JPH03278513A - 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPH03278513A JPH03278513A JP2079731A JP7973190A JPH03278513A JP H03278513 A JPH03278513 A JP H03278513A JP 2079731 A JP2079731 A JP 2079731A JP 7973190 A JP7973190 A JP 7973190A JP H03278513 A JPH03278513 A JP H03278513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- mark
- wafer
- pitch
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、2つの物体の位置合わせに用いられる位置合
わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法に関する。
わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法に関する。
(従来の技術)
近年、LSI等の半導体素子の回路パターンの微細化に
伴い、パターン転写手段として、高解像性能を有する光
学式投影露光装置が広く使用されている。この装置を用
いて転写を行う場合、露光に先立ってマスクとウェハと
を高精度で位置合わせ(アライメント)する必要がある
この種のアライメントでは、第3図に示すように、露光
光とは異なる波長のアライメント光を、マスク1に形成
されたマークla、lbに照射し、マスクマーク1a、
、lbで回折した光を投影レンズ2を介してウェハ3上
に形成されたマーク3aに照射する。そして、ウェハマ
ーク3aからの反射回折光をミラー4を介して検出する
ことによりマスク・ウェハの位置ずれを測定している。
伴い、パターン転写手段として、高解像性能を有する光
学式投影露光装置が広く使用されている。この装置を用
いて転写を行う場合、露光に先立ってマスクとウェハと
を高精度で位置合わせ(アライメント)する必要がある
この種のアライメントでは、第3図に示すように、露光
光とは異なる波長のアライメント光を、マスク1に形成
されたマークla、lbに照射し、マスクマーク1a、
、lbで回折した光を投影レンズ2を介してウェハ3上
に形成されたマーク3aに照射する。そして、ウェハマ
ーク3aからの反射回折光をミラー4を介して検出する
ことによりマスク・ウェハの位置ずれを測定している。
ここで、ウェハ3上のマーク3aとしては、露光光と干
渉することなくアライメント信号を得るために、第4図
(a) (b)に示す如く2次元の回折格子を用いてい
る。そして、これらのマークは、一般に縦横のピッチが
同一のものを使用していた。
渉することなくアライメント信号を得るために、第4図
(a) (b)に示す如く2次元の回折格子を用いてい
る。そして、これらのマークは、一般に縦横のピッチが
同一のものを使用していた。
ところで、アライメント光は第5図(a)に示す如く、
ウェハ3上で2次元的に反射回折するが、図のような一
部の回折光を検出器5に導きアライメント信号としてい
た。第5図(a)は同図(b)の基本的なアライメント
光学系を槍から見たものである。ウェハ3上のマーク3
aは第5図(b)で示されるように、2光束の入射角(
ウェハマークに入射する角度)をθとすると、sinθ
峻nλ/P で示される式によってピッチPが決定されてしまう。こ
こで、nは回折次数、λはアライメント光の波長である
。即ち、上式からウェハ3上のマーク3aの1方向のピ
ッチ寸法が決定される。これと同じ寸法で他方のピッチ
を決定してマークとして用いると、第5図(a)に示し
たような角度で反射回折し、検出器5上に戻らず破線で
示すように、例えば投影レンズ内部でアライメント光が
けられてしまい、検出器5に正確に入らない等の問題が
生じていた。
ウェハ3上で2次元的に反射回折するが、図のような一
部の回折光を検出器5に導きアライメント信号としてい
た。第5図(a)は同図(b)の基本的なアライメント
光学系を槍から見たものである。ウェハ3上のマーク3
aは第5図(b)で示されるように、2光束の入射角(
ウェハマークに入射する角度)をθとすると、sinθ
峻nλ/P で示される式によってピッチPが決定されてしまう。こ
こで、nは回折次数、λはアライメント光の波長である
。即ち、上式からウェハ3上のマーク3aの1方向のピ
ッチ寸法が決定される。これと同じ寸法で他方のピッチ
を決定してマークとして用いると、第5図(a)に示し
たような角度で反射回折し、検出器5上に戻らず破線で
示すように、例えば投影レンズ内部でアライメント光が
けられてしまい、検出器5に正確に入らない等の問題が
生じていた。
また、本来はアライメント光はウェハ面に対して垂直に
