CN111694225B - 曝光装置和物品制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了曝光装置和物品制造方法。提供了一种曝光装置，该曝光装置经由投影光学系统将原件的图案投影到基板上并对基板进行曝光。该装置包括被布置在原件和基板之间的曝光光的光路上的像差校正构件，以及驱动像差校正构件的驱动器。像差校正构件包括第一光学元件和第二光学元件，第一光学元件包括相对于曝光光的光轴具有三重旋转对称非球面形状的第一表面，第二光学元件沿着光轴与第一光学元件间隔开并且包括面对第一表面并且具有互补地校正由第一光学元件生成的像差的非球面形状的第二表面。驱动器执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的绕光轴的旋转和沿着光轴的驱动中的至少一个。

Description

曝光装置和物品制造方法

技术领域

本发明涉及曝光装置和物品制造方法。

背景技术

曝光装置用于制造半导体器件或平板显示器。随着半导体器件的高度集成和平板显示器的高分辨率标准化，布线的小型化和多层化得到提高。随着图案的小型化，要求了更高的在层之间的重叠准确度。另一方面，在布线层中，随着半导体制造处理变为后处理(postprocesses)，在各个压射(shot)区域中发生局部畸变，诸如在底层曝光的工艺处理之后的倍率差、畸变、基板的翘曲等，并且这造成诸如重叠准确度恶化之类的问题。

日本专利No.3064432公开了一种技术，其中通过倾斜投影透镜的一些元件而不使用非轴对称透镜来校正不是旋转对称或双重对称分量的各向异性畸变形状。日本专利公开No.2014-120682公开了一种校正双重对称像差的技术。

近年来，提高曝光装置的生产率以降低器件成本(即，提高与每单位时间处理的基板的数量对应的吞吐量)被认为是重要的。因此，需要高速载物台驱动、提高曝光照度等。但是，为了应对它们，不能忽略由于由相邻压射的曝光热量造成的基板的膨胀/收缩引起的曝光压射的畸变。越靠近相邻的压射，由于热量的影响引起的热膨胀越大。因此，倍率在压射区域的顶部、底部、左侧和右侧部分之间改变，并且这是造成不对称畸变形状的一个因素。

日本专利No.3064432涉及通过倾斜光学元件来校正各向异性畸变。但是，利用这种技术，在像高之间变化的彗形像差或像散随着畸变的发生而发生，因此不可能高效地仅校正不对称畸变。另外，日本专利公开No.2014-120682公开了仅对垂直/水平倍率差的校正，而没有公开对变形为梯形形状的压射区域的校正。

发明内容

例如，本发明提供了一种有利于校正压射区域的形状的曝光装置。

本发明在其第一方面中提供了一种曝光装置，该曝光装置经由投影光学系统将原件的图案投影到基板上并对基板进行曝光，该装置包括被布置在原件和基板之间的曝光光的光路上的像差校正构件，以及被配置为驱动像差校正构件的驱动器，其中像差校正构件包括第一光学元件和第二光学元件，第一光学元件包括相对于曝光光的光轴具有三重旋转对称非球面形状的第一表面，第二光学元件沿着光轴与第一光学元件间隔开并且包括面对第一表面并且具有互补地校正由第一光学元件生成的像差的非球面形状的第二表面，并且驱动器执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的绕光轴的旋转和沿着光轴的驱动中的至少一个。

本发明在其第二方面中提供了一种物品制造方法，该方法包括：使用在第一方面中定义的曝光装置对基板进行曝光；以及对经曝光的基板进行显影，其中从经显影的基板制造物品。

通过(参考附图)对示例性实施例的以下描述，本发明的其他特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的曝光装置的布置的视图；

图2是示出根据第一实施例的像差校正构件的布置的视图；

图3A至图3D是各自示出由于垂直/水平倍率差引起的图像偏差像差的示例的视图；

图4A至图4D是各自示出当驱动像差校正构件时出现的梯形畸变的示例的视图；

图5A和图5B是示出根据第一实施例的像差校正构件的每个光学元件的表面形状的示例的视图；

图6A至图6C是示出根据第一实施例的像差校正构件的驱动模式的视图；

图7是例示根据第一实施例的曝光方法的流程图；

图8A和图8B是各自示出晶片中的压射曝光的次序的示例的视图；

图9A和图9B是各自示出梯形分量的不对称性的视图；以及

图10是例示根据第二实施例的曝光方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述实施例。注意的是，以下实施例并非旨在限制要求保护的发明的范围。在实施例中描述了多个特征，但是并不限制于要求所有这种特征的发明，并且可以适当地组合多个这种特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的配置，并且省略其重复描述。

