JP2015204312A - 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心3収差の独立補正との両立を図った構成を提供する。
【解決手段】 露光装置に搭載される投影光学系は、第1及び第2光学素子と、第1及び第2光学素子をそれぞれ駆動する第1及び第2駆動機構を有する。第1駆動機構は、投影光学系の光軸上の第1点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第1光学素子を駆動する。第2駆動機構は、光軸上の第2点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第2光学素子を駆動する。前記第2点は、第2駆動機構によって、投影光学系の光軸方向に移動可能であり、制御部は、投影光学系の偏心3収差を補正するように、第1及び第2駆動機構を制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】 露光装置に搭載される投影光学系は、第1及び第2光学素子と、第1及び第2光学素子をそれぞれ駆動する第1及び第2駆動機構を有する。第1駆動機構は、投影光学系の光軸上の第1点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第1光学素子を駆動する。第2駆動機構は、光軸上の第2点を中心として光軸に垂直な面に対し傾斜するように第2光学素子を駆動する。前記第2点は、第2駆動機構によって、投影光学系の光軸方向に移動可能であり、制御部は、投影光学系の偏心3収差を補正するように、第1及び第2駆動機構を制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体デバイスや液晶デバイス等を製造するための投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法に関する。
半導体素子やマイクロデバイスの製造におけるリソグラフィ工程で使用される半導体露光装置は、数多くの異なる種類のパターンを有する原版を基板に転写する。半導体素子の集積度は年々増す一方であり、この高集積度の回路パターンを作成するためには、投影光学系の収差やディストーションの低減が不可欠である。ここで言う投影光学系の収差とは、設計値の収差だけでなく、製造段階で製造誤差等により変化する収差や、露光装置の環境(気圧/温度)、経時変化、露光熱によって変化する収差も含む。
特許文献1は、投影光学系を構成する光学素子をチルトさせることで投影光学系の収差を補正する方法を開示する。また特許文献2は、光学素子をチルトさせるための光学素子の支持方法を開示する。
光学素子をチルトさせることにより、投影光学系の3種類の偏心収差(偏心3収差)、すなわち、軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションを補正することが可能である。
従来、上記偏心3収差を各々独立に補正するために、調整自由度から少なくとも3群の光学素子を独立にチルトさせる必要があった。しかし、チルト機構の数が増えるに従い、スペースの観点から光学素子を支持する鏡筒設計が制約を受けたり、コストが増えるという課題がある。
本発明は、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心3収差の独立補正との両立を図った構成を提供する。
本発明の一側面によれば、露光装置に搭載され、原版に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系であって、第1光学素子と、第2光学素子と、前記投影光学系の光軸上の第1点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第1光学素子を駆動する第1駆動機構と、前記投影光学系の光軸上の第2点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第2光学素子を駆動する第2駆動機構と、前記第1駆動機構及び前記第2駆動機構を制御する制御部とを備え、前記第2点は、前記第2駆動機構によって前記投影光学系の光軸方向に移動可能であり、前記制御部は、前記投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくとも1つを補正するように、前記第1駆動機構及び前記第2駆動機構を制御することを特徴とする投影光学系が提供される。
本発明によれば、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心3収差の独立補正の両立が図られる。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下の、添付の図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされる。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
本発明の実施例について説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。
図1は露光装置10の概略ブロック図である。露光装置10は、レーザ光源1と、照明光学系2と、投影光学系3とを有する。投影光学系3は、原版に形成されたパターンを基板上に投影する。原版であるレチクルRは、不図示のレチクルステージによって支持され、基板W(ウェハ)は不図示のウェハステージによって支持される。露光装置10は、ステップアンドスキャン方式もしくはステップアンドリピート方式でレチクルRに形成された回路パターンを基板Wに露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適である。
ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、レチクルに対して基板(ウェハ)を連続的にスキャンしてレチクルパターンを基板ウェハに露光すると共に、1ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
レーザ光源1は、例えば波長が約193nmのArFエキシマレーザーや約248nmのKrFエキシマレーザーである。本発明は、特定の光原の種類や波長、個数に限定されることはない。照明光学系2はレチクルRを均一な照度分布で、かつ所定の照明条件にて照明する光学系である。レチクルRからの光は投影光学系3を通り基板Wに投影される。投影光学系3は、光軸を共通にする第1光学素子3aと第2光学素子3bを含む。また、投影光学系3は2群のチルト機構を含む。1つは、投影光学系3の光軸上の第1点を中心としてその光軸に垂直な面に対して傾斜するように第1光学素子3aを駆動する第1駆動機構4である。もう1つは、上記光軸上の第2点を中心としてその光軸に垂直な面に対し傾斜するように第2光学素子3bを駆動する第2駆動機構5である。投影光学系3は更に、第1駆動機構4及び第2駆動機構5を制御する制御部6を備える。ここで、第1駆動機構4によって、第1光学素子3aは固定の回転中心位置(上記第1点)でチルト駆動する。一方、第2駆動機構5によって、第2光学素子3bは回転中心位置可変のチルト駆動が可能である。この第2駆動機構5によって、上記第2点が投影光学系の光軸方向に移動可能である。
