JP2011527024A - マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 - Google Patents

マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2011527024A
JP2011527024A JP2011516307A JP2011516307A JP2011527024A JP 2011527024 A JP2011527024 A JP 2011527024A JP 2011516307 A JP2011516307 A JP 2011516307A JP 2011516307 A JP2011516307 A JP 2011516307A JP 2011527024 A JP2011527024 A JP 2011527024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
telecentricity
correction
image plane
illuminator
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011516307A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011527024A5 (ja
JP5763534B2 (ja
Inventor
ディー コーネル,ジム
ディー マラク,ジョーゼフ
エフ ミカロスキ,ポール
イー ウェッブ,ジェームズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of JP2011527024A publication Critical patent/JP2011527024A/ja
Publication of JP2011527024A5 publication Critical patent/JP2011527024A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5763534B2 publication Critical patent/JP5763534B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/22Telecentric objectives or lens systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0037Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
    • G02B27/0043Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • G02B27/4222Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant in projection exposure systems, e.g. photolithographic systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

テレセントリシティ補正素子がマイクロリソラフィック投影システムに組み込まれて、このマイクロリソラフィック投影システムの出力におけるテレセントリシティ目標を達成する。上記テレセントリシティ補正素子は、上記投影システムの照明器と投影レンズとの間、好ましくはレチクルを照明する光の角度的分布をコントロールするために上記レチクルの直前に配置されている。