<第一实施例>

图1是示出根据第一实施例的曝光装置的布置的视图。在说明书和附图中，将在其中用作基板的晶片115的表面(水平平面)被设定为X-Y平面的XYZ坐标系上指示方向。平行于XYZ坐标系的X轴、Y轴和Z轴的方向分别是X方向、Y方向和Z方向。绕X轴的旋转、绕Y轴的旋转和绕Z轴的旋转分别是θX、θY和θZ。

主控制器103全面地控制稍后将描述的曝光装置的相应部件以执行曝光处理。主控制器103可以由例如包括CPU和存储器(存储单元)的计算机装置来实现。

光源100可以输出具有不同波长带的多个光束作为曝光光。从光源100发射的光经由照明光学系统104的整形光学系统(未示出)整形为预定形状。经整形的光进入光学积分器(未示出)，在光学积分器中形成有多个次级光源，以便以均匀的照度分布来照亮稍后将描述的分划板(reticle)109。

照明光学系统104的孔径光阑105的孔径的形状近似为圆形，并且照明光学系统控制器108可以设定孔径的直径，从而将照明光学系统104的数值孔径(NA)设定为期望的值。在这种情况下，照明光学系统104的数值孔径与投影光学系统110的数值孔径的比率的值是相干因子(σ值)，使得照明光学系统控制器108可以通过控制照明光学系统104的孔径光阑105来设定σ值。

半反射镜106布置在照明光学系统104的光路上，并且照亮分划板109的曝光光的一部分被半反射镜106反射并被提取。用于紫外光的光传感器107布置在半反射镜106的反射光的光路上，并生成与曝光光的强度(曝光能量)对应的输出。要被印刷的半导体器件电路的图案形成在用作原件(掩模)的分划板109上，并且被照明光学系统104照亮。投影光学系统110被布置为以减小比β(例如，β＝1/2)减小分划板109的图案并将其投影到涂覆有光致抗蚀剂的晶片115上的一个压射区域上。投影光学系统110可以是折射光学系统、折反射(catadioptric)光学系统等。

在投影光学系统110的光瞳平面(分划板的傅立叶变换平面)上，布置包括近似圆形的孔径的孔径光阑111，并且孔径的直径可以由诸如马达之类的孔径光阑驱动器112控制。光学元件驱动器113沿着投影光学系统110的光轴移动构成投影光学系统110中的透镜系统的一部分的光学元件(诸如场镜(field lens))。因此，在减小投影光学系统110的各种类型的像差的同时，提高了投影倍率并减小了畸变误差。投影光学系统控制器114在主控制器103的控制下控制孔径光阑驱动器112和光学元件驱动器113。

保持晶片115的晶片载物台116(基板载物台)在三维方向上可移动，并且可以在投影光学系统110的光轴方向(Z方向)上和在与光轴方向正交的平面(X-Y平面)中移动。注意的是，如上所述，晶片115的表面(水平平面)被设定为X-Y平面。因而，在图1中，Z轴在从晶片115到分划板109的方向上平行于投影光学系统110的光轴延伸，而X轴和Y轴在垂直于Z轴的平面上彼此正交的方向上延伸。在图1中，Y轴位于绘图表面的平面中，而X轴垂直于绘图表面并朝着绘图表面的前侧延伸。通过由激光干涉仪118测量距固定到晶片载物台116的移动反射镜117的距离，检测晶片载物台116的X-Y平面位置。此外，使用对准测量系统124(测量设备)测量晶片115与晶片载物台116之间的位置偏差。在曝光装置的主控制器103的控制下，载物台控制器120基于使用对准测量系统124的测量的结果来控制载物台驱动器119(诸如马达)，以将晶片载物台116移动到预定的X-Y平面位置。

光发射光学系统121和检测光学系统122检测焦平面。光发射光学系统121发射由不使晶片115上的光致抗蚀剂敏化的非曝光光形成的多个光束，并且每个光束被会聚并在晶片115上反射。由晶片115反射的光束进入检测光学系统122。虽然未示出，但是与相应反射光束对应的用于位置检测的多个光接收元件布置在检测光学系统122中，并且被布置为使得每个光接收元件的光接收表面与每个光束在晶片115上的反射点变得通过成像光学系统基本上共轭。晶片115的表面在投影光学系统110的光轴方向上的位置偏差被测量为进入检测光学系统122中用于位置检测的光接收元件的光的位置偏差。

像差校正构件21布置在分划板109和晶片115之间的曝光光的光路上。在图1所示的示例中，像差校正构件21布置在分划板109和投影光学系统110之间。像差校正构件21可以被布置为独立于投影光学系统110的单元，或者可以被布置为投影光学系统110的一部分。当像差校正构件21被设置在投影光学系统110中时，像差校正构件21可以被布置在投影光学系统110中的光瞳平面上方并且在将由分划板109衍射的光会聚到晶片115上的场镜组附近。可替代地，像差校正构件21可以与保持分划板109的分划板保持器或分划板载物台(未示出)一体地布置。

如图2中所示，像差校正构件21包括第一光学元件211和沿着曝光光的光轴与第一光学元件211间隔开的第二光学元件212。第一光学元件211和第二光学元件212分别在间隔侧包括具有相同形状的旋转不对称表面。光学元件驱动器22可以执行第一光学元件211和第二光学元件212中的至少一个的θZ旋转(绕光轴的旋转)和在Z方向上的驱动(Z驱动)中的至少一个。另外，第一光学元件211和第二光学元件212中的至少一个可以被配置为通过光学元件驱动器22在与Z轴正交的X方向和/或Y方向上可移动。

在图2中，第一光学元件211在分划板109侧的外表面211a和第二光学元件212在投影光学系统110侧的外表面212a均具有平面形状。另一方面，彼此面对的第一光学元件211的第一内表面211b和第二光学元件212的第二内表面212b具有彼此互补的非球面形状。

图6A至图6C示出了像差校正构件21的驱动模式。图6A示出了与图2中所示的状态类似的状态(注意的是，在图6A中，以简化的方式示出了第一光学元件211和第二光学元件212之间的间隔的形状)。第一光学元件211和第二光学元件212中的至少一个可以通过光学元件驱动器22从图6A中所示的状态如图6B中所示被Z驱动。此外，第一光学元件211和第二光学元件212中的至少一个可以通过光学元件驱动器22如图6C中所示被θZ旋转。

在下文中，将描述通过第一光学元件211和第二光学元件212中的至少一个的Z驱动和θZ旋转执行的像差校正。但是，为了简化解释，以下将以第一光学元件211作为代表来描述通过第一光学元件211的Z驱动和θZ旋转执行的像差校正。

例如，第一表面211b和第二表面212b中的每一个的旋转不对称形状由以下方程表述：

Z＝A(3x²y–y³)+B...(1)

其中A和B是常数。

当以θ＝0°的方向(X轴方向)和以下参数表述为极坐标显示时ρ＝sqrt(x²+y²),

由方程(1)表述的旋转不对称形状等效于

Z＝ρ³sin3θ ...(2)

并变为三重旋转对称非球面形状，如图5A和图5B每一个中所示。

在分划板109上衍射的光束的主光线是物侧远心的，并且第一表面211b和第二表面212b的非球面形状以互补的方式起作用。因此，当光束透射通过第一光学元件211和第二光学元件212时，像高之间的相位差变为零。当具有由方程(1)表述的非球面形状的第一光学元件211旋转α时，第一表面211b和第二表面212b之间的互补性崩塌。如果α足够小，那么相位差被表述为：

Φ≈K*α*R³cos3θ

(其中K是常数)。另一方面，当第一光学元件211被Z驱动距离d时，互补性崩塌。如果d足够小，那么相位差被表述为：

Φ≈L*d*R³sin3θ

(其中L是常数)。

以这种方式，在第一光学元件211的θZ旋转和Z驱动两者中，由三重旋转对称分量表述的相位差都保留。已经发现，如果在投影透镜的面对分划板的部分中出现三重旋转对称相位差，那么出现如图4A至图4D中的每个所示的梯形畸变。如通过方程(2)所获得的，第一表面211b和第二表面212b中的每一个在光轴附近的非球面度近似为零。因此，根据这个实施例，在像高的中心，不发生由于旋转或Z驱动而引起的相位改变，因此不生成畸变移位分量。此外，不发生彗形像差。另外，即使在以半径R远离光轴的圆周上也不生成相位的主要(primary)倾斜分量，因此不发生像面的倾斜。因此，与如在日本专利公开No.2014-120682中公开的通过光学偏心率生成梯形形状的情况相比，本发明是有效的，因为能够抑制在像高之间发生的像散。

