JP2001237183A - マイクロリソグラフィ投影装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影装置Info
- Publication number
- JP2001237183A JP2001237183A JP2001010551A JP2001010551A JP2001237183A JP 2001237183 A JP2001237183 A JP 2001237183A JP 2001010551 A JP2001010551 A JP 2001010551A JP 2001010551 A JP2001010551 A JP 2001010551A JP 2001237183 A JP2001237183 A JP 2001237183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- projection system
- radiation
- mask
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
装置に短波長の放射線を使うことによる色収差を避ける
ために反射性光学素子を使うが、この素子による“けら
れ”を避けるために軸外投影システムを使うとき、それ
に固有のテレセントリックエラーを、この投影システム
の大きさを最小にしながら、同時に補償すること。 【解決手段】 レチクル50の像を投影システム54に
よってウエハ52上に投影するために、このレチクル5
0を照明するための放射線ビームを提供する照明器40
のレンズシステム48にテレセントリックエラー補償す
るための傾斜可能ミラー56または楔状透過性光学素子
58を含めて、照明ビームの入射位置を上記エラーに相
当する分だけずらす。これらのエラー補償素子の補償量
は調整可能にできる。
Description
装置で;放射線の投影ビームを供給するための放射線シ
ステム;この投影ビームを所望のパターンに従ってパタ
ーニングするための、パターニング手段;基板を保持す
るための基板テーブル;およびこのパターン化したビー
ムをこの基板の目標部分上に結像するための投影システ
ムを含む装置でのテレセントリックエラー補償に関す
る。
射線ビームに、この基板の目標部分に創成すべきパター
ンに対応する、パターン化した断面を与えるために使う
ことができる手段を指すと広く解釈すべきであり;“光
バルブ”という用語もこの様な関係に使ってある。一般
的に、上記パターンは、集積回路またはその他のデバイ
ス(以下参照)のような、この目標部分で作るデバイス
の特別の機能層に対応するだろう。そのようなパターニ
ング手段の例には次のようなものがある: − マスクを保持するためのマスクテーブル。マスクの
概念は、リソグラフィで周知であり、それは、二値、交
播位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク
型、並びに種々のハイブリッドマスク型をも含む。その
ようなマスク(レチクル)を放射線ビーム中に置くと、
このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射す
る放射線の選択透過(透過性マスクの場合)または反射
(反射性マスクの場合)を生ずる。このマスクテーブル
は、このマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に
保持しうること、およびもし望むなら、それをこのビー
ムに対して動かすことも可能である。 − プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の例
は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスア
ドレス可能面である。そのような装置の背後の基本原理
は、(例えば)反射面のアドレス指定された領域が入射
光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない領
域が入射光を未回折光として反射するということであ
る。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反射ビー
ムから濾過して取除き、回折光だけを後に残すことがで
き;この様にして、このビームがマトリックスアドレス
可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化され
るようになる。必要なアドレス指定は、適当な電子手段
を使って行える。そのようなミラーアレイについての更
なる情報は、例えば、米国特許US5,296,891
およびUS5,523,193を参照されたい。 − プログラム可能LCDアレイ。そのような構成の例
は、米国特許US5,229,872号を参照された
い。簡略化のために、この明細書の以降の説明で、それ
自体をマスクテーブルおよびマスクを伴う例を具体的に
説明する場合もある;しかし、そのような場合に議論す
る一般原理は、上に示すようなパターニング手段を広義
に解釈するべきである。
“レンズ”と呼ぶかも知れないが;しかし、この用語
は、例えば、屈折光学素子、反射光学素子、および反射
屈折システムを含む、種々の型式の投影システムを包含
するものとして広く解釈すべきである。この放射線シス
テムは、一般的に照明システム(“照明器”)を含み、
それは放射線の投影ビームを指向、成形または制御する
ためにこれらの設計形式の何れかによって動作する部品
も含んでよく、それでそのような部品も以下に、集合的
または単独に、“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、
このリソグラフィ装置は二つ以上の基板テーブルおよび
/または二つ以上のマスクテーブルを有する型式でもよ
い。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並
列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブ
ルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出に使って
もよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、US5,
969,441および1998年2月27日提出の米国
特許出願09/180,011(WO98/28665
およびWO98/40791)を参照されたい。