Description

本発明は投影システムの照明器に関し、特に、フラットパネル・ディスプレー、印刷配線基板およびマイクロメカニカル・デバイスを含む半導体デバイスおよびその他の集積回路の製造を目的とする感光性サブストレート上にレチクル、マスク、またはその他の画像をリレーするためのマイクロリソラフィック投影システムに関するものである。
マイクロリソグラフィック投影システムの投影レンズは、投影された像が合焦誤差に影響され難いように、例えば焦点深度に亘って同一倍率を保つように、少なくとも像空間においては一般にテレセントリックである。特に部分干渉性照明が提供される場合、テレセントリシティに関して考慮すべき設計事項は投影レンズの照明器の特性にまで広がる。投影システムの効果的なテレセントリシティは、次に投影レンズの像空間における照明器の角度的放射輝度分布によって決定される。テレセントリック像空間では、像点における角度的放射輝度分布内のエネルギーの重心は像面に対して垂直に延びる。投影レンズの物平面に配置された照明器の像平面は、照明器によって形成された一様な放射照度平面に対応する。一様な放射照度の視野は一般に、調整板または万華鏡の出射面のエッジ等の視野絞りを照明器の像平面上に映すことによって照明器内に限定される。
投影レンズが、片側テレセントリック(像空間においてテレセントリック)であろうと両側テレセントリック(像空間および物体空間の双方においてテレセントリック)であろうと、レチクルまたはマスクパターン上の視野点を照明する主光線は、サブストレートの表面に垂直なサブストレート上の共役視野点に届く。マスクまたはレチクルの物平面内の光軸方向の平行移動による等の倍率調整をサポートするために、レチクルまたはマスクを物体空間におけるテレセントリシティから逸脱させることができる。照明器の像平面における照明パターンは、投影レンズの物平面におけるテレセントリシティからの所望の逸脱にマッチするように整えて、投影レンズの像平面内のテレセントリシティを維持することができる。
像空間のみでなく、物体空間においてもテレセントリックであることを名目的に意図した或る投影レンズに関して、投影レンズの像空間において所望のテレセントリシティを得るためには、照明器の出力におけるテレセントリシティからの複雑なまたは高次の逸脱が必要になる。照明器の像空間におけるテレセントリシティからの必要な逸脱は、照明器の構造に少なからぬ複雑さを付加する可能性があり、かつ投影レンズの像平面にも必要とされる放射照度の均一性をも乱す可能性がある。
本発明によれば、投影レンズの像空間内において所望の程度のテレセントリシティを達成するために、照明器内にテレセントリシティ補正素子を用いることを可能にして、投影レンズの物体空間における複雑かつ高次のテレセントリシティ逸脱に必要に応じてマッチさせる。投影レンズの構造の結果として、または構造の実施における制約または誤差の故に、複雑かつ高次のテレセントリシティ逸脱に対する欲求が生じ得る。投影レンズの構造から知られている物体空間のテレセントリシティ逸脱は、投影レンズシステムの一部としてのテレセントリシティ補正素子に組み込むことができる。実際に、テレセントリシティ補正素子の付加的な構造の自由度が投影システムの全体構造に組み込まれて、投影レンズの像空間におけるテレセントリシティに対する要求を、同じ像空間における放射照度の均一性に対する要求とバランスさせることができる。
投影システムが一旦構築されると、テレセントリシティ補正素子が補足され、さらには修正され、あるいは新たなテレセントリシティ補正素子と交換されて、投影システムの使用中に生じる系統的誤差が補償されることができる。例えば、投影レンズの像空間における放射照度の測定がなされて、上記像空間に亘るおよび焦点深度を通した位置的または強度的変動を注目する。あるいは、感光性サブストレートにおける放射照度の結果が、テレセントリシティおよび放射照度の均一性の度合いの推測に利用され得る。
投影レンズの物体空間に隣接する、照明器の像空間に配置されるのが好ましいテレセントリシティ補正素子は、照明器の光軸に対するラジアル距離または方位角の関数としての種々の角度を通じて光を局部的に屈折させるための一つまたは複数の補正用光学表面を備えた板形状に形成することができる。一般的に、テレセントリシティ補正は、一体化されて連続した非球面表面を形成することができる補正用表面の勾配に対する局部的な調整によって行なうことができる。局部的な勾配変化の融合に必要な非球面表面に亘る勾配の変化率も、投影レンズの像平面における非均一性の補正として有用な非球面表面に亘る出力変化に影響を及ぼすためにコントロールされることができる。上記補正用表面の局部的勾配調整は、照明器の像平面における局部的な変化を生じさせる、ビームのセグメントを局部的に収束また放散させる小さなレンズを補正用表面に付加したことと類似している。