通过由光学元件驱动器22对第一光学元件211进行θZ旋转，发生梯形畸变，其中左侧和右侧(沿着Y方向的两侧)形成上底和下底，如图4A和图4B中的每一个中所示。另外，通过由光学元件驱动器22对第一光学元件211进行Z驱动，发生梯形畸变，其中上侧和下侧(沿着X方向的两侧)形成上底和下底，如图4C和图4D中的每一个中所示。当形成梯形的上底和下底的两个相对侧之间的长度差为Δbase时，Δbase的符号取决于θZ旋转的旋转方向和Z驱动的驱动方向而反转，并且Δbase的值唯一地由θZ旋转的旋转角和Z驱动的驱动量确定。因此，调整第一光学元件211的θZ旋转的旋转角和Z驱动的驱动量。这使得可以校正任何梯形形状，包括如图9A中所示的具有Δbase_LR(具有不同的左侧和右侧长度)的梯形以及如图9B中所示的具有Δbase_UD(具有不同的上侧和下侧长度)的梯形。

将参考图7中所示的流程图来描述根据这个实施例的曝光方法的示例。在装载晶片之后，在步骤S1中，主控制器103使用对准测量系统124测量用作底层的多个压射区域中的每一个的形状，并将每个压射区域的畸变数据存储在存储单元中。这种测量可以由曝光装置外部的测量装置执行。在那种情况下，主控制器103从外部获取每个压射区域的畸变数据。

在步骤S2中，主控制器103计算在像差的两个方向上针对分量(Δbase_LR分量和Δbase_UD分量)应当进行调整的量(调整量)，以便根据每个压射区域的形状执行曝光。

在步骤S3中，光学元件控制器123控制光学元件驱动器22以执行第一光学元件211的θZ旋转和Z驱动中的至少一个，以便调整Δbase_LR分量和Δbase_UD分量。此时，为了调整另一个图像移位分量，投影光学系统控制器114可以控制光学元件驱动器113以驱动投影光学系统110的光学元件。类似地，为了调整另一个图像移位分量，载物台控制器120可以控制载物台驱动器119以驱动晶片载物台116。

当第一光学元件211的驱动完成时，主控制器103在步骤S4中执行曝光。在步骤S5中，主控制器103经由载物台控制器120控制载物台驱动器119，以驱动晶片载物台116以便移动到下一个要曝光的压射区域。主控制器103基于在步骤S1中获得的畸变数据和在步骤S2中计算出的调整量来重复第一光学元件211的驱动和曝光。如果在步骤S6中确定对于所有压射区域都完成了曝光，那么主控制器103卸载晶片、装载下一个晶片，并重复上述过程。

根据基于这个过程的曝光方法，可以在根据具有左侧和右侧长度不同的梯形分量的底层压射区域的形状或具有上侧和下侧长度不同的梯形分量的底层压射区域的形状执行调整的同时执行曝光。这提高了重叠准确度。

在上述示例中，通过具有由方程(1)表述的旋转不对称形状的第一光学元件211的θZ旋转或Z驱动来校正梯形形状。在此，当使用日本专利公开No.2014-120682中公开的技术时，通过由光学元件驱动器22沿着X轴方向驱动第一光学元件211，发生如图3C和图3D中的每一个所示的具有TY_45分量的畸变。另外，通过沿着Y轴方向驱动第一光学元件211，发生如图3A和图3B中的每一个所示的具有TY_0分量的畸变。因此，通过同时控制第一光学元件211在X方向、Y方向、Z方向和θZ旋转方向上的驱动量，可以控制梯形分量和垂直/水平倍率差分量二者。