光学素子をチルトさせることにより、投影光学系の偏心3収差、すなわち、軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションを補正することが可能である。制御部6は、投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくともいずれかを補正するように、第1駆動機構4及び第2駆動機構5を制御する。なお、本明細書では、光学素子またはウェハステージを光軸に対して傾斜させることを「チルト」と呼び、光学素子またはウェハステージを光軸に垂直な面内で平行移動させることを「シフト」と呼ぶ。特に光学素子の原版側の面の面頂点を回転中心としたチルトのことを「R1面頂点チルト」と呼ぶ。また、画面内一律のゼルニケC7項もしくはC8項(コマ収差)のことを「軸上コマ収差」と呼び、像高に対し一次のゼルニケC5項もしくはC6項(アス収差)のことを「片ボケアス収差」と呼ぶ。
図3に、第1光学素子3aのチルトの概念図を示す。第1光学素子3aは光軸A上の一点Oを中心としてチルト回転する。回転中心位置はOと第1光学素子3aのレチクル側の面の面頂点との距離Lで定義され、Oがレチクル側の面の面頂点よりレチクル側にある場合を正とし、ウェハ側にある場合を負とする。第1光学素子3aのチルト機構である第1駆動機構4は、例えば特許文献2に記載されている構成と同様のものとすることができる。
次に、第2光学素子3bのチルト機構である第2駆動機構5の詳細例を、図2を用いて説明する。第1支持部材としての支持部材210は、第2光学素子3bの周囲に設けられ、第2光学素子3bを支持する。第2支持部材としての鏡筒240は、弾性部材220を介して支持部材210を支えるとともに、押圧部材230aも支持する。押圧部材230aは弾性部材220に接続し、第2光学素子3bの側面にある押圧箇所232にて、弾性部材220に対して、投影光学系の光軸に垂直な方向すなわち第2光学素子3bの半径方向に、押圧力を印加する。弾性部材220は、第1の板バネ222と第2の板バネ224とを含む。調整部材230bは押圧部材230aに接続し、押圧部材230aに押圧力を印加する。これら弾性部材220、押圧部材230a、及び調整部材230bのセットは、支持部材210の外周部に複数設けられてもよい。例えば3箇所8、120°ピッチの等間隔に設けられてもよい。
第2光学素子3bをチルトするため、まず鏡筒240の外部から押圧部材230aを押圧することにより、第2の板バネ224に押圧力Fを印加する。押圧力Fが印加された第2の板バネ224は、第2光学素子3bの半径方向に変形する。しかし、押圧箇所232が光軸方向に偏心しているため、押圧力Fも偏心して印加され、第2の板バネ224は支持部材210もしくは第2光学素子3bの接線軸周りに回転するように捩れる。従って、第2の板バネ224が印加された押圧力Fから生成された第2の弾性力F2も第1の板バネ222に対して偏心して印加される。
第2の弾性力F2が印加された第1の板バネ222は、第2光学素子3bの半径方向に変形するが、第2の板バネ224と同様に、第2の弾性力F2が偏心して印加されているので、接線軸周りに回転するように捩れる。従って、第1の板バネ222が印加された押圧力F2から生成された第1の弾性力F1が支持部材210に対して斜め方向から印加されることとなり、支持部材210に支持された第2光学素子3bが傾くことになる。120°ピッチの等間隔で3箇所に配置された押圧部材230aの押し込み量を合成することにより、第2光学素子3bを任意の方向に所望の傾斜角度を有するように調整することが可能である。
調整部材230bは、投影光学系の光軸方向における押圧部材230aの位置を調整する。第2光学素子3bのチルト回転中心位置を調節するため、押圧部材230aを調整部材230bで光軸方向に印加し、押圧部材230aの光軸方向の位置を変化させ、それにより押圧箇所232を光軸方向(図2のX方向)に変化させる。押圧箇所232が光軸方向に変化すると、前記の弾性力F1の支持部材210への印加方向が変わる。3箇所に配置された押圧部材230aに対して、各々の押圧箇所232を同じ向きに同量変化させることにより、第2光学素子3bのチルト回転中心位置(図3(a)のL)を光軸方向に調節することが可能である。
以上のようにして、制御部6の制御の下、第1光学素子3aのチルト駆動及び、第2光学素子3bの回転中心位置可変のチルト駆動が可能となる。
続いて、投影光学系3を構成する複数の光学素子のうち、チルト機構を搭載するものを選択する方法について説明する。
回転中心位置固定のチルト機構を搭載する光学素子を光学素子A、回転中心位置可変のチルト機構を搭載する光学素子を光学素子Bとする。また、これらがシフト・チルトした時の偏心収差の変化量を下記のようにA1〜B6とおく。A1〜B6はシミュレーションにより求まる。また光学素子Aのチルト回転中心位置は任意である。
A1:光学素子Aの単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
A2:光学素子Aの単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
A3:光学素子Aの単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
B1:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
B2:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
B3:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
B4:光学素子Bの単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]
B5:光学素子Bの単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]
B6:光学素子Bの単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]
D1、D2、D3:片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させるような光学素子Aのチルト[sec]、光学素子BのR1面頂点チルト[sec]、光学素子Bのシフト[um]との組み合わせ。
D4、D5、D6:偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Aのチルト駆動」と「光学素子BのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Bのシフト駆動」の組み合わせ。順にD4[sec]、D5[sec]、D6[um]。
D7、D8、D9:偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Aのチルト駆動」と「光学素子BのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Bのシフト駆動」の組み合わせ。順にD7[sec]、D8[sec]、D9[um]。
ただし、上記偏心ディストーション及び片ボケアス収差の量は最軸外での値である。
