KR101879263B1

KR101879263B1 - 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법

Info

Publication number: KR101879263B1
Application number: KR1020150066380A
Authority: KR
Inventors: 타쿠로 츠지카와; 아쓰시 카와하라; 이세이 후나요시; 신이치 에가시라
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2014-05-22
Filing date: 2015-05-13
Publication date: 2018-07-17
Also published as: KR20150135089A; JP2015222773A; US20150338746A1; JP6448220B2; TW201544913A; US9575413B2; TWI572991B

Abstract

노광장치는, 기판 위에 형성된 복수의 하지의 숏 영역의 각각에 노광을 순차 행하며, 제어부를 구비한다. 제어부는, 복수의 숏 영역 각각의 형상의 정보에 근거하여, 숏 영역을 분할하지 않고 일괄 노광을 행할지 또는 분할 노광을 행할지의 판단을 복수의 숏 영역의 각각에 대해 행하고, 분할 노광을 행할 숏 영역 내부의 각각의 부분 영역의 형상을 결정하고, 판단의 결과 및 결정된 각 부분 영역의 형상에 근거하여 복수의 숏 영역의 각각에 일괄 노광 또는 분할 노광을 행하도록 노광을 제어하도록 구성된다.

Description

노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법{EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.

종래, 반도체 노광장치(소위 "스텝퍼"등)에 있어서의 얼라인먼트는, 반도체 웨이퍼 등의 기판 위의 미리 설정된 다수의 숏(shot) 영역에 관련되는 위치 또는 위치 에러를 계측한 후, 이것들에 근거하여 각 숏 영역에 대한 숏 배열을 결정한다. 이 결정된 숏 배열을 사용하여 레티클 등의 원판에 대응하는 위치에, 웨이퍼 위에 각 숏 영역을 순서대로 얼라인먼트하는, 소위 "글로벌 얼라인먼트"가 이용되고 있다.

제조공정의 복잡도 증가와, 반도체에서 진행되고 있는 미세화, 고집적도화 및 고화각화의 결과인 복잡화에 기인한 숏 영역의 형상의 왜곡을 보정할 목적으로, 글로벌 얼라인먼트 이외에, 숏 영역 자신의 배율 성분 및 회전 성분의 보정도 행해지고 있다. 이 기술은, 일본국 특개 2003-92252호 공보에 개시되어 있다. 숏 영역의 형상에 왜곡을 생기게 하는 공정으로서는, 웨이퍼를 얇게 절삭하는 공정과, 얇게 한 웨이퍼를 서포트 기판에 가압하면서 붙이는 공정 등이 알려져 있다. 한편, 얼라인먼트 정밀도를 한층 더 향상시킬 목적으로, 웨이퍼 위의 한 개의 노광 영역의 전부를 노광하는 것이 아니라, 위치 어긋남에 따라 웨이퍼를 다수의 노광 영역으로 분할하는 분할 노광이 일본국 특개 2005-3965호 공보에서 제안되어 있다.

그렇지만, 스텝-앤드-리피트(step-and-repeat) 방식의 반도체 노광장치에서 처리된 웨이퍼는 다수의 숏 영역을 가지므로, 숏 영역의 형상의 왜곡 보정에 필요한 얼라인먼트 마크의 계측에 시간이 거리는 경우가 많다. 따라서, 숏 영역의 형상의 왜곡의 보정을 실시하면 스루풋이 크게 저하하는 문제가 있었다. 또한, 분할 노광을 위해서는, 분할을 통해 얻어진 영역의 형상과 위치 어긋남 량 등의 산출이 필요하여, 스루풋이 더욱 저하한다는 문제가 있었다.

본 발명은, 숏 영역의 형상의 보정 면에서 유용한 노광장치를 제공한다.