图8A示出了晶片中曝光的一般次序的示例。每个网格表示压射，并且网格之间的箭头指示从紧前一曝光压射开始的载物台移动方向。在图8A中所示的情况下，从绘图表面的平面中的水平方向(X方向)上的相邻压射开始的步进驱动的频率高。取决于通过前一曝光压射被施加到晶片的热量，晶片热膨胀。在此，热膨胀量随着距压射的距离的增加而减小。然后，在随着X方向上的步进驱动的顺序曝光中，热膨胀量在水平方向上改变，从而使压射区域具有诸如具有不同的左侧和右侧长度的梯形之类的畸变形状。在这种情况下，Δbase_LR的调整量变得有效。

Δbase_LR的调整与彼此面对的第一光学元件211的第一内表面211b和第二光学元件212的第二内表面212b中的每一个的三重旋转对称非球面形状相关。通过将内表面211b和212b中的每一个形成为由方程(1)表述的具有sin3θ的相位的非球面形状，可以通过旋转驱动互补光学元件来生成Δbase_LR。一般而言，旋转驱动能够以比Z驱动更高的速度被执行，因此，在图8A所示的曝光次序的情况下，具有sinθ的相位的非球面表面是期望的。对TY_0分量的调整和对TY_45分量的调整(参见日本专利公开No.2014-120682)通过分别在X方向和Y方向上驱动光学元件来实现。由于这些都是在水平方向上驱动光学元件，因此简单的机构可以在相同平面上执行移位和旋转。

在这个实施例中，第一光学元件211包括相对于曝光光的光轴具有三重旋转对称非球面形状的第一表面211b。此外，第二光学元件212包括面对第一表面211b并且具有互补地校正由第一光学元件211生成的像差的非球面形状的第二表面212b。

彼此面对的第一光学元件211的第一表面211b和第二光学元件212的第二表面212b中的每一个的旋转不对称形状可以是例如由以下方程表述的形状：

Z＝C(x³–3xy²)+D ...(3)

其中C和D是常数。

当以极坐标表述时，方程(3)被表述为：

Z＝ρ³cos3θ ...(4)

取决于第一光学元件211的旋转量，发生具有上侧和下侧长度不同的Δbase_UD的梯形畸变，以及取决于第一光学元件211的Z驱动的驱动量，发生具有左侧和右侧长度不同的Δbase_LR的梯形畸变。另外，通过在Y方向上驱动第一光学元件211，发生如图3C和图3D中的每一个所示的具有TY_45分量的畸变。此外，通过在X方向上驱动第一光学元件211，发生如图3A和图3B中的每一个所示的具有TY_0分量的畸变。

当晶片中的曝光次序如图8B中所示时，从在绘图表面的平面中的垂直方向(Y方向)上的相邻压射开始的步进驱动的频率高。当在Y方向上驱动时，在图8B的绘图表面的平面中的垂直方向上，膨胀量改变，使得压射区域具有诸如在绘图表面的平面中的上侧和下侧的长度不同的梯形之类的畸变形状。在这种情况下，Δbase_UD的调整量变为有效。

Δbase_UD的调整与彼此面对的第一光学元件211的第一表面211b和第二光学元件212的第二表面212b中的每一个的三重旋转对称非球面形状相关。通过将第一表面211b和第二表面212b中的每一个形成为由方程(3)表述的具有cos3θ的相位的非球面形状，可以通过互补光学元件的旋转驱动来生成Δbase_UD。在图8B所示的曝光次序的情况下，具有cosθ的相位的非球面表面是期望的。

从生产效率的角度来看，曝光装置一般在压射区域的曝光次序方面具有规律性。如上所述，通过根据晶片中压射区域的曝光次序将彼此面对的第一光学元件211的第一表面211b和第二光学元件212的第二表面212b中的每一个形成为非球面形状，能够利用简单的驱动机构配置来提高重叠准确度。

彼此面对的第一光学元件211的第一表面211b和第二光学元件212的第二表面212b中的每一个的非球面形状的示例包括由方程(1)表述的形状和由方程(3)表述的形状，但是非球面形状不限于此。例如，即使使用以下方程(5)或方程(6)表述的三重旋转对称非球面形状，也能够获得类似的效果：

Z＝f(ρ)cos3θ+E ...(5)

Z＝g(ρ)sin3θ+F ...(6)