A1:光学素子Aの単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
A2:光学素子Aの単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
A3:光学素子Aの単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
B1:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]
B2:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]
B3:光学素子Bの単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]
B4:光学素子Bの単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]
B5:光学素子Bの単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]
B6:光学素子Bの単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]
D1、D2、D3:片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させるような光学素子Aのチルト[sec]、光学素子BのR1面頂点チルト[sec]、光学素子Bのシフト[um]との組み合わせ。
D4、D5、D6:偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Aのチルト駆動」と「光学素子BのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Bのシフト駆動」の組み合わせ。順にD4[sec]、D5[sec]、D6[um]。
D7、D8、D9:偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させるような「光学素子Aのチルト駆動」と「光学素子BのR1面頂点チルト駆動」と「光学素子Bのシフト駆動」の組み合わせ。順にD7[sec]、D8[sec]、D9[um]。
ただし、上記偏心ディストーション及び片ボケアス収差の量は最軸外での値である。
これを変形して、D1〜D9は、以下の式で求まる。
また、偏心ディストーションを独立に補正するために光学素子BはD2[sec]R1面頂点チルトとD3[μm]シフト駆動をするが、これは図3(b)に示すように、L1(チルト回転中心位置[mm])でチルトすることと等価である。図3(b)から、L1は(式2)の式1を満たす。片ボケアス収差を独立に補正するためのチルト回転中心位置L2、軸上コマ収差を独立に補正するためのチルト回転中心位置L3についても同様に、
L1=D3/tan(D2)/1000 [mm]
L2=D6/tan(D5)/1000 [mm] (式2)
L3=D9/tan(D8)/1000 [mm]
である。
L1=D3/tan(D2)/1000 [mm]
L2=D6/tan(D5)/1000 [mm] (式2)
L3=D9/tan(D8)/1000 [mm]
である。
光学素子Bのチルト回転中心位置をL1〜L3の範囲で調節可能にすれば、光学素子Aの回転中心位置固定チルト駆動と、光学素子Bの回転中心位置可変チルト駆動の組み合わせにより、偏心3収差を各々独立に補正することができる。
一般に、アクチュエータのストロークが増えるほど駆動精度は悪くなる。そこで、精度よく回転中心位置を調節するために、回転中心位置の調節範囲が例えば200 [mm]程度以下であることが望ましい。
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3) < 200 [mm] (式3)
左辺は回転中心位置の調節範囲を表す。また、Max(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最大値を、Min(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最小値を意味する。
左辺は回転中心位置の調節範囲を表す。また、Max(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最大値を、Min(L1,L2,L3)はL1,L2,L3の最小値を意味する。
また、補正したい偏心収差量の合計をG,E,Fとおく。ここで、Gは偏心ディストーション[nm]、Eは片ボケアス収差[mλ]、Fは軸上コマ[mλ]を表す。また、「補正したい偏心収差量の合計」とは、製造段階で製造誤差等により変化する収差や、露光装置の環境(気圧/温度)、経時変化、露光熱によって変化する収差などをすべて含んだものをいう。このとき、光学素子Aに必要なストロークは、
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| [sec]
となり、光学素子Bに必要なストロークは、
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| [sec]
となる。光学素子の高精度チルト駆動を可能にするため、駆動範囲が約10秒以下であることが望ましい。
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| [sec]
となり、光学素子Bに必要なストロークは、
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| [sec]
となる。光学素子の高精度チルト駆動を可能にするため、駆動範囲が約10秒以下であることが望ましい。
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| < 10 [sec] (式4)
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| < 10 [sec] (式5)
すなわち、式3、式4、式5を満足する光学素子にチルト機構を搭載すればよい。
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| < 10 [sec] (式5)
すなわち、式3、式4、式5を満足する光学素子にチルト機構を搭載すればよい。
本実施形態の数値実施例を図4に示す。構成諸元は例えば特開平11−095095号公報の図4に示されたものと同一とする。屈折投影光学系は、第1物体面から順に光路に沿って、光学素子L101〜L129から構成されている。回転中心位置固定のチルト機構を光学素子L104に搭載し、回転中心位置可変のチルト機構は光学素子L124に搭載する。
シミュレーションにより、光学素子L104及び光学素子L124のチルト・シフト時の収差変化を求めた結果を以下に示す。
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量:-4.1[nm/sec]
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量:-0.3[mλ/sec]
