JP6139870B2 - 露光方法、露光装置および物品の製造方法 - Google Patents

露光方法、露光装置および物品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、露光方法、露光装置および物品の製造方法に関する。
液晶パネルや半導体デバイスなどの製造では、マスクやレチクルなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラス板やウェハなどの基板に転写する露光工程が含まれる。そして、このような露光工程では、解像線幅を小さくするとともに、基板上に転写されるパターンの線幅を高精度に制御することが要求されている。
しかしながら、解像線幅を小さくすると焦点深度が浅くなってしまうため、基板表面の凹凸形状によるデフォーカスが大きな問題となってしまう。例えば、液晶パネルに用いられるガラス基板の表面には、その製造方法により、一定方向に沿って大きな凹凸形状が生じてしまう。このように基板表面に凹凸形状が生じていると、基板表面を焦点深度の範囲内に収めることができず、即ち、デフォーカスが発生してしまい、パターンの線幅を高精度に制御することが困難になってしまいうる。そこで、走査型の露光装置において、当該一定方向を露光装置の走査方向に一致させ、基板表面の凹凸形状によるデフォーカス量に応じて光源の強度を調整する方法が提案されている（特許文献１参照）。また、走査方向における基板表面の凹凸形状に応じて基板ステージの高さを調整する方法も提案されている（特許文献２参照）。
特開２００５−１１６５７４号公報 特開２００１−０３６０８８号公報
特許文献１および２に記載された方法では、走査方向における基板表面の凹凸形状に応じて光源の強度や基板ステージの高さを調整しているため、走査方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差を抑制することができる。しかしながら、近年、回路パターンの微細化や高集積化に伴って、基板上に転写されるパターンの線幅を更に高精度に制御することが要求されている。そのため、走査方向における位置だけでなく、走査方向と異なる方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差も抑制することが重要になってきている。
そこで、本発明は、基板上に転写されるパターンの線幅を高精度に制御する上で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
本発明の１つの側面は、スリット光が入射する基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系を用いて、前記スリット光により前記基板の走査露光を行う露光方法であって、前記基板の前記走査露光において前記基板が走査されているときに、前記スリット光が入射する領域よりも前記基板の走査方向における上流側の領域を計測する計測部によって、前記基板の表面形状を計測する計測工程と、前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、前記走査方向と異なる方向に沿った前記領域の各位置における目標露光量の分布を、前記計測工程で計測された前記表面形状に基づいて決定する決定工程と、前記各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記異なる方向における前記領域の露光量の分布を前記照明光学系を用いて調整しながら、前記基板の前記走査露光を行う露光工程と、を含む。
本発明によれば、例えば、基板上に転写されるパターンの線幅を高精度に制御する上で有利な技術を提供することができる。
第１実施形態の露光装置を示す図である。 第１実施形態のスリット規定部材を示す図である。 第１実施形態の計測部の構成を示す図である。 第１実施形態の露光装置における露光方法を示すフローチャートである。 フォーカス−線幅誤差特性、および線幅誤差−露光量特性を示す図である。 第２実施形態の露光装置を示す図である。 第３実施形態の露光装置を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、基板面上で互いに直交する方向をそれぞれＸ方向およびＹ方向とし、基板面に直交する方向をＺ方向とする。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。第１実施形態の露光装置１００は、スリット光により基板を走査露光する露光装置であり、照明光学系１と、アライメントスコープ２と、投影光学系４と、基板ステージ１７と、計測部１８と、制御系１９とを含む。また、原版３は、アライメントスコープ２と投影光学系４との間に配置されており、基板１６は、基板ステージ１７に保持されている。
照明光学系１は、例えば、光源５と、第１コンデンサレンズ６と、フライアイレンズ７と、平面鏡１１と、第２コンデンサレンズ８と、スリット規定部材９と、結像光学系１０とを含む。光源５は、例えば、高圧水銀ランプと楕円ミラーとを含みうる。光源５により射出された光は、第１コンデンサレンズ６およびフライアイレンズ７を通過した後、平面鏡１１によって光路を折り曲げられ、スリット規定部材９に入射する。スリット規定部材９は、原版３の照明範囲（即ち、原版３を照明するスリット光の断面形状）を、例えば、Ｘ方向に長い円弧状になるように規定する。結像光学系１０は、スリット規定部材９によって規定されたスリット光を投影光学系４の物体面（原版３）に照明させるように配置されている。また、アライメントスコープ２は、原版３のアライメントマークと基板１６のアライメントマークとを、投影光学系４を介して同時に検出する。