上記補正用表面に対する一次導関数(勾配)および二次導関数(度)に関する変化は、必要なテレセントリシティ補正(局部的勾配における対応する局部的変化として)および放射照度の均一性補正(度における対応する局部的変化として)から直接的に計算されることが可能である。この計算はまた、補正素子の表面と像平面との間の離間距離に左右される。上記補正素子の表面における局部的変化と組み合わせた上記離間距離は、向け直されたビームのセグメントが像平面に入射する位置を移動させる。上記補正素子の表面の勾配における変化率の局部的変化と組み合わせた上記離間距離は、像平面における放射照度の変化の大きさに影響を与える。一般的に、局部的に収束するビームは、像平面からの離間距離の関数として、像平面における局部的放射照度を増大させ、かつ発散するビームは、像平面からの離間距離の関数として、像平面における局部的放射照度を低下させる。何れの方法においても、放射照度における局部的変化に影響を与えるためには若干の離間距離を必要とするが、テレセントリシティにおける局部的変化に効果を与えるためには離間距離を必要としない。上記像平面における局部的テレセントリシティまたは局部的放射照度分布によって変えることができる解像度は、像平面からの離間距離の増大に伴って低下する。何故ならば、補正板の何れかの1点における光は、像平面の広い領域に影響を与えるからである。
投影レンズの像平面における目標仕様を満足させるために照明器の像平面においてなされるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する補正は、照明器の像平面に近接して(すなわち像平面にまたは極めて近くに)配置された第1の補正用表面と、照明器の像空間内ではあるが照明器の像平面から離間した第2の補正用表面とを含む2個またはそれ以上の補正用表面を提供することによってさらに分離させることができる。第1の補正用光学素子は、上記像平面に可能な限り近接して配置されて、放射照度分布に悪影響を与えることなしにテレセントリシティ補正に効力を与えるのが好ましい。第2の補正用光学素子は、上記像平面から離されて、テレセントリシティに変化を与えることに加えて、放射照度分布の補正に効力を与えるが、照明器の像空間内に留まって、像視野に全体に亘る十分な解像度をもって放射照度分布の補正に効力を与えることが好ましい。したがって、上記第2の補正用光学素子は、投影レンズの像平面における放射照度の均一性を補正するために最適化され、かつ上記第1の補正用光学素子は、上記2の補正用光学素子によって生成された望ましくないテレセントリシティ変化をも補償しながら、投影レンズの像平面におけるテレセントリシティを補正するために最適化される。
上記複数の補正用光学素子は、照明器の像平面の近傍または少なくとも照明器の像空間内に配置されているものとして説明されているが、本明細書は、視野絞りを含むリレーレンズの物平面等の、照明器内部の共役関係にある位置をもカバーすることも意図している。共役関係にある平面は照明器内部にうまく配置されるので、上記複数の補正用光学素子は、何れの順序でも、共役関係にある平面の同一側または反対側でも配置されることができる。これとは対照的に、一致する照明器の像平面と投影レンズの物平面との近傍においては、補正用光学素子が投影レンズの結像機能に波面収差を導入しないように、補正用光学素子が照明器空間内に留まっていることが好ましい。
本発明によるテレセントリシティ補正素子を組み込んだマイクロリソグラフィック投影システムの線図である。 投影レンズの像空間におけるテレセントリシティ誤差を示す、テレセントリシティ補正素子が欠如している投影システムの一部分の線図である。 テレセントリシティ補正素子を組み込んで投影レンズの像空間における所望のテレセントリシティ補正を示す、投影システムの一部分の同様の線図である。 誇張された勾配変化を備えた補正用表面を示すテレセントリシティ補正素子の概略的側面図である。 レチクル近傍の照明器の像空間内の一対の補正板の概略的側面図である。 レチクルにおける照明器の像平面と共役関係にある平面に近接した一対の補正板を示す投影システムの照明器部分の線図である。
本発明から恩恵を受けることができる投影システムの一例としてのマイクロリソラフィック投影システム10は、光源12、照明器14、およびレチクル18画像をサブストレート20上に投影するための投影レンズ16を備えている。照明器14および投影レンズ16の共通光軸24に対して法線方向の直角二方向に平行移動可能なX−Y軸水平移動台22は、サブストレート20の連続的な領域を露光するために、サブストレート20を投影レンズ16に対して移動させる。Z軸垂直移動台26は、投影レンズ16をサブストレート20に対して光軸24に沿って移動させて、レチクル18の画像をサブストレート20上に適切に合焦させる。
光源12は、感光性サブストレート20を現像するのに適したビーム形式の光28を放射するために種々の形式を採ることができる。例えば、上記光源12は、或るスペクトル線に的を絞る高圧水銀アーク灯等のランプ光源または、特に深い紫外線スペクトル内で動作するエキシマレーザー等のレーザー光源とすることができる。