入射するものであるが、投影レンズの色収差等の問題に
よりアライメント光がつエバ面に対して傾いて入射する
場合がある。この場合も、予定された光路を通らないで
アライメント光が検出できないという問題があった。さ
らに、このウェハに傾いて入射する角度は、アライメン
ト光学系として色収差の問題を解決する光学系を考慮し
対応しているにもかかわらず完全ではなく、チップサイ
ズ変更等でマークの位置が変り、対物先細からの距離が
変化した場合、この角度もまた変化してしまう問題が生
じている。
入射するものであるが、投影レンズの色収差等の問題に
よりアライメント光がつエバ面に対して傾いて入射する
場合がある。この場合も、予定された光路を通らないで
アライメント光が検出できないという問題があった。さ
らに、このウェハに傾いて入射する角度は、アライメン
ト光学系として色収差の問題を解決する光学系を考慮し
対応しているにもかかわらず完全ではなく、チップサイ
ズ変更等でマークの位置が変り、対物先細からの距離が
変化した場合、この角度もまた変化してしまう問題が生
じている。
一方、特願昭63−116962号(特開平1−287
407号公報)に開示された光ヘテロダイン方式のアラ
イメントでは、ウェハマークからの位置情報を持つ光ヘ
テロダイン検出信号と、マスクマークからの位置情報を
持たない光ヘテロダイン基準信号を検出する必要がある
が、ウェハマークからの反射回折光及びマスクマークか
らの回折光をそれぞれミラーを介して検出器に導いてい
る。このとき、各ミラーは近接した位置にある方が望ま
しいが、これらのミラーの位置はマークの回折格子ピッ
チにより一義的に決まってしまい、従来のようにx、y
方向で同一のピッチを採用した場合、必ずしも近接した
位置に配置できない問題があった。
407号公報)に開示された光ヘテロダイン方式のアラ
イメントでは、ウェハマークからの位置情報を持つ光ヘ
テロダイン検出信号と、マスクマークからの位置情報を
持たない光ヘテロダイン基準信号を検出する必要がある
が、ウェハマークからの反射回折光及びマスクマークか
らの回折光をそれぞれミラーを介して検出器に導いてい
る。このとき、各ミラーは近接した位置にある方が望ま
しいが、これらのミラーの位置はマークの回折格子ピッ
チにより一義的に決まってしまい、従来のようにx、y
方向で同一のピッチを採用した場合、必ずしも近接した
位置に配置できない問題があった。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来、2次元回折格子マークを用いてマスク
・ウェハの位置ずれ検出を行う場合、ウェハマークから
の反射回折光が投影レンズの側面でけられてしまい検出
器まで到達せず、位置ずれ検出ができないことがあった
。また、光ヘテロダイン方式でマスク・ウェハの位置合
わせを行う際には、ウェハからの反射回折光とマスクか
らの回折光とが近接した状態でミラー位置に導きたいが
、それぞれの回折光の光路がマークの格子ピッチで決ま
り、これを実現できないことがあった。
・ウェハの位置ずれ検出を行う場合、ウェハマークから
の反射回折光が投影レンズの側面でけられてしまい検出
器まで到達せず、位置ずれ検出ができないことがあった
。また、光ヘテロダイン方式でマスク・ウェハの位置合
わせを行う際には、ウェハからの反射回折光とマスクか
らの回折光とが近接した状態でミラー位置に導きたいが
、それぞれの回折光の光路がマークの格子ピッチで決ま
り、これを実現できないことがあった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、ウェハからのアライメント光が投影
レンズ等の側面でけられることを防止し、ウェハマーク
からのアライメント光を最適な位置で検出することを可
能とする位置合わせマークを提供することにある。
的とするところは、ウェハからのアライメント光が投影
レンズ等の側面でけられることを防止し、ウェハマーク
からのアライメント光を最適な位置で検出することを可
能とする位置合わせマークを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、光ヘテロダイン方式でマス
ク・ウェハを位置合わせするに際しウェハからの反射回
折光とマスクからの回折光とが近接した状態でミラー位
置に導くことのできる位置合わせ方法を提供することに
ある。
ク・ウェハを位置合わせするに際しウェハからの反射回
折光とマスクからの回折光とが近接した状態でミラー位
置に導くことのできる位置合わせ方法を提供することに
ある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために本発明では、2つの物体を光
学的に位置合わせする際に用いられる、2次元回折格子
からなる位置合わせマークにおいて、回折格子ピッチを
位置合わせ方向及びこれに直交する方向とで異ならせた
ことを特徴としている。
学的に位置合わせする際に用いられる、2次元回折格子
からなる位置合わせマークにおいて、回折格子ピッチを