投影光学系４は、第１平行平板１３ａ、平面鏡１４、凹面鏡１２、凸面鏡１５および第２平行平板１３ｂを含むように構成されており、照明光学系１により照明される原版３のパターンの像を基板１６に投影する。原版３は投影光学系４の物体面に、基板１６は投影光学系４の像面にそれぞれ配置されている。投影光学系４は、等倍結像光学系、拡大結像光学系および縮小結像光学系のいずれとしても構成されうるが、第１実施形態の露光装置１００では等倍の光学系として構成されている。原版３を通過したスリット光は、第１平行平板１３ａ、平面鏡１４の第１面１４ａ、凹面鏡１２の第１面１２ａ、凸面鏡１５、凹面鏡１２の第２面１２ｂ、平面鏡１４の第２面１４ｂ、および第２平行平板１３ｂを経て基板１６上に入射する。これにより、照明光学系１により照明された原版３のパターンの像は、基板上に結像される。
このように構成された露光装置１００では、原版３と基板１６とを、基板面と平行な方向（第１実施形態ではＹ方向）に、投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で走査させることにより、原版３のパターンを基板１６に転写することができる。そして、このような露光装置１００では、解像線幅を小さくするとともに、基板上に転写されるパターンの線幅を高精度に制御することが要求されている。しかしながら、解像線幅を小さくすると焦点深度が浅くなってしまうため、基板表面の凹凸形状によるデフォーカスが大きな問題となってしまう。例えば、液晶パネルに用いられるガラス基板の表面には、その製造方法により、一定方向に沿って大きな凹凸形状が生じてしまう。このように基板表面に凹凸形状が生じていると、基板表面を焦点深度の範囲内に収めることができず、即ち、デフォーカスが発生してしまい、パターンの線幅を高精度に制御することが困難になってしまいうる。そこで、走査型の露光装置において、当該一定方向を露光装置の走査方向に一致させ、基板表面の凹凸形状によるデフォーカス量に応じて光源の強度や基板ステージの高さを調整する方法が、特許文献１および２に提案されている。
特許文献１および２に記載された方法では、走査方向における基板表面の凹凸形状に応じて光源の強度や基板ステージの高さを調整しているため、走査方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差を抑制することができる。しかしながら、近年、回路パターンの微細化や高集積化に伴って、基板上に転写されるパターンの線幅を更に高精度に制御することが要求されている。そのため、走査方向における位置だけでなく、走査方向と異なる方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差も抑制することが重要になってきている。そこで、第１実施形態の露光装置１００は、走査方向（Ｙ方向）と異なる第１方向（第１実施形態ではＸ方向）におけるパターンの線幅も制御できるように構成されている。
第１実施形態では、照明光学系１のスリット規定部材９が、第１方向の位置に応じてスリット光の形状を変更できるように構成されている。これにより、スリット光が入射する基板上の領域（入射領域）において、第１方向の露光量の分布を調整し、パターンの線幅の誤差を抑制することができる。また、露光装置１００は、第１方向（Ｘ方向）における基板１６の表面形状を計測する計測部１８と、基板１６の表面形状に基づいて照明光学系１（スリット規定部材９）を制御する制御系１９とを含む。以下に、スリット規定部材９、計測部１８および制御系１９について説明する。
まず、第１実施形態のスリット規定部材９の構成について、図２を参照しながら説明する。図２に、第１実施形態のスリット規定部材９の構成を示す。スリット規定部材９は、例えば、第１ブレード９ａと複数の第２ブレード９ｂとを含む。複数の第２ブレード９ｂは第１方向（Ｘ方向）に沿って配列しており、各第２ブレード９ｂには、それを走査方向（Ｙ方向）に駆動するための駆動機構（不図示）が備えられている。そして、駆動機構により、第１ブレード９ａに対して各第２ブレード９ｂを走査方向に移動させる、即ち、第１ブレード９ａと各第２ブレード９ｂとの間の距離（スリット幅）を変えることで、スリット光における走査方向の幅をそれぞれ調整することができる。例えば、第２ブレード９ｂ１をＹ方向に沿って移動させることにより、第１ブレード９ａと第２ブレード９ｂ１との間のスリット幅を変えることができる。これにより、第１ブレード９ａと第２ブレード９ｂ１により規定されたスリット光において、走査方向（Ｙ方向）の幅を変えることができるため、露光時間を調整することができる。第１実施形態ではスリット光の入射領域において照度が一定であるため、露光時間を調整することは、露光量を調整することを意味している。ここで、図２では、スリット光の断面形状を円弧状としているが、それに限られるものではなく、例えば矩形形状としてもよい。