照明器14は、光ビーム28の整形および空間分布、ならびに投影レンズの開口絞りおよび像面に関して設定される角度および空間的照射輪郭の目標設定を提供し、後者の像面はサブストレート20に一致する。図1には詳細に示されていないが、マイクロリソグラフィック作業のための一般的な照明器は、ビーム28を集光し整形するためのプロファイラ、光を一様な放射照度視野に集めるためのユニフォーマイザ(例えば万華鏡または蠅の複眼と同様の構造)、および上記ユニフォーマイザの出射像を、照明器14の像平面と投影レンズの物平面とがそこで一致するレチクル18にリレーするリレーレンズを備えている。
部分干渉性像を結ぶために照明器14の出射開口数よりも大きい入射開口数を有するのが好ましい投影レンズ16は、レチクル18の画像をサブストレート20上に投影する。すなわち、一般に照明器14内の開口絞り(不図示)と共役関係にある投影レンズ16の開口絞り(不図示)は、照明器の像によってアンダーフィルされるのが好ましいが、レチクル18の照明された画像から角度的に発散する光を集めるサイズとされて、レチクル18の高解像度像をサブストレート20上に生成させる。投影されたレチクル18の画像は、必要に応じて拡大または縮小されることができる。投影レンズ16は、屈折素子のみでなく、反射素子または回折素子または反射素子または反射屈折光学系等のこれらの素子の組合せを備えることができる。
「マスク」とも呼ばれるレチクル18は、サブストレート20上に投影することを目的としかつ投影レンズ16の入射瞳のサイズ以内のまたはそれを超えるサイズにすることができる一つまたは複数のパターンを備えている。より大きいパターンを備えたレチクルは、投影レンズに対して相対的に平行移動して、レチクルのパターンの種々の部分を順次露光させることができる。
上記感光性サブストレート20は一般に、露光に反応するためにフォトレジストで処理された半導体ウェーファまたはガラスパネル等の平坦な板の形態を採る。サブストレート20全体が一度に結像されることが不可能なことが多く、そのため基台30上のX−Y軸水平移動台22が、サブストレート20の所望の動作領域を集中的に照射するための位置の範囲に亘ってサブストレート20を平行移動させる。投影レンズ16は、サブストレート20からのこの投影レンズ16の光軸に沿った距離を調節するために、基台30の上方のZ軸垂直移動台26上に支持されている。コントローラ32は、投影システム10の露光のみでなく、投影レンズ16、レチクル18およびサブストレート20間の相対的な動きをコントロールする。
テレセントリシティ補正素子40は、投影レンズ16に隣接する物体空間44内の照明器の角度的放射照度を再配分するために、可能な限りレチクル18に接近して照明器14の像空間42内に配置されて、この投影システム10が、少なくとも投影レンズ16の像空間46内においてテレセントリックであることを保証している。
図2Aに示されているように、テレセントリシティ補正素子40が欠如していると、隣接する照明器14の像空間42および投影レンズ16の物体空間44内の名目上のテレセントリック放射照度(レチクル18のパターンを備えた表面48上の個々の物点54、照明器14の像平面および投影レンズ16の物平面を照射する垂直方向を向いた光円錐52として示されている)は、投影レンズ16の像空間46においてテレセントリシティから非直線的に逸脱した結果となる(サブストレート20の感光性表面50上の対応する像点58、投影レンズ16の物平面を形成する種々の傾いた光円錐56として示されている)。レチクル18のパターンを備えた表面48はレチクルの頂面上に示されているが、このパターンを備えた表面48は、パターンを備えた表面48の保護およびこの表面を通して投影レンズ16が動作することを必要とするガラスの量の低減のために、しばしば行なわれるように、レチクル18の底面上に配置することもできる。レチクルの頂面に配置されていようと、底面に配置されていようと、パターンを備えた表面48は、照明器14の像平面または投影レンズ16の物平面に配置されているのが好ましい。
図2Bに示されているように、このテレセントリシティ補正素子40は、レチクル18に先立つ照明器14の角度的放射照度の局部的再配分によって投影レンズ16またはレチクル18内の明らかな誤差または構造上の制限を補償することにより(レチクル18の表面48上の個々の物点64を照明する種々の傾いた光円錐62として示されている)、レチクル18上の各画像がサブストレート20においてテレセントリックに結像される(サブストレート20の表面50上の対応する像点68を形成する垂直な光円錐66として示されている)。このテレセントリシティ補正素子40は、さもなければ投影レンズ16の像空間46におけるテレセントリシティからの高次の逸脱を招くまたは寄与する照明器14内の誤差または構造の限界を同様に補償することができる。
図3に示されているように、このテレセントリシティ補正素子40は、平面形状から逸脱した補正用表面74を備えたほぼ平板状の本体72を有する。照明器14の角度的放射照度分布に対する調整は、照明視界を横切る光線を異なる量および方向に曲げるための局部的な勾配変化(角度φで示されている)を備えるように補正用表面74を整形することによって行なうことができる。補正用表面74上の局部的な勾配φは、非球面のサグの一次導関数と見做すことができる。補正用表面74に対する高次の変更によって可能にされるさらなる自由度は、補正用表面74に亘る局部的な勾配変化を最適化するための標準レンズ規定コードに組み込まれる。例えば、このような設計の自由度は、カリフォルニア州パサデナ所在の光学研究者団体本部から入手可能なコードV光学設計ソフトウェアで最適化されることができる。
非球面のサグの二次導関数と見做すことができる、補正用表面74に亘る点から点への勾配変化率(Δφ)は、投影レンズ16の像平面50に亘る放射照度の均一性に悪影響を与える局部的な光出力の変化を生じる。光の局部的な収束および発散に関する光出力の変化は、補正用表面74と、照明器14の像平面および投影レンズ16の物平面と一致するレチクル18のパターンが付された表面48との間の離間距離を通じて作用する。パターンが付された表面における局部的な放射照度分布は、補正用表面74の上記パターンが付された表面48からの離間距離に比例する。しかしながら、パターンが付された表面48において行なうことができる角度的および空間的補正に伴う解像度は、離間距離に反比例する。
テレセントリシティ補正素子40の構造は、投影レンズ16の像平面50におけるテレセントリシティおよび均一性に対する要求をバランスさせるために最適化されることが好ましい。実際に、他の素子も最適化されている元の投影レンズシステム構成に、テレセントリシティ補正素子40が組み入れられる場合、像平面50におけるテレセントリシティおよび均一性の双方の改善を行なうことができる。
互換的または追加的構造の制約は、テレセントリシティ補正素子40の組込みまたは後付けによって目標とされることができる。例えば、投影レンズ16は、その後の倍率または歪みの調整をサポートするために、両側テレセントリックに(すなわち、物体空間44および像空間46の双方において)、または上述されている態様で物体空間44におけるテレセントリシティから逸脱した構成とすることができるかも知れない。ここに引用されて本明細書に組み入れられる、2007年4月26日付けでPCT/US2007/010044号として提出され、かつWO2007/130299号パンフレットで国際公開され、2007年12月12付けで出願第11/922,18号として米国国内段階に入った同一出願人の国際出願は、歪みおよび倍率を調整するために、物平面テレセントリシティにおける非直線変化を利用している。特定の目的に役立てるための投影レンズ16の像平面50内の所望の逸脱は、構成の最適化の目標として同様に達成することができる。
投影システム10の元の構成を改善することに加えて、またはその代わりに、テレセントリシティ補正素子40は、投影システム10が構築された後に生じるシステム誤差または代わりとなる特性目標を補正するために用いることができる。例えば、テレセントリシティ誤差または均一性誤差は、それらの出所に関係なく、経験的に測定され、かつテレセントリシティ補正素子40の設計または再設計の基礎として用いることができる。所望の放射照度分布からの空間的または角度的逸脱は、投影レンズ16の像平面50において直接的に測定され、またはサブストレート20上の既知のパターンの露光に伴う誤差から推定される。テレセントリシティ補正素子40による補正を必要とする測定された誤差は、反対の意味を表わす記号の目標として従来の設計ソフトウェアに組み入れることができる。
上記テレセントリシティ補正素子40は、高次の勾配変化を必要とする片側補正表面を有する名目上平らな屈折性光学素子として示されているが、テレセントリシティ補正素子40が、異なる形状を有する屈折性光学素子または反射性または回折性光学素子等の非屈折性光学素子に組み込まれることも可能である。光を局部的に方向変更させるための表面形状変更の代わりに、またはそれに加えて、勾配屈折率変化を利用することも可能である。入射面および出射面の双方を所望の補正に寄与させるために用いることができる。一つの補正素子は元の構成中に組み込むために、他の補正素子は後に測定された誤差を補償するためにという態様で、複数の補正素子を用いることもできる。テレセントリシティ補正素子が付加的光学素子として構成中に組み込まれるのが好ましいが、テレセントリシティ補正は、さもなければ平面光学素子または球面光学素子の表面を修正すること等によって、現存する構成中に組み込むことも可能である。
上記テレセントリシティ補正素子40は、レチクル18の調整または交換のための必要条件あるいはレチクルを環境被害から防護するのに必要な空間距離等の機械的制約と調和させながら、可能な限りレチクルに接近して配置されるのが好ましいが、これに代わり上記テレセントリシティ補正素子40が、均一化素子の出力側近傍の平面等の、レチクル18に対して共役関係にある照射器面内に配置されることも可能である。投影レンズ16の像平面におけるテレセントリシティおよび均一性に関する目標、ならびに投影レンズ16の物平面における等の他の場所におけるテレセントリシティまたは均一性に関する他の目標に良く適合させるために、二つまたはそれ以上の共役平面のそれぞれに別個のテレセントリシティ補正素子が配置されることも可能である。