路(IC)の製造に使うことができる。そのような場
合、このパターニング手段がこのICの個々の層に対応
する回路パターンを生成してもよく、およびこのパター
ンを感光材料(レジスト)の層で塗布した基板(シリコ
ンウエハ)上の目標部分(一つ以上のダイを含む)上に
結像することができる。一般的に、単一ウエハが隣接目
標部分の全ネットワークを含み、それらをこの投影シス
テムを介して、一度に一つずつ、逐次照射する。マスク
によるマスクテーブル上へのパターニングを使う現在の
装置では、二つの異なる型式の機械を区別することがで
きる。一つの型式のリソグラフィ投影装置では、各目標
部分を、マスクパターン全体をこの目標部分に一度に露
出することによって照射し;そのような装置を普通ウエ
ハステッパと呼ぶ。代りの装置(それを普通ステップア
ンドスキャン装置またはスキャナと呼ぶ)では、各目標
部分を、このマスクパターンを投影ビームの下で与えら
れた基準方向(“走査”方向)に連続的に走査し、同時
に基板テーブルをこの方向と平行または逆平行に同期し
て走査することによって照射する。一般的に、この投影
システムは倍率M(一般的に<1)を有するので、この
基板テーブルを走査する速度Vは、倍率M掛けるマスク
テーブルを走査する速度である。ここに説明したような
リソグラフィ装置の詳細は例えば、US6,046,7
92を参照されたい。
要求が増すにつれ、短波長放射線、例えば、波長157
nmまたは126nmの紫外線を使うことが必要であ
る。しかし、これは、投影装置の性能を低下の原因とな
る色収差の問題が生ずる結果となることがある。このた
めの二つの理由は、第1に、短波長の放射線を作るため
の、レーザのような、放射線源が線幅を大きくしがちで
あり、即ち、この線源が単色的でなく、広範囲の波長を
含み;および、第2に、これらのレンズに使用する屈折
媒体の波長に対する屈折率の分散関係が短波長で急勾配
になりがちであり、従ってこれらの媒体がより分散的で
あり、その結果色収差が増す。この問題の一つの解決策
は、例えば、反対符号の屈折力を有し、異なる分散関係
を有するレンズ材料で作ったレンズ素子を、色収差を実
質的に相殺するように、組合わせることによって、色消
しの投影レンズを設計することである。しかし、これ
は、二つの異なる媒体が必要であるので、これらのレン
ズシステムがより複雑となり、費用が増す。また、比較
的短波長の光を使うとき、可能性ある屈折媒体の数が減
る。これは、色消しの投影レンズを作ることを非常に困
難にする。
学素子を含む、反射屈折レンズシステムを使うことであ
る。これは、全てのレンズに単一材料を使うことを可能
にする。しかし、ある投影システム設計に反射性素子を
使うことは、像の一部がこのシステムのある素子によっ
て掩蔽されるのを避けるために、像を軸外に投影しなけ
ればならないことを意味する。これは、投影した像がこ
の投影システムの光軸(即ち、中心)にかからないこと
を意味する。反射屈折レンズの例は、例えば、US5,
537,260に開示されているので参照されたい。
的に寄生テレセントリックエラーを有するだろう。軸外
投影システムでこの投影システムの大きさを最小にしな
がら、このエラーを同時に補償しなければならない問題
がある。
問題を回避または軽減する、改善したマイクロリソグラ
フィ投影装置を提供することである。
る際、パターン化したビームを投影システムの光軸に関
して軸外に投影するように配設した、冒頭の段落で指定
したようなマイクロリソグラフィ投影装置であって、更
に、この投影システムのテレセントリックエラーを補償
するための補償手段(“補償器”)を含むことを特徴と
する装置が提供される。
ターン化した投影ビームが投影システムを軸外で横切る
反射屈折型などの軸外投影システムを使用して、テレセ
ントリックエラーを少なくとも部分的に補正できるよう
にする。
したビームを軸外に投影するので、このマスクの平面で
の被照射領域もこの投影システムの光軸に関して横に変
位するはずである。好ましくは、この照明器の光軸を投
影システムの光軸と平行ではあるが、それに関して軸外
となり、上記被照射領域に関して実質的に中心となるよ
うに横に移動させるのが好ましい。よって、この照明器
並びにそのレンズおよび光学部品の大きさを最小に出来
る。この補償器を照明器の出現光軸に関して傾斜するの
が好ましい。これは、照明システムに投影システムのテ
レセントリックエラーを補償できるようにするための比
較的簡単な修正である。この補償器は、テレセントリッ
クエラー補償の調整を出来るようにするために、傾斜可
能であるのが好ましい。
しい。これにより、照明器の中に、例えば、ミラーを含
むことができ、および既存のミラーにビームの偏向とテ
レセントリックエラー補償の両方の機能を持たせること
が可能である。ミラーのような反射性素子は、典型的に
は平面で、それが少なくともテレセントリックエラーの
粗補償を可能にするが、この反射性素子に非平面輪郭を
与えて、ビームの位置と共に変るテレセントリック性補
償が出来るようにすることも可能である。
状透過性光学素子を含むのが好ましい。この楔状光学素
子は、軸対称レンズの一部を含むのが好ましい。これ
は、このレンズを標準手法で製造して、適正な対称性で
テレセントリックエラーを正確に補償することができ、
および、次に、この装置が軸外投影システムを含むとい
う事実にも拘らず、このテレセントリックエラーを補償
するために、このレンズを切り分けてこのビーム路に挿
入するための楔状部分を得ることができるという利点を
有する。付加的利点は、今度は単一レンズから二つ以上
の楔状光学素子補償器を得ることができることである。
ルを使用する実施例に於いて、この楔状光学素子を、使
用中、上記マスクテーブルによって、マスクを保持する
位置に隣接して、またはそれと実質的に共役の位置に置
く。これは、このテレセントリックエラー補償が、本質
的にこのマスク上の光ビームの入射/射出角をこのマス
クを横切る位置の関数として調整することを要する(即
ち、この補償器が偏心視野レンズとして作用する)とい
う利点を有する。
製造方法であって: − 少なくとも部分的に放射線感応材料で覆われた基板
を用意する工程; − 照明システムを使って放射線の投影ビームを供給す
る工程; − この投影ビームにその断面にパターンを与えるため
にパターニング手段を使う工程; − このパターン化した放射線ビームをこの放射線感応
材料の層の目標領域上に投影する工程;を含む方法で、
パターン化する前に、この投影ビームを上記投影システ
ムの光軸に関して軸外に投影し、およびこの投影システ
ムのテレセントリックエラーを補償するために補償を行
