JPH04326507A - 半導体露光方法 - Google Patents
半導体露光方法Info
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- JPH04326507A JPH04326507A JP3121727A JP12172791A JPH04326507A JP H04326507 A JPH04326507 A JP H04326507A JP 3121727 A JP3121727 A JP 3121727A JP 12172791 A JP12172791 A JP 12172791A JP H04326507 A JPH04326507 A JP H04326507A
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- shot
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000026058 directional locomotion Effects 0.000 description 1
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光方法に関し
、特に縮小投影方式の半導体露光装置による半導体露光
方法に関するものである。
、特に縮小投影方式の半導体露光装置による半導体露光
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、縮小投影方式の半導体露光装置
、即ちステッパは、マスクの拡大された回路パターンを
縮小投影光学系を通してウエハ上に繰り返し縮小投影し
、露光焼付けを行う装置である。この場合、１回の露光
でウエハ上に投影されるマスクのパターン面積は通常１
チップまたは数チップに相当する小さな面積である。
、即ちステッパは、マスクの拡大された回路パターンを
縮小投影光学系を通してウエハ上に繰り返し縮小投影し
、露光焼付けを行う装置である。この場合、１回の露光
でウエハ上に投影されるマスクのパターン面積は通常１
チップまたは数チップに相当する小さな面積である。
【０００３】従って、マスク上のパターンをウエハ全面
に露光するためには、ウエハをマスクに対し、縮小投影
光学系光軸に直交する面内でＸ、Ｙ方向にステップさせ
るとともに、各露光位置でＺ方向に駆動してウエハ面の
焦点合わせを行いながら露光を繰り返す必要がある。こ
れは、ステップアンドリピート方式と呼ばれる。
に露光するためには、ウエハをマスクに対し、縮小投影
光学系光軸に直交する面内でＸ、Ｙ方向にステップさせ
るとともに、各露光位置でＺ方向に駆動してウエハ面の
焦点合わせを行いながら露光を繰り返す必要がある。こ
れは、ステップアンドリピート方式と呼ばれる。
【０００４】従来、このウエハ面の焦点合わせは露光領
域全面に対し、各露光時に１回だけ行われていた。
域全面に対し、各露光時に１回だけ行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体回路の高集積化に伴い投影レンズの高解像度化（高
ＮＡ化）と露光領域の拡大が進んできた。この場合、レ
ンズのＮＡが大きくなるとそれにつれて焦点深度が小さ
くなる、即ち焦点合わせの余裕がなくなるという問題が
でてくる。
導体回路の高集積化に伴い投影レンズの高解像度化（高
ＮＡ化）と露光領域の拡大が進んできた。この場合、レ
ンズのＮＡが大きくなるとそれにつれて焦点深度が小さ
くなる、即ち焦点合わせの余裕がなくなるという問題が
でてくる。
【０００６】従って、従来の露光方法のように、各露光
時に露光領域の中心での１回だけの焦点合わせでは、露
光領域内においての焦点合わせが保証できなくなり、例
えば１回の露光で数チップを露光するような場合には焦
点ずれにより所望の解像度が得られなくなる。この結果
、不良チップが発生してチップの歩留りを低下させ、生
産性を悪化させるという欠点があった。
時に露光領域の中心での１回だけの焦点合わせでは、露
光領域内においての焦点合わせが保証できなくなり、例
えば１回の露光で数チップを露光するような場合には焦
点ずれにより所望の解像度が得られなくなる。この結果
、不良チップが発生してチップの歩留りを低下させ、生
産性を悪化させるという欠点があった。
【０００７】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなさ
れたものであって、露光領域全域に亘って適正な焦点合
わせを行い一定の高い解像度が得られる半導体露光方法
の提供を目的をする。
れたものであって、露光領域全域に亘って適正な焦点合
わせを行い一定の高い解像度が得られる半導体露光方法
の提供を目的をする。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明においては、マスク上の回路パター
ンに合わせて露光領域を分割し、分割された領域内で焦
点合わせを行い、その後露光を行う。
成するため、本発明においては、マスク上の回路パター
ンに合わせて露光領域を分割し、分割された領域内で焦
点合わせを行い、その後露光を行う。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明に係る半導体露光装置の斜視
図であり、図２は、図１の装置の分割焦点合わせ機構の
概略構成図である。また、図３（Ａ）〜（Ｄ）は図２の
焦点位置合わせ機構の動作説明図であり、図４はそのフ
ローチャートである。
図であり、図２は、図１の装置の分割焦点合わせ機構の
概略構成図である。また、図３（Ａ）〜（Ｄ）は図２の
焦点位置合わせ機構の動作説明図であり、図４はそのフ
ローチャートである。
【００１０】図１において、１はマスクであり、このマ
スク１はＸ、Ｙ、θ方向に移動可能なマスクステージ２
上に搭載される。マスク１の下方には縮小投影レンズ３
を介してウエハ４が配設される。このウエハ４は、Ｘ、
Ｙ、θおよびＺ方向に移動可能なウエハステージ５上に
搭載される。６はハウジングであり、ＴＴＬアライメン
トおよび観察用アライメントスコープ６ａを収納する。 ７はテレビアライメント用の対物レンズであって、得ら
れた像はテレビプリアライメント用の撮像管８で撮像さ
れる。
スク１はＸ、Ｙ、θ方向に移動可能なマスクステージ２
上に搭載される。マスク１の下方には縮小投影レンズ３
を介してウエハ４が配設される。このウエハ４は、Ｘ、
Ｙ、θおよびＺ方向に移動可能なウエハステージ５上に
搭載される。６はハウジングであり、ＴＴＬアライメン
トおよび観察用アライメントスコープ６ａを収納する。 ７はテレビアライメント用の対物レンズであって、得ら
れた像はテレビプリアライメント用の撮像管８で撮像さ
れる。
【００１１】９は縮小投影レンズを介してウエハ４を観
察するための撮像管、１０はマスクを照明するための露
光用光源、１１ａおよび１１ｂはウエハ供給用キャリア
、１２ａおよび１２ｂはウエハ回収用キャリアである。 プリアライメント用撮像管８およびＴＴＬ観察用撮像管
９で撮像した映像は選択的にモニタテレビ１３に写し出
される。操作パネル１４にはジョイスティックやスイッ
チ等が備わる。コンソール１５はＣＲＴ画面と連動し装
置を制御する。
察するための撮像管、１０はマスクを照明するための露
光用光源、１１ａおよび１１ｂはウエハ供給用キャリア
、１２ａおよび１２ｂはウエハ回収用キャリアである。 プリアライメント用撮像管８およびＴＴＬ観察用撮像管
９で撮像した映像は選択的にモニタテレビ１３に写し出
される。操作パネル１４にはジョイスティックやスイッ
チ等が備わる。コンソール１５はＣＲＴ画面と連動し装
置を制御する。
【００１２】操作パネル１４のジョイスティックは複数
の機能を有し、例えばマスクステージ２およびウエハス
テージ５のＸ、Ｙ、θ方向の移動、アライメントスコー
プ６ａのＸ、Ｙ方向の移動、フォーカシングのためのＺ
方向の移動およびズーム動作を行わせることができる。 これらの機能は、予めシーケンスの特定箇所でその箇所
の動作に関連する機能が自動的に選択されるようにプロ
グラムに設定される。具体的には、スタート待ちの状態
ではマスクステージ２およびアライメントスコープ６ａ
の駆動が可能になり、プリアライメント後やオートアラ
イメント後にはウエハステージ５の駆動が可能になり、
それぞれ対応する機能が自動的に選択される。
の機能を有し、例えばマスクステージ２およびウエハス
テージ５のＸ、Ｙ、θ方向の移動、アライメントスコー
プ６ａのＸ、Ｙ方向の移動、フォーカシングのためのＺ
方向の移動およびズーム動作を行わせることができる。 これらの機能は、予めシーケンスの特定箇所でその箇所
の動作に関連する機能が自動的に選択されるようにプロ
グラムに設定される。具体的には、スタート待ちの状態
ではマスクステージ２およびアライメントスコープ６ａ
の駆動が可能になり、プリアライメント後やオートアラ
イメント後にはウエハステージ５の駆動が可能になり、
それぞれ対応する機能が自動的に選択される。
【００１３】図２において、ウエハステージ５によりウ
エハ４を露光位置に移動し、焦点検出器２３により焦点
ずれを検出し、焦点合わせ制御装置２４によりウエハス
テージ５上のＺステージ２５を駆動する。これによりウ
エハ４の焦点合わせが行われる。２２は照明系２１から
出た露光光の露光領域をマスクパターンに応じて遮光さ
せるマスキングブレードである。
エハ４を露光位置に移動し、焦点検出器２３により焦点
ずれを検出し、焦点合わせ制御装置２４によりウエハス
テージ５上のＺステージ２５を駆動する。これによりウ
エハ４の焦点合わせが行われる。２２は照明系２１から