図4は、屈折性本体84および94にそれぞれ形成された非球面の補正用表面82および92を有する2枚の板状補正素子80および90の組合せを示す。補正素子90の補正用表面92は、レチクル18のパターンが付された表面48におけるパターン化された表面48の放射照度分布には最少の効果を有しながら、パターン化された表面48(すなわち、照明器14の像平面および投影レンズ16の物平面)におけるテレセントリシティに影響を与えるために、レチクル18のパターンが付された表面48に可能な限り接近して配置されている。補正素子80の補正用表面82は、上記パターンが付された表面48における放射照度の均一性およびテレセントリシティの双方に影響を与えるために、上記パターンが付された表面48から離間距離Dを隔てて配置されている。補正素子80の補正用表面82の局部的湾曲は、補正用表面82の如何なる望ましくないテレセントリシティ効果をも補償しながら、パターンが付された表面48において所望の放射照度分布が得られるように最適化されることが可能である。同時に、補正用表面82および92は、レチクル18のパターンが付された表面48がそこに配置されている、照明器14の像平面において所望のテレセントリシティおよび所望の放射照度分布の双方を得るために最適化されることが可能である。
実際問題として、補正用表面92と照明器14の像平面との間には、レチクル18を物理的に収容するために、若干の間隔が一般に必要とされる。したがって、補正用表面92は、上記像平面における光の分布にも影響を与え、かつさらに他の補正用表面82と協力して、二つの表面82および92の最適化は、投影レンズ16の像平面におけるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標値間に若干の妥協が必要であろう。しかしながら、図5に示された分解図に示されているように、照明器14の像平面122に対して共役関係を有する均一平面116にその補正用表面114を備えて、放射照度とは独立的にテレセントリシティを補正する代替的な補正用光学素子112を配置することができる。
照明器14は、図5にさらに詳細に示されているように、光源12からの光を整形するためのビームプロファイラ104と、視野絞り118を含む均一平面116に光を統合するためのユニフォーマイザ106とを備えている。リレーレンズ120は、投影レンズ16の物平面124と一致する、照明器14の像平面122上に視野絞り118を結像する。パターンが付されたレチクル18の表面48は、一致する照明器14の像平面122および投影レンズ16の物表面124に配置されている。補正用光学素子112の補正用表面114は、共役関係を有する均一平面116と、一致する像平面122および物平面124との双方においてテレセントリシティに同様に影響を与えるために、共役関係を有する均一平面116に配置されている。第2の補正用光学素子108は、共役関係を有する均一平面116と、一致する像平面122および物平面124との双方において放射照度の均一性に影響を与えるために、共役平面116から離れて配置された補正用表面110を備えている。上記第2の補正用光学素子108は、視野絞り118の結像を妨害しないために、ユニフォーマイザ106と共役均一平面116との間に配置されているのが好ましいが、この第2の補正用光学素子108は、照明器14内またはリレーレンズ120と像平面122との間の照明器の像空間における結像に関する低い必要性から、共役均一平面116とリレーレンズ120との間に配置されていてもよい。
図4の補正用光学素子80および90の補正用表面82および92、ならびに補正用光学素子108および112の補正用表面110および114は異なる屈折性本体(例えば84および94)上に形成されているものとして示されているが、補正用表面82,92および110,114は、1枚の屈折性本体の両側に形成されることも可能である。
補正用表面92または114は、照明器14の像平面122または照明器14内の共役平面116に可能な限り近接して配置されていることが好ましいが、補正用表面82または110は一枚の屈折性本体の厚さを介して離間されている。
異常、本発明が常套的なマイクロリソグラフィック投影システム10に関して説明されてきたが、本発明は、レチクルパターンがプログラマブル・スペーシャル光変調器によって形成される投影システム等を含む広範囲のマイクロリソグラフィック投影システムに適用可能である。当業者には、本発明に関して述べられた教示内容に基づく他の変更および適用が明らかであろう。
10 マイクロリソグラフィック投影システム
12 光源
14 照明器
16 投影レンズ
18 レチクル
20 サブストレート
22 XY軸水平移動台
24 光軸
26 Z軸垂直移動台
28 光ビーム
30 基台
32 コントローラ
40,80,90 テレセントリシティ補正素子
42,46 像空間
44 物体空間
48 レチクルの表面
50 サブストレートの感光性表面、投影レンズの像平面
52,66 垂直な光円錐
54,58,64,68 物点
56,62 傾いた光円錐
72 補正素子の本体
74,82,92,110,114 補正用表面
104 ビームプロファイラ
106 ユニフォーマイザ