位置合わせ方向及びこれに直交する方向とで異ならせた
ことを特徴としている。
また本発明は、マスクに設けられた2次元回折格子から
なるマスクマークに露光光とは異なる波長のアライメン
ト光を照射し、マスクマークから位置合わせ方向に回折
する回折光を投影レンズを介してウェハ上に設けられた
2次元回折格子からなるウェハマークに照射し、ウェハ
マークからの反射回折光を検出して位置情報を持つ信号
を求め、マスクマークからの非位置合わせ方向に回折し
た回折光を検出して位置情報を持たない基準信号を求め
、これらの位置情報を持つ信号及び基準信号の位相差か
ら各マークの相対位置ずれ情報を求め、このずれ量に応
じてマスク・ウェハを位置合わせする位置合わせ方法に
おいて、マスクマーク又はウェハマークの少なくとも一
方を、回折格子ピッチが位置合わせ方向と非位置合わせ
方向とで異なるように形成し、ウェハマークからの反射
回折光及びマスクマークからの非位置合わせ方向の回折
光(即ち基準信号を得るための光)を近接した位置でそ
れぞれ検出することを特徴としている。
なるマスクマークに露光光とは異なる波長のアライメン
ト光を照射し、マスクマークから位置合わせ方向に回折
する回折光を投影レンズを介してウェハ上に設けられた
2次元回折格子からなるウェハマークに照射し、ウェハ
マークからの反射回折光を検出して位置情報を持つ信号
を求め、マスクマークからの非位置合わせ方向に回折し
た回折光を検出して位置情報を持たない基準信号を求め
、これらの位置情報を持つ信号及び基準信号の位相差か
ら各マークの相対位置ずれ情報を求め、このずれ量に応
じてマスク・ウェハを位置合わせする位置合わせ方法に
おいて、マスクマーク又はウェハマークの少なくとも一
方を、回折格子ピッチが位置合わせ方向と非位置合わせ
方向とで異なるように形成し、ウェハマークからの反射
回折光及びマスクマークからの非位置合わせ方向の回折
光(即ち基準信号を得るための光)を近接した位置でそ
れぞれ検出することを特徴としている。
(作用)
本発明によれば、アライメントマーク形状において、ア
ライメント方向の格子ピッチは一定とし、これと直交す
る方向の格子ピッチを変更することにより、アライメン
ト方向と直交する方向に回折光の光路を自由に変更する
ことができる。これにより、ウェハからのアライメント
光が投影レンズ等の側面でけられることを防止し、ウェ
ハマークからのアライメント光を最適な位置で検出する
ことが可能となる。また、上記のマークを用いることに
より、光ヘテロダイン方式でマスク・ウェハを位置合わ
せするに際し、ウェハからの反射回折光とマスクからの
回折光とを近接した位置で検出することが可能となり、
構造が一体化したアライメント光学系を設計°すること
ができる等の利点が多い。
ライメント方向の格子ピッチは一定とし、これと直交す
る方向の格子ピッチを変更することにより、アライメン
ト方向と直交する方向に回折光の光路を自由に変更する
ことができる。これにより、ウェハからのアライメント
光が投影レンズ等の側面でけられることを防止し、ウェ
ハマークからのアライメント光を最適な位置で検出する
ことが可能となる。また、上記のマークを用いることに
より、光ヘテロダイン方式でマスク・ウェハを位置合わ
せするに際し、ウェハからの反射回折光とマスクからの
回折光とを近接した位置で検出することが可能となり、
構造が一体化したアライメント光学系を設計°すること
ができる等の利点が多い。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わるマーク形状を示す図
である。第1図(aXりは、光透過部と光遮蔽部とをX
方向(紙面左右方向)及びY方向(紙面上下方向)に交
互に配置した2次元回折格子の例である。二の回折格子
は、X方向(例えば位置合わせ方向)における透過部と
遮蔽部のピッチは同じであり、同様にY方向(例えば非
位置合わせ方向)における透過部と遮蔽部のピッチは同
じである。しかし、X方向のピッチPxに対しY方向の
ピッチPyを短くしている。例えば、X方向のピッチP
xを5μmとし、Y方向のピッチPyを4μmとしてい
る。
である。第1図(aXりは、光透過部と光遮蔽部とをX
方向(紙面左右方向)及びY方向(紙面上下方向)に交
互に配置した2次元回折格子の例である。二の回折格子
は、X方向(例えば位置合わせ方向)における透過部と
遮蔽部のピッチは同じであり、同様にY方向(例えば非
位置合わせ方向)における透過部と遮蔽部のピッチは同
じである。しかし、X方向のピッチPxに対しY方向の
ピッチPyを短くしている。例えば、X方向のピッチP
xを5μmとし、Y方向のピッチPyを4μmとしてい
る。
このようなマークを用い位置合わせ方向の回折格子ピッ
チに拘らず非位置合わせ方向の回折格子ピッチを設定す
ることにより、前記第5図に示すアライメント光学系に
おいて、ウェハマークからの反射回折光を投影レンズで
けられることなしに検出器に導くことができる。