出た露光光の露光領域をマスクパターンに応じて遮光さ
せるマスキングブレードである。
【００１４】以下、本発明の特徴である露光時の分割焦
点合わせの動作を図３の動作概略図および図４のフロー
チャートを用いて説明する。
点合わせの動作を図３の動作概略図および図４のフロー
チャートを用いて説明する。
【００１５】図３において、（Ａ）図はマスクを表し、
２つの同種の回路パターンＡ、Ｂが形成されている。ま
ず、ウエハステージを移動して光軸上の焦点位置検出位
置に、図３（Ｄ）に示すウエハ上の第１ショット領域Ｉ
の位置ｂを位置合わせする（ステップＳ１）。この位置
で焦点検出器２３（図２）により焦点位置を計測しこの
計測値に基づいて焦点合わせ制御装置２４により焦点合
わせを行う（ステップＳ２）。次に、ウエハステージ５
を移動して図３（Ｄ）に示す第１ショットセンター位置
ａを位置合わせする（ステップＳ３）。次に、マスキン
グブレード２２（図２）を図３（Ｂ）の斜線部のパター
ンＢを遮光するように移動し（ステップＳ４）、露光を
行う（ステップＳ５）。
２つの同種の回路パターンＡ、Ｂが形成されている。ま
ず、ウエハステージを移動して光軸上の焦点位置検出位
置に、図３（Ｄ）に示すウエハ上の第１ショット領域Ｉ
の位置ｂを位置合わせする（ステップＳ１）。この位置
で焦点検出器２３（図２）により焦点位置を計測しこの
計測値に基づいて焦点合わせ制御装置２４により焦点合
わせを行う（ステップＳ２）。次に、ウエハステージ５
を移動して図３（Ｄ）に示す第１ショットセンター位置
ａを位置合わせする（ステップＳ３）。次に、マスキン
グブレード２２（図２）を図３（Ｂ）の斜線部のパター
ンＢを遮光するように移動し（ステップＳ４）、露光を
行う（ステップＳ５）。
【００１６】続いて、ウエハステージの移動により、第
１ショットの位置ｃを焦点検出位置に位置合わせする（
ステップＳ６）。この位置でステップＳ２と同様に焦点
合わせを行う（ステップＳ７）。次に、ステップＳ３と
同様に、ウエハステージ５を図３（Ｄ）の第１ショット
センター位置ａに移動し（ステップＳ８）、ここでマス
キングブレード２２を駆動して、図３（Ｃ）に示すよう
に、斜線部のパターンＡを遮光し（ステップＳ９）、こ
の状態で露光を行う（ステップＳ１０）。
１ショットの位置ｃを焦点検出位置に位置合わせする（
ステップＳ６）。この位置でステップＳ２と同様に焦点
合わせを行う（ステップＳ７）。次に、ステップＳ３と
同様に、ウエハステージ５を図３（Ｄ）の第１ショット
センター位置ａに移動し（ステップＳ８）、ここでマス
キングブレード２２を駆動して、図３（Ｃ）に示すよう
に、斜線部のパターンＡを遮光し（ステップＳ９）、こ
の状態で露光を行う（ステップＳ１０）。
【００１７】以上の動作によりウエハ上の第１ショット
の露光が終了する。以降、上記ステップＳ１からＳ１０
までを繰り返して第２、第３ショット領域ＩＩ、ＩＩＩ
の露光を行い、ウエハ上の全ショットの露光を行う。
の露光が終了する。以降、上記ステップＳ１からＳ１０
までを繰り返して第２、第３ショット領域ＩＩ、ＩＩＩ
の露光を行い、ウエハ上の全ショットの露光を行う。
【００１８】次に、図５および図６を参照して本発明の
別の実施例について説明する。図５は、露光領域全面に
対しての焦点合わせ検出用センサの数および位置を示す
。上記第１の実施例は、図５（Ａ）で示すように、露光
領域での焦点合わせ用のセンサが露光領域中心に１つだ
け設けられた場合の分割焦点合わせ方法である。以下の
第２の実施例は、図５（Ｂ）に示すように、露光領域内
に複数の焦点検出センサを設けた装置による分割焦点合
わせ方法である。この実施例では、露光領域での各セン
サの位置とマスクパターンにより分割された各露光領域
で検出可能なセンサを自動的に選択し、焦点合わせおよ
び露光を行う。以下、図３、図５および図６のフローチ
ャートを用いてこの実施例について説明する。
別の実施例について説明する。図５は、露光領域全面に
対しての焦点合わせ検出用センサの数および位置を示す
。上記第１の実施例は、図５（Ａ）で示すように、露光
領域での焦点合わせ用のセンサが露光領域中心に１つだ
け設けられた場合の分割焦点合わせ方法である。以下の
第２の実施例は、図５（Ｂ）に示すように、露光領域内
に複数の焦点検出センサを設けた装置による分割焦点合
わせ方法である。この実施例では、露光領域での各セン
サの位置とマスクパターンにより分割された各露光領域
で検出可能なセンサを自動的に選択し、焦点合わせおよ
び露光を行う。以下、図３、図５および図６のフローチ
ャートを用いてこの実施例について説明する。
【００１９】図５（Ｂ）は、露光領域全面に対し５つの
焦点検出センサａ〜ｅを設けた場合の各センサの配置を
示す。
焦点検出センサａ〜ｅを設けた場合の各センサの配置を
示す。
【００２０】まず、光軸上に、図３（Ｄ）に示すウエハ
上の第１ショットのａ位置がくるようにウエハステージ
を移動する（ステップＳ１）。次に、図５（Ｂ）の５つ
の焦点センサのうち２つのセンサｂ、ｃを用いて図３（
Ａ）のパターンＡ部の焦点合わせを行う（ステップＳ２
）。次に、マスキングブレード２２（図２）を、図３（
Ｂ）の斜線部で示すように、パターンＢを遮光するよう
に駆動し（ステップＳ３）、この状態で露光を行う（ス
テップＳ４）。
上の第１ショットのａ位置がくるようにウエハステージ
を移動する（ステップＳ１）。次に、図５（Ｂ）の５つ
の焦点センサのうち２つのセンサｂ、ｃを用いて図３（
Ａ）のパターンＡ部の焦点合わせを行う（ステップＳ２
）。次に、マスキングブレード２２（図２）を、図３（
Ｂ）の斜線部で示すように、パターンＢを遮光するよう
に駆動し（ステップＳ３）、この状態で露光を行う（ス
テップＳ４）。
【００２１】続いて、図５（Ｂ）の５つの焦点センサの
うち２つのセンサｄ、ｅを用いて、図３（Ａ）のパター
ンＢの露光領域の焦点合わせを行う（ステップＳ５）。 次に、マスキングブレード２２により、図３（Ｃ）の斜
線部で示すように、パターンＡ部を遮光し（ステップＳ
６）、露光を行う（ステップＳ７）。
うち２つのセンサｄ、ｅを用いて、図３（Ａ）のパター
ンＢの露光領域の焦点合わせを行う（ステップＳ５）。 次に、マスキングブレード２２により、図３（Ｃ）の斜
線部で示すように、パターンＡ部を遮光し（ステップＳ
６）、露光を行う（ステップＳ７）。
【００２２】以上の動作により、ウエハ上の第１ショッ
トの露光が終了する。さらに、第２、第３ショットにお
いても上記ステップＳ１からＳ７を繰り返してウエハ上
の全ショットの露光を行う。
トの露光が終了する。さらに、第２、第３ショットにお
いても上記ステップＳ１からＳ７を繰り返してウエハ上
の全ショットの露光を行う。
【００２３】上記第２の実施例によれば、露光領域内に
複数の焦点検出センサをもつ装置において、分割露光領
域内で焦点検出可能なセンサを自動で選択し、焦点合わ
せおよび露光を行うことができ、これにより、焦点検出
センサを１つのみ有する前記第１の実施例に比べ、焦点
合わせのためにウエハステージをセンサの下に駆動する
必要がなくなるためスループットの向上を図ることがで
きる。
複数の焦点検出センサをもつ装置において、分割露光領
域内で焦点検出可能なセンサを自動で選択し、焦点合わ
せおよび露光を行うことができ、これにより、焦点検出
センサを１つのみ有する前記第１の実施例に比べ、焦点
合わせのためにウエハステージをセンサの下に駆動する
必要がなくなるためスループットの向上を図ることがで
きる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、マスクの回路パタ
ーンに合わせて露光領域を分割し、この分割露光領域ご
とに焦点合わせを行いその後露光を行うことにより、露
光領域内全域において均一な解像度が得られチップの歩
留りが上がり生産性を向上させることができる。
ーンに合わせて露光領域を分割し、この分割露光領域ご
とに焦点合わせを行いその後露光を行うことにより、露
光領域内全域において均一な解像度が得られチップの歩
留りが上がり生産性を向上させることができる。
【図１】本発明が適用される半導体露光装置の斜視図で
ある
ある
【図２】図１の装置の要部機構を示す構成説明図である
【図３】図２の機構の動作を説明するための図であり、
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は露光ショット領域の分割説明図、
（Ｄ）はウエハの平面図である
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は露光ショット領域の分割説明図、
（Ｄ）はウエハの平面図である
【図４】図２の機構の動作を示すフローチャートである
【図５】（Ａ）（Ｂ）は各々露光領域における焦点検出
センサの各別の位置の例を示すセンサ配置説明図である
センサの各別の位置の例を示すセンサ配置説明図である
【図６】本発明の別の実施例の動作を示すフローチャー
トである
トである
１ マスク
３ 縮小投影レンズ
４ ウエハ
５ ウエハステージ
２１ 露光照明系
２２ マスキングブレード
２３ 焦点検出器
２４ 焦点合わせ制御装置
２５ ウエハＺステージ
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上の複数の露光ショット領域を
同じマスクを用いて順次露光する半導体露光方法におい
て、各露光ショット領域を複数に分割し、各分割領域ご
とに焦点合わせおよび露光を行うことを特徴とする半導
体露光方法。 - 【請求項２】 前記露光ショット領域に対応して焦点
位置検出用センサを１つのみ設け、ウエハの移動により
各分割領域の焦点位置を検出することを特徴とする請求