次に、基板１６の表面形状を計測する計測部１８について、図３を参照して説明する。計測部１８は、投影光学系４においてスリット光が射出する部分より、走査方向における上流側（Ｙ方向側）に配置されている。即ち、計測部１８は、スリット光が入射する基板上の領域より、走査方向における上流側の基板の表面形状を計測できるように配置されている。そして、計測部１８は、照射部３１ａと受光部３１ｂとにより構成される計測ユニット３０を、例えば、スリット規定部材９における第２ブレード９ｂの数と同じ数だけ複数含んでいる。複数の計測ユニット３０は、各第２ブレード９ｂに対応するように、走査方向と異なる第１方向（Ｘ方向）に沿って配列している。各計測ユニット３０に含まれる照射部３１ａは、基板１６の被露光面に対して斜めから光を照射する。また、各計測ユニット３０に含まれる受光部３１ｂは、同じ計測ユニット３０に含まれる照射部３１ａから射出され、被露光面で反射した光を受光する。受光部３１ｂは、例えば、ＣＣＤで構成されており、受光した光の強度を電気信号に変換し、計測ユニット３０と被露光面との距離を計測する。このように構成された計測部１８は、基板ステージ１７を−Ｙ方向に移動させて走査露光している際に、スリット光が入射する基板上の領域における表面形状を、当該領域が露光される前に計測することができる。例えば、基板上の位置３２ａを露光する場合、位置３２ａがスリット光により露光される前に、位置３２ａにおける表面形状を計測部１８の計測ユニット３０ａにより計測することができる。このように、複数の計測ユニット３０をＸ方向に沿って配列し、走査露光の際に表面形状を計測できるように計測部１８を構成することで、基板の表面形状を計測する時間を短縮することができる。ここで、第１実施形態の計測部１８は、基板ステージ１７を−Ｙ方向に移動させて走査露光している際に表面形状を計測しているが、それに限られるものではない。例えば、走査露光を開始する前に、基板ステージ１７をＸＹ方向に移動させて基板全面の表面形状を予め計測してもよい。この場合、計測部１８は、計測ユニット３０を１つだけ含むように構成されてもよい。
制御系１９は、計測部１８により計測された基板１６の表面形状に基づいて、照明光学系１（スリット規定部材９）を制御する。制御系１９は、ステージ駆動部１９ａと、決定部１９ｂと、調整部１９ｃと、記憶部１９ｄとを含むように構成されている。ステージ駆動部１９ａは、基板ステージ１７を走査方向であるＹ方向だけでなく、Ｘ方向およびＺ方向にも駆動する。決定部１９ｂは、基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差が許容範囲に収まるように、少なくとも第１方向に沿った基板上の各位置における目標露光量の分布を、計測部１８により計測された基板１６の表面形状に基づいて決定する。調整部１９ｃは、基板上の各位置における露光量がそれぞれ目標露光量になるように、スリット規定部材９における各第２ブレード９ｂの移動を制御し、第１方向における基板の露光量の分布を調整する。記憶部１９ｄは、実験やシミュレーションなどにより予め取得したフォーカス−線幅誤差特性（図５（ａ））および線幅誤差−露光量特性（図５（ｂ））を記憶する。図５（ａ）に示すフォーカス−線幅誤差特性は、フォーカスに対する、当該フォーカスで露光を行った際に基板上に形成されるパターンの線幅と目標線幅との差（線幅誤差）を示す特性である。目標線幅とは、ベストフォーカスで露光を行った際に基板上に形成されるパターンの線幅をいう。また、図５（ｂ）に示す線幅誤差−露光量特性は、線幅誤差に対する、当該線幅誤差を抑制することができる露光量（目標露光量）を示す特性である。
ここで、第１実施形態の露光装置１００において、基板１６の表面形状に基づいてスリット規定部材９を制御しながら露光する方法を、図４を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態の露光装置１００における露光方法を示すフローチャートである。Ｓ４１では、制御系１９は、基板１６（被露光面）における光軸方向（Ｚ方向）の位置が、図５（ａ）のベストフォーカス位置になるように、ステージ駆動部１９ａにより基板ステージ１７を駆動する。Ｓ４２では、制御系１９は、計測部１８で計測された基板１６の表面形状を決定部１９ｂにより取得する。Ｓ４３では、制御系１９は、基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差が許容範囲に収まるように、Ｓ４２で取得された表面形状に基づいて、基板上の各位置における目標露光量を決定部１９ｂにより決定する。決定部１９ｂは、各計測ユニット３０により計測された基板１６の表面形状に基づいてデフォーカス量（ベストフォーカスからのずれ量）を算出し、当該デフォーカス量において露光した際の線幅誤差を、記憶部１９ｄに記憶された図５（ａ）を用いて導出する。そして、決定部１９ｂは、記憶部１９ｄに記憶された図５（ｂ）を用いて、図５（ａ）により導出された線幅誤差を抑制することができる露光量(目標露光量)を決定する。例えば、図３に示す計測ユニット３０ａは基板上の位置３２ａにおける高さ（Ｚ方向）を計測する。