行うことができるので、回折格子に対する
後工程パターンの方向（又は角度）位置を正しく合わせ
ることが可能である。
に、予め形成されたストライプ２に合わせてパターンの
位置あわせを行うことができるので、回折格子に対する
後工程パターンの方向（又は角度）位置を正しく合わせ
ることが可能である。
第２図は他の実施例方法を説明するための平面図である
。゛この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、前
記選択露光マスク４の合わせパターンを設けたことにあ
る。前記第１図（ａ）（ｂ）に示されたＳ、ｄ、Ｗの値
をそれぞれストライプ幅、ストライプ間隔、露光窓幅と
すると、Ｗの値は Ｓ＜Ｗ＜Ｓ＋２６ の値に設定されていなければならない。しかし、Ｗ＃Ｓ
の値に設定すると選択露光マスク４の端部からの反射光
が干渉露光の干渉状態に影響すること、またＷ４Ｓ＋２
ｄの値に設定すると隣接したストライプに干渉露光の影
響を与えることがらＷはＷ〜８＋ｄの値に設定すること
がＶましい。ところが、Ｗ＝３＋ｄの設定では、露光マ
スクとストライプとの角度ずれが起き易く、干渉露光の
方向とストライプの方向とが正確に合わせ難い。そこで
、この例ではストライプ間に選択露光マスク４を合わせ
るためのマークライン６を設けている。
。゛この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、前
記選択露光マスク４の合わせパターンを設けたことにあ
る。前記第１図（ａ）（ｂ）に示されたＳ、ｄ、Ｗの値
をそれぞれストライプ幅、ストライプ間隔、露光窓幅と
すると、Ｗの値は Ｓ＜Ｗ＜Ｓ＋２６ の値に設定されていなければならない。しかし、Ｗ＃Ｓ
の値に設定すると選択露光マスク４の端部からの反射光
が干渉露光の干渉状態に影響すること、またＷ４Ｓ＋２
ｄの値に設定すると隣接したストライプに干渉露光の影
響を与えることがらＷはＷ〜８＋ｄの値に設定すること
がＶましい。ところが、Ｗ＝３＋ｄの設定では、露光マ
スクとストライプとの角度ずれが起き易く、干渉露光の
方向とストライプの方向とが正確に合わせ難い。そこで
、この例ではストライプ間に選択露光マスク４を合わせ
るためのマークライン６を設けている。
マークライン６は前記フォトレジストをストライプ状に
露光及び現像処理する際同時に形成することができる。
露光及び現像処理する際同時に形成することができる。
即ち、フォトレジストをストライプパターンに一光する
際の露光マスク４にマークライン６のパターンも設けて
おけば良い。このマークライン６の間隔Ｗ′は３＋ｄと
しておくことにより、全てのストライプ２に対して同じ
相対位置に形成される。また、マークライン６の幅はス
トライプ幅Ｓの１ ／ １０程度が適当である。
際の露光マスク４にマークライン６のパターンも設けて
おけば良い。このマークライン６の間隔Ｗ′は３＋ｄと
しておくことにより、全てのストライプ２に対して同じ
相対位置に形成される。また、マークライン６の幅はス
トライプ幅Ｓの１ ／ １０程度が適当である。
これにより選択露光マスク４の露光窓幅をＷ＃Ｗ′とし
て設けても、露光マスク４の方向とストライプ２の方向
とのずれが極めて少ない選択露光マスク４の位置あわせ
が可能となる。
て設けても、露光マスク４の方向とストライプ２の方向
とのずれが極めて少ない選択露光マスク４の位置あわせ
が可能となる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記露光マスク４に設ける露光窓３は１
つに限るものではなく、複数個あってもよい。この場合
、露光窓３を前記ストライプａｌ１１ｍの整数倍の間隔
をおいて設けることにより、第３図に示す如く同一周期
を有する回折格子を同時に干渉露光することができ、露
光スループットの向上をはかり得る。また、同一基板上
に集積すべき回折格子の種類（周期）や回折格子の個数
等は仕様に応じて適宜窓めればよい。さらに、回折格子
作製用基板及び選択露光マスクの材質等は、それぞれの
用途に応じて適宜窓めればよい。また、波長多重用集積
化波長制御レーザに限らず、各種の集積化回折格子の製
造に適用することが可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
ない。例えば、前記露光マスク４に設ける露光窓３は１
つに限るものではなく、複数個あってもよい。この場合
、露光窓３を前記ストライプａｌ１１ｍの整数倍の間隔
をおいて設けることにより、第３図に示す如く同一周期
を有する回折格子を同時に干渉露光することができ、露
光スループットの向上をはかり得る。また、同一基板上
に集積すべき回折格子の種類（周期）や回折格子の個数
等は仕様に応じて適宜窓めればよい。さらに、回折格子
作製用基板及び選択露光マスクの材質等は、それぞれの
用途に応じて適宜窓めればよい。また、波長多重用集積
化波長制御レーザに限らず、各種の集積化回折格子の製
造に適用することが可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係わる集積
化回折格子の製造工程を示す平面図、第２図は他の実施
例を説明するための平面図、第３図は変形例を説明する
ための平面図である。 １・・・回折格子作製用基板、２・・・スプライトパタ
ーン、３・・・露光窓、４・・・選択露光マスク、５．
５ａ、〜、５ｄ・・・回折格子パターン、６・・・マー
クライン。 第１図 （Ｃ） 第２図 第３図
化回折格子の製造工程を示す平面図、第２図は他の実施
例を説明するための平面図、第３図は変形例を説明する
ための平面図である。 １・・・回折格子作製用基板、２・・・スプライトパタ
ーン、３・・・露光窓、４・・・選択露光マスク、５．
５ａ、〜、５ｄ・・・回折格子パターン、６・・・マー
