JP2970043B2 - レチクルのパターン検査方法 - Google Patents
レチクルのパターン検査方法Info
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- JP2970043B2 JP2970043B2 JP12060991A JP12060991A JP2970043B2 JP 2970043 B2 JP2970043 B2 JP 2970043B2 JP 12060991 A JP12060991 A JP 12060991A JP 12060991 A JP12060991 A JP 12060991A JP 2970043 B2 JP2970043 B2 JP 2970043B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクルのパターン検査
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレチクルのパターン検査方法は、
半導体ウェーハと同様の形状を有する検査用のガラスウ
ェーハ１の上にフォトレジスト膜を塗布して第１のレチ
クルパターンと第２のレチクルパターンとを有する２面
付レチクルを用いステッパにより順次配列して露光し、
２面付レチクルによるチップパターン５ａ，５ｂの対を
１列に配列して形成し、このチップパターン５ａとチッ
プパターン５ｂとの夫々を顕微鏡付カメラで撮像し、画
像処理して重ね合わせ、チップパターン５ａとチップパ
ターン５ｂの差異を抽出して第１と第２のレチクルのパ
ターン欠陥を検出していた。
半導体ウェーハと同様の形状を有する検査用のガラスウ
ェーハ１の上にフォトレジスト膜を塗布して第１のレチ
クルパターンと第２のレチクルパターンとを有する２面
付レチクルを用いステッパにより順次配列して露光し、
２面付レチクルによるチップパターン５ａ，５ｂの対を
１列に配列して形成し、このチップパターン５ａとチッ
プパターン５ｂとの夫々を顕微鏡付カメラで撮像し、画
像処理して重ね合わせ、チップパターン５ａとチップパ
ターン５ｂの差異を抽出して第１と第２のレチクルのパ
ターン欠陥を検出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のレチクルの
パターン検査方法では、２面付以上のレチクルの場合に
はガラスウェーハ上に形成した第１と第２のレチクルパ
ターンに相当するチップパターンを比較することでレチ
クル上のパターン欠陥を検査することができるが、１面
付レチクルの場合はガラスウェーハ上に１種類のチップ
パターンしか形成できず、チップパターンの重ね合わせ
によるレチクルのパターン欠陥の検出ができないという
問題点がある。
パターン検査方法では、２面付以上のレチクルの場合に
はガラスウェーハ上に形成した第１と第２のレチクルパ
ターンに相当するチップパターンを比較することでレチ
クル上のパターン欠陥を検査することができるが、１面
付レチクルの場合はガラスウェーハ上に１種類のチップ
パターンしか形成できず、チップパターンの重ね合わせ
によるレチクルのパターン欠陥の検出ができないという
問題点がある。
【０００４】また、１面付レチクルを２枚使用して１チ
ップおきに交互に違うレチクルのチップパターンを形成
することも可能ではあるが、ガラスウェーハ上のアライ
メントができず２枚のレチクルで形成したチップパター
ン間にずれが生じてチップパターンが重なり合いこれら
２つのチップパターンを画像比較すると擬似欠陥が発生
してパターン欠陥の検査ができないという問題点があ
る。
ップおきに交互に違うレチクルのチップパターンを形成
することも可能ではあるが、ガラスウェーハ上のアライ
メントができず２枚のレチクルで形成したチップパター
ン間にずれが生じてチップパターンが重なり合いこれら
２つのチップパターンを画像比較すると擬似欠陥が発生
してパターン欠陥の検査ができないという問題点があ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレチクルのパタ
ーン検査方法は、ガラスウェーハ上に第１のフォトレジ
スト膜を塗布し、前記第１のフォトレジスト膜にアライ
メントパターンを露光・現像してアライメントマークを
形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜を硬化さ
せた後第２のフォトレジスト膜を塗布して第１の１面付
レチクルのパターンと第２の１面付レチクルのパターン
を順次配列して露光し現像して第１のチップパターンと
第２のチップパターンを交互に順次配列して設ける工程
と、前記第１のチップパターンと第２のチップパターン
を光学的・電気的に画像処理して差異を抽出し前記第１
の１面付レチクル又は第２の１面付レチクルのパターン
欠陥を検出する工程とを含んで構成される。ここで、前
記第１のフォトレジスト膜の硬化は、前記第１のフォト
レジスト膜にアライメントパターンを露光・現像してア
ライメントマークを形成後、水素ガス又は窒素ガスによ
るプラズマ処理で行われる。
ーン検査方法は、ガラスウェーハ上に第１のフォトレジ
スト膜を塗布し、前記第１のフォトレジスト膜にアライ
メントパターンを露光・現像してアライメントマークを
形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜を硬化さ
せた後第２のフォトレジスト膜を塗布して第１の１面付
レチクルのパターンと第２の１面付レチクルのパターン
を順次配列して露光し現像して第１のチップパターンと
第２のチップパターンを交互に順次配列して設ける工程
と、前記第１のチップパターンと第２のチップパターン
を光学的・電気的に画像処理して差異を抽出し前記第１
の１面付レチクル又は第２の１面付レチクルのパターン
欠陥を検出する工程とを含んで構成される。ここで、前
記第１のフォトレジスト膜の硬化は、前記第１のフォト
レジスト膜にアライメントパターンを露光・現像してア
ライメントマークを形成後、水素ガス又は窒素ガスによ
るプラズマ処理で行われる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例を説明するための
レイアウト図である。
レイアウト図である。
【０００８】図１に示すように、半導体ウェーハと同じ
形状を有するガラスウェーハ１の上に第１のフォトレジ
スト膜を塗布し、アライメントパターンを露光して現像
し、ガラスウェーハ１の周縁部近傍に点在させたアライ
メントマーク２を形成する。次に、水素ガス又は窒素ガ
スによるプラズマ中にガラスウェーハ１を晒して第１の
フォトレジスト膜を硬化させる。次に、アライメントマ
ーク２を含む表面に第２のフォトレジスト膜を塗布し、
アライメントマーク２によりステッパの位置合わせを行
った上でステッパにより第１の１面付レチクルを用い１
チップ毎の間隙を設けながらチップパターン３を１列に
露光する。次に第２の１面付レチクルを用いアライメン
トマーク２によりステッパの位置合わせを行った後第１