そして、決定部１９ｂは、この位置３２ａにおける高さに基づいてデフォーカス量Ａを算出し、当該デフォーカス量Ａにおいて露光を行った際に基板上の位置３２ａに形成されるパターンの線幅と目標線幅との差（線幅誤差Ｂ）を図５（ｂ）を用いて導出する。決定部１９ｂは、この線幅誤差Ｂを抑制することができる目標露光量Ｃを、図５（ｂ）を用いて決定する。同様に、決定部１９ｂは、基板上の各位置３２ａ〜３２ｄにおける目標露光量をそれぞれ決定する。これにより、決定部１９ｂは、少なくとも第１方向に沿った基板上の各位置における目標露光量の分布を決定することができる。ここで、第１実施形態の決定部１９ｂでは、目標露光量を決定する際に２つの特性が用いられているが、それに限られるものではない。例えば、デフォーカス量から目標露光量を直接決定できるように、デフォーカス量−露光量特性を実験やシミュレーションより予め取得し、決定部１９ｂは、デフォーカス量から目標露光量を当該特性を用いて直接決定してもよい。
Ｓ４４では、制御系１９は、基板上の各位置における露光量が目標露光量になるように、第１方向（Ｘ方向）における基板の露光量の分布を調整部１９ｃにより調整する。また、Ｓ４５では、調整された露光量の分布に基づいて、基板を走査露光する。調整部１９ｃは、スリット規定部材９における各第２ブレード９ｂの位置（Ｙ方向）をそれぞれ調整し、スリット光のＹ方向（走査方向）の幅を変更する。例えば、図３に示す計測ユニット３０ａにより計測された基板上の位置３２ａは、計測ユニット３０ａによる計測後、スリット光の入射領域に移動する。このとき、調整部１９ｃは、計測ユニット３０ａに対応する、スリット規定部材９における第２ブレード９ｂ１のＹ方向の位置を調整し、位置３２ａが第１ブレード９ａと第２ブレード９ｂ１の間を通過する距離を変更する。これにより、位置３２ａが第１ブレード９ａと第２ブレード９ｂ１の間を通過する時間、即ち、位置３２ａにスリット光が照射される時間（露光時間）を調整することができる。第１実施形態では、スリット光の入射領域において照度が一定であるため、調整部１９ｃが第２ブレード９ｂ１のＹ方向の位置を調整することにより、位置３２ａにおける露光量を目標露光量に近づけることができる。その結果、基板上の位置３２ａに形成されるパターンの線幅を目標線幅に近づけることができる。同様に、調整部１９ｃが第２ブレード９ｂ２〜９ｂ４のＹ方向の位置を調整することにより、基板上の各位置３２ｂ〜３２ｄにおける露光量を目標露光量に近づけることができ、各位置３２ｂ〜３２ｄに形成されるパターンの線幅を目標線幅に近づけることができる。このように、第１実施形態では、スリット規定部材９における各第２ブレード９ｂのＹ方向の位置を調整部１９ｃにより調整し、スリット光の入射領域における第１方向（Ｘ方向）の露光量の分布を調整している。これより、基板上における複数の位置で、パターンの線幅を高精度に制御することができる。
ここで、第１実施形態では、基板１６（被露光面）の光軸方向（Ｚ方向）の位置を一定とした状態で、Ｘ方向の露光量の分布を調整して走査露光を行ったが、それに限られるものではない。例えば、スリット光の入射領域におけるＺ方向の平均位置、即ち、計測部１８の各計測ユニット３０で計測された各位置３２の高さ（Ｚ方向）の平均値がベストフォーカス位置になるように、基板１６のＺ方向の位置を変えながら走査露光を行ってもよい。この場合、制御系１９は、基板１６のＺ方向の位置を考慮して、露光量の分布（Ｘ方向）を調整する必要がある。
上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、走査方向と異なる第１方向における基板１６の表面形状を計測し、その計測結果に基づいて、照明光学系１のスリット規定部材９によりスリット光の入射領域における露光量の分布（第１方向）を調整する。これにより、露光装置１００は、走査方向における位置だけでなく、走査方向と異なる第１方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差も抑制することができる。即ち、露光装置１００は、基板上に転写されるパターンの線幅を、基板全面において高精度に制御することができる。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態の露光装置２００について、図６を参照しながら説明する。第２実施形態の露光装置２００は、第１実施形態の露光装置１００と比較して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整する方法が異なっている。露光装置２００では、スリット光の入射領域において、走査方向と異なる第１方向（Ｘ方向）における露光量の分布が調整可能になるように、複数の光源（光源アレイ２１）がスリット規定部材９におけるスリット形状に基づいて配置されている。例えば、当該スリット形状が円弧状であれば、光源アレイ２１における複数の光源も円弧状に配列される。そして、露光装置２００は、スリット規定部材９におけるスリット幅でなく、各光源から射出される光の強度を制御系１９によりそれぞれ制御して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整している。