クライン。 第１図 （Ｃ） 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ ｌｉｔ期的凹凸からなる回折格子を凹凸周期を
変°えて同一基板上に複数個集積した集積化回折格子を
製造する方法において、前記基板上の全面にポジ型フォ
トレジストを塗布する工程と、上記レジストを所定の幅
とＩ！陽とを有する繰り返しのストライプに露光及び現
像処理する工程と、次いで上記ストライブの幅より広く
且つ隣接する両側のス１へライブまでの幅より狭い幅を
有する露光窓を設けた露光マスクによって前記基板を覆
う工程と、上記露光マスクの露光窓を特定のストライプ
に合わせ選択的に干Ｓ露光を行う工程と、次いで上記露
光マスクの露光窓を干渉露光を行っていないストライプ
に合せる移動と干渉周期の異なる干渉露光とを所定回数
繰り返し行う工程と、次いで前記基板上の全てのストラ
イプを同詩に現像処理する工程と、しかるのち残存した
レジストをマスクとして前記基板をエツチング処理する
工程とを含むことを特徴とする集積化回折格子の製造方
法。 ■ 前記ポジ型フォトレジストを繰り返しのストライプ
に露光及び現像処理する工程で、上記ストライプ藺に前
記露光マスクを位置合わせするためのマークラインを設
けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積
化回折格子の製造方法。 （３前記露光マスクとし・で、前記露光窓が前記ストラ
イプ−隔の整数倍・；）間隔をおいて設けられたものを
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集
積化回折−４子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8408484A JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8408484A JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229001A true JPS60229001A (ja) | 1985-11-14 |
| JPS6311642B2 JPS6311642B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=13820624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8408484A Granted JPS60229001A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 集積化回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229001A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561397A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | ホログラム描画装置 |
| JPH0572959A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | ホログラム描画装置 |
| FR2725527A1 (fr) * | 1994-10-10 | 1996-04-12 | Talneau Anne | Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees |
| WO2005045528A3 (en) * | 2003-11-03 | 2005-09-01 | Intel Corp | Interference patterning |
| JP2010272694A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8408484A patent/JPS60229001A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0561397A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | ホログラム描画装置 |
| JPH0572959A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | ホログラム描画装置 |
| FR2725527A1 (fr) * | 1994-10-10 | 1996-04-12 | Talneau Anne | Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees |
| WO1996011416A1 (fr) * | 1994-10-10 | 1996-04-18 | France Telecom | Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees |
| WO2005045528A3 (en) * | 2003-11-03 | 2005-09-01 | Intel Corp | Interference patterning |
| US7228034B2 (en) | 2003-11-03 | 2007-06-05 | Intel Corporation | Interference patterning |
| JP2010272694A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311642B2 (ja) | 1988-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |