JP2003092252A - 半導体露光方法および半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光方法および半導体露光装置Info
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- JP2003092252A JP2003092252A JP2001283152A JP2001283152A JP2003092252A JP 2003092252 A JP2003092252 A JP 2003092252A JP 2001283152 A JP2001283152 A JP 2001283152A JP 2001283152 A JP2001283152 A JP 2001283152A JP 2003092252 A JP2003092252 A JP 2003092252A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
率および回転成分の補正を可能とし、高精度、高速、フ
レキシブルで、かつ複数の工程に対し、バランスのよい
ウエハ補正およびショット補正を可能とする半導体露光
方法および半導体露光装置を提供する。 【解決手段】 ショット内マーク情報を入力するショッ
ト内マーク入力部11と、ウエハ内補正用データを算出
するために使用するショットを入力するウエハ補正用サ
ンプルショット入力部12と、ショット内補正用データ
を算出するために使用するショットを入力するショット
補正用サンプルショット入力部13と、前記3つの入力
に応じてマーク計測を行うマーク計測部20と、前記3
つの入力に応じてウエハ内補正値とショット内補正値を
算出する補正値算出部22と、補正値算出部22により
算出された補正値を反映して露光を行う補正駆動部25
等の露光部とを有する。
Description
使用するレジスト塗布装置、半導体露光装置、および現
像装置を備えた半導体製造装置に関わるものであり、特
に位置合わせ(アライメント)を行うときに使用する感
光基板上のショット配列を定める半導体露光方法および
半導体露光装置に関するものである。
スキャン露光装置等)におけるアライメントは、半導体
ウエハ等の基板上の予め設定された幾つかのショット領
域に関連する位置もしくは位置エラーを計測し、これら
からウエハ上の各ショット領域のショット配列を決定す
る。この決定されたショット配列を用いて、レチクル等
の原版に関連する位置に、ウエハ上の各ショット領域を
順にアライメントする方法が用いられているが、各ショ
ット領域に関する位置もしくは位置エラーの計測は、図
3(a)に示すマーク1/マーク2(Mark1/Ma
rk2)のように、従来X,Y方向各1つ(1組)のマ
ークに対して行なわれていた。
集積度化、高画角化が進むと共に、製造工程も増加し、
これまでのようなある特定の工程のみに対しての位置合
わせだけでなく、複数の工程に対して、バランスよく位
置合わせを行なう必要性が生じている。さらには、特開
平7−183214号にも記述されているように、これ
まで補正することのできなかったショット自身の倍率お
よび回転成分においても補正する必要性が要求されてい
る。
t)内情報として設定しているマーク座標は、ウエハ
(Wafer)補正を行うため、もしくはウエハ内とシ
ョット補正共用で使用するための設定となっていた。さ
らに、ショット内の補正値を算出するための選択ショッ
トは、ウエハ補正用のショットと同一かウエハ補正用の
ショットの中からしか選べなかった。
(a)に示すマーク1/マーク2を用いてウエハ補正用
に選択するショットは、図5(a)のようにウエハ中心
からほぼ対称に、また円周をほぼ均等に分布するように
取ることが主流になりつつある(グローバルアライメン
トにおけるサンプルショット選択のこと)。
ット内12マークを、図5(a)で示されるウエハ補正
用のショットで計測すると、S1におけるマーク8およ
びマーク9(Mark8およびMark9)が無いた
め、計測できない場合が出てくる。つまり、ウエハ補正
用の計測ショットは、ショット補正用の計測には不向き
な場合がある。
ット補正用ショットを共用設定する場合は、ウエハ補正
用に使うマークとショット補正用に使うマークが区別で
きない。例えば、Y方向のウエハ補正には、図3(a)
のマーク3/マーク8(Mark3/Mark8)を使
用し、ショット補正にマーク1、6、7、12を使いた
くない場合、そのような補正値の算出ができなかった。
鑑みてなされたものであり、ウエハ補正用/ショット補
正用に適応した倍率および回転成分の補正を可能とする
半導体露光装置および半導体露光方法を提供することを
目的とする。そして、高精度、高速かつフレキシブル
で、かつ複数の工程に対し、バランスのよいウエハ補正
およびショット補正が可能な半導体露光方法および半導
体露光装置を提供することをさらなる目的とする。
に、本発明の半導体露光方法は、ショット内マーク情報
を入力する第1の工程と、ウエハ内補正用データを算出
するために使用するショットを入力する第2の工程と、
ショット内補正用データを算出するために使用するショ
ットを入力する第3の工程と、前記第1、第2、および
第3の工程による入力に応じてマーク計測を行うマーク
計測工程と、前記第1、第2、および第3の工程による
入力に応じてウエハ内補正値とショット内補正値を算出
する算出工程と、前記算出工程により算出された補正値
を反映して露光を行う露光工程と、を有することを特徴
とする。
途(「ウエハ補正用」/「ショット補正用」/「共
用」)、座標、および計測方向のいずれか1つ以上を設
定するものであるとよい。また、前記第2の工程は、任
意のショットを設定するものであるとよい。さらに、前