図６は、第２実施形態の露光装置２００を示す図である。第２実施形態の照明光学系１は、複数の光源が、例えば、スリット規定部材９におけるスリット形状に基づいて円弧状に配列した光源アレイ２１を含む。そして、光源アレイ２１の各光源では、計測部１８の各計測ユニット３０により計測された基板上の各位置３２の高さ（Ｚ方向）に基づいて、射出する光の強度が制御系１９により制御される。制御系１９は、ステージ駆動部１９ａと、決定部１９ｂと、調整部１９ｃと、記憶部１９ｄとを含むように構成されている。ここでは、ステージ駆動部１９ａ、決定部１９ｂおよび記憶部１９ｃについては、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。調整部１９ｃは、基板上の各位置における露光量が決定部１９ｂにより決定された目標露光量になるように、光源アレイ２１の各光源において光の強度を調整する。例えば、図３に示す計測ユニット３０ａにより計測された位置３２ａは、計測ユニット３０ａによる計測後、スリット光の入射領域に移動する。このとき、調整部１９ｃは、位置３２ａに照射される光を射出する光源において、射出する光の強度を調整する。第２実施形態では、スリット規定部材９におけるスリット幅が一定、即ち、位置３２ａに光が照射される時間（露光時間）が一定である。そのため、位置３２ａに照射される光の照度を調整することにより、位置３２ａにおける露光量を目標露光量に近づけることができる。ここで、図６において、照明光学系１は、１枚の第１コンデンサレンズ６で構成されているが、各光源に対応するように複数の第１コンデンサレンズで構成してもよい。
上述したように、第２実施形態の露光装置２００では、照明光学系１は、スリット光の入射領域において、走査方向と異なる第１方向における露光量の分布を調整できるように複数の光源を含んでいる。そして、露光装置２００は、第１方向における基板の表面形状を計測し、その計測結果に基づいて各光源における光の強度をそれぞれ調整することにより、第１方向における基板の露光量の分布を調整している。これにより、露光装置２００は、走査方向における位置だけでなく、走査方向と異なる第１方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差も抑制することができる。即ち、露光装置２００は、基板上に転写されるパターンの線幅を、基板全面において高精度に制御することができる。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態の露光装置３００について、図７を参照しながら説明する。第３実施形態の露光装置３００は、第１実施形態の露光装置１００と比較して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整する方法が異なっている。露光装置３００では、照明光学系１に、平面鏡１１として、光源５から射出された光の方向を変える複数のミラーを有するデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）２３を含んでいる。そして、露光装置３００は、ＤＭＤ２３に含まれる各ミラーにおける光の反射方向を制御系１９により個別に制御して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整している。
図７は、第３実施形態の露光装置３００を示す図である。第３実施形態の照明光学系１は、光源５から射出された光の方向を変える複数のミラーを有するＤＭＤ２３を含む。そして、ＤＭＤ２３の各ミラーでは、計測部１８の各計測ユニット３０により計測された基板上の各位置３２の高さ（Ｚ方向）に基づいて、各ミラーの角度が制御系１９により個別に制御される。これにより、各ミラーにおける光の反射方向を変更することができ、スリット光の入射領域において、露光量を増加させたい部分に光を局所的に集めることができる。制御系１９は、ステージ駆動部１９ａと、決定部１９ｂと、調整部１９ｃと、記憶部１９ｄとを含むように構成されている。ここでは、ステージ駆動部１９ａ、決定部１９ｂおよび記憶部１９ｃについては、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。調整部１９ｃは、基板上の各位置における露光量が決定部１９ｂにより決定された目標露光量になるように各ミラーの角度を個別に調整する。例えば、図３に示す計測ユニット３０ａにより計測された位置３２ａは、計測ユニット３０ａによる計測後、スリット光の入射領域に移動する。このとき、調整部１９ｃは、例えば、位置３２ａの露光量を増加させたい場合は、位置３２ａに光が集まるように各ミラーの角度を調整する。第３実施形態では、スリット規定部材９におけるスリット幅が一定、即ち、位置３２ａに光が照射される時間（露光時間）が一定である。そのため、位置３２ａに照射される光の照度を調整することにより、位置３２ａにおける露光量を目標露光量に近づけることができる。
上述したように、第３実施形態の露光装置３００では、スリット光の入射領域において、走査方向と異なる第１方向における露光量の分布を調整できるように、照明光学系１に平面鏡１１としてＤＭＤ２３が含まれている。ＤＭＤ２３は、光源５から射出された光の方向を変える複数のミラーを有する。そして、露光装置３００は、第１方向における基板１６の表面形状を計測し、その計測結果に基づいて各ミラーの角度を個別に調整することにより、第１方向における基板の露光量の分布を調整している。これにより、露光装置３００は、走査方向における位置だけでなく、走査方向と異なる第１方向における位置に応じて生じるパターンの線幅の誤差も抑制することができる。即ち、露光装置３００は、基板上に転写されるパターンの線幅を、基板全面において高精度に制御することができる。
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Claims (10)

  1. スリット光が入射する基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系を用いて、前記スリット光により前記基板の走査露光を行う露光方法であって、
    前記基板の前記走査露光において前記基板が走査されているときに、前記スリット光が入射する領域よりも前記基板の走査方向における上流側の領域を計測する計測部によって、前記基板の表面形状を計測する計測工程と、
    前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、前記走査方向と異なる方向に沿った前記領域の各位置における目標露光量の分布を、前記計測工程で計測された前記表面形状に基づいて決定する決定工程と、
    前記各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記異なる方向における前記領域の露光量の分布を前記照明光学系を用いて調整しながら、前記基板の前記走査露光を行う露光工程と、
    を含む、ことを特徴とする露光方法。
  2. 前記露光工程では、前記スリット光における前記走査方向の幅を変更することにより、前記異なる方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
  3. 前記照明光学系は、前記スリット光を規定する第１ブレードと複数の第２ブレードとを含み、
    前記露光工程では、前記第１ブレードに対して各第２ブレードを前記走査方向に移動させることにより、前記スリット光における前記走査方向の幅を変更する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
  4. 前記照明光学系は、複数の光源を含み、
    前記露光工程では、前記複数の光源の各々から射出される光の強度を変更することにより前記異なる方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
  5. 前記照明光学系は、光源から射出された光の方向を変える複数のミラーを有するデジタルミラーデバイスを含み、
    前記露光工程では、前記複数のミラーの各々の角度を個別に変更することにより前記異なる方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
  6. 前記露光工程では、前記領域における光軸方向の平均位置がベストフォーカス位置になるように前記基板の前記光軸方向の位置を変えながら走査露光する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光方法。
  7. 前記計測部は、前記異なる方向に沿って配置された複数の計測ユニットを含み、
    前記計測工程では、前記複数の計測ユニットを使って、前記基板の前記走査露光において前記基板が走査されているときに、前記基板の表面形状を計測する、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光方法。
  8. スリット光により基板を走査露光する露光装置であって、
    前記スリット光が入射する前記基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系と、
    前記基板の前記走査露光において前記基板が走査されているときに、前記スリット光が入射する領域よりも前記基板の走査方向における上流側の領域を計測することによって前記基板の表面形状を計測する計測部と、
    前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、前記走査方向と異なる方向に沿った前記領域の各位置における目標露光量の分布を、前記計測部により計測された前記表面形状に基づいて決定する決定部と、を有し、
    前記照明光学系は、前記基板の前記走査露光において前記基板が走査されているときに、前記各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記異なる方向における前記領域の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする露光装置。
  9. 前記計測部は、前記異なる方向に沿って配置された複数の計測ユニットを含む、ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
  10. 請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
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