のチップパターン３に隣接する間隙に第２のチップパタ
ーン４を順次露光し、現像し、第１のチップパターン３
と第２のチップパターン４が交互に配列されたパターン
列を形成する。このガラスウェーハ１をパターン検査装
置に装着し、チップパターン３とチップパター４の夫々
を顕微鏡に取付けたカメラにより撮像し、画像処理によ
りチップパターン３とチップパターン４とを重ね合わせ
てチップパターン３とチップパターン４との差異を抽出
し、第１又は第２のレチクルのパターン欠陥を検出す
る。
形状を有するガラスウェーハ１の上に第１のフォトレジ
スト膜を塗布し、アライメントパターンを露光して現像
し、ガラスウェーハ１の周縁部近傍に点在させたアライ
メントマーク２を形成する。次に、水素ガス又は窒素ガ
スによるプラズマ中にガラスウェーハ１を晒して第１の
フォトレジスト膜を硬化させる。次に、アライメントマ
ーク２を含む表面に第２のフォトレジスト膜を塗布し、
アライメントマーク２によりステッパの位置合わせを行
った上でステッパにより第１の１面付レチクルを用い１
チップ毎の間隙を設けながらチップパターン３を１列に
露光する。次に第２の１面付レチクルを用いアライメン
トマーク２によりステッパの位置合わせを行った後第１
のチップパターン３に隣接する間隙に第２のチップパタ
ーン４を順次露光し、現像し、第１のチップパターン３
と第２のチップパターン４が交互に配列されたパターン
列を形成する。このガラスウェーハ１をパターン検査装
置に装着し、チップパターン３とチップパター４の夫々
を顕微鏡に取付けたカメラにより撮像し、画像処理によ
りチップパターン３とチップパターン４とを重ね合わせ
てチップパターン３とチップパターン４との差異を抽出
し、第１又は第２のレチクルのパターン欠陥を検出す
る。
【０００９】なお、第１のフォトレジスト膜の硬化方法
としてプラズマ処理の代りに紫外線を照射しても良く、
処理工程が簡単で処理時間も短くできる利点がある。
としてプラズマ処理の代りに紫外線を照射しても良く、
処理工程が簡単で処理時間も短くできる利点がある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガラスウ
ェーハ上に第１のフォトレジスト膜によるアライメント
マークを形成した後に第２のフォトレジスト膜を塗布
し、アライメントマークにより位置合わせを行い、第１
の１面付レチクルによる第１のチップパターンと第２の
１面付レチクルによる２のチップパターン２とを順次交
互に配列して設けることにより、２面付レチクルの場合
と同様に、画像処理によるレチクルパターン欠陥が容易
に検出できるという効果を有する。
ェーハ上に第１のフォトレジスト膜によるアライメント
マークを形成した後に第２のフォトレジスト膜を塗布
し、アライメントマークにより位置合わせを行い、第１
の１面付レチクルによる第１のチップパターンと第２の
１面付レチクルによる２のチップパターン２とを順次交
互に配列して設けることにより、２面付レチクルの場合
と同様に、画像処理によるレチクルパターン欠陥が容易
に検出できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのレイアウト
図。
図。
【図２】従来のレチクルパターン検査方法の一例を説明
するためのレイアウト図。
するためのレイアウト図。
１ ガラスウェーハ ２ アライメントマーク ３，４，５ａ，５ｂ チップパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラスウェーハ上に第１のフォトレジス
ト膜を塗布し、前記第１のフォトレジスト膜にアライメ
ントパターンを露光・現像してアライメントマークを形
成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜を硬化させ
た後第２のフォトレジスト膜を塗布して第１の１面付レ
チクルのパターンと第２の１面付レチクルのパターンを
順次配列して露光し現像して第１のチップパターンと第
２のチップパターンを交互に順次配列して設ける工程
と、前記第１のチップパターンと第２のチップパターン
を光学的・電気的に画像処理して差異を抽出し前記第１
の１面付レチクル又は第２の１面付レチクルのパターン
欠陥を検出する工程とを含むことを特徴とするレチクル
のパターン検査方法。 - 【請求項２】 前記第１のフォトレジスト膜にアライメ
ントパターンを露光・現像してアライメントマークを形
成後、水素ガス又は窒素ガスによるプラズマ処理で前記
第１のフォトレジスト膜を硬化させることを特徴とする
請求項１記載のレチクルのパターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12060991A JP2970043B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | レチクルのパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12060991A JP2970043B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | レチクルのパターン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348541A JPH04348541A (ja) | 1992-12-03 |
| JP2970043B2 true JP2970043B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14790484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12060991A Expired - Fee Related JP2970043B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | レチクルのパターン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970043B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499163B1 (ko) * | 1997-12-11 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 디펙트 분류 방법 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12060991A patent/JP2970043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04348541A (ja) | 1992-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
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