Claims (10)

  1. リソグラフィック投影システムであって、
    光源、
    該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
    前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、ならびに
    前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なって前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記照明器の前記像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子、
    を備えてなることを特徴とするリソグラフィック投影システム。
  2. 前記テレセントリシティ補正素子が、前記レチクルのほぼ近傍にまたは該レチクルと共役関係にある位置のほぼ近傍に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の投影システム。
  3. 前記テレセントリシティ補正素子が、前記光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を有する補正用表面を備え、前記局部的勾配変化率が、前記サブストレートに亘る放射照度の均一性をコントロールするために調整されることを特徴とする請求項1記載の投影システム。
  4. 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムに関するテレセントリシティおよび放射照度の均一性の目標を達成する方法であって、
    前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標を規定するステップ、ならびに
    該テレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記照明器、前記投影レンズ、および前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子の構造を最適化するステップ、
    を含み、
    前記テレセントリシティ補正素子の最適化が、前記テレセントリシティに関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化をコントロールし、かつ前記放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする前記方法。
  5. 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムにおける実験的に測定された誤差を補正す補償する方法であって、
    前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティ誤差を確認するステップ、
    前記照明器の像平面における改訂されたテレセントリシティ目標を設定して、前記確認されたテレセントリシティ誤差を補償するステップ、および
    前記改訂されたテレセントリシティ目標を満足させるために、前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
    を含むことを特徴とする前記方法。
  6. 前記投影レンズの像平面における放射照度の均一性誤差を確認するステップ、
    前記照明器の像平面における改訂された放射照度の均一性目標を設定して、前記確認された放射照度の均一性誤差を補正するステップ、および
    前記改訂された放射照度の均一性目標を満足させるために、前記テレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
    を含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
  7. 前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、かつ前記変化を組み込むステップが、(a)前記改訂されたテレセントリシティ目標の近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化をコントロールし、かつ(b)前記改訂された放射照度の均一性目標に近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
  8. 前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、かつ前記変化を組み込むステップが、前記改訂されたテレセントリシティ目標の近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化をコントロールし、かつ前記改訂された放射照度の均一性目標に近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
  9. リソグラフィック投影システムであって、
    光源、
    該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
    前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、
    前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なうための第1の補正用表面、
    前記レチクルにおける放射照度の均一性に関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的空間的再配分を行なうための第2の補正用表面、
    を備え、
    前記第1の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置され、
    前記第2の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面から離れて配置され、
    てなることを特徴とするリソラフィック投影システム。
  10. 前記第1の補正用表面は、光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を備え、前記第2の補正用表面は、光の局部的空間的再配分を行なうための局部的勾配変化率を備え、かつ前記第1の補正用光学素子は、前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記第2の補正用表面によってなされた光の局部的空間的再配分を補償することを特徴とする請求項9記載のシステム。
JP2011516307A 2008-06-30 2009-06-25 マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 Active JP5763534B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7688808P 2008-06-30 2008-06-30
US61/076,888 2008-06-30
PCT/US2009/003795 WO2010005491A1 (en) 2008-06-30 2009-06-25 Telecentricity corrector for microlithographic projection system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011527024A true JP2011527024A (ja) 2011-10-20
JP2011527024A5 JP2011527024A5 (ja) 2012-06-07
JP5763534B2 JP5763534B2 (ja) 2015-08-12

