JPH11329963A - レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法 - Google Patents
レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法Info
- Publication number
- JPH11329963A JPH11329963A JP11058033A JP5803399A JPH11329963A JP H11329963 A JPH11329963 A JP H11329963A JP 11058033 A JP11058033 A JP 11058033A JP 5803399 A JP5803399 A JP 5803399A JP H11329963 A JPH11329963 A JP H11329963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- illumination
- objective lens
- illumination optical
- rema objective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70183—Zoom systems for adjusting beam diameter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
一性、すなわち、一様さが得られるように、REMA対
物レンズに対して照明光学系を改良すること 【解決手段】 二次光源(1)をレチクル(33)上に
結像するマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明光学
系において、結像のゆがみは少なくとも光学要素(1
5,16;17,18)の間の可変光路により調整自在
であり、且つゆがみの変化の結果、照明の均一性は変化
する。特に、均一性は縁部に向かって上昇する。
Description
ル上に結像するマイクロリソグラフィ投影露光装置の照
明光学系又は光学要素、特にレンズを含むレンズREM
A対物レンズ及び可変開口を有し且つマイクロリソグラ
フィ投影露光装置のREMA対物レンズを有する照明光
学系を動作させる方法に関する。
は、視野絞り、すなわち、レチクルマスク(REMA)
をパターニングされたリソグラフィマスクによりレチク
ル上に結像する単純なREMA対物レンズを有するマイ
クロリソグラフィ投影露光装置が知られている。マスク
の寸法が異なり、それに対応してREMA絞りの開口の
寸法も様々に異なるレチクルに対して、REMA絞りの
全面を少ない光損失で確実に最適照明するために、ズー
ム光学系があらかじめ装備されている。具体的な実施例
は提示されていない。
ズはドイツ特許公告公報第19548805号及び出願
人のドイツ特許出願第19653983.8号に記載さ
れている。これらのレンズは、出願人の欧州特許公告公
報第0687956号に従ったズーム・アキシコン照明
光学系や、米国特許第5,646,715号に従ってガ
ラス棒の射出側にREMA絞りを配置した構造と組み合
わせて動作させるのに適している。ここで引用した出願
人の出願は、本出願の開示を構成する一要素として提示
されたものである。本出願を含めて全ての出願には、共
同発明者として、Wanglerが共通している。
四重極照明を伴い、ハニカムコンデンサとレチクルマス
クとの間に、照明の均一性の適応のために調整能力を有
する光学系が設けられているマイクロリソグラフィ用投
影露光光学系を説明している。この特許には、専門家に
対しブロック線図のような機能光学素子群のみが提示さ
れているにすぎず、具体的な実施例は示されていないの
で、この開示はむしろ課題を設定する性質のものであ
る。
れるマイクロリソグラフィ用投影露光光学系において
は、照明光学系の開口数は可変であり、投影対物レンズ
の開口数も可変であり、これら2つの開口数に従って、
投影対物レンズのレンズの間の光路長を変化させること
ができ、それにより、収差、主に垂直球面収差が補正さ
れる。一般に知られているのは、可変結像誤差を修正す
るための調整手段を有する投影対物レンズの様々な構成
である。
ハの全面にわたって照明輝度の最適の均一性、すなわ
ち、一様さが得られるように、REMA対物レンズに対
して照明光学系を改良することである。これは、開口数
や、円形、環形、四重極などの開口形状に関して照明の
可変開口に対しても起こりうる様々な妨害の影響に有効
であると考えられる。
がみが少なくとも光学要素の間の可変光路により調整自
在であることを特徴とする照明光学系、2つの光学要素
の間の光路が特に摺動によって調整自在であることを特
徴とするREMA対物レンズ及び、REMA対物レンズ
の2つの光学要素の間の少なくとも1つの光路を照明光
学系の開口に従って変化させることを特徴とする方法に
より解決される。有利な実施態様は、請求項2,3,4
から9及び12から14の対象である。これにより、初
めて照明のゆがみが調整可能に構成され、そこから、照
明の均一性の制御及び調整の可能性が導き出される。同
様に、REMA対物レンズについても初めて調整が可能
である。
て本発明をさらに詳細に説明する。図1の実施形態は、
摺動自在のレンズ群301を含む3つのレンズ群10
0,200,300を有する本発明のREMA対物レン
ズ123が一体に組み込まれている投影露光装置(ウェ
ハスキャナ)全体の光学部分の概略図を示す。この実施
形態では、波長248nmのエキシマレーザー50を光源
として利用する。手段60はビームの整形及びコヒーレ
ンス低減のために使用される。ズームアキシコン対物レ
ンズ70は、必要に応じて様々な照明モードを調整す
る。この目的のために、調整自在のズーム71と、調整
自在のアキシコンペア72が設けられている。これは出
願人のドイツ特許第19653983号から全体構造の
ように知られている。
均質化される。そのすぐ後に続くレチクルマスキング光
学系は、REMA対物レンズ123の物体平面1に位置
している。これは第1のレンズ群100と、瞳平面(絞
り平面)14と、第2のレンズ群200と、偏向ミラー
240と、第3のレンズ群300と、像平面19とから
構成されている。適切なREMA対物レンズはドイツ特
許第19548805号及びドイツ特許第196539
83号から知られている。REMA対物レンズ123の
像平面19には、交換・調整要素331により精密に位
置決めされるレチクル330が配置されている。その後
に続く投影対物レンズ400は、この実施形態では、世
界特許第95/32446号に従った瞳平面410を有
するカタジオプトリック対物レンズである。投影対物レ
ンズ400の像平面には付随する調整・移動装置501
を伴うウェハ500が配置されている。
成されていること、すなわち、レチクル33とウェハ5
00が投影対物レンズ400の結像倍率の速度比に同期
して移動し、照明光学系50から対物レンズ123は移
動方向に対し横方向に向いた細いスリットを形成するこ
とを前提としている。REMA対物レンズ123の第3
のレンズ群300には、本発明に従って調整自在である
レンズ群301が設けられている。このレンズ群301
は空隙の変化によって光路長に影響を及ぼす。制御装置
600は調整自在の部材71,72,301と結合し、
それらの部材を互いに従属する関係で制御する。
ンズは、ドイツ特許第19653983号の図1に従っ
た対物レンズの変形である。表1に示す値は、面1から
19についてこの引例の表1から取り上げたものであ
る。ただし、面16と面17との間の空隙はミリメート
ル単位で増加(又は減少)できるようにアクチュエータ
161により軸方向に調整自在である。レンズ17,1
8と、グレイフィルタ21は一体に摺動し、その結果と
して、REMA対物レンズのゆがみは増加(減少)し且
つ像平面19(レチクル33)における輝度分布は縁部
に向かって増加(減少)する。同じ効果はウェハで起こ
る。対物レンズ123の焦点距離は変わらないままであ
る。
態においては、REMA光学系90がレチクル33に結
像するときに、エッジ勾配の悪化が起こる。しかし、ア
クチュエータ91によりREMA光学系90を摺動させ
ることによりオブジェクト距離をわずかに広げるか、又
はREMA対物レンズ123の別の空隙をわずかに変化
させることによって、この悪化を補償できる。本実施形
態では、この空隙は面3と面4との間の空隙であり、ア
クチュエータ31により軸方向に変化される。
mm広げると、像視野の縁部の輝度は0.5%上昇する。
これに伴って、エッジは0.1mm広がり、テレセントク
ック特性は0.1mrad劣化する。相互間隔1/2を0.