記マーク計測工程は、前記用途が「共用」で設定された
マークについては、ウエハ用ショットとショット計測用
ショットが同一の場合、一度のみ計測を行なうことが可
能である。
体露光装置は、ショット内マーク情報を入力する第1の
手段と、ウエハ内補正用データを算出するために使用す
るショットを入力する第2の手段と、ショット内補正用
データを算出するために使用するショットを入力する第
3の手段と、前記第1、第2、および第3の手段の入力
に応じてマーク計測を行うマーク計測手段と、前記第
1、第2、および第3の手段の入力に応じてウエハ内補
正値とショット内補正値を算出する算出手段と、前記算
出手段により算出された補正値を反映して露光を行う露
光手段と、を有することを特徴とする。
途(「ウエハ補正用」/「ショット補正用」/「共
用」)、座標、および計測方向のいずれか1つ以上を設
定するものであるとよい。また、前記第2の手段は、任
意のショットを設定するものであるとよい。さらに、前
記マーク計測手段は、前記用途が「ウエハ補正用」で設
定されたマークについては、ウエハ計測ショットでのみ
計測を行なうことが好ましく、前記用途が「ショット補
正用」で設定されたマークについては、ショット計測用
ショットでのみ計測を行なうことが好ましく、前記用途
が「共用」で設定されたマークについては、ウエハ用シ
ョットとショット計測用ショットが同一の場合、一度の
み計測を行なうことが好ましい。
データを算出するために使用するショットをウエハ内補
正用データを算出するために使用するショットとは別に
入力することで、ショット内補正用データを計測するの
に適したショットを任意に選択できるようになった。
めに使用するショットを任意に選べるようになったの
で、ショット計測用ショットを減らし、スループットを
アップすることができた。
に用途を入力することにより、目的毎に座標を入力する
必要がなく、よって作業性が向上した。さらには、ショ
ット内マーク情報、ウエハ内補正用データを算出するた
めに使用するショット、およびショット内補正用データ
を算出するために使用するショットの3つの入力に応じ
てマーク計測を行えば、ウエハ用ショットと、ショット
用ショットが同じショットだった場合、共用で使用する
マークは、一回しか測らない。よって、さらなるスルー
プットのアップが図れた。
る。 [第1の実施例]図1は、本発明の一実施例に係る半導
体露光装置を抽象化した構成図である。
装置を用いた半導体露光方法および装置について図面を
用いて説明する。図2は、本発明の一実施例に係る半導
体露光装置でシーケンスをスタートする前およびシーケ
ンスをスタートした時に行う動作を示すフローチャート
であり、(a)はシーケンスをスタートする前に行うフ
ロー、(b)はシーケンスをスタートした時に行うフロ
ーをそれぞれ示す。また、図3は、本発明の一実施例に
係るショット内マークおよびショット内情報入力の一例
を示す図であり、(a)はショット内マークの一例、
(b)はショット内マーク情報入力の一例をそれぞれ示
す。
示すようなマーク1〜マーク12(Mark1〜Mar
k12)が存在し、図3(b)に示すようにSS1〜S
S4までの設定を行う。ここで、マーク1,3,6,
7,8,12はY方向を計測するマークであり、マーク
2,4,5,9,10,11はX方向を計測するマーク
である。
1でスタートすると、ステップS202では、オペレー
タが図1の入出力装置10を操作し、ショット(Sho
t)内マーク入力部11を用いて、マーク情報(ショッ
ト補正用マーク情報)を入力する。ここで、マーク情報
は、図1のマーク情報記憶部14に記憶してもよい。
に示すように、ウエハ補正用(Wafer Comp)、ショット
補正用(Shot Comp )、および共用(Both)の各用途、
ショット内座標(X,Y )、計測方向(Direction X/Y )
から構成されている。ここで、本実施例では、ショット
補正用マーク情報は、上記3種類の情報のみを記述した
が、使用するマークタイプ等の情報を入れてもよい。
の入出力装置10を操作し、ウエハ(Wafer )補正用サ
ンプルショット入力部12を用いて、ウエハ補正用ショ
ット情報を入力する。ここで、ウエハ補正用ショット情
報は、図1のウエハ補正用ショット情報記憶部15に記
憶してもよい。
の入出力装置10を操作し、ショット補正用サンプルシ
ョット入力部13を用いて、ショット補正用ショット情
報を入力する。ここで、ショット補正用ショット情報
は、図1のショット補正用ショット情報記憶部16に記
憶してもよい。
ウエハ補正用に選択したサンプルショットを示す図であ
り、(a)は図3(a)に示すマーク1〜マーク12を
用いてウエハ補正用に選択するサンプルショットの一
例、(b)はショット補正用ショットを選択した場合の
一例をそれぞれ示す。本実施例では、ウエハ端ショット
を選択することによるマークの有無影響を取り除きたい
ので、ウエハ中心付近にショット補正用ショット(ショ
ット計測用ショット)をとることにする。また、スルー
プット向上のため、ショット数を減らし、8ショットか
ら図5(b)に示すような4ショット(SS1〜SS
4)を選択するものとする。
ケンススタートを行う。図2(b)において、シーケン
スがスタートすると、まず、ステップSS201である
ウエハ搬入を行う。そして、ステップSS202では、
図1の計測用サンプルマーク位置算出部17にて駆動用
マーク位置を算出する。ここで、駆動用マーク位置情報
は、駆動用マーク位置情報記憶部18に記憶してもよ
い。さらに、計測用サンプルマーク位置駆動部19は、
図4におけるCPU49、ステージ駆動装置50、XY
ステージ51を用いて、目的のサンプル位置に移動を行