其中f(ρ)和g(ρ)是具有变量ρ的函数，并且E和F是常数。

以这种方式，能够通过具有三重旋转对称非球面表面的光学元件的旋转和Z驱动中的至少一个来有效地校正底层的梯形畸变。

<第二实施例>

接下来，将参考图10描述使用像差校正构件21的曝光方法的另一个示例，该像差校正构件21调整具有梯形形状的畸变像差。在步骤S11中，主控制器103在执行曝光之前获取由于前一压射的曝光光引起的晶片变形的影响程度的信息。由于曝光光引起的晶片变形的影响程度基于例如曝光条件(诸如基于曝光能量的热输入参数、与来自前一压射的载物台移动向量相关的参数以及与晶片的物理特性相关的参数)来确定。

与晶片的物理特性相关的参数可以包括线性膨胀系数和导热率。晶片的由于热量引起的膨胀的系数基于线性膨胀系数来确定。此外，由于距前一压射区域的中心的距离在下一个要曝光的压射区域的两端之间不同，因此与晶片的导热率对应的膨胀系数在压射区域的两端之间不同。作为晶片，例如，可以使用具有不同物理特性的基板，诸如Si、GaAs和玻璃基板。此外，可以在底层处理工艺中在晶片上形成Cu层。出于这些原因，可以改变晶片的物理特性。

基于曝光能量的热输入参数可以包括曝光量以及晶片的曝光光反射率和透射率。施加在晶片上的光致抗蚀剂根据其类型而具有预定的适当曝光量。照射能量由压射区域的尺寸和曝光量的乘积确定。通过从照射能量中排除基板的反射光和透射光而获得的能量是有助于晶片的热变形的吸收能量。晶片与吸收能量成比例地热变形。

与载物台移动向量相关的参数包括关于压射之间的节距和多个压射区域的曝光次序的信息。

晶片上的压射之间的节距与执行顺序曝光的曝光装置的压射区域之间的基板载物台的驱动时间相关。因而，从前一压射的曝光完成到目标压射的曝光开始的时间由晶片上的压射之间的节距确定。通过压射的曝光次序来确定前一压射的中心与曝光压射之间的位置关系，并且获得传输到曝光压射的热量的分布。因此，确定了基板膨胀系数在压射两端之间的差异。这指示梯形形状的方向。

此外，当在多个晶片上连续执行曝光时，晶片载物台的热存储量也是重要的参数。这是因为当晶片载物台的温度升高时，安装在上面的晶片热变形。

例如，主控制器103实际上在多个条件中的每个条件下执行曝光、测量作为结果而发生了的畸变以获得针对每个条件的晶片变形的影响程度，并将其存储为数据库(表)。在步骤S11中，主控制器103可以通过参考这个表来获得影响程度。可替代地，可以将针对每个条件的晶片变形的影响程度转换成函数，并且主控制器103可以通过将在曝光时的条件施加于该函数来计算影响程度。

以这种方式，通过获得确定前一压射的曝光热量对晶片变形的影响的参数(条件)，可以预测要生成的梯形分量。

接下来，在步骤S12中，主控制器103基于在步骤S11中获取的影响程度来预测梯形分量生成量。基于预测的梯形分量生成量，主控制器103计算通过光学元件控制器123校正梯形分量所需的光学元件的驱动量。在步骤S13中，主控制器103控制光学元件驱动器22以利用在步骤S12中计算出的驱动量执行第一光学元件211的θZ旋转和Z驱动中的至少一个。在执行了上述像差校正之后，主控制器103在步骤S14中执行曝光。

根据上述曝光方法，即使当由于曝光光的热量引起的晶片变形量根据晶片的物理特性、曝光装置的曝光量、载物台驱动速度等而改变时，也可以在适当地校正畸变的梯形分量的同时执行曝光。

注意的是，在上述实施例中，已经描述了校正梯形分量的示例。但是，校正目标不限于梯形分量。

在上述实施例中，已经示出了可以通过分别在X方向和Y方向上驱动具有例如由方程(1)表述的形状的第一光学元件211来调整TY_0分量和TY_45分量。因此，通过组合θZ旋转、Z驱动、在X方向上的驱动和在Y方向上的驱动，变得可以在任意方向上调整垂直/水平倍率差分量并校正梯形形状。