일면에 따르면, 본 발명은, 기판 위에 형성된 복수의 하지의(underlying) 숏 영역의 각각에 노광을 순차 행하는 노광장치로서, 상기 복수의 숏 영역 각각의 형상의 정보에 근거하여, 숏 영역을 분할하지 않고 상기 숏 영역을 일괄하여 노광하는 일괄 노광(one-shot exposure)을 행할지 또는 숏 영역을 복수의 부분 영역으로 분할해서 부분 영역 각각을 별도로 노광하는 분할 노광을 행할지의 판단을 상기 복수의 숏 영역의 각각에 대해 행하고, 상기 분할 노광을 행할 상기 숏 영역 내부의 각각의 부분 영역의 형상을 결정하고, 상기 판단의 결과 및 상기 결정된 각 부분 영역의 형상에 근거하여 상기 복수의 숏 영역의 각각에 상기 일괄 노광 또는 상기 분할 노광을 행하도록 상기 노광을 제어하도록 구성된 제어부를 구비한 노광장치를 제공한다.

본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하여 주어지는 이하의 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1은, 노광장치의 개략을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는, 숏 영역의 형상의 왜곡을 설명하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는, 노광 영역의 분할을 설명하는 도면이다.
도 4는, 제1실시형태에 따른 노광방법을 설명하는 흐름도다.
도 5는, 노광장치와 네트워크를 설명하는 도면이다.
도 6은, 숏 영역의 분할수와 스루풋/수율의 관계를 설명하는 그래프이다.
도 7은, 분할로부터 얻어진 숏 영역의 그룹화를 설명하는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 첨부의 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 이때, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 실시에 유리한 구체예를 나타낸 것에 지나지 않는다. 또한, 이하의 실시형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 모두가 본 발명의 과제를 해결하는데 필수적인 것이라고는 할 수 없다.

제1실시형태

도 1은 기판 위에 형성된 복수의 하지의 숏 영역의 각각에 노광을 순차 행하는 노광장치(100)의 개략을 도시한 도면이다. 광원(1)은, 복수의 파장 대역의 빛을 노광 광으로서 출력할 수 있다. 광원(1)에서 출사된 빛은, 조명 광학계(4)를 구성하는 광학계(미도시)를 거쳐 소정의 빔 형상으로 정형된다. 정형된 빔은 옵티컬 인테그레이터(미도시)에 입사되어, 여기에서, 후술하는 원판으로서의 역할을 하는 레티클(마스크)(9)을 균일한 조도 분포로 조명하기 위해 다수의 2차원 광원이 형성된다. 조명 광학계(4)의 광로에는 차광판(5)이 배치되어, 레티클(9) 위에 원하는 조명 영역을 형성한다. 차광판(5)은, 후술하는 노광 대상의 부분 영역 이외의 영역을 노광으로부터 차단하는 차광부를 구성한다.

조명 광학계(4)의 광로에는 하프 미러(6)가 배치되고, 레티클(9)을 조명하는 노광 광의 일부가 이 하프 미러(6)에 의해 반사되어 추출된다. 하프 미러(6)에 의해 반사된 빛의 광로에는 노광 광용의 포토센서(7)가 배치되고, 포토센서(7)는 노광 광의 강도(노광 에너지)에 대응하는 출력을 발생한다.

레티클(9) 위에는 인화를 행할 반도체 디바이스의 회로 패턴이 형성되어 있어, 조명 광학계(4)에 의해 조사된다. 굴절형 또는 캐터디옵트릭(catadioptric)계 의 투영 광학계(10)는, 레티클(9)의 패턴 상을 축소 배율 β(예를 들면, β=1/2)만큼 축소하고, 포토레지스트가 도포된 감광성의 기판(웨이퍼)(15) 위의 1개의 숏 영역에 투영하도록 배치되어 있다.

투영 광학계(10)의 동공 면(pupil plane)(레티클(9)에 대한 푸리에 변환면) 위에는, 개구부가 거의 원형인 개구 조리개(11)가 배치되어, 모터 등의 구동부 12를 사용하여 개구부의 직경을 제어함으로써, 소정의 값으로 설정될 수 있다. 구동부 13은, 투영 광학계(10) 내부의 렌즈계의 일부를 구성하고 있는 광학소자를, 투영 광학계(10)의 광축을 따라 이동시킨다. 이에 따라, 투영 광학계(10)의 다양한 수차의 증대를 방지하면서, 양호한 투영 배율을 달성하여 왜곡 오차를 줄이고 있다. 투영 광학계 제어부(14)는, 주 제어부(3)의 제어하에서, 구동부 12 및 구동부 13의 구동을 제어한다.