う。図4の装置の動作については、後述する。
を用いてショット補正用サンプルマーク位置に移動を行
い、ステップSS204ではマーク計測部20を用いて
ずれ量を算出する。ここで、ずれ量情報は、ずれ量記憶
部21に記憶してもよい。ステップSS205において
は、ショット補正用サンプルマーク(SS1〜SS4の
マーク1〜マーク12)が全て計測終了するまでステッ
プSS202〜ステップSS204を行う。
つまり全ショット補正用サンプルマークを計測し終えた
ら、ステップSS206にてショット補正用補正値を算
出する。ここでは、図1における補正値算出部22が上
記したマーク情報、ウエハ補正用ショット情報、および
ショット補正用ショット情報をそれぞれ用いて、ウエハ
補正用補正値、ショット補正用補正値をそれぞれ算出す
る。ここで、ウエハ補正用補正値情報およびショット補
正用補正値情報は、ウエハ補正用補正値記憶部23およ
びショット補正用補正値記憶部24にそれぞれ記憶して
もよい。具体的な補正値算用式は、特許2868548
号や特開平9−266164号で紹介されているので、
ここでは省略する。
テップSS202と同様に、計測用サンプルマーク位置
算出部17にて駆動用マーク位置を算出する。ここで、
ウエハ補正用の計測用サンプルマーク位置駆動部19
も、図4におけるCPU49、ステージ駆動装置50、
およびXYステージ51を用いて、目的のサンプル位置
に移動を行う。
3と全く同じ方法で、マーク計測部20を用いてウエハ
補正用サンプルマーク位置計測を行い、ステップSS2
09ではずれ量を算出する。ステップSS210におい
ては、ウエハ補正用サンプルマーク(S1〜S8までの
マーク1、マーク2)が全て計測終了するまでステップ
SS207〜ステップSS209を行う。ステップSS
210にてYesの場合は、つまり全ウエハ補正用サン
プルマークを計測し終えたら、ステップSS211にて
ウエハ補正用補正値を算出する。
値算出部22がマーク情報、ウエハ補正用ショット情
報、ショット補正用ショット情報を用いて、ウエハ補正
用補正値、ショット補正用補正値を算出する。この補正
値の具体的な算出式は、グローバルアライメント法に紹
介されているので、ここでは省略する。
イメント法に基づき、図1の補正駆動部25を用いてウ
エハアライメント補正を行う。ステップSS213で
は、特開平7−183214号に紹介されている補正法
で、ショット用補正を行いながら露光を行う。ステップ
SS214にてYesの場合は、つまり全ショット露光
が終了したなら、ステップSS215でウエハを搬出す
る。ステップSS216では、全ウエハ終了していなけ
れば(Noの場合)ステップSS201に戻るが、全ウ
エハ終了していれば(Yesの場合)SS217の終了
となる。
(b)のマーク2を例にとって説明を行う。ここで、図
4は、本発明の一実施例に係る露光装置を抽象化した概
略構造図および位置合わせ用マークを示す図であり、
(a)は露光装置を抽象化した概略構造図、(b)は位
置合わせ用マークを示す図をそれぞれ示す。
位置合わせ用照明装置(器具)、43はビームスプリッ
タ、44は結像光学系、45は撮像装置、Sは位置合わ
せ光学系、46はA/D変換装置、47は積算装置、4
8は位置検出装置、49はCPU、50はステージ駆動
装置、51はXYステージ、Rはレチクル、Wはウエハ
である。
がXYステージ51に置かれると、CPU49は図5
(b)で示す1番目の計測ショットSS1に形成されて
いる図3(a)で示される位置合わせ用マークMark
2が、位置合わせ光学系Sの視野範囲内に位置するよう
ステージ駆動装置50に対してコマンドを送り、XYス
テージ51を駆動する。
こで、マークの位置ずれは、以下のようにして検出され
る。非露光光を照射する位置合わせ用照明器具42より
照射された光束は、ビームスプリッタ43、レチクルR
および投影光学系41を介して、位置合わせ用マークM
ark2を照明し、ウエハマークMark2から反射し
た光束は、再度投影光学系41およびレチクルRを介し
てビームスプリッタ43に到達し、ここで反射して結像
光学系44を介して撮像装置45の撮像面上にウエハマ
ークMark2の像(WM)を形成する。マークMar
k2の像は、撮像装置45において光電変換され、A/
D変換装置46において2次元のディジタル信号列に変
換される。積算装置47は、図4(b)に示すようなA
/D変換装置46によりディジタル信号化されたウエハ
マーク像WMに対して処理ウインドウWpを設定し、該
ウインドウ内において、図4(b)に示すy方向に移動
平均処理を行ない、2次元画像信号を1次元のディジタ
ル信号列S(x)に変換している。
から出力された1次元のディジタル信号列S(x)に対
し、予め記憶しておいたテンプレートパターンを用いて
パターンマッチを行ない、最もテンプレートパターンと
のマッチ度が高いS(x)のアドレス位置をCPU49
に対して出力する。この出力信号は、撮像装置45の撮
像面を基準としたマーク位置であるため、CPU49
は、予め不図示の方法により求められている撮像装置4
5とレチクルRとの相対的な位置から、ウエハマークM
ark2のレチクルRに対する位置ax1を計算により
求める。
1、図6、図7、および図8を用いて説明する。ここ
で、図6は、本実施例に係る半導体露光装置でシーケン
スをスタートした時に行う動作フローを示すフローチャ
ートである。図7は、本実施例に係るショット内マーク
およびショット内マーク情報入力の一例をそれぞれ示す
図であり、(a)はショット内マークの一例、(b)は
ショット内マーク情報入力の一例をそれぞれ示す。図8
は、本実施例に係るショット補正用ショットを選択した
一例を示す図である。図6において、ステップSS60
1までは、図2(a)のステップS201〜ステップS
205と全く同様なので、本実施例では説明を省略す
る。
2は、ショット補正用ショットSS22と同一ショット
である。同様に、S24はSS22と同一、S26はS
S23と同一、S28はSS24と同一である。
ク1、2は、ウエハ補正/ショット補正共通に使用す
る。マーク3、4は、ショット補正用にのみ使用され
る。よって、マーク3、4は、ウエハ補正用ショットで
は計測されない。ウエハ補正値の算出時、計測値は使用
されない。
すると、ステップSS602で、ウエハを搬入する。こ
れは、図2(b)において、シーケンスがスタートする
と、まず、ステップSS201であるウエハ搬入を行う
工程と同様である。ステップSS603〜ステップSS
605までも、実施例1における図2(b)のステップ
SS202〜ステップSS204と同様である。
る。 →S21(Mark1−>Mark2)→S22(Ma
rk1−>Mark2−>Mark3−>Mark4) →S23(Mark1−>Mark2)→S24(Ma
rk1−>Mark2−>Mark3−>Mark4) →S25(Mark1−>Mark2)→S26(Ma
rk1−>Mark2−>Mark3−>Mark4) →S27(Mark1−>Mark2)→S28(Ma
rk1−>Mark2−>Mark3−>Mark4) ステップSS606で全て計測終了すると、ステップS
S607であるショット補正用(Shot Cmp)補正値を算
出する。
下に示す通りである。 SS22(Mark1〜Mark4)、 SS24(Mark1〜Mark4)、 SS26(Mark1〜Mark4)、 SS28(Mark1〜Mark4)、 つまり、以下のように示される。 SS21(Mark1〜Mark4)、 SS22(Mark1〜Mark4)、 SS23(Mark1〜Mark4)、 SS24(Mark1〜Mark4)、 ショット補正値を算出後は、ステップSS608である
ウエハ補正(Wafer Cmp )用補正値を算出する。
ある。 S21(Mark1,Mark2)、 S22(Mark1,Mark2)、 S23(Mark1,Mark2)、 S24(Mark1,Mark2)、 S25(Mark1,Mark2)、 S26(Mark1,Mark2)、 S27(Mark1,Mark2)、 S28(Mark1,Mark2)、 ステップSS609〜ステップSS614は、実施例1
における図2(b)のステップSS212〜ステップS
S217と同様なので、説明を省略する。
記説明した半導体露光装置を利用した半導体等のデバイ
ス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システ
ムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置され
た製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しく
はソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
ザとしての半導体製造メーカ(半導体デバイスメーカ)
の製造工場である。製造工場102〜104は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等)であってもよい。各工場102〜104内に
は、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム107とが設
けられている。各工場102〜104に設けられたホス
ト管理システム107は、各工場内のLAN111を工
場の外部ネットワークであるインターネット105に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のLAN111からインターネット105を介してベン
ダ101側のホスト管理システム108にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット105を介して、
各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場102〜104とベンダ101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDN等)を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
ムを図9とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数の
ユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外
部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデ
ータ通信するものである。図中、201は製造装置ユー
ザ(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工
場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここ
では例として露光装置202、レジスト処理装置20
3、成膜処理装置204が導入されている。なお、図1
0では、製造工場201は1つだけ描いているが、実際
は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場
内の各装置はLAN206で接続されてイントラネット
等を構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ210、