項１の半導体露光方法。 - 【請求項３】 前記露光ショット領域に対応して焦点
位置検出用センサを複数個設け、各分割領域に応じてセ
ンサを選択しウエハを移動することなく各分割領域の焦
点位置を検出することを特徴とする請求項１の半導体露
光方法。 - 【請求項４】 前記マスクを遮蔽するマスキングブレ
ードを設け、露光すべき分割領域以外の部分を該マスキ
ングブレードの移動により遮光して各分割領域の露光を
行うことを特徴とする請求項１の半導体露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121727A JPH04326507A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121727A JPH04326507A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326507A true JPH04326507A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14818388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121727A Pending JPH04326507A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 半導体露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326507A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7052986B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7087983B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing methods of semiconductor devices and a solid state image pickup device |
| US7091136B2 (en) | 2001-04-16 | 2006-08-15 | Basol Bulent M | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3121727A patent/JPH04326507A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7091136B2 (en) | 2001-04-16 | 2006-08-15 | Basol Bulent M | Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same |
| US7052986B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7087983B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing methods of semiconductor devices and a solid state image pickup device |
| CN1293605C (zh) * | 2002-09-20 | 2007-01-03 | 佳能株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| US7365002B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7838957B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a plurality of photoelectric conversion elements, a transfer transistor, an amplifying transistor, a reset transistor, and a plurality of wirings defining an aperture of the photoelectric conversion elements |
| US8183084B2 (en) | 2002-09-20 | 2012-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods of manufacturing solid state image pickup devices |
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