うことを特徴とする方法が提供される。
う製造プロセスでは、パターン(例えば、マスクの中
の)を、少なくとも部分的にエネルギー感応材料(レジ
スト)の層で覆われた基板上に結像する。この結像工程
の前に、この基板は、例えば、下塗り、レジスト塗布お
よびソフトベークのような、種々の処理を受けるかも知
れない。露出後、基板は、例えば、露出後ベーク(PE
B)、現像、ハードベークおよび結像形態の測定/検査
のような、他の処理を受けるかも知れない。この一連の
処理は、デバイス、例えばICの個々の層をパターン化
するための基礎として使用する。そのようにパターン化
した層は、次に、エッチング、イオン注入(ドーピン
グ)、金属化処理、酸化処理、化学・機械的研磨等のよ
うな、これら全て個々の層の仕上げを意図した種々の処
理を受けるかも知れない。もし、多数の層が必要なら
ば、全処理またはその変形を各新しい層に反復しなけれ
ばならないだろう。結局、デバイスのアレイが基板(ウ
エハ)上にできる。次に、これらのデバイスをダイシン
グまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、そ
こから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに接続
し等できる。そのようなプロセスに関する更なる情報
は、例えば、参考書ピータ・バン・ザントの“マイクロ
チップの製作:半導体加工の実用ガイド”、第3版、マ
グロウヒル出版社、1997年、ISBN0-07-067250-4に開示
されているので参考とされたい。
ける装置として具体的に使用しているが、そのような装
置は、他の多くの可能な用途があることを明確に理解す
べきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メ
モリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄
膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者は、その
ような代替用途の関係では、この明細書で使う“レチク
ル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、
それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基板”およ
び“目標部分”で置換えられると考えるべきであること
が分るだろう。本明細文書では、照明放射線および照明
ビームという用語を、原則として、紫外放射線(例え
ば、365、248、193、157nmまたは126
nmの波長の)およびEUBを含むあらゆる種類の電磁
放射線を包含するために使用する。
け、添付の概略図を参照して説明する。これらの図で、
対応する参照記号または数字は、対応する部品を指す。
置を概略的に描く。この装置は: − 放射線(例えば、UVまたはEUV線)の投影ビー
ムPBを供給するための放射線システムLA、Ex、I
L; − マスクMA(例えば、レチクル)を保持するための
マスクホルダを備える第1物体テーブル(マスクテーブ
ル)MT; − 基板W(例えば、レジストを塗被したシリコンウエ
ハ)を保持するための基板ホルダを備える第2物体テー
ブル(基板テーブル)WT; − マスクMAの被照射部分を基板Wの目標部分C(一
つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム
(“レンズ”)PL(例えば、屈折若しくは反射屈折シ
ステム、またはミラーグループ);を含む。ここでの説
明は、この装置を透過型とする(即ち、透過性のマスク
を有する)。しかし、一般的に、それは、例えば、(反
射性のマスクを備える)反射型でもよい。
作る放射源LA(例えば、Hgランプ、またはエキシマ
レーザ)を含む。このビームを直接か、または、例え
ば、ビーム拡大器Exのような、状態調節手段を通して
から、照明システムILへ送込む。この照明器ILは、
このビームの強度分布の外側および/または内側半径方
向範囲(即ち、それぞれ、σ外側およびσ内側)を設定
するための調整手段AMを含む。又、それは、一般的
に、積分器INおよびコンデンサCOのような、種々の
他の部品を含む。この様にして、マスクMAに入射する
ビームPBは、その断面内で所望の均一性および強度分
布を有する。
源LAが、例えば、水銀ランプである場合によくあるこ
とだが)このリソグラフィ投影装置のハウジング内にあ
っても良いが、このリソグラフィ投影装置から遠く離れ
ていて、整形放射線ビームをこの装置に(例えば、適当
な指向ミラーを使って)導くようにしても良いことに注
意すべきで;この後者のシナリオは、放射源LAがエキ
シマレーザである場合によくあることである。本発明お
よび請求項は、これらのシナリオの両方を包含する。
上にマスクホルダで保持されたマスクMAを横切る。マ
スクMAを通過してから、ビームPBは、レンズPLを
通過し、これによりこのビームを基板Wの目標部分C上
に集束する。干渉計変位および測定手段IFの助けをか
りて、基板テーブルWTを正確に移動させ、例えば、異
なる目標領域CをビームPBの経路に配置するようする
ことができる。同様に、例えば、マスクMAをマスクラ
イブラリから機械的に検索してから、または走査中に、
第1位置決め手段を使ってマスクMAをビームPBの経
路に関して正確に配置することができる。一般的に、物
体テーブルMT、WTの運動は、図1にはっきりは示さ
ないが、長ストロークモジュール(粗位置決め)および
短ストロークモジュール(微細位置決め)の助けをかり
て実現する。しかし、ウエハステッパの場合は(ステッ
プアンドスキャン装置と違って)、マスクテーブルMT
を短ストロークアクチュエータに結合するだけでもよ
く、または固定してもよい。
うことができる: 1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを本質的
に固定して保持し、全マスク像を目標部分C上に一度に
(単一“フラッシュ”で)投影する。次に基板テーブル
WTをxおよび/またはy方向に移動して異なる目標部
分CをビームPBで照射できるようにする; 2.走査モードでは、与えられた目標部分Cを単一“フ
ラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じ
シナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルMT
が与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、x方