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量:1.0[mλ/sec]
光学素子L124の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量:0.6[nm/sec]
光学素子L124のの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量:1.1[mλ/sec]
光学素子L124の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量:-11.5[mλ/sec]
光学素子L124の単位シフト時の偏心ディストーション変化量:0.2[nm/μm]
光学素子L124の単位シフト時の片ボケアス収差発生量:6.1[mλ/μm]
光学素子L124の単位シフト時の軸上コマ収差発生量:17.3[mλ/μm]
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量:-4.1[nm/sec]
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量:-0.3[mλ/sec]
光学素子L104の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量:1.0[mλ/sec]
光学素子L124の単位R1面頂点チルト時の偏心ディストーション変化量:0.6[nm/sec]
光学素子L124のの単位R1面頂点チルト時の片ボケアス収差発生量:1.1[mλ/sec]
光学素子L124の単位R1面頂点チルト時の軸上コマ収差発生量:-11.5[mλ/sec]
光学素子L124の単位シフト時の偏心ディストーション変化量:0.2[nm/μm]
光学素子L124の単位シフト時の片ボケアス収差発生量:6.1[mλ/μm]
光学素子L124の単位シフト時の軸上コマ収差発生量:17.3[mλ/μm]
これを式2に代入すると、L1 = 36、L2 = 134、L3 = -36 [mm]となり、これから
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3)=170[mm]
であるので、式3を満足している。
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3)=170[mm]
であるので、式3を満足している。
また、補正したい偏心収差の総量を、偏心ディストーションG=30[nm]、片ボケアス収差E=25[mλ]、軸上コマF=50[mλ]として、これと式1’から、
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| = 8.9 [sec]
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| = 9.4 [sec]
となり、式4、式5を満足している。
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| = 8.9 [sec]
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| = 9.4 [sec]
となり、式4、式5を満足している。
上記説明は光学素子L104、L124が採用された前提で行ったが、実際は、式3、式4、式5の左辺を駆動機構を搭載可能な全光学素子の組み合わせについて計算し、式3、式4、式5を満足しているものを採用する。
以上、本発明の一実施形態を説明した。本実施形態によれば、光学素子のチルト機構のコンパクト化と、偏心3収差の独立補正との両立が図られる。なお、回転中心位置は変えずに光学素子L124そのもののZ方向位置を光軸方向に変更する方法だと、対称収差が発生してしまい、所望の偏心収差制御に適さない。この点においても、本実施形態による、光学素子Aの回転中心位置固定チルト駆動と、光学素子Bの回転中心位置可変チルト駆動の組み合わせの利点がある。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給された樹脂に上記の露光装置を用いてパターンを形成する工程(基板に露光処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給された樹脂に上記の露光装置を用いてパターンを形成する工程(基板に露光処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
10:露光装置、1:レーザ光源、2:照明光学系、3:投影光学系、3a,3b:光学素子
Claims (9)
- 露光装置に搭載され、原版に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系であって、
第1光学素子と、
第2光学素子と、
前記投影光学系の光軸上の第1点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第1光学素子を駆動する第1駆動機構と、
前記投影光学系の光軸上の第2点を中心として前記光軸に垂直な面に対し傾斜するように前記第2光学素子を駆動する第2駆動機構と、
前記第1駆動機構及び前記第2駆動機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第2点は、前記第2駆動機構によって前記投影光学系の光軸方向に移動可能であり、
前記制御部は、前記投影光学系の軸上コマ収差、片ボケアス収差、偏心ディストーションの少なくとも1つを補正するように、前記第1駆動機構及び前記第2駆動機構を制御する
ことを特徴とする投影光学系。 - 前記第2駆動機構は、
前記投影光学系の光軸に垂直な方向において、前記第2光学素子の側面を押圧する押圧部材と、
前記投影光学系の光軸方向における前記押圧部材の位置を調整する調整部材と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 前記第2光学素子の周囲に設けられ、前記第2光学素子を支持する支持部材を更に有し、
前記押圧部材は、前記支持部材を介して前記第2光学素子の側面を押圧する
ことを特徴とする請求項2に記載の投影光学系。 - 前記支持部材と前記押圧部材との間に設けられる弾性部材を更に有し、
前記押圧部材は、前記弾性部材及び前記支持部材を介して前記第2光学素子の側面を押圧する
ことを特徴とする請求項3に記載の投影光学系。 - 前記第2駆動機構は、前記第2光学素子の外周部に複数設けられることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の投影光学系。
- A1を、前記第1光学素子の単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
A2を、前記第1光学素子の単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
A3を、前記第1光学素子の単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
B1を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
B2を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