チに拘らず非位置合わせ方向の回折格子ピッチを設定す
ることにより、前記第5図に示すアライメント光学系に
おいて、ウェハマークからの反射回折光を投影レンズで
けられることなしに検出器に導くことができる。
第2図は本発明の他の実施例方法に使用した縮小投影露
光装置を示す概略構成図である。図中10は所定パター
ンと共にアライメントマーク11.12が形成されたマ
スク(レチクル)、20はパターン転写のための投影レ
ンズ、3゜は回折格子からなるアライメントマーク31
が形成されたウェハ、41.42はミラー 42゜43
は受光素子(検出器)、44はアライメント光源、46
はコンデンサレンズであり、この構成自体は公知のもの
である(例えば、特願昭63−118982号)。
光装置を示す概略構成図である。図中10は所定パター
ンと共にアライメントマーク11.12が形成されたマ
スク(レチクル)、20はパターン転写のための投影レ
ンズ、3゜は回折格子からなるアライメントマーク31
が形成されたウェハ、41.42はミラー 42゜43
は受光素子(検出器)、44はアライメント光源、46
はコンデンサレンズであり、この構成自体は公知のもの
である(例えば、特願昭63−118982号)。
この装置における位置合わせの原理は次の通りである。
2光束に分離したレーザ光を各々Δfir Δf2だけ
周波数シフトさせたのち、マスクマーク11,12にそ
れぞれ照射する。
周波数シフトさせたのち、マスクマーク11,12にそ
れぞれ照射する。
マスクマーク11.12は2次元の回折格子からなるも
ので、マスクマーク11.12からの位置合わせ方向の
回折光のうち、マーク11で発生する一1次の回折光と
マーク12で発生する+1次の回折光を、第2図に破線
で示す如く投影レンズ20を通してウェハ30上のマー
ク31に集光・干渉させる。そして、ウェハマーク31
で回折した光をミラー41を介して受光素子42で検出
する。これにより、受光素子42では(f+ f2)
の周波数を持つ先ヘテロダイン検出信号Δf3が得られ
る。
ので、マスクマーク11.12からの位置合わせ方向の
回折光のうち、マーク11で発生する一1次の回折光と
マーク12で発生する+1次の回折光を、第2図に破線
で示す如く投影レンズ20を通してウェハ30上のマー
ク31に集光・干渉させる。そして、ウェハマーク31
で回折した光をミラー41を介して受光素子42で検出
する。これにより、受光素子42では(f+ f2)
の周波数を持つ先ヘテロダイン検出信号Δf3が得られ
る。
一方、マスクマーク11,12からの非位置合わせ方向
の回折光のうち、第2図に一点鎖線で示すように外側に
向かう回折光、即ちマーク11で発生する+1次の回折
光とマーク12で発生する+1次の回折光を、ミラー4
2で導入し2光束を合成して、マスクの位置を位相情報
として持たない先ヘテロダイン基準信号Δf4を受光素
子44で検出する。そして、2つの先ヘテロダイン信号
の位相差を求めることにより、マスク・ウェハの位置ず
れ量が求められる。なお、この位置ずれ量は図示しない
テーブル駆動系等にフィ゛−ドパツクされ、ウェハ30
をXY力方向移動することにより、マスク・ウェハの位
置ずれが補正される。
の回折光のうち、第2図に一点鎖線で示すように外側に
向かう回折光、即ちマーク11で発生する+1次の回折
光とマーク12で発生する+1次の回折光を、ミラー4
2で導入し2光束を合成して、マスクの位置を位相情報
として持たない先ヘテロダイン基準信号Δf4を受光素
子44で検出する。そして、2つの先ヘテロダイン信号
の位相差を求めることにより、マスク・ウェハの位置ず
れ量が求められる。なお、この位置ずれ量は図示しない
テーブル駆動系等にフィ゛−ドパツクされ、ウェハ30
をXY力方向移動することにより、マスク・ウェハの位
置ずれが補正される。
ここで、マスクマーク11,12又はウェハマーク31
として、前記第1図に示す如くX。
として、前記第1図に示す如くX。
Yの格子ピッチが異なる2次元回折格子を用いた。位置
合わせ方向のピッチは従来と同様とし、非位置合わせ方
向のピッチは、マスクマーク11.12からの非位置合
わせ方向の透過回折光とウェハマーク31からの反射回
折光とが、マスク10と投影レンズ20間のある位置で
略交差するようにした。これにより、ミラー41゜42
を近接配置することができ、光ヘテロダイン方式による
マスク・ウェハの位置合わせを効果的に行うことができ
る。
合わせ方向のピッチは従来と同様とし、非位置合わせ方
向のピッチは、マスクマーク11.12からの非位置合
わせ方向の透過回折光とウェハマーク31からの反射回
折光とが、マスク10と投影レンズ20間のある位置で
略交差するようにした。これにより、ミラー41゜42
を近接配置することができ、光ヘテロダイン方式による
マスク・ウェハの位置合わせを効果的に行うことができ
る。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例では非位置合わせ方向の回折格子ピッチを
位置合わせ方向のそれよりも短くしたが、光学系の構成
によってはこれらの関係を逆にしてもよい。また、第2
図の装置では、マスクマークからの透過回折光を検出し
て基準信号を求めたが、マスクマークからの反射回折光
を検出して基準信号を求めるようにしてもよい。さらに
、位置合わせ装置は第2図に同等限定されるものではな
く、2次元回折格子を用いたマスク・ウェハのアライメ
ント光学系に適用することが可能である。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
ない。実施例では非位置合わせ方向の回折格子ピッチを
位置合わせ方向のそれよりも短くしたが、光学系の構成
によってはこれらの関係を逆にしてもよい。また、第2
図の装置では、マスクマークからの透過回折光を検出し
て基準信号を求めたが、マスクマークからの反射回折光
を検出して基準信号を求めるようにしてもよい。さらに
、位置合わせ装置は第2図に同等限定されるものではな
く、2次元回折格子を用いたマスク・ウェハのアライメ
ント光学系に適用することが可能である。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、2つの物体を光学
的に位置合わせする際に用いられる、2次元回折格子か
らなる位置合わせマークにおいて、回折格子ピッチを位
置合わせ方向及びこれに直交する方向とで異ならせるこ
とにより、ウェハマークからのアライメント光を最適な
位置に導いて検出することが可能となり、精度の良いア
ライメントを実現することができる。
的に位置合わせする際に用いられる、2次元回折格子か
らなる位置合わせマークにおいて、回折格子ピッチを位
置合わせ方向及びこれに直交する方向とで異ならせるこ
とにより、ウェハマークからのアライメント光を最適な
位置に導いて検出することが可能となり、精度の良いア
ライメントを実現することができる。
第1図は本発明の一実施例に係わるマーク形状を示す図
、第2図は上記マークを用いたアライメント光学系の一
例を示す図、第3図は従来のアライメント光学系を示す
図、第4図は従来のマーク形状を示す図、第5図は従来
のアライメント光学系の問題点を説明するための図であ
る。 10・・・マスク、 11.12・・・マスクマーク、 20・・・投影レンズ、 30・・・ウェハ、 31・・・ウェハマーク、 41.42 ・・・ ミ ラ − 4.3.44・・・受光素子(検出器)45・・・アラ
イメント光源、 46・・・コンデンサレンズ。
、第2図は上記マークを用いたアライメント光学系の一
例を示す図、第3図は従来のアライメント光学系を示す
図、第4図は従来のマーク形状を示す図、第5図は従来
のアライメント光学系の問題点を説明するための図であ
る。 10・・・マスク、 11.12・・・マスクマーク、 20・・・投影レンズ、 30・・・ウェハ、 31・・・ウェハマーク、 41.42 ・・・ ミ ラ − 4.3.44・・・受光素子(検出器)45・・・アラ
イメント光源、 46・・・コンデンサレンズ。
Claims (2)
- (1)2つの物体を光学的に位置合わせする際に用いら
れる、2次元回折格子からなる位置合わせマークにおい
て、回折格子ピッチが位置合わせ方向及びこれに直交す
る方向とで異なることを特徴とする位置合わせマーク。 - (2)マスクに設けられた2次元回折格子からなるマス
クマークに露光光とは異なる波長のアライメント光を照
射し、マスクマークから位置合わせ方向に回折する回折
光を投影レンズを介してウェハ上に設けられた2次元回
折格子からなるウェハマークに照射し、ウェハマークか
らの反射回折光を検出して位置情報を持つ信号を求めマ
スクマークからの非位置合わせ方向に回折した回折光を
検出して位置情報を持たない基準信号を求め、これらの
位置情報を持つ信号及び基準信号の位相差から各マーク
の相対位置ずれ情報を求め、このずれ量に応じてマスク
・ウェハを位置合わせする位置合わせ方法において、前
記マスクマーク又はウェハマークの少なくとも一方を、
回折格子ピッチが位置合わせ方向と非位置合わせ方向と
で異なるように形成し、前記ウェハマークからの反射回
折光及び前記マスクマークからの非位置合わせ方向の回
折光を近接した位置に導いてそれぞれ検出することを特
徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2079731A JPH03278513A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2079731A JPH03278513A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03278513A true JPH03278513A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13698355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2079731A Pending JPH03278513A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03278513A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