Family

ID=41168460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011516307A Active JP5763534B2 (ja) 2008-06-30 2009-06-25 マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8314922B2 (ja)
EP (1) EP2310914B1 (ja)
JP (1) JP5763534B2 (ja)
KR (1) KR101624758B1 (ja)
CN (1) CN102077143B (ja)
WO (1) WO2010005491A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014200920A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 キヤノン株式会社 ノズルチップの製造方法
JP2018519535A (ja) * 2015-05-21 2018-07-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法
WO2019082727A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
JP2019079029A (ja) * 2017-10-24 2019-05-23 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101624758B1 (ko) * 2008-06-30 2016-05-26 코닝 인코포레이티드 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기
TWI772897B (zh) * 2011-08-29 2022-08-01 美商安美基公司 用於非破壞性檢測-流體中未溶解粒子之方法及裝置
US9188767B2 (en) 2013-11-04 2015-11-17 Christie Digital Systems Usa, Inc. Relay lens system for a high dynamic range projector
US9232172B2 (en) 2013-11-04 2016-01-05 Christie Digital Systems Usa, Inc. Two-stage light modulation for high dynamic range
US10088660B2 (en) 2017-02-10 2018-10-02 Amgen Inc. Imaging system for counting and sizing particles in fluid-filled vessels
JP2018151832A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 キヤノン株式会社 情報処理装置、情報処理方法、および、プログラム
EP3486866A1 (en) * 2017-11-15 2019-05-22 Thomson Licensing A method for processing a light field video based on the use of a super-rays representation
CN113552774A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 照明光学系统、光刻机设备及曝光方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195778A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Nikon Corp 露光装置及びテレセントリシティ―ムラ補正部材の製造方法
JP2001237183A (ja) * 2000-01-20 2001-08-31 Asm Lithography Bv マイクロリソグラフィ投影装置
JP2002184676A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003203844A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62266513A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Canon Inc 投影露光光学系
US5461456A (en) 1992-11-24 1995-10-24 General Signal Corporation Spatial uniformity varier for microlithographic illuminator
US5995263A (en) * 1993-11-12 1999-11-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
KR960042227A (ko) * 1995-05-19 1996-12-21 오노 시게오 투영노광장치
US6522386B1 (en) 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
DE102004035595B4 (de) * 2004-04-09 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives
JP4599936B2 (ja) * 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
WO2006029796A2 (en) * 2004-09-13 2006-03-23 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus
US7508489B2 (en) * 2004-12-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US20090021830A1 (en) * 2005-09-14 2009-01-22 Carl Zeiss Smt Ag Projection lens of a microlithographic exposure system
EP2016455A2 (en) 2006-05-05 2009-01-21 Corning Incorporated Distortion tuning of a quasi-telecentric imaging lens
KR101624758B1 (ko) * 2008-06-30 2016-05-26 코닝 인코포레이티드 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195778A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Nikon Corp 露光装置及びテレセントリシティ―ムラ補正部材の製造方法
JP2001237183A (ja) * 2000-01-20 2001-08-31 Asm Lithography Bv マイクロリソグラフィ投影装置
JP2002184676A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003203844A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014200920A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 キヤノン株式会社 ノズルチップの製造方法
JP2018519535A (ja) * 2015-05-21 2018-07-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法
WO2019082727A1 (ja) * 2017-10-24 2019-05-02 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
JP2019079029A (ja) * 2017-10-24 2019-05-23 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
KR20200074162A (ko) * 2017-10-24 2020-06-24 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 물품의 제조방법
US11099488B2 (en) 2017-10-24 2021-08-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and article manufacturing method
KR102433491B1 (ko) 2017-10-24 2022-08-18 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 물품의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN102077143B (zh) 2014-01-22
US20090323040A1 (en) 2009-12-31
KR20110026496A (ko) 2011-03-15
CN102077143A (zh) 2011-05-25
KR101624758B1 (ko) 2016-05-26
US8314922B2 (en) 2012-11-20
EP2310914B1 (en) 2018-12-26
WO2010005491A1 (en) 2010-01-14
EP2310914A1 (en) 2011-04-20
JP5763534B2 (ja) 2015-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5763534B2 (ja) マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子
TW591694B (en) Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system
JP6407193B2 (ja) 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系
TWI479271B (zh) An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
US8922750B2 (en) Magnification control for lithographic imaging system
US20120188636A1 (en) Method for correcting a lithography projection objective, and such a projection objective
JP2013511843A5 (ja)
WO2018134010A1 (en) Lithographic apparatus and method
US7522260B1 (en) Method for correcting astigmatism in a microlithography projection exposure apparatus, a projection objective of such a projection exposure apparatus, and a fabrication method for micropatterned components
JP2003295021A (ja) 光学系の組み立て調整方法及び光学系の製造方法
JP5388019B2 (ja) 露光照明装置及び露光パターンの位置ずれ調整方法
JP2006210623A (ja) 照明光学系及びそれを有する露光装置
KR100945605B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP2010135479A (ja) 走査型投影露光装置
JP2003045794A (ja) 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置の製造方法、並びにマスク検査方法
JP2003045795A (ja) 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法
CN118056159A (zh) 使用可变形透镜板的放大率可调整投影系统
JP2015204312A (ja) 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法
JP2013142890A (ja) 走査型投影露光装置
JP2005191278A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120416

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120416

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140219

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140924

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141224

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150519

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5763534

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250