B3を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
B4を、前記第2光学素子の単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]、
B5を、前記第2光学素子の単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]、
B6を、前記第2光学素子の単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]、
D1、D2、D3を、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
D4、D5、D6を、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
D7、D8、D9を、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
Gを偏心ディストーション[nm]、Eを片ボケアス収差[mλ]、Fを軸上コマ[mλ]、
とすると、
のとき、
前記第1光学素子及び前記第2光学素子の単位チルト時の収差変化が、
|D1*G|+|D4*E|+|D7*F| < 10[sec]
|D2*G|+|D5*E|+|D8*F| < 10[sec]
を満足することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の投影光学系。 - A1を、前記第1光学素子の単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
A2を、前記第1光学素子の単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
A3を、前記第1光学素子の単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
B1を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の偏心ディストーション変化量[nm/sec]、
B2を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の片ボケアス収差発生量[mλ/sec]、
B3を、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心とした単位チルト時の軸上コマ収差発生量[mλ/sec]、
B4を、前記第2光学素子の単位シフト時の偏心ディストーション変化量[nm/μm]、
B5を、前記第2光学素子の単位シフト時の片ボケアス収差発生量[mλ/μm]、
B6を、前記第2光学素子の単位シフト時の軸上コマ収差発生量[mλ/μm]、
D1、D2、D3を、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
D4、D5、D6を、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
D7、D8、D9を、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる、前記第1光学素子のチルト[sec]、前記第2光学素子の前記原版側の面頂点を回転中心としたチルト[sec]、前記第2光学素子のシフト[um]との組み合わせ、
L1を、前記第1光学素子のチルトと前記第2光学素子のチルトを組み合わせて行い、片ボケアス収差と軸上コマ収差を発生させずに偏心ディストーションのみ1nm発生させる際の、前記第2光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
L2を、前記第1光学素子のチルトと前記第2光学素子のチルトを組み合わせて行い、偏心ディストーションと軸上コマ収差を発生させずに片ボケアス収差のみ1mλ発生させる際の、前記第2光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
L3を、前記第1光学素子のチルトと前記第2光学素子のチルトを組み合わせて行い、偏心ディストーションと片ボケアス収差を発生させずに軸上コマ収差のみ1mλ発生させる際の、前記第2光学素子のチルト回転中心位置[mm]、
とすると、
L1=D3/tan(D2)/1000 [mm]
L2=D6/tan(D5)/1000 [mm]
L3=D9/tan(D8)/1000 [mm]
のとき、
前記第1光学素子及び前記第2光学素子の単位チルト時の収差変化が、
Max(L1,L2,L3)-Min(L1,L2,L3) < 200[mm]
を満足することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の投影光学系。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の投影光学系を有する露光装置。
- 請求項8に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014081432A JP2015204312A (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014081432A JP2015204312A (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015204312A true JP2015204312A (ja) | 2015-11-16 |
Family
ID=54597617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014081432A Pending JP2015204312A (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | 投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2015204312A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111694225A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-22 | 佳能株式会社 | 曝光装置和物品制造方法 |
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2014
- 2014-04-10 JP JP2014081432A patent/JP2015204312A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111694225A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-22 | 佳能株式会社 | 曝光装置和物品制造方法 |
CN111694225B (zh) * | 2019-03-12 | 2023-11-21 | 佳能株式会社 | 曝光装置和物品制造方法 |
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