02mm短縮すると、広がりは同じテレセントリー品質に
対しわずか0.01mmに減少する。その代わりに又はそ
れを補足して、空隙3/4を狭めることもできる。表1
は、摺動自在の要素の基本位置に関するこのREMA対
物レンズの設計データを示す。
一定のままである。これに代わる方法として、中央に向
かって濃くなって行くグレイフィルタを使用することが
考えられる。この場合、それぞれのケースによって光の
一部は吸収によってなくなる。ここで提案する方法は、
レチクル平面19又は33における輝度分布はわずかな
限界(デルタI=±0.5%から2.0%)で損失なく
連続し、外部から制御自在に分布を変化させるべき場合
に適用される。これにより、ウェハの均一性も対応して
制御自在である。均一性の修正を、たとえば、ズーム・
アキシコン機能をも制御する制御装置600に結合する
ことができる。空隙の変化経路を広げると、均一性の向
上と比較してテレセントリック特性の悪化は受容しうる
程度のものである。
を経て環状開口へ変化する場合、修正手段としてのレン
ズ群301の摺動を平均値に対応する半径方向透過率推
移を有するグレイ値推移フィルタ(図2の21)と組み
合わせることは意義深い。さらに、投影露光装置全体を
考慮して、ウェハ500上の露光分布を範例として評価
することができる。本発明による摺動は、照明開口に対
応して可変分を平均値だけ補正するにすぎない。
含む投影露光装置を概略的に示す図。
ズのレンズ断面を示す図。
アキシコンペア、123…REMA対物レンズ、301
…摺動自在のレンズ群、500…ウェハ。
Claims (14)
- 【請求項1】 二次光源(1)をレチクル(33)上に
結像するマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明光学
系において、結像のゆがみは少なくとも光学要素(1
5,16;17,18)の間の可変光路により調整自在
であることを特徴とする照明光学系。 - 【請求項2】 ゆがみの変化の結果、照明の均一性が変
化すること、特に、均一性が縁部に向かって上昇するこ
とを特徴とする請求項1記載の照明光学系。 - 【請求項3】 光学要素、特にレンズを含むREMA対
物レンズにおいて、2つの光学要素(15,16;1
7,18)の間の光路は特に摺動によって調整自在であ
ることを特徴とするREMA対物レンズ。 - 【請求項4】 光学要素(71,72)の調整、変更又
は交換により、モード及び/又は大きさに従って照明の
開口を変化させることができることを特徴とする請求項
1又は2記載の照明光学系。 - 【請求項5】 ゆがみは開口に従って2つの要素(1
5,16;17,18)の間の光路を調整することによ
り調整自在であることを特徴とする請求項4記載の照明
光学系。 - 【請求項6】 照明光学系はREMA対物レンズ(12
3)を含み、このREMA対物レンズの中に、光学要素
(15,16;17,18)の間のゆがみを確定する可
変光路が設けられていることを特徴とする請求項1,2
及び4,5の少なくとも1項に記載の照明光学系。 - 【請求項7】 REMA対物レンズ(123)の中で、
2つの光学要素(2,3;4,5)の間の第2の光路が
可変であることを特徴とする請求項6記載の照明光学
系。 - 【請求項8】 REMA対物レンズ(123)の物体距
離(1−2)は可変であることを特徴とする請求項6記
載の照明光学系。 - 【請求項9】 スリット形の照明横断面を有するウェハ
スキャナの照明光学系として構成されていることを特徴
とする請求項1,2及び4から8の少なくとも1項に記
載の照明光学系。 - 【請求項10】 グレイ値推移フィルタ(21)がさら
に設けられていることを特徴とする請求項1,2及び4
から9の少なくとも1項に記載の照明光学系。 - 【請求項11】 可変開口を有し且つマイクロリソグラ
フィ投影露光装置のREMA対物レンズ(123)を有
する照明光学系を動作させる方法において、REMA対
物レンズ(123)の2つの光学要素(15,16;1
7,18)の間の少なくとも1つの光路を照明光学系の
開口に従って変化させることを特徴とする方法。 - 【請求項12】 光路を変化させることにより、ウェハ
(500)における照明の均一性が向上することを特徴
とする請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 光学要素(15,16)を摺動するこ
とにより光路を変化させることを特徴とする請求項11
又は12記載の方法。 - 【請求項14】 REMA対物レンズ(123)の少な
くとも第2の光路又はREMA対物レンズ(123)の
物体距離を調整することを特徴とする請求項11から1
3の少なくとも1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19809395.0 | 1998-03-05 | ||
DE19809395A DE19809395A1 (de) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | Beleuchtungssystem und REMA-Objektiv mit Linsenverschiebung und Betriebsverfahren dafür |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11329963A true JPH11329963A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=7859786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11058033A Pending JPH11329963A (ja) | 1998-03-05 | 1999-03-05 | レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6295122B1 (ja) |
EP (1) | EP0940722A3 (ja) |
JP (1) | JPH11329963A (ja) |
KR (1) | KR100632812B1 (ja) |
DE (1) | DE19809395A1 (ja) |
TW (1) | TW409198B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
JP2002055277A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nikon Corp | リレー結像光学系、および該光学系を備えた照明光学装置並びに露光装置 |
US6717651B2 (en) | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
JP2011517843A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 照明光学系及び投影露光装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6833904B1 (en) | 1998-02-27 | 2004-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
DE10010131A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
DE10029852A1 (de) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Sick Ag | Objekterkennung |
TW498408B (en) * | 2000-07-05 | 2002-08-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2002231619A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP3826047B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP4332331B2 (ja) * | 2002-08-05 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
DE10329793A1 (de) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7714983B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
JP4455129B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JP4599936B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
CN107144947B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-11-26 | 吉林工程技术师范学院 | 非球面变焦系统及照明光学系统 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6461716A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Canon Kk | Illuminator |
JPH06232030A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH0737798A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JPH086175A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Carl Zeiss:Fa | 照明システム |