向)に速度νで動き得て、それで投影ビームPB(今は
一般的にスリットの形の)がマスク像の上を走査させら
れ;同時に、基板テーブルWTがそれと共に同方向また
は反対方向に速度V=Mνで動かされ、このMはレンズ
PLの倍率(典型的には、M=1/4または1/5)で
ある。この様にして、比較的大きい目標部分Cを、解像
度について妥協する必要なく、露出できる。
のパターンを付けた表面のような、第1平面12の像
を、ウエハのレジストを塗被した表面のような、第2平
面14に作るための投影システム10を概略的に示す。
図2(a)は、非テレセントリック投影システム10を
示す。ここで、“非テレセントリック”という用語は、
像形成放射線ビーム(面12上の物点から出る)の光線
が平面12および14に対する平均角が実質的に90°
からずれる状態を指す。従って、もし、レチクルまたは
ウエハがこのレンズの光軸に沿って上下動すれば、この
像は、図2(a)に矢印Aで示すように横に動く。以下
では、上記平均角を“平均ビーム角”と呼ぶ。図2
(a)の投影システム10と対照的に、図2(b)の投
影システム10は、テレセントリックであり;今度は、
像形成ビームの平面12および14に関する平均ビーム
角122および142(図2(b)で)がほぼ90°で
ある。従って、この像位置は、物面または像面のどちら
の移動によっても影響されない。もし、平面12が上下
動すると、この像の位置は、勿論その焦合いおよび焦
点、外れは生じるが、横には動かない。この装置は、例
えば、連続するリソグラフィ層を重ねることに関係する
とき、明らかに有利である。
して完全にテレセントリックではない。常に幾らかの小
さな残留テレセントリックエラーがある。テレセントリ
ック投影システム10の物側(面12に向く側)と像側
(面14に向く側)の両方で、図2(b)の平均ビーム
角122および142が90°から(僅かに)ずれるだ
ろう。このずれは、テレセントリックエラーとなり、点
121のこの投影システムの光軸Oに関する横位置への
依存性を示す。図3は、光軸Oを有する投影レンズシス
テムの平面図を表し、同心円20、22、24および2
6がほぼ等しいテレセントリックエラーの輪郭線を表
す。例として、ミリラジアン(mrad)での角度エラ
ーが、それぞれ、輪郭線20ないし26に対して+1、
0、−1および−2のような値を有するかも知れない。
これらは、レチクルレベルでの角度エラーを示している
が、勿論この投影レンズシステムの倍率Mのためにウエ
ハレベルでは大きくなり例えば、M=1/4で4倍の大
きさとなるだろう。
123が、この投影システム10の固有のテレセントリ
ックエラーを補償するように、横位置と共に変動する、
テレセントリック性を補正した照明ビームを出さなけれ
ばならない。理想的には、図2(b)で点121を照明
する入射ビームの方向性は、その平均ビーム角123が
この投影システムのテレセントリックエラーによって決
る平均ビーム角122と丁度一致するようであるべきで
ある。しかし、予防措置を講じなければ、この照明シス
テムILの残留テレセントリックエラーは、一般的にこ
の投影システムのテレセントリックエラーと一致しない
だろう。ここで使う、“補償”の概念並びに“補償手
段”および“補償器”という用語は、上記テレセントリ
ックエラー間の不一致の補償(即ち、軽減)を指す。
システムと同軸であれば、上記テレセントリックエラー
は、軸対称であり、従って補償も同様に軸対称にでき、
それでそれを従来のレンズによってもたらすことができ
る。しかし、上に説明したように、軸外投影を使うこと
が望ましいことがある。矩形30は、この投影システム
の光軸Oに関して軸外である照明システムの照明スリッ
トを表す。一般的にこの照明器の出口開口がこのスリッ
ト像30を丁度包含するに十分なだけのようにその大き
さを最小にすることが有利である。この場合、この照明
システムの軸外視野を軸O’上に中心を置く破線の円3
2によって示す。明らかに、この照明器の開口を表す、
円32の直径は、この投影システムの開口の直径、例え
ば、円26より小さい。
と交差する円20、22、24および26の円弧によっ
て与えられる、この照明器によってもたらすべきテレセ
ントリックエラー補償は、非対称である。
補償するためのこの発明の一実施例を示す。図4は、ズ
ーム・アキシコンモジュールのような、ビーム成形光学
素子42、および複眼レンズまたは積分器ロッドのよう
な、積分器、視野レンズシステム、レチクルマスク手段
46、および関連するレチクルマスクレンズシステム4
8を含む照明器40を示す。この照明器40は、レチク
ル50を照明するための放射線のビームを提供し、次の
そのレチクルの像を投影システム54によってウエハ5
2上に投影する。レチクル50に入射する照明は、図3
に示す矩形30によって表される、スリットの形をして
いる。レチクル50およびウエハ52は、この場合、こ
のスリットおよびその像が、それぞれ、このレチクル5
0およびウエハ52を横断して掃引するように、走査す
る。照明器40は、ミラー56を含む。このミラー56
は、この投影システム54の非円形対称テレセントリッ
クエラーを補償するために、この照明ビームをずらす
(このようにして、レチクル50上の放射線の平均入射
角123がもう90°ではない)ためにその角度を選択
できるように傾斜可能である。
トリックエラー補償をすることができる。しかし、もう
一つの実施例によれば、図3に示すように、投影システ
ム10の固有のテレセントリックエラーと完全に一致す
るために必要なエラー補償により厳密に対応するため
に、ミラー56を異形にしてより正確なテレセントリッ
クエラー補償をもたらすことができる。
す。この実施例では、楔状透過性光学素子58をこの照
明ビーム路に配置する。一実施例によれば、この素子5
8は、単純に(粗い)テレセントリックエラー補償をも
たらすための楔形プリズムであってもよい。しかし、図
3を参照して、レンズをこの投影システムの開口と同じ
直径に作り、および光軸O上に中心を置き、および、例
えば、輪郭線20ないし26で示すように、テレセント
リックエラー補償するように組立てることができる。次
に、このレンズの照明器32の直径を覆うに十分な一部
またはスリット30が包含する部分を片側から切取るこ
とができる。レンズのこの部分は、楔状であり、一般的
に、他の方法では製造することが非常に困難である、位
置の関数として非対称テレセントリックエラー補償をす
るだろう。この手法を使って、少なくとも二つの楔状素
子58を単一の大きなレンズから得ることができる。楔
