KR0168353B1 - 넌패턴 웨이퍼의 검사방법 - Google Patents

Abstract

넌패턴(non pattern) 웨이퍼 상에 기준좌표 패턴을 형성하여 기준좌표패턴을 기준으로 불량지점을 확인한 후 불량지점의 변화를 검사하는 넌패턴 웨이퍼 검사방법이 개시되어 있다.

본 발명의 검사방법은, 패턴이 형성되지 않은 넌패턴 웨이퍼상에 특정한 개수의 기준좌표 패턴을 형성하는 단계, 상기 기준좌표 패턴을 기준점으로 하여 상기 넌패턴 웨이퍼상의 불량지점의 위치를 파악하는 단계, 상기 넌패턴 웨이퍼상의 기준좌표 패턴을 제거하는 단계 및 상기 넌패턴 웨이퍼에 대한 후속공정 진행시 상기 위치 파악된 불량지점의 변화를 재검사하는 단계를 구비하여 이루어진다.

따라서, 넌패턴 웨이퍼의 불량 발생시 웨이퍼의 불량지점을 용이하게 확인하여 후속공정단계에서 불량지점의 변화를 용이하게 검사할 수 있다는 효과가 있다.

Description

넌패턴(non-pattern) 웨이퍼의 검사방법

제1도는 본 발명에 따른 넌패턴 웨이퍼의 검사방법의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 넌패턴 웨이퍼 12, 14, 16 : 기준좌표 패턴

18 : 불량지점

본 발명은 넌패턴(non-pattcrn) 웨이퍼의 검사방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 넌패턴 웨이퍼 상에 기준좌표 패턴을 형성하여 기준좌표점을 기준으로 불량지점을 확인하는 넌패턴 웨이퍼 검사방법에 관한 것이다.

넌패턴 웨이퍼는 게르마늄이나 실리콘의 잉곳(Ingot)을 얇게 자른 것으로 표면에 패턴이 전혀 형성되지 않은 것을 말한다. 상기 넌패턴 웨이퍼 상에는 일반적으로 후속되는 일련의 반도체소자 제조공정에 의해서 일정한 패턴(Pattcrn)이 형성되어 반도체소자의 구조가 완성된다.

그런데 종래의 넌패턴 웨이퍼는 웨이퍼 제작공정상 혹은 작업자의 부주의에 의해서 웨이퍼 상에 불량이 발생할 수 있으며, 이 경우 SFS6200 장비나 KLA 장비를 통해서 웨이퍼의 불량을 확인할 수는 있었으나 불량이 발생한 지점의 정확한 좌표를 정확히 확인할 수 없다는 문제점이 있었다.

이에 본 발명의 목적은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 넌패턴 웨이퍼의 불량지점을 용이하게 확인하여 후속공정시 그 변화상태를 용이하게 검사할 수 있는 넌패턴 웨이퍼의 검사방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 넌패턴 웨이퍼 검사방법은, 패턴이 형성되지 않은 넌패턴 웨이퍼 상에 특정한 개수의 기준좌표 패턴을 형성하는 단계, 상기 기준좌표 패턴을 기준점으로 하여 상기 넌패턴 웨이퍼 상의 불량지점의 위치를 파악하는 단계, 상기 넌패턴 웨이퍼상의 기준좌표 패턴을 제거하는 단계 및 상기 넌패턴 웨이퍼에 대한 후속공정진행시 상기 위치 파악된 불량지점의 변화를 재검사하는 단계를 구비하여 이루어진다.

상기 기준좌표 패턴은 포토레지스트로 형성하는 것이 작업상 용이하며, 상기 기준좌표 패턴은 일직선을 형성하지 않는 적어도 3개의 지점으로 구성되는 것이 불량지점을 정확히 확인할 수 있다는 점에서 바람직하다.

이하, 본 발명에 따른 넌패턴 웨이퍼의 검사방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명에 따른 넌패턴 웨이퍼의 검사방법을 설명하기위한 기준좌표 패턴이 형성된 넌패턴 웨이퍼를 나타내는 도면이다. 제1도를 참조하면, 공정반응실에서 넌패턴 웨이퍼(10) 상에 포토레지스트(Photo Resist)를 일정한 두께로 도핑한다. 포토레지스트가 도핑된 넌패턴 웨이퍼(10)상에 임의의 3개의 기준좌표가 미리 설계된 마스크(Mask)를 이용하여 상기 넌패턴 웨이퍼(10)상의 포토레지스트를 노광시킨다. 노광후 통상의 식각공정을 거쳐서 웨이퍼(10) 상에 3개의 기준좌표 패턴(12, 14, 16)을 형성시킨다. 이어서, 상기 기준좌표패턴이 형성된 샘플로 선정된 넌패턴 웨이퍼(10)를 KLA(장비명) 등의 불량 조사장비를 이용하여 불량지점을 검사한다. 이때 불량지점 검사장비에는 넌패턴 웨이퍼 상에 이미 형성된 3개의 기준좌표의 좌표값이 입력되어 있다. 그래서 웨이퍼(10)에 대한 불량검사 도중 웨이퍼상에 불량지점(18)이 발생하면 이미 알고 있는 기준좌표(12, 14, 16)를 기준점으로 하여 불량지점(18)의 좌표가 확인되어 자료로 보관되어진다.

이어서, 상기 불량지점의 위치가 파악된 상기 넌패턴 웨이퍼(10)상의 기준좌표 패턴(12, 14, 16)은 정상적인 반도체소자 제조공정을 수행하기 위하여 제거된다.

상기 불량지점의 봐표가 확인된 넌패턴의 웨이퍼(10)는, 후속되는 각 공정을 수행하면서 상기 이미 자료로 입력된 불량지점의 위치에서 어떠한 변화가 있는 지가 용이하게 재검사되어진다.

이상의 실시예에서 나타난 바와 같이 본 발명에 의하면 넌패턴 웨이퍼의 불량의 발생시 웨이퍼의 불량지점을 용이하게 확인하여 다음 공정단계에서 불량지점의 공정에 따른 변화를 용이하게 확인할 수 있어서 생산되는 반도체소자의 불량 및 수율관리를 용이하게 할 수 있다는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가증함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 모든 변형 및 수정이 첨부된 특허 청구의 범위에 속함은 당연하다.

Claims (3)

1. 패턴이 형성되지 않은 넌패턴 웨이퍼상에 특정한 개수의 기준좌표 패턴을 형성하는 단계; 상기 기준좌표 패턴을 기준점으로 하여 상기 전패턴 웨이퍼상의 불량지점의 위치를 파악하는 단계; 상기 넌패턴 웨이퍼상의 기준좌표 패턴을 제거하는 다계; 및 상기 넌패턴 웨이퍼에 대한 후속공정 진행시 상기 위치 파악된 불량지점의 변화를 재검사하는 단계;를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 넌패턴 웨이퍼의 검사방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 기준좌표 패턴은 포토레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 넌패턴 웨이퍼의 검사방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 기준좌표 패턴은 일직선을 형성하지 않는 적어도 3개의 지점으로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 넌패턴 웨이퍼 검사방법.