웨이퍼(15)를 유지하는 스테이지(웨이퍼 스테이지)(16)는, 적어도 투영 광학계(10)의 광축에 수직한 평면을 따라 이동 및 회전이 가능하다. 제1실시형태에서는, 웨이퍼 스테이지(16)는, 3차원 방향으로 이동가능해서, 투영 광학계(10)의 광축 방향(Z 방향), 및 이 방향에 직교하는 평면 내부(X-Y 평면)에서 이동할 수 있다. 여기에서는, 투영 광학계(10)의 광축과 평행하고 또한 웨이퍼(15)로부터 레티클(9)을 향하는 방향을 Z축으로 취하고, 그것과 직교하는 방향을 X축과 Y축으로 취한다. Y축은 지면 위의 도면의 평면을 따르는 한편, X축은 도면의 평면에 대해 수직하고 도면을 보는 사람을 향한다. 웨이퍼 스테이지(16)에 고정된 이동 거울로부터의 거리를 계측하는 레이저 간섭계(18)를 사용하여 웨이퍼 스테이지(16)의 X-Y 평면 내에서의 위치가 검출된다. 한편, 얼라인먼트 계측계(24)를 사용하여, 웨이퍼(15)와 웨이퍼 스테이지(16)의 위치 어긋남을 계측한다.

노광장치의 주 제어부(3)의 제어하에 있는 스테이지 제어부(20)는, 상기 계측 결과에 근거하여 모터 등의 구동부(19)를 제어함으로써, 웨이퍼 스테이지(16)를 소정의 X-Y 평면 위치로 이동시킨다. 주 제어부(3), 투영 광학계 제어부(14), 스테이지 제어부(20) 및 조명계 제어부(8)(후술)는, 노광장치(100)의 제어부 C를 구성하고 있다. 투광 광학계(21) 및 수광 광학계(22)는, 포커스 면 검출부를 구성하고 있다. 투광 광학계(21)는 웨이퍼(15) 위의 포토레지스트를 감광시키지 않는 비노광 광으로 이루어진 복수개의 광속을 투광하고, 그 광속은 웨이퍼(15) 위에 각각 집광되어 반사된다. 웨이퍼(15)에 의해 반사된 광속은 수광 광학계(22)에 입사된다. 도시는 생략했지만, 수광 광학계(22) 내부에는 각 반사 광속에 대응시켜 복수개의 위치 검출용의 수광소자가 배치되어 있다. 각 수광소자의 수광면과 웨이퍼(15) 위에서의 각 광속의 반사점이 거의 공역이 되도록 수광 광학계(22)가 구성되어 있다. 투영 광학계(10)의 광축 방향에 있어서의 웨이퍼(15)의 위치 어긋남은, 수광 광학계(22) 내부의 위치 검출용의 수광소자 위의 입사 광속의 위치 어긋남으로서 계측된다.

다음에, 도 2a 내지 도 2c를 사용해서 숏 영역(200)의 형상의 왜곡에 대해 설명한다. 도 2a 내지 도 2c는, 각각 사다리꼴 왜곡, 마름모꼴 왜곡 및 술통형 왜곡이 생긴 경우의 개략도다. 실제로는, 비대칭 성분과 회전 성분을 갖는 왜곡도 발생하지만, 본 설명에서는 생략한다. 실선 프레임 201 내지 203은, 왜곡이 생긴 하지의 숏 영역을 나타내고 있다. 파선 프레임 200은, 숏 영역을 분할하지 않고 숏 영역의 전체를 일괄하여 노광하는 일괄 노광을 행하는 경우의 위치 맞춤한 후의 노광 영역을 나타내고 있다. 실선 프레임과 파선 프레임의 차이가 위치맞춤 어긋남에 대응하고, 일반적으로 노광 영역의 4개의 모퉁이에서 어긋남 량이 최대가 된다.