状素子58の輪郭は、それを横切る各位置で、このビー
ムが輪郭線20ないし26上の角度値(上述の)によっ
て与えられるテレセントリックエラー補償するための適
当な角度だけずれるようになっているだろう。
通る光ビーム路のどこに置いてもよい。図5に示すよう
な、一実施例では、この素子をレチクル50近くに置
く。するとそれは所謂視野レンズとして作用する。視野
レンズは、典型的には、このビームの開口に実質的に影
響することなく、この視野レンズでこのビームの横位置
の関数として放射線ビームの伝播の平均方向(平均ビー
ム角度)に影響する。テレセントリックエラー補償は、
レチクル50上の照明ビームの入射角123を位置の関
数として、好ましくはこの照明ビームのダイ開口(σ外
側およびσ内側設定)に実質的に影響することなく、調
整することから成る。それで、視野レンズが一般的にこ
の厳密な機能をなす役割となる。あるいは、光学素子5
8をレチクルマスク手段46の近くに置くことができ
る。照明器40内の他の点では、位置と角度の間に同じ
区別はなく;例えば、瞳平面60は、レチクル50での
ビーム分布のフーリエ変換に対応し、平面60での位置
がレチクル50での入射角に対応する。従って、照明器
40内の一般的位置でのテレセントリックエラーに対す
る適正な補償をもたらすことは困難である。楔状素子5
8を照明器40内の他の共役平面に置くことは、位置に
よる角度の変動が共役平面間で対応するので、勿論、可
能である。
例の特徴は、勿論組合わせて;例えば、傾斜可能ミラー
と楔状光学素子を含む照明器40を使うことができる。
その代りに、またはそれに加えて、テレセントリックエ
ラー補正を調整するために、この楔状光学素子を傾斜可
能にすることができる。
が、この発明を説明した以外の方法で実施してもよいこ
とが分るだろう。この説明は、この発明を限定すること
を意図しない。
を描く。
トリック性およびテレセントリック性を説明するための
投影レンズシステムの線図である。
セントリックエラーを示す。
ックエラー補償手段を組込んだ照明器および投影システ
ムを示す。
だ照明器および投影システムを示す。
Claims (14)
- 【請求項1】 リソグラフィ投影装置で; − 放射線の投影ビーム(PB)を供給するための照明
システム(IL); − この投影ビームを所望のパターンに従ってパターニ
ングするための、パターニング手段(MA、MT); − 基板(W)を保持するための基板テーブル(W
T);および − このパターン化したビームをこの基板の目標部分
(C)上に結像するための投影システム(PL)で、使
用する際、このパターン化したビームを上記投影システ
ムの光軸に関して軸外に投影するように配設したシステ
ム;を含む装置であって、 更に、この投影システムのテレセントリックエラーを補
償するための補償手段(56、58)を含むことに特徴
がある装置。 - 【請求項2】 請求項1による装置に於いて、このパタ
ーニング手段がマスク(MA)を保持するためのマスク
テーブル(MT)を含む装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2による装置に於
いて、この照明システム(IL)の光軸を、この投影シ
ステム(PL)の光軸と実質的に平行であるが、それに
関して軸外であるように、横に移動してある装置。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3の何れか一項によ
る装置に於いて、この投影システム(PL)のテレセン
トリックエラーを補償するために、上記補償手段(5
6、58)をこの照明システム(IL)の光軸に関して
傾斜してある装置。 - 【請求項5】 請求項4による装置に於いて、このテレ
セントリックエラー補償の調整を可能にするために、上
記補償手段(56、58)が傾斜可能である装置。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5の何れか一項によ
る装置に於いて、上記補償手段が反射性素子(56)を
含む装置。 - 【請求項7】 請求項6による装置に於いて、上記反射
性素子(56)が非平面輪郭を有する装置。 - 【請求項8】 請求項1から請求項7の何れか一項によ
る装置に於いて、この補償手段が楔形透過性光学素子
(58)を含む装置。 - 【請求項9】 請求項8による装置に於いて、上記楔形
光学素子(58)がプリズム板である装置。 - 【請求項10】 請求項8による装置に於いて、上記楔
形光学素子(58)が実質的な軸対称レンズの一部を含
む装置。 - 【請求項11】 請求項8、請求項9、または請求項1
0による装置に於いて、上記補償手段(58)がこのパ
ターニング手段(MA、MT)の位置に隣接して、また
はそれと実質的に共役の位置に置いてある装置。 - 【請求項12】 デバイス製造方法で: − 少なくとも部分的に放射線感応材料で覆われた基板
(W)を用意する工程; − 放射線システム(LA、Ex、IL)を使って放射
線の投影ビーム(PB)を供給する工程; − この投影ビームにその断面にパターンを与えるため
にパターニング手段(MA、MT)を使う工程; − このパターン化した放射線ビームをこの放射線感応
材料の層の目標部分(C)上に投影する工程;を含む方
法であって、このパターン化した投影ビームを上記投影
システム(PL)の光軸に関して軸外に投影し、および
この投影システムのテレセントリックエラー補償を行う
ために補償手段(56、58)を使うことを特徴とする
方法 - 【請求項13】 請求項12に記載の方法により、製造
されたデバイス。 - 【請求項14】 実質的にパターン化した、および投影
システム(PL)によって基板(W)上に投影する、放
射線の投影ビーム(PB)を供給するための、リソグラ
フィ投影装置に使うための照明システム(IL)であっ
て、この投影システム(PL)のテレセントリックエラ
ーを補償するための補償手段(56、58)を含むこと
に特徴があるシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00300418 | 2000-01-20 | ||
