JP5773735B2 - 露光装置、および、デバイス製造方法 - Google Patents
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Description
L1Y≧L2Y+2×DY (1)
L1X≧L2X+2×DX (2)
(A)光15の強度が最大となる基板ステージ7のZ位置を合焦位置Z0とする。
(B)光15の最大強度に対して、予めある割合のスライスレベルを設定し、このスライスレベルの出力に対応する基板ステージ7のZ1、Z2の各位置から、Z0=(Z1+Z2)/2として、合焦位置Z0を算出する。
(C)光15の強度および基板ステージ7のZ位置に対して重心計算を行い、重心位置を合焦位置Z0とする。
(D)光15の強度および基板ステージ7のZ位置に対して2次関数(y=a×x2+b×x+c)の近似を実行し、Z0=−b/2aとして合焦位置Z0を算出する。この場合、予めある割合のスライスレベルを設定し、このスライスレベル以上の光15の強度を示す基板ステージ7のZ位置から2次関数の近似を実行することが望ましい。
以上の工程により、制御系8は、原版側合焦用マーク10aに対応する像高における合焦位置の算出を完了するが、他の原版側合焦用マーク10b、10cに対応するものについても、同様の手順にて合焦位置の算出を実行する。
L2Y≧L1Y+2×DY (3)
L2X≧L1X+2×DX (4)
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
2 照明系
3 原版
4 原版ステージ
5 投影光学系
6 基板
7 基板ステージ
8 制御部
10 原版側合焦用マーク
11 基板側合焦用マーク
12 光検出部
12a 受光部
12b 受光部
M1V 原版ステージ側のVマーク
M1H 原版ステージ側のHマーク
M2V 基板ステージ側のVマーク
M2H 基板ステージ側のHマーク
Claims (4)
- 投影光学系を介して原版のパターンを基板に投影して露光する露光装置であって、
前記原版を保持し、前記投影光学系の光軸に直交する第1方向、および、前記光軸および前記第1方向に直交する第2方向に可動で、第1マークおよび第2マークを有する原版保持部と、
前記基板を保持し、前記第1方向および前記第2方向に可動な基板保持部と、
前記基板保持部に設けられ、遮光部、前記遮光部に形成された第1開口および前記第1開口を通過した前記第1マークの投影像を受光する第1受光部、および、前記遮光部に形成された第2開口および前記第2開口を通過した前記第2マークの投影像を受光する第2受光部を有する検出部と、
前記原版保持部を前記第2方向に移動させながら前記基板保持部を前記第1方向に移動させることにより前記第1方向における前記原版保持部と前記基板保持部との位置合わせ計測および前記第2方向における前記原版保持部と前記基板保持部との位置合わせ計測を同時に実行し、前記検出部の出力に基づいて前記原版保持部と前記基板保持部との位置合わせを実行する制御部と、を備え、
前記第1マークの前記第2方向の長さをL1Yとし、
前記第2マークの前記第1方向の長さをL1Xとし、
前記第1開口の前記第2方向の長さをL2Yとし、
前記第2開口の前記第1方向の長さをL2Xとし、
前記第1方向における位置合わせに要求される前記原版保持部の移動量をDXとし、
前記第2方向における位置合わせに要求される前記原版保持部の移動量をDYとすると、
L1Y≧L2Y+2×DY、および、L1X≧L2X+2×DXが成立するように構成されている、
または、L2Y≧L1Y+2×DY、および、L2X≧L1X+2×DXが成立するように構成されていることを特徴とする露光装置。 - 前記制御部は、前記第1方向における位置合わせを行わせるとともに前記第2方向における位置合わせを行わせた後に、前記原版保持部または前記基板保持部を前記投影光学系の前記光軸に平行な方向に移動させたときの前記検出部の出力に基づいて、合焦位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記検出部は、光電変換素子を含む、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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JP2011104488A JP5773735B2 (ja) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | 露光装置、および、デバイス製造方法 |
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JP2011104488A JP5773735B2 (ja) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | 露光装置、および、デバイス製造方法 |
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JP2012235065A5 JP2012235065A5 (ja) | 2014-07-03 |
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