다음에, 도 2a 내지 도 2c와 도 3a 내지 도 3c를 사용하여, 숏 영역을 복수의 부분 영역으로 분할해서 부분 영역마다 노광하는 분할 노광을 행하는 경우의 노광 영역에 대해 설명한다. 파선 프레임 207 및 208은, 사다리꼴의 숏 영역(201)을 상하로 2분할한 경우에 얻어진 부분 영역에 대한 노광 영역을 나타내고 있다. 파선 프레임 209 및 210은, 마름모꼴의 숏 영역(202)을 상하로 2분할한 경우의 분할된 부분 영역에 대한 노광 영역을 나타내고 있다. 파선 프레임 211 내지 213은, 술통형의 숏 영역(203)을 상하로 3분할한 경우의 분할된 부분 영역에 대한 노광 영역을 나타내고 있다. 도 3a 내지 도 3c에 나타낸 것과 같이, 숏 영역을 분할해서 노광한 경우의 위치맞춤 어긋남 량은, 숏 영역을 분할하지 않고 노광하는 도 2a 내지 도 2c의 경우의 각각 절반이 된다. 도 3a 내지 도 3c에서는, 인접하는 2개의 부분 영역에 대한 2개의 노광 영역은 서로 중첩되지 않도록 설치되어 있다. 그러나, 인접하는 2개의 부분 영역에 대한 2개의 노광 영역이 그것의 경계 영역에서 부분적으로 중첩되어서 있어도 된다.

다음에, 도 4를 사용해서 노광방법에 대해 설명한다.

S1

주 제어부(3)는, 각각의 하지의 숏 영역의 형상을 표시하는 정보를 취득하고, 이 정보를 숏 영역의 형상 데이터로서 기억부(23)에 격납한다. 노광장치(100)는, 각 숏 영역의 형상 데이터를, 도 5에 나타낸 것과 같이, 노광장치(100)가 접속되는 네트워크(130) 경유로 외부의 데이터베이스(120)로부터 취득한다. 네트워크(130)에는 표면 형상의 계측기(110)와 다른 노광장치(100') 등이 접속되어 있다. 표면 형상의 계측기(110)와 노광장치 100, 100'이 계측한 숏 영역의 형상의 정보가 데이터베이스(120)에 격납되어 있다. 노광장치(100)는, 각 숏 영역의 형상의 정보가 이미 데이터베이스(120)에 격납되어 있으면 이 정보를 취득한다. 그러나, 각 숏 영역의 형상의 정보가 데이터베이스(120)에 격납되어 있지 않으면, 노광장치(100)는, 그 내부에 설치된 계측기를 사용해서 각 숏 영역의 형상을 계측하도록 구성해도 된다. 노광장치가 로트 단위로 노광을 행하는 경우에, 로트의 제1번째의 웨이퍼(15)에 있어서의 각 숏 영역의 형상의 계측 결과를 로트의 다른 웨이퍼(15)에 사용해도 된다. 물론, 노광장치(100)에 의해 행해진 계측 결과를 네트워크(130)에 접속된 데이터베이스(120)에 보존하고, 이후의 노광 처리에서 이것을 사용하도록 구성해도 된다.

S2

주 제어부(3)는, 기억부(23)에 기억된 생산관리 상의 위치 어긋남의 허용범위와, 각 숏 영역의 형상으로부터 산출한 숏 영역의 분할을 실시하지 않은 경우의 위치 어긋남 량을 비교하여, 숏 영역을 분할하는 분할 노광을 행할 것인지 여부를 결정하고, 결과를 기억부(23)에 기억한다. 숏 영역을 분할하는 경우, 주 제어부(3)는, 분할에 의해 얻어진 부분 영역의 형상, 각 부분 영역에 위치 결정하기 위한 웨이퍼 스테이지(16)의 시프트(XY) 보정량 및 로테이션(θ) 보정량 및 투영 광학계(10)의 배율 보정량을 계산하여, 이 정보를 기억부(23)에 기억한다. 더구나, 주 제어부(3)는, 다른 구동부의 보정 성분에 대해서도 보정량을 계산해서 기억해도 된다. 그후, 주 제어부(3)는, 숏 영역을 분할할 것인지 아닌지를, 기억부(23)에 설정되어 있는 위치맞춤 기준에 합치하는지 아닌지에 근거하여 판단한다. 주 제어부(3)는, 기억부(23)에 기억하고 있는 분할 패턴 군 중에서 분할에 의해 얻어진 부분 영역의 형상을 선택한다. S1 및 2까지는 노광처리에 대한 전처리에 해당하고, 실제의 노광 처리는 S3에서 개시된다.

S3

주 제어부(3)는, 노광 처리가 개시되면, 우선 제m번째의 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(16) 위에 로드하고, 노광 처리의 대상으로 하는 제n번째의 숏 영역으로 이동한다.

S4

제n번째의 숏 영역으로의 이동이 완료하면, 주 제어부(3)는, 기억부(23)에 기억된 숏 영역의 분할의 여부와 분할에 의해 얻어진 부분 영역의 형상에 근거하여, 조명계 제어부(8)를 거쳐 차광판(5)을 구동한다. 주 제어부(3)는, 동시에, 기억부(23)에 기억된 웨이퍼 스테이지(16)의 XYθ 보정량에 근거하여, 스테이지 제어부(20)를 거쳐 웨이퍼 스테이지(16)를 구동한다. 더구나, 주 제어부(3)는, 기억부(23)에 기억된 투영 광학계(10)의 배율 보정량에 근거하여, 투영 광학계 제어부(14)를 거쳐 구동부(배율 조정 기구)(13)를 구동한다.

S5

주 제어부(3)는, 제n번째의 숏 영역에 숏 영역의 분할이 없는 경우에는, 제n번째의 숏 영역에 일괄 노광을 행한다. 제n번째의 숏 영역에 숏 영역의 분할이 있는 경우에는, 주 제어부(3)는, 분할에 의해 얻어진 부분 영역마다 분할 노광을 행한다.

S6

주 제어부(3)는, 분할에 의해 얻어진 숏 영역의 전체에 대해 분할 노광이 끝날 때까지 S4 및 S5를 반복한다. 분할 노광이 모두 종료하면, S7로 처리를 진행한다.

S7

주 제어부는, 모든 숏 영역의 노광이 종료할 때까지 S3 내지 S6을 반복한다. 모든 숏 영역의 노광이 종료하면, 주 제어부(3)는, 웨이퍼(15)를 언로드한다. 노광을 행해야 할 다음의 웨이퍼가 존재하는 경우에는, 다음 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(16)에 로드하고, S3 내지 S7을 반복하여 행한다.

이 플로우에 근거한 노광방법에 따르면, 분할 노광을 실시해도, 시간이 걸리는 전체 숏 영역의 형상의 취득(S1)과 보정량의 계산(S2)이 노광 처리의 개시전에 실행되기 때문에, 노광 처리의 스루풋 저하를 저감하는 것이 가능하다.

제2실시형태

제2실시형태에 대해 도 1과 도 6을 사용하여 설명한다. 제2실시형태에서는, 기억부(23)에, 생산관리 상의 스루풋의 하한값(목표 범위)을 기억하는 기능이 추가되어 있다. 주 제어부(3)는, 기억부(23)에 기억된 생산관리 상의 스루풋의 하한값을 로드하고, 도 6에 나타낸 것과 같이, 분할할 숏 영역의 수와 스루풋의 관계식으로부터, 분할할 숏 영역의 수를 결정한다. 예를 들면, 스루풋의 하한값이 96매인 경우, 분할할 수 있는 숏 영역의 수는 4 이하라는 것을 알 수 있다. 그후, 주 제어부(3)는, 각 숏 영역의 형상에 근거하여 산출한 숏 영역의 분할을 실시하지 않는 경우의 위치 어긋남 량을 계산한다. 그후, 주 제어부(3)는, 위치 어긋남 량이 기억부(23)에 기억된 생산관리 상의 위치 어긋남 허용값을 초과하고 있는 숏 영역 중에서, 분할할 숏 영역 수를 초과하지 않는 범위에서, 분할할 숏 영역을 결정하고, 결정 결과를 기억부(23)에 기억한다. 주 제어부(3)는, 숏 영역을 분할하여 얻어진 영역의 형상, 분할에 의해 얻어진 각 영역에 대응하는 웨이퍼 스테이지(16)의 시프트(XY)/로테이션(θ) 보정량, 및 투영 광학계(10)의 배율 보정량을 계산하여, 이 정보를 기억부(23)에 기억한다. 이상의 처리는, 도 4의 S2에서 실시되고, S2 이후의 스텝은 제1실시형태와 같다.

제2실시형태의 변형에로서, 기억부(23)에, 생산관리 상의 다른 지표(예를 들면, 수율 목표값)의 기억 기능을 추가하고, 그 지표와 분할할 숏 영역의 수의 관계도 고려하여 분할할 숏 영역의 수를 결정해도 된다. 본 실시형태에서는, 분할 노광에 의한 수율 개선과 스루풋을 양립한 조건에서 노광하는 것이 가능하다.

제3실시형태

제3실시형태에 대해 도 4 및 도 7을 사용하여 설명한다. 도 7은, S2에 있어서 전체 숏 영역에 대해 분할 노광을 적용할 것인지 여부와 분할 형상을 결정한 후에, 노광의 단위로 할 영역의 형상에 근거하여 숏 영역을 그룹으로 나눈 개략도다. 그룹 A는 분할 노광을 적용하지 않는 그룹이다. 그룹 B 내지 D는 각각의 부분 영역이 동일한 형상을 갖는 숏 영역으로 이루어진 그룹이다.

S3에 있어서, 주 제어부(3)는, 노광 처리의 대상으로 할 숏 영역을 그룹 A로부터 선택하고, S4∼S6에서, 선택한 그룹 A의 각 숏 영역에 대해 노광 처리를 행한다. 주 제어부(3)는, 그룹 A에 속하는 전체 숏 영역의 노광 처리가 종료하면, 다음에는 그룹 B의 숏 영역에 대해 노광 처리를 행한다. 마찬가지로, 주 제어부(3)는, 그룹 C 및 D에 대해, 전체 그룹의 전체 숏 영역에 대한 노광 처리가 완료할 때까지 S3 내지 S7의 노광 처리를 순차 실행한다. 본 실시형태에서는, 분할 노광시의 차광판과 각종 보정구동에 의한 스루풋 저하를 저감하면서 분할 노광을 실시하는 것이 가능하다.

제4실시형태

다음에, 디바이스(반도체 디바이스, 액정 표시 디바이스 등)의 제조방법에 대해 설명한다. 반도체 디바이스는, 웨이퍼에 집적회로를 만드는 전 공정과, 전 공정에서 웨이퍼 위에 형성된 집적회로를 갖는 칩을 제품으로서 완성시키는 후 공정을 거쳐 제조된다. 전 공정은, 전술한 노광장치를 사용해서 감광제가 도포된 웨이퍼를 노광하는 공정과, 웨이퍼를 현상하는 공정을 포함한다. 후 공정은, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩)과, 패키징 공정(봉입)을 포함한다. 액정 표시 디바이스는, 투명 전극을 형성하는 공정을 사용하여 제조된다. 투명 전극을 형성하는 공정은, 투명 도전막이 증착된 글래스 기판에 감광제를 도포하는 공정과, 전술한 노광장치를 사용해서 감광제가 도포된 글래스 기판을 노광하는 공정과, 글래스 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 본 실시형태의 디바이스 제조방법에 따르면, 종래보다도 고품위의 디바이스를 제조할 수 있다.

예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.

Claims

레티클 패턴을 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 통해, 기판 위에 형성된 복수의 하지의(underlying) 숏 영역의 각각에 노광을 순차 행하는 노광장치로서,
1개의 숏 영역을 분할하지 않고 상기 1개의 숏 영역을 노광하는 일괄 노광 및 상기 1개의 숏 영역을 복수의 부분 영역으로 분할해서 상기 복수의 부분 영역 각각을 별도로 노광하는 분할 노광을 행하도록, 상기 노광을 제어하도록 구성된 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 투영 광학계의 광축에 수직한 평면내에서의 상기 복수의 하지의 숏 영역 각각의 형상의 정보에 근거하여, 상기 일괄 노광 또는 상기 분할 노광을 행할지를, 상기 복수의 하지의 숏 영역의 각각에 대해 결정하고,
상기 분할 노광이 행해지는 것으로 결정되는 경우, 상기 분할 노광이 행해질 상기 1개의 숏 영역에서 상기 복수의 부분 영역의 형상을 결정하고, 상기 각 부분 영역의 결정된 형상에 근거하여 상기 복수의 부분 영역의 각각에서 상기 분할 노광을 행하도록, 상기 노광을 제어하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 투영 광학계의 배율을 조정하도록 구성된 배율 조정 기구와,
상기 부분 영역 이외의 영역에 대한 노광을 차단하도록 구성된 차광부와,
상기 기판을 유지하도록 구성되고 상기 투영 광학계의 상기 광축에 수직한 상기 평면에서 이동 및 회전이 가능한 스테이지를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 차광부에 의해 조정되는 노광 영역의 형상과 상기 부분 영역의 형상의 어긋남을 저감하도록, 상기 배율 조정 기구, 상기 차광부 및 상기 스테이지를 제어하도록 구성된 노광장치,
제 2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 부분 영역의 형상에 근거하여 상기 배율을 제어하도록 구성되고, 상기 부분 영역의 위치에 근거하여 상기 스테이지의 이동 및 회전 중 적어도 어느 하나를 제어하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 노광장치의 외부에서 상기 정보를 취득하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 복수의 숏 영역 각각의 형상을 계측하도록 구성된 계측기를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 계측기에 의해 행해진 계측 결과로부터 상기 정보를 취득하도록 구성된 노광장치.
제 5항에 있어서,
상기 제어부는, 로트의 첫번째 기판에 대해 상기 계측기에 의해 행해진 계측 결과로부터 상기 정보를 취득하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 숏 영역을 분할하지 않는 경우의 상기 숏 영역의 형상과 상기 기판 위에 투영되는 패턴의 형상의 어긋남 량에 근거하여 상기 분할 노광을 행할 숏 영역에 있어서의 상기 부분 영역의 수와 형상을 결정하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 복수의 숏 영역의 노광에 필요한 시간이 미리 설정되어 있는 목표 범위 안에 들어가도록, 상기 분할 노광을 행할 숏 영역의 수를 결정하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 노광의 단위로 할 영역의 형상에 근거하여 상기 복수의 숏 영역을 복수의 그룹으로 나누도록 구성되고, 상기 복수의 숏 영역을 상기 그룹마다 노광을 순차 행하는 노광장치.
레티클 패턴을 기판 위에 투영하는 투영 광학계를 통해, 기판 위에 형성된 복수의 하지의 숏 영역의 각각에 노광을 순차 행하는 노광방법으로서,
상기 투영 광학계의 광축에 수직한 평면내에서의 상기 복수의 하지의 숏 영역 각각의 형상의 정보에 근거하여, 1개의 숏 영역을 분할하지 않고 상기 1개의 숏 영역을 노광하는 일괄 노광을 행할지 또는 상기 1개의 숏 영역을 복수의 부분 영역으로 분할해서 상기 복수의 부분 영역 각각을 별도로 노광하는 분할 노광을 행할지를, 상기 복수의 하지의 숏 영역의 각각에 대해 결정하는 단계,
상기 분할 노광이 행해지는 것으로 결정되는 경우, 상기 분할 노광이 행해질 상기 1개의 숏 영역에서 상기 복수의 부분 영역의 형상을 결정하고, 상기 각 부분 영역의 결정된 형상에 근거하여 상기 복수의 부분 영역의 각각에서 상기 분할 노광을 행하도록, 상기 노광을 제어하는 단계를 포함하는 노광방법.
청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계와,
상기 노광된 기판을 현상하는 단계와,
상기 현상된 기판을 가공해서 디바이스를 제조하는 단계를 포함하며,
상기 디바이스는 가공된 기판으로부터 제조되는 디바이스 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 숏 영역이 분할되지 않은 경우의 상기 숏 영역의 형상과 상기 기판 위에 투영된 상기 패턴의 형상 간의 어긋남 량이 허용 범위를 벗어나는 경우에 상기 분할 노광을 행하도록 구성된 노광장치.
제 1항에 있어서,
상기 제어부는, 수율 목표값에 근거하여, 상기 분할 노광이 행해진 상기 숏 영역의 수를 결정하도록 구성된 노광 장치.