JPH08316123A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09190975A (ja) * | 1996-12-20 | 1997-07-22 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
JPH09197270A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | Carl Zeiss:Fa | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のrema対物レンズ |
JPH09325275A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4851882A (en) * | 1985-12-06 | 1989-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
JP2705609B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 露光装置および露光方法 |
US5739899A (en) * | 1995-05-19 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus correcting tilt of telecentricity |
DE69612489T2 (de) * | 1996-02-23 | 2001-08-23 | Asm Lithography B.V., Veldhoven | Beleuchtungseinheit für eine optische vorrichtung |
-
1998
- 1998-03-05 DE DE19809395A patent/DE19809395A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-02-05 EP EP99102271A patent/EP0940722A3/de not_active Ceased
- 1999-02-25 KR KR1019990006260A patent/KR100632812B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-04 TW TW088103276A patent/TW409198B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-05 US US09/264,137 patent/US6295122B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-05 JP JP11058033A patent/JPH11329963A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6461716A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Canon Kk | Illuminator |
JPH06232030A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH0737798A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JPH086175A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Carl Zeiss:Fa | 照明システム |
JPH08316123A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09197270A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | Carl Zeiss:Fa | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のrema対物レンズ |
JPH09325275A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH09190975A (ja) * | 1996-12-20 | 1997-07-22 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いた素子製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
US6717651B2 (en) | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
JP2002055277A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nikon Corp | リレー結像光学系、および該光学系を備えた照明光学装置並びに露光装置 |
US6856377B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-02-15 | Nikon Corporation | Relay image optical system, and illuminating optical device and exposure system provided with the optical system |
JP2011517843A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 照明光学系及び投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100632812B1 (ko) | 2006-10-11 |
EP0940722A2 (de) | 1999-09-08 |
EP0940722A3 (de) | 2001-06-20 |
DE19809395A1 (de) | 1999-09-09 |
KR19990077474A (ko) | 1999-10-25 |
TW409198B (en) | 2000-10-21 |
US6295122B1 (en) | 2001-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11329963A (ja) | レンズの摺動を伴う照明光学系及びrema対物レンズと、その動作方法 | |
JP4714403B2 (ja) | デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置 | |
JP5026788B2 (ja) | マイクロリソグラフィの照明システム | |
US5675401A (en) | Illuminating arrangement including a zoom objective incorporating two axicons | |
JP2008544531A (ja) | 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系 | |
JP3634782B2 (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
JPH04369209A (ja) | 露光用照明装置 | |
JPH04225214A (ja) | 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法 | |
JPH05217855A (ja) | 露光用照明装置 | |
US6900946B2 (en) | Zoom system, in particular, a zoom system for an illumination device of a microlithographic projection system | |
US6864960B2 (en) | Zoom system for an illumination device | |
US5461456A (en) | Spatial uniformity varier for microlithographic illuminator | |
US7242457B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method using the same | |
JP5541604B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP3208863B2 (ja) | 照明方法及び装置、露光方法、並びに半導体素子の製造方法 | |
JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20040218164A1 (en) | Exposure apparatus | |
JP2000269114A (ja) | 照明装置、露光装置及び露光方法 | |
JP2018010105A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 | |
JPH1050599A (ja) | 露光装置の制御方法 | |
JP2004046189A (ja) | リソグラフィシステムの照明システムで使用されるリレーレンズ | |
JPH11224853A (ja) | 照明光学装置、露光装置、露光方法、及び半導体デバイス製造方法 | |
TWI709825B (zh) | 照明光學系統、曝光裝置及物品製造方法 | |
JPH0963943A (ja) | 照明光学装置および該装置を備えた露光装置 | |
TW202431032A (zh) | 用於微影投影曝光設備的色彩校正成像照明光學單元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |