JP2011527024A - マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 - Google Patents
マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011527024A JP2011527024A JP2011516307A JP2011516307A JP2011527024A JP 2011527024 A JP2011527024 A JP 2011527024A JP 2011516307 A JP2011516307 A JP 2011516307A JP 2011516307 A JP2011516307 A JP 2011516307A JP 2011527024 A JP2011527024 A JP 2011527024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- telecentricity
- correction
- image plane
- illuminator
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/22—Telecentric objectives or lens systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
- G02B27/0037—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
- G02B27/0043—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
- G02B27/4205—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
- G02B27/4222—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant in projection exposure systems, e.g. photolithographic systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
12 光源
14 照明器
16 投影レンズ
18 レチクル
20 サブストレート
22 XY軸水平移動台
24 光軸
26 Z軸垂直移動台
28 光ビーム
30 基台
32 コントローラ
40,80,90 テレセントリシティ補正素子
42,46 像空間
44 物体空間
48 レチクルの表面
50 サブストレートの感光性表面、投影レンズの像平面
52,66 垂直な光円錐
54,58,64,68 物点
56,62 傾いた光円錐
72 補正素子の本体
74,82,92,110,114 補正用表面
104 ビームプロファイラ
106 ユニフォーマイザ
Claims (10)
- リソグラフィック投影システムであって、
光源、
該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、ならびに
前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なって前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記照明器の前記像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子、
を備えてなることを特徴とするリソグラフィック投影システム。 - 前記テレセントリシティ補正素子が、前記レチクルのほぼ近傍にまたは該レチクルと共役関係にある位置のほぼ近傍に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の投影システム。
- 前記テレセントリシティ補正素子が、前記光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を有する補正用表面を備え、前記局部的勾配変化率が、前記サブストレートに亘る放射照度の均一性をコントロールするために調整されることを特徴とする請求項1記載の投影システム。
- 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムに関するテレセントリシティおよび放射照度の均一性の目標を達成する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標を規定するステップ、ならびに
該テレセントリシティおよび放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記照明器、前記投影レンズ、および前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子の構造を最適化するステップ、
を含み、
前記テレセントリシティ補正素子の最適化が、前記テレセントリシティに関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化をコントロールし、かつ前記放射照度の均一性に関する目標に近付けるために、前記テレセントリシティ補正素子における局部的変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする前記方法。 - 1個の照明器および1個の投影レンズを備えたマイクロリソグラフィック投影システムにおける実験的に測定された誤差を補正す補償する方法であって、
前記投影レンズの像平面におけるテレセントリシティ誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂されたテレセントリシティ目標を設定して、前記確認されたテレセントリシティ誤差を補償するステップ、および
前記改訂されたテレセントリシティ目標を満足させるために、前記照明器の像平面または該像平面と共役関係にある平面に近接して配置されたテレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
を含むことを特徴とする前記方法。 - 前記投影レンズの像平面における放射照度の均一性誤差を確認するステップ、
前記照明器の像平面における改訂された放射照度の均一性目標を設定して、前記確認された放射照度の均一性誤差を補正するステップ、および
前記改訂された放射照度の均一性目標を満足させるために、前記テレセントリシティ補正素子内に変化を組み込むステップ、
を含むことを特徴とする請求項5記載の方法。 - 前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、かつ前記変化を組み込むステップが、(a)前記改訂されたテレセントリシティ目標の近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化をコントロールし、かつ(b)前記改訂された放射照度の均一性目標に近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記テレセントリシティ補正素子が補正用表面を備え、かつ前記変化を組み込むステップが、前記改訂されたテレセントリシティ目標の近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化をコントロールし、かつ前記改訂された放射照度の均一性目標に近付けるために、前記補正用表面における局部的勾配変化の変化率をコントロールすることを含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- リソグラフィック投影システムであって、
光源、
該光源から光を受け取って自身の像平面においてレチクルを照明するための照明器、
前記レチクルの画像をサブストレート上に投影するための投影レンズ、
前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的角度的再配分を行なうための第1の補正用表面、
前記レチクルにおける放射照度の均一性に関する目標仕様に近付けるために、前記レチクルを照明する光の局部的空間的再配分を行なうための第2の補正用表面、
を備え、
前記第1の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面に近接して配置され、
前記第2の補正用表面は、前記照明器の像平面にまたは該像平面と共役関係にある平面から離れて配置され、
てなることを特徴とするリソラフィック投影システム。 - 前記第1の補正用表面は、光の局部的角度的再配分を行なうための局部的勾配変化を備え、前記第2の補正用表面は、光の局部的空間的再配分を行なうための局部的勾配変化率を備え、かつ前記第1の補正用光学素子は、前記サブストレートにおけるテレセントリシティに関する目標仕様に一致させるために、前記第2の補正用表面によってなされた光の局部的空間的再配分を補償することを特徴とする請求項9記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7688808P | 2008-06-30 | 2008-06-30 | |
US61/076,888 | 2008-06-30 | ||
PCT/US2009/003795 WO2010005491A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-06-25 | Telecentricity corrector for microlithographic projection system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011527024A true JP2011527024A (ja) | 2011-10-20 |
JP2011527024A5 JP2011527024A5 (ja) | 2012-06-07 |
JP5763534B2 JP5763534B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=41168460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011516307A Active JP5763534B2 (ja) | 2008-06-30 | 2009-06-25 | マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8314922B2 (ja) |
EP (1) | EP2310914B1 (ja) |
JP (1) | JP5763534B2 (ja) |
KR (1) | KR101624758B1 (ja) |
CN (1) | CN102077143B (ja) |
WO (1) | WO2010005491A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014200920A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | ノズルチップの製造方法 |
JP2018519535A (ja) * | 2015-05-21 | 2018-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法 |
WO2019082727A1 (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
JP2019079029A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101624758B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2016-05-26 | 코닝 인코포레이티드 | 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기 |
TWI772897B (zh) * | 2011-08-29 | 2022-08-01 | 美商安美基公司 | 用於非破壞性檢測-流體中未溶解粒子之方法及裝置 |
US9188767B2 (en) | 2013-11-04 | 2015-11-17 | Christie Digital Systems Usa, Inc. | Relay lens system for a high dynamic range projector |
US9232172B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-05 | Christie Digital Systems Usa, Inc. | Two-stage light modulation for high dynamic range |
US10088660B2 (en) | 2017-02-10 | 2018-10-02 | Amgen Inc. | Imaging system for counting and sizing particles in fluid-filled vessels |
JP2018151832A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、および、プログラム |
EP3486866A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-22 | Thomson Licensing | A method for processing a light field video based on the use of a super-rays representation |
CN113552774A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 照明光学系统、光刻机设备及曝光方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195778A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びテレセントリシティ―ムラ補正部材の製造方法 |
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
JP2002184676A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003203844A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266513A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Canon Inc | 投影露光光学系 |
US5461456A (en) | 1992-11-24 | 1995-10-24 | General Signal Corporation | Spatial uniformity varier for microlithographic illuminator |
US5995263A (en) * | 1993-11-12 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
KR960042227A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
US6522386B1 (en) | 1997-07-24 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element |
DE102004035595B4 (de) * | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
JP4599936B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
WO2006029796A2 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus |
US7508489B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-03-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
US20090021830A1 (en) * | 2005-09-14 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection lens of a microlithographic exposure system |
EP2016455A2 (en) | 2006-05-05 | 2009-01-21 | Corning Incorporated | Distortion tuning of a quasi-telecentric imaging lens |
KR101624758B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2016-05-26 | 코닝 인코포레이티드 | 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기 |
-
2009
- 2009-06-25 KR KR1020117002297A patent/KR101624758B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-25 JP JP2011516307A patent/JP5763534B2/ja active Active
- 2009-06-25 CN CN200980126128.XA patent/CN102077143B/zh active Active
- 2009-06-25 WO PCT/US2009/003795 patent/WO2010005491A1/en active Application Filing
- 2009-06-25 EP EP09788838.2A patent/EP2310914B1/en active Active
- 2009-06-30 US US12/494,882 patent/US8314922B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195778A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及びテレセントリシティ―ムラ補正部材の製造方法 |
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
JP2002184676A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003203844A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014200920A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | ノズルチップの製造方法 |
JP2018519535A (ja) * | 2015-05-21 | 2018-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法 |
WO2019082727A1 (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
JP2019079029A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
KR20200074162A (ko) * | 2017-10-24 | 2020-06-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 물품의 제조방법 |
US11099488B2 (en) | 2017-10-24 | 2021-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and article manufacturing method |
KR102433491B1 (ko) | 2017-10-24 | 2022-08-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 물품의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102077143B (zh) | 2014-01-22 |
US20090323040A1 (en) | 2009-12-31 |
KR20110026496A (ko) | 2011-03-15 |
CN102077143A (zh) | 2011-05-25 |
KR101624758B1 (ko) | 2016-05-26 |
US8314922B2 (en) | 2012-11-20 |
EP2310914B1 (en) | 2018-12-26 |
WO2010005491A1 (en) | 2010-01-14 |
EP2310914A1 (en) | 2011-04-20 |
JP5763534B2 (ja) | 2015-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5763534B2 (ja) | マイクロリソグラフィック投影システムのためのテレセントリシティ補正素子 | |
TW591694B (en) | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system | |
JP6407193B2 (ja) | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 | |
TWI479271B (zh) | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method | |
US8922750B2 (en) | Magnification control for lithographic imaging system | |
US20120188636A1 (en) | Method for correcting a lithography projection objective, and such a projection objective | |
JP2013511843A5 (ja) | ||
WO2018134010A1 (en) | Lithographic apparatus and method | |
US7522260B1 (en) | Method for correcting astigmatism in a microlithography projection exposure apparatus, a projection objective of such a projection exposure apparatus, and a fabrication method for micropatterned components | |
JP2003295021A (ja) | 光学系の組み立て調整方法及び光学系の製造方法 | |
JP5388019B2 (ja) | 露光照明装置及び露光パターンの位置ずれ調整方法 | |
JP2006210623A (ja) | 照明光学系及びそれを有する露光装置 | |
KR100945605B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2010135479A (ja) | 走査型投影露光装置 | |
JP2003045794A (ja) | 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置の製造方法、並びにマスク検査方法 | |
JP2003045795A (ja) | 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法 | |
CN118056159A (zh) | 使用可变形透镜板的放大率可调整投影系统 | |
JP2015204312A (ja) | 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 | |
JP2013142890A (ja) | 走査型投影露光装置 | |
JP2005191278A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120416 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120416 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140219 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5763534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |