JPH07283106A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光装置及び露光方法に関し、特に、不良パ
ターンの除去精度の向上を目的とする。 【構成】 照光手段１２は、所定数の回路形成領域から
構成される一の正規照光領域を、一回の照光処理により
露光する。移動手段１８は、ウエハ２２と照光手段１２
とを、相対的に移動させる。露光制御手段３２は、正規
照光領域がウエハ２２上で相互に重複しないように、移
動手段１８及び照光手段１２を制御する。周縁部判定手
段３４は、回路形成領域がウエハ２２の周縁部２２ａ
（図示せず）を含むか否かを判定する。焼潰露光制御手
段３６は、周縁部２２ａを含む当該回路形成領域に対し
焼潰照光処理を行なうよう、移動手段１８及び照光手段
１２を制御する。したがって、周縁部２２ａを含む回路
形成領域の回路パターンは完全に破壊され、検出が困難
な軽微な欠損を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は露光装置及び露光方法
に関し、特に、不良パターンの除去精度の向上に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の基板となるシリコンウ
エハに、回路パターンを露光する露光装置としてステッ
パが用いられている。従来のステッパ２の構造の概略を
図８に示す。ステッパ２は、概略、照光手段１２、移動
手段１８及びコンピュータ２０を備えている。

【０００３】照光手段１２は、光源４、光源４から発せ
られた光を絞り込むコンデンサレンズ６、回路パターン
の原画であるレティクル８、回路パターンを縮小しウエ
ハ２２上に結像させる縮小レンズ１０を備えており、照
光手段１２の光軸２４上に、この順に並んでいる。

【０００４】移動手段１８は、ウエハ２２を固定すると
ともに図中Ｘ及びＹ方向に移動し得る移動台１４、移動
台１４をＸ及びＹ方向に駆動する駆動モータ１６を備え
ている。

【０００５】コンピュータ２０は、所定の位置で露光処
理を行なうよう、照光手段１２及び移動手段１８を制御
するための制御装置である。

【０００６】次に、従来のステッパ２の動作を、図９に
示すフローチャートを参照しつつ、図８に基づいて説明
する。図１０は、後述する照光領域Ｒ（ｊ）の配置を示
すショットマップである。

【０００７】まず、コンピュータ２０は、駆動モータ１
６を制御することにより、駆動モータ１６に連結された
移動台１４をＸ方向及びＹ方向に移動させる。このと
き、コンピュータ２０は、照光手段１２の光軸２４の真
下にウエハ２２上の照光領域Ｒ（１）（図１０参照）が
くるよう、駆動モータ１６を制御する（図９、ステップ
Ｔ１、Ｔ２）。

【０００８】次に、コンピュータ２０は、光源４を所定
時間点灯させることにより、照光処理を行なう（図９、
ステップＴ３、Ｔ４）。照光処理により、レティクル８
に描かれたパターンが、所定の寸法に縮小され、ウエハ
２２上の照光領域Ｒ（１）（図１０参照）に露光され
る。

【０００９】なお、図８においては、説明の便宜上、一
つの回路パターンを”Ａ”で表わしている。すなわち、
レティクル８には同一の回路パターンが数個（この例で
は９個）描かれており、一回の照光処理により、照光領
域Ｒ（１）に当該数個の回路パターンが露光される（こ
の例では９個、図１１参照）。

【００１０】以上の動作を繰り返すことにより（図９、
ステップＴ２〜Ｔ５）、ウエハ２２全体の露光を行なう
よう、コンピュータ２０は、照光手段１２及び移動手段
１８を制御する。この場合、図１０のショットマップに
示すように、各照光領域Ｒ（ｊ）（ｊ＝１〜Ｎ、この例
では、Ｎ＝３０）は、相互に重複しないよう、制御され
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のステッパには、次のような問題点があった。図１
１は、図１０に示す照光領域Ｒ（２）の拡大図である。
図１１に示すように、照光領域Ｒ（２）は、９個の回路
形成領域Ｕ（２、ｉ）（ｉ＝１〜９）から構成されてい
る。回路形成領域Ｕ（２、ｉ）（ｉ＝７〜９）は、ウエ
ハ２２上の領域であるため、回路パターンはウエハ２２
上に、欠けることなく露光される。また、回路形成領域
Ｕ（２、ｉ）（ｉ＝１〜３）は、ウエハ２２上の領域で
はないため、ウエハ２２に対し、回路パターンの露光は
行なわれない。

【００１２】一方、回路形成領域Ｕ（２、ｉ）（ｉ＝４
〜６）は、ウエハ２２の周縁部２２ａを含むため、この
領域においてウエハ２２上に露光された回路パターン
は、一部が欠損した不完全なものとなる。

【００１３】このような不完全な回路パターンは、回路
パターンの欠損が著しい場合は、通常、中間段階の検査
工程で発見され、除去される。しかし、回路パターンの
欠損が軽微である場合は、中間段階の検査工程では発見
されにくい。このため、各回路形成領域Ｕ（２、ｉ）に
露光された各回路パターンがＩＣチップに切り分けら
れ、ＩＣパッケージとして完成した後、最終検査工程で
始めて不良であることが発見される場合があった。

【００１４】したがって、露光されたウエーハ２２がこ
のような回路パターンの軽微な欠損を有する場合、後の
工程が無駄になっていた。また、最終検査工程でも発見
されず、そのまま出荷される場合もあるため、ＩＣパッ
ケージの信頼性が低下していた。

【００１５】このような事態を回避する手段として、ウ
エハ２２の周縁部２２ａを含む照光領域（例えば、図１
０におけるＲ（２））については、照光処理を行なわな
い方法も考えられる。しかし、この方法によれば、周縁
部２２ａを含まず、本来正常に露光されるべき回路形成
領域（例えば、図１１におけるＵ（２、ｉ）（ｉ＝７〜
９））も露光されず、ウエハ２２一枚あたりのＩＣチッ
プの取り数が減少するという欠点がある。

【００１６】この発明は、このような従来のステッパを
改善し、ウエハ一枚あたりのＩＣチップの取り数の減少
を抑えつつ、検出が困難であるような、回路パターンの
軽微な欠損を防止することにより、不良パターンの除去
精度の高い露光装置及び露光方法を提供することを目的
とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の露光装置は、
所定数のパターン形成領域から構成される一の照光領域
を、一回の照光処理により露光する照光手段、照光手段
により露光される被露光体と照光手段とを、相対的に移
動させる移動手段、照光手段により露光される照光領域
が、被露光体上で相互に重複しないように、移動手段及
び照光手段を制御する露光制御手段、を備えた露光装置
において、パターン形成領域が、被露光体の周縁部を含
むか否かを判定する周縁部判定手段、周縁部を含む当該
パターン形成領域に対し、焼潰照光処理を行なうよう、
移動手段及び照光手段を制御する焼潰露光制御手段を備
えたことを特徴とする。

【００１８】請求項２の露光方法は、被露光体上に照光
領域を設定し、一回の照光処理により、照光領域に含ま
れる所定数のパターン形成領域の露光を行なう露光方法
において、パターン形成領域が、被露光体の周縁部を含
む場合は、当該パターン形成領域に対し、焼潰照光処理
を行なうことを特徴とする。

【００１９】請求項３の露光方法は、請求項２の露光方
法において、被露光体上に設定された照光領域が、相互
に重複しない二以上の照光領域であり、各々の照光領域
に対し、順次、照光処理を行なうことにより、被露光体
全体の露光を行なうことを特徴とする。

【００２０】

【作用】請求項１の露光装置並びに請求項２及び請求項
３の露光方法は、パターン形成領域が、被露光体の周縁
部を含む場合は、当該パターン形成領域に対し、焼潰照
光処理を行なうことを特徴とする。

【００２１】したがって、周縁部を含むパターン形成領
域のパターンは完全に破壊される。

【００２２】

【実施例】図１に、この発明の一実施例による露光装置
であるステッパ３０の構成を示す。照光手段１２は、所
定数のパターン形成領域である所定数の回路形成領域
（例えば、Ｕ（１９、ｉ）（ｉ＝１〜９）、図６参照）
から構成される一の照光領域である正規照光領域（例え
ば、Ｐ（１９）、図６、図５参照）を、一回の照光処理
により露光する。

【００２３】移動手段１８は、照光手段１２により露光
される被露光体であるウエハ２２と照光手段１２とを、
相対的に移動させる。露光制御手段３２は、照光手段１
２により露光される正規照光領域Ｐ（ｊ）（ｊ＝１〜４
８、図５参照）が、ウエハ２２上で相互に重複しないよ
うに、移動手段１８及び照光手段１２を制御する。

【００２４】周縁部判定手段３４は、回路形成領域Ｕ
（ｊ、ｉ）（ｊ＝１〜４８、ｉ＝１〜９、図６参照）
が、ウエハ２２の周縁部２２ａを含むか否かを判定す
る。焼潰露光制御手段３６は、周縁部２２ａを含む当該
回路形成領域Ｕ（ｊ、ｉ）に対し、焼潰照光処理を行な
うよう、移動手段１８及び照光手段１２を制御する。こ
こで、焼潰照光処理とは、正規照光処理により露光され
た特定の正規の回路パターンの一部又は全体に対し、再
度露光を行なうことにより、当該特定の正規の回路パタ
ーンを焼潰す処理をいう。

【００２５】図２に、コンピュータ４０を用いて図１の
各手段を実現した場合のハードウェア構成を示す。この
実施例によるステッパ３０のハードウェア構成は、従来
のステッパ２と、概略同様である。照光手段１２は、光
源４、光源４から発せられた光を絞り込むコンデンサレ
ンズ６、回路パターンの原画であるレティクル８、回路
パターンを縮小しウエハ２２上に結像させる縮小レンズ
１０を備えており、照光手段１２の光軸２４上に、この
順に並んでいる。

【００２６】移動手段１８は、ウエハ２２を固定すると
ともに図中Ｘ及びＹ方向に移動し得る移動台１４、移動
台１４をＸ及びＹ方向に駆動する駆動モータ１６を備え
ている。コンピュータ４０は、露光制御手段３２、周縁
部判定手段３４及び焼潰露光制御手段３６として機能す
る。

【００２７】次に、この実施例によるステッパ３０の動
作を、図３及び図４に示すフローチャートを参照しつ
つ、図２に基づいて説明する。図５は、正規照光領域Ｐ
（ｊ）及び後述する焼潰照光領域Ｑ（ｋ）の配置を示す
ショットマップである。

【００２８】まず、コンピュータ４０は、駆動モータ１
６を制御することにより、駆動モータ１６に連結された
移動台１４をＸ方向及びＹ方向に移動させる。このと
き、コンピュータ４０は、照光手段１２の光軸２４の真
下にウエハ２２上の正規照光領域Ｐ（１）（図５参照）
がくるよう、駆動モータ１６を制御する（図３、ステッ
プＳ１、Ｓ２）。

【００２９】次に、コンピュータ４０は、光源４を所定
時間点灯させることにより、正規照光処理を行なう（図
３、ステップＳ３、Ｓ４）。正規照光処理により、レテ
ィクル８に描かれたパターンが、所定の寸法に縮小さ
れ、ウエハ２２上の正規照光領域Ｐ（１）（図５参照）
に露光される。この実施例においては、ステップＳ２、
Ｓ３（図３参照）が、露光制御手段３２に対応する。

【００３０】なお、前述の従来のステッパ２の場合同
様、図２においては、説明の便宜上、一つの回路パター
ンを”Ａ”で表わしている。すなわち、レティクル８に
は同一の回路パターンが数個（この例では９個）描かれ
ており、一回の正規照光処理により、正規照光領域Ｐ
（１）に当該数個の回路パターンが露光される（この例
では９個、図６参照）。

【００３１】以上の動作を繰り返すことにより（図３、
ステップＳ２〜Ｓ５）、ウエハ２２全体の露光を行なう
よう、コンピュータ４０は、照光手段１２及び移動手段
１８を制御する。この場合、図５のショットマップに示
すように、各正規照光領域Ｐ（ｊ）（ｊ＝１〜Ｎ、この
例では、Ｎ＝４８）は、相互に重複しないよう、制御さ
れる。

【００３２】ウエハ全体の正規露光が終了すると（図
３、ステップＳ５）、コンピュータ４０は、焼潰露光処
理へ制御を移す（図４）。コンピュータ４０は、駆動モ
ータ１６を制御することにより、駆動モータ１６に連結
された移動台１４をＸ方向及びＹ方向に移動させ、照光
手段１２の光軸２４の真下にウエハ２２上の焼潰照光領
域Ｑ（１）（図５参照）がくるよう、駆動モータ１６を
制御する（図４、ステップＳ６、Ｓ７）。

【００３３】この場合、焼潰照光領域Ｑ（１）の位置
は、次のようにして設定される（図６参照）。ウエハ２
２の形状は既知であり、コンピュータ４０にはあらかじ
め、ウエハ２２の周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ
（ｊ、ｉ）（例えば図６におけるＵ（１９、ｉ）（ｉ＝
１、４、７））の位置情報が与えられている。コンピュ
ータ４０は、この位置情報に基づいて、周縁部２２ａの
位置を判定するとともに、焼潰照光領域Ｑ（１）の位置
を設定する。すなわち、この実施例においては、ステッ
プＳ７（図４参照）が、周縁部判定手段３４に対応す
る。

【００３４】このように、コンピュータ４０にあらかじ
め周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ（ｊ、ｉ）の位置
情報を与えておくことにより、焼潰照光領域Ｑ（１）の
位置を決定する処理を迅速に行なうことができる。

【００３５】コンピュータ４０は図６に示すように、焼
潰照光領域Ｑ（１）における区分Ｖ（１、ｉ）（ｉ＝
３、６、９）と、正規照光領域Ｐ（１９）における周縁
部２２ａを含む回路形成領域Ｕ（１９、ｉ）（ｉ＝１、
４、７）とが、一定の重なりＷを有し、かつ、完全には
一致しないように、焼潰照光領域Ｑ（１）の位置を設定
する。

【００３６】これは、この実施例においては、レティク
ル８には同一の回路パターンが９個描かれており（前
述）、焼潰照光処理においても同一のレティクル８を使
用することから、焼潰照光領域Ｑ（１）における区分Ｖ
（１、ｉ）（ｉ＝３、６、９）と、正規照光領域Ｐ（１
９）における周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ（１
９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）とを、完全に一致させる
と、正規照光処理により露光された回路パターンと後述
の焼潰照光処理により露光される回路パターンが完全に
一致することとなり、回路パターンを焼潰ぶす効果が小
さくなるためである。なお、正規照光処理と焼潰照光処
理とで、同一のレティクル８を使用することにより、レ
ティクルの交換に要する時間を省略することができ、作
業効率がよい。

【００３７】次に、コンピュータ４０は、光源４を所定
時間点灯させることにより、焼潰照光処理を行なう（図
５、ステップＳ８、Ｓ９）。焼潰照光処理により、レテ
ィクル８に描かれたパターンが、所定の寸法に縮小さ
れ、ウエハ２２上の焼潰照光領域Ｑ（１）（図５参照）
に露光される。

【００３８】この場合、図６に示すように、区分Ｖ
（１、ｉ）（ｉ＝３、６、９）と、回路形成領域Ｕ（１
９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）とが、一定の重なりＷを有
し、かつ、完全には一致しないように、焼潰照光領域Ｑ
（１）が設定されているため（上述）、回路形成領域Ｕ
（１９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）に露光された正規の回
路パターン上に、Ｙ方向に（Ｂ−Ｗ）ずれた形で、同一
の回路パターンが露光される。

【００３９】このため、周縁部２２ａを含む回路形成領
域Ｕ（１９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）に、正規照光処理
（図３、ステップＳ３）により露光された正規の回路パ
ターンは、この焼潰照光処理により、焼潰される。この
実施例においては、ステップＳ７、Ｓ８（図４参照）
が、焼潰露光制御手段３６に対応する。

【００４０】以上の動作を繰り返すことにより（図４、
ステップＳ７〜Ｓ１０）、ウエハ２２の全域に渡り、所
定の焼潰露光を行なう。すなわち、ウエハ２２の周縁部
２２ａを含む回路形成領域Ｕ（ｊ、ｉ）全てに対し、焼
潰照光領域Ｑ（ｋ）（ｋ＝１〜Ｍ、この例では、Ｍ＝１
６）を設定するとともに、設定された焼潰照光領域Ｑ
（ｋ）全てについて、焼潰照光処理を行なうよう、コン
ピュータ４０は、照光手段１２及び移動手段１８を制御
する。

【００４１】この場合、この実施例においては、例え
ば、ウエハ２２の周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ
（１１、ｉ）（ｉ＝１、２、４、７、図７参照）に対し
て、一回の焼潰照光処理により焼潰すよう、一つの焼潰
照光領域Ｑ（２）を設定している（図７Ａ参照）が、図
７Ｂに示すように、二回の焼潰照光処理により焼潰すよ
う、二つの焼潰照光領域Ｑ（２）及びＱ（３）を設定し
てもよい。

【００４２】図７Ａのように設定すれば、周縁部２２ａ
を含まない回路形成領域Ｕ（１１、ｉ）（ｉ＝５、８）
に露光された欠損のない回路パターンも焼潰してしまう
が、焼潰照光処理が一回ですむため、ウエハ一枚あたり
の焼潰露光に要する処理時間が短い、という長所があ
る。

【００４３】一方、図７Ｂのように設定すれば、焼潰照
光処理を二回行なわなければならないため、ウエハ一枚
あたりの焼潰露光に要する処理時間が長くなるが、回路
形成領域Ｕ（１１、ｉ）（ｉ＝５、８）に露光された欠
損のない回路パターンを焼潰してしまうことがないた
め、ウエハ一枚あたりのＩＣチップの取り数が、図７Ｂ
の場合に比べて多くなる、という長所がある。この発明
は、図７Ａ又は図７Ｂいずれの方法をも含むものであ
り、これらを併用した方法をも含むものである。

【００４４】なお、この実施例においては、図６に示す
ように、焼潰照光領域Ｑ（１）における区分Ｖ（１、
ｉ）（ｉ＝３、６、９）と、正規照光領域Ｐ（１９）に
おける周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ（１９、ｉ）
（ｉ＝１、４、７）とが、一定の重なりＷを有し、か
つ、完全には一致しないように、焼潰照光領域Ｑ（１）
の位置を設定したが、回路パターンを焼潰ぶす効果が実
用上確保できれば、区分Ｖ（１、ｉ）（ｉ＝３、６、
９）と、回路形成領域Ｕ（１９、ｉ）（ｉ＝１、４、
７）とが、完全に一致するよう焼潰照光領域Ｑ（１）を
設定してもよい。

【００４５】また、この実施例においては、正規照光処
理に使用したレティクル８と同一のレティクル８を、焼
潰照光処理において使用したが、正規照光処理に使用し
たレティクル８と別のレティクルを、焼潰照光処理にお
いて使用してもよい。別のレティクルを使用すれば、上
述のように、区分Ｖ（１、ｉ）（ｉ＝３、６、９）と、
回路形成領域Ｕ（１９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）とが、
完全に一致するように焼潰照光領域Ｑ（１）を設定した
場合であっても、周縁部２２ａを含む回路形成領域Ｕ
（１９、ｉ）（ｉ＝１、４、７）の回路パターンを焼潰
ぶすことができる（図６参照）。

【００４６】この場合、焼潰照光処理において使用する
レティクルとして、回路パターンが描かれていない無地
のパターンや、格子状のパターン等を使用すれば、回路
パターンを完全に焼潰すことができ、好都合である。ま
た、焼潰照光処理において、レティクルを使用しないこ
ととすれば、焼潰照光処理専用のレティクルを用意する
必要がなく、レティクルの交換時間も短縮できるため、
さらに好都合である。

【００４７】また、この実施例においては、先に全ての
正規照光処理を行ない（図３、ステップＳ１〜Ｓ５）、
その後、焼潰照光処理を行なう（図４、ステップＳ６〜
Ｓ８）よう構成しているが、本発明は、これに限定され
るものではない。正規照光領域Ｐ（ｊ）焼潰照光領域Ｑ
（ｋ）の別を問わず、近接する照光領域に、順次、照光
処理を行なう（例えば、図５において、まず正規照光領
域Ｐ（１）に対し正規照光処理を行ない、次に焼潰照光
領域Ｑ（４）に対し焼潰照光処理を行ない、以下同様に
Ｐ（２）、Ｑ（５）、…と照光処理を行なう）ように構
成してもよい。このように構成すれば、ウエハ２２の移
動に要する時間を短縮することができ、好都合である。
また、先に全ての焼潰照光処理を行ない、その後、正規
照光処理を行なうように構成することもできる。

【００４８】また、この実施例においては、回路形成領
域Ｕ（ｊ、ｉ）が、ウエハ２２の周縁部２２ａを含むか
否かの判定をコンピュータ４０により行なわせる際、コ
ンピュータ４０にあらかじめ与えた回路形成領域Ｕ
（ｊ、ｉ）の位置情報に基づいて行なわせるよう構成し
たが、別付けのセンサーにより周縁部２２ａを検知させ
るように構成してもよい。このように構成すれば、ウエ
ハ２２の形状が一定でない場合にも、回路形成領域Ｕ
（ｊ、ｉ）が周縁部２２ａを含むか否かについて、確実
に判定することができる。

【００４９】また、この実施例においては、図５に示す
ように正規照光領域Ｐ（ｊ）を複数設定し、各正規照光
領域Ｐ（ｊ）に対する正規照光処理を繰り返すことによ
りウエハ２２全体の露光を行なう（図３、ステップＳ１
〜Ｓ５）ステッパ３０に本発明を適用した場合について
説明したが、この発明はこれに限定されるものではな
く、一回の照光処理により、ウエハ２２の全体の露光を
行なう露光方法についても適用できる。

【００５０】また、この実施例では、露光制御手段３
２、周縁部判定手段３４及び焼潰露光制御手段３６とし
て、コンピュータ４０を用いたが、その一部又は全部を
ハードウェアロジックにより構成することもできる。

【００５１】また、この実施例では、ウエハ２２に半導
体集積回路の回路パターンを露光する場合について説明
したが、集積回路以外の回路、例えばトランジスタ、ダ
イオード等の回路素子単体の露光処理にも適用できる。
また、液晶パターンの露光等、ウエハ以外の非露光体に
も適応することができる。

【００５２】

【発明の効果】請求項１の露光装置並びに請求項２及び
請求項３の露光方法は、パターン形成領域が、被露光体
の周縁部を含む場合は、当該パターン形成領域に対し、
焼潰照光処理を行なうことを特徴とする。

【００５３】すなわち、周縁部を含むパターン形成領域
のパターンは完全に破壊される。したがって、検出が困
難であるような軽微な欠損を防止することができ、不良
パターンの除去精度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一の実施例による露光装置の構成を
示す図面である。

【図２】この発明の一の実施例による露光装置であるス
テッパの具体的構成を示す図面である。

【図３】この発明の一の実施例による露光方法におけ
る、正規露光処理の流れを示すフローチャートである。

【図４】この発明の一の実施例による露光方法におけ
る、焼潰露光処理の流れを示すフローチャートである。

【図５】この発明の一の実施例による露光方法におけ
る、ショットマップを示す図面である。

【図６】この発明の一の実施例による露光方法におけ
る、一の焼潰照光領域を示す図面である。

【図７】この発明の一の実施例による露光方法におけ
る、他の焼潰照光領域を示す図面である。

【図８】従来のステッパの具体的構成を示す図面であ
る。

【図９】従来の露光方法における、露光処理の流れを示
すフローチャートである。

【図１０】従来の露光方法における、ショットマップを
示す図面である。

【図１１】従来の露光方法における、一の照光領域を示
す図面である。

【符号の説明】

１２・・・・・照光手段 １８・・・・・移動手段 ２２・・・・・ウエハ ３２・・・・・露光制御手段 ３４・・・・・周縁部判定手段 ３６・・・・・焼潰露光制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１４ Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定数のパターン形成領域から構成される
   一の照光領域を、一回の照光処理により露光する照光手
   段、 前記照光手段により露光される被露光体と前記照光手段
   とを、相対的に移動させる移動手段、 前記照光手段により露光される前記照光領域が、前記被
   露光体上で相互に重複しないように、前記移動手段及び
   前記照光手段を制御する露光制御手段、 を備えた露光装置において、 前記パターン形成領域が、前記被露光体の周縁部を含む
   か否かを判定する周縁部判定手段、 前記周縁部を含む当該パターン形成領域に対し、焼潰照
   光処理を行なうよう、前記移動手段及び前記照光手段を
   制御する焼潰露光制御手段を備えたこと、 を特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】被露光体上に照光領域を設定し、一回の照
   光処理により、前記照光領域に含まれる所定数のパター
   ン形成領域の露光を行なう露光方法において、 前記パターン形成領域が、前記被露光体の周縁部を含む
   場合は、当該パターン形成領域に対し、焼潰照光処理を
   行なうこと、 を特徴とする露光方法。
3. 【請求項３】請求項２の露光方法において、 前記被露光体上に設定された前記照光領域が、相互に重
   複しない二以上の照光領域であり、各々の前記照光領域
   に対し、順次、照光処理を行なうことにより、前記被露
   光体全体の露光を行なうこと、 を特徴とする露光方法。