| EP00300418.1 | 2000-01-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237183A true JP2001237183A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=8172657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010551A Pending JP2001237183A (ja) | 2000-01-20 | 2001-01-18 | マイクロリソグラフィ投影装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522387B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001237183A (ja) |
| KR (1) | KR100585461B1 (ja) |
| DE (1) | DE60128975T2 (ja) |
| TW (1) | TWI283798B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342711A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2008172272A (ja) * | 2008-03-21 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| JP2008530788A (ja) * | 2005-02-12 | 2008-08-07 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| JP2011527024A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 |
| JP2019028223A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| US6833904B1 (en) | 1998-02-27 | 2004-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus |
| US6717651B2 (en) | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
| JP2003007598A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2004335639A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 投影露光装置 |
| US7119883B2 (en) * | 2004-10-13 | 2006-10-10 | Asml Holding N.V. | Correcting variations in the intensity of light within an illumination field without distorting the telecentricity of the light |
| US7508489B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-03-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
| US7342644B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for lithographic beam generation |
| US7324185B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN103345128B (zh) | 2007-02-06 | 2017-04-12 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备的照明系统 |
| DE102007045396A1 (de) * | 2007-09-21 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle |
| US20090097001A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-16 | Qimonda Ag | Non-Telecentric Lithography Apparatus and Method of Manufacturing Integrated Circuits |
| US10365211B2 (en) | 2017-09-26 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology beam stabilization |
| CA3206114A1 (en) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | National Research Council Of Canada | A method for correcting ray distortions in tomographic 3d printing |
| DE102021120952B3 (de) * | 2021-08-11 | 2022-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Korrektur eines Telezentriefehlers einer Abbildungsvorrichtung und Maskeninspektionsmikroskop |
| EP4650875A1 (en) | 2024-05-13 | 2025-11-19 | ASML Netherlands B.V. | Illumination uniformity correction apparatus with a transmissive correction plate with a varying parameter profile |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323232A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Asahi Optical Co Ltd | 偏倍可能な投影装置 |
| JPH05343292A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0697047A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| JPH06342748A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
| JPH0792424A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Canon Inc | 収差補正光学系 |
| JPH07106230A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nikon Corp | プロキシミティ露光装置 |
| JPH07283911A (ja) * | 1994-04-05 | 1995-10-27 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPH0883746A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 照明装置および露光装置 |
| JPH08288213A (ja) * | 1996-05-27 | 1996-11-01 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH0926554A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH09311277A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH11329963A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-30 | Carl Zeiss:Fa | レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法 |
| JPH11352404A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Nikon Corp | 投影露光装置及びデバイス製造方法並びに反射屈折光学系 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739899A (en) * | 1995-05-19 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus correcting tilt of telecentricity |
| JP3728613B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
| US6333777B1 (en) * | 1997-07-18 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
-
2000
- 2000-12-27 TW TW089127977A patent/TWI283798B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-18 KR KR1020010002935A patent/KR100585461B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-18 DE DE60128975T patent/DE60128975T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-18 JP JP2001010551A patent/JP2001237183A/ja active Pending
- 2001-01-18 US US09/761,837 patent/US6522387B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323232A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Asahi Optical Co Ltd | 偏倍可能な投影装置 |
| JPH05343292A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0697047A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| JPH06342748A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
| JPH0792424A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Canon Inc | 収差補正光学系 |
| JPH07106230A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nikon Corp | プロキシミティ露光装置 |
| JPH07283911A (ja) * | 1994-04-05 | 1995-10-27 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| JPH0883746A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 照明装置および露光装置 |
| JPH0926554A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH09311277A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH08288213A (ja) * | 1996-05-27 | 1996-11-01 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH11329963A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-30 | Carl Zeiss:Fa | レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法 |
| JPH11352404A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Nikon Corp | 投影露光装置及びデバイス製造方法並びに反射屈折光学系 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342711A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2008530788A (ja) * | 2005-02-12 | 2008-08-07 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| US9046787B2 (en) | 2005-02-12 | 2015-06-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus |
| JP2008172272A (ja) * | 2008-03-21 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
| JP2011527024A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 |
| KR101624758B1 (ko) | 2008-06-30 | 2016-05-26 | 코닝 인코포레이티드 | 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기 |
| JP2019028223A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100585461B1 (ko) | 2006-06-02 |
| DE60128975T2 (de) | 2008-02-28 |
| TWI283798B (en) | 2007-07-11 |
| KR20010076350A (ko) | 2001-08-11 |
| DE60128975D1 (de) | 2007-08-02 |
| US6522387B2 (en) | 2003-02-18 |
| US20010012101A1 (en) | 2001-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001237183A (ja) | マイクロリソグラフィ投影装置 | |
| JP5156698B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| US7333178B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| US7170587B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| US7468781B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2002043221A (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
| EP1730596B1 (en) | Projection objective and projection exposure apparatus | |
| KR20030006953A (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 | |
| KR100675918B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이에 의하여제조되는 디바이스 | |
| KR20080056094A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2004200701A (ja) | リソグラフィ投影マスク、リソグラフィ投影マスクによるデバイス製造方法、およびこの方法により製造したデバイス | |
| US20070211231A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US6738129B2 (en) | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method using the same | |
| US6868223B2 (en) | Illumination apparatus, exposure apparatus using the same and device fabrication method | |
| JP2007158225A (ja) | 露光装置 | |
| EP1698940B1 (en) | Exposure method and apparatus | |
| JP2005340847A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| EP1118910B1 (en) | Microlithography projection apparatus | |
| JP2007194600A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| US6765649B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
| JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP4307039B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2007158224A (ja) | 露光方法 | |
| JP2000133564A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060804 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061031 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061010 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070109 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070607 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070815 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070824 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071019 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080312 |