如上面已经描述的，通过θZ旋转来执行对于晶片上的大多数压射区域所需的Δbase_LR的调整。另外，通过分别执行在X方向上的驱动和在Y方向上的驱动来调整TY_0分量和TY_45分量。由于这两者都是在水平方向上对第一光学元件211的驱动，因此简单的驱动机构配置可以实现校正。

如上面已经描述的，根据实施例，像差校正构件包括用于包括三重旋转对称非球面表面的光学元件的θZ旋转机构和Z驱动机构中的至少一个。因此，可以获取由于前一压射的曝光光引起的基板变形的影响程度，并且有效地校正梯形畸变。

注意的是，本发明不限于测量底层的畸变和校正根据底层的梯形分量。还可以校正第一层的畸变的梯形分量，以使其形成为接近期望形状(诸如网格)的畸变，从而在针对第二层和后续层执行曝光时提高重叠准确度。

<物品制造方法的实施例>

根据本发明的实施例的物品制造方法适当地制造物品，例如，诸如半导体器件之类的微器件或具有微结构的元件。这个实施例的物品制造方法包括通过在施加于基板上的光致抗蚀剂上使用上述曝光装置来形成潜影图案的步骤(使基板曝光的步骤)，以及对在上述步骤中已经在上面形成潜影图案的基板进行显影的步骤。此外，制造方法包括其它众所周知的步骤(例如，氧化、膜形成、沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂去除、切割(dicing)、粘合和封装)。这个实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一项方面比常规方法更有利。

其它实施例

本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及通过由系统或装置的计算机通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)^TM)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。

虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释，以涵盖所有这种修改以及等同的结构和功能。

Claims (14)

1.一种曝光装置，经由投影光学系统将原件的图案投影到基板上并对基板进行曝光，所述装置包括：

像差校正构件，布置在原件和基板之间的曝光光的光路上；以及

驱动器，配置为驱动像差校正构件，

其中像差校正构件包括

第一光学元件，包括相对于曝光光的光轴具有三重旋转对称非球面形状的第一表面，以及

第二光学元件，沿着光轴与第一光学元件间隔开并且包括面对第一表面并且具有与第一表面的非球面形状互补的非球面形状的第二表面，以及

驱动器执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的绕光轴的旋转和沿着光轴的驱动中的至少一个，以补偿基板的压射区域的形状的梯形分量。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，当平行于光轴的方向是Z轴并且在与Z轴正交的平面上彼此垂直的方向是X轴和Y轴时，通过驱动器执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的绕Z轴的旋转和沿着Z轴的驱动中的至少一个，压射区域的沿着Y轴的方向上的两侧的长度和沿着X轴的方向上的两侧的长度被校正。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括控制器，该控制器被配置为控制绕光轴的旋转的旋转量和沿着光轴的驱动的驱动量中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的装置，其中驱动器还执行第一光学元件和第二光学元件中的至少一个的在与光轴正交的方向上的驱动。

5.根据权利要求1所述的装置，其中像差校正构件布置在原件和投影光学系统之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中像差校正构件设置在投影光学系统中。

7.根据权利要求1所述的装置，其中像差校正构件设置在被配置为保持原件的分划板载物台中。

8.根据权利要求3所述的装置，其中控制器获取用作基板的底层的压射区域的形状的数据，并且基于所获取的数据，控制绕光轴的旋转的旋转量和沿着光轴的驱动的驱动量中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的装置，还包括测量设备，该测量设备被配置为测量压射区域的形状，

其中控制器从测量设备获取压射区域的形状的数据。

10.根据权利要求3所述的装置，其中控制器获取基板的变形的影响程度的信息，并且基于所获取的信息，控制绕光轴的旋转的旋转量和沿着光轴的驱动的驱动量中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的装置，其中信息包括基板的多个压射区域的曝光次序的信息。

12.根据权利要求11所述的装置，其中信息还包括以下各项中的至少一项：相对于基板上的光致抗蚀剂的曝光量、保持基板的基板载物台的热存储量、基板载物台在压射区域之间的驱动时间，以及基板的线性膨胀系数、导热率、曝光光反射率和透射率。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，基于所述基板的变形的影响程度来预测梯形分量。

14.一种物品制造方法，包括：

使用权利要求1至13中的任一项所述的曝光装置，对基板进行曝光，以及

对经曝光的基板进行显影，

其中从经显影的基板制造物品。