JP2008151821A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよび転写方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079731A patent/JPH03278513A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
US7898662B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP4701209B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
US8064056B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate used in a method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2008151821A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよび転写方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6151120A (en) | Exposure apparatus and method | |
US4668089A (en) | Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece | |
US5214489A (en) | Aligning device for exposure apparatus | |
US4984890A (en) | Method and an apparatus for aligning first and second objects with each other | |
CN101149564B (zh) | 一种对准标记和对其成像的光学系统以及成像方法 | |
EP0534758B1 (en) | Method and device for measuring positional deviation between a plurality of diffraction gratings on the same object | |
US5721605A (en) | Alignment device and method with focus detection system | |
US5585923A (en) | Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means | |
EP0358514B1 (en) | Position detecting method and apparatus | |
JP2676933B2 (ja) | 位置検出装置 | |
JPH03278513A (ja) | 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法 | |
JP2867597B2 (ja) | 位置検出方法 | |
JPH0365603A (ja) | 位置合せ方法 | |
JPH021503A (ja) | 位置検出装置 | |
JPH01209721A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH07321030A (ja) | アライメント装置 | |
JP2513281B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JPS6211779B2 (ja) | ||
JP2683409B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP3060604B2 (ja) | 位置検出装置、および位置検出装置の調整方法 | |
JPH03262901A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPH0516649B2 (ja) | ||
JP2513282B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP2615778B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP2513301B2 (ja) | 位置検出装置 |