レジスト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230
等、ベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞ
れ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理シス
テム211,221,231を備え、これらは上述した
ように保守データベースと外部ネットワークのゲートウ
ェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理する
ホスト管理システム205と、各装置のベンダの管理シ
ステム211,221,231とは、外部ネットワーク
200であるインターネット若しくは専用線ネットワー
クによって接続されている。このシステムにおいて、製
造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起
きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブ
ルが起きた機器のベンダからインターネット200を介
した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造
ラインの休止を最小限に抑えることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
11に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをデ
ィスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理する
オペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
(401)、シリアルナンバー(402)、トラブルの
件名(403)、発生日(404)、緊急度(40
5)、症状(406)、対処法(407)、経過(40
8)等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインターネットを介して保守データベースに送
信され、その結果の適切な保守情報が保守データベース
から返信されディスプレイ上に提示される。また、ウェ
ブブラウザが提供するユーザインタフェースは、さらに
図示のごとくハイパーリンク機能(410,411,4
12)を実現し、オペレータは各項目のさらに詳細な情
報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアラ
イブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフ
トウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供す
る操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることがで
きる。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図12
は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを
示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回
路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した
回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステ
ップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウ
エハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工
程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リ
ソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ス
テップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、
ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等
の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
ローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イ
オン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では上記説明した半導体露光装置
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像す
る。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程
で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムに
よって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐ
と共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能
で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させる
ことができる。
ト内補正用データを算出するために使用するショットを
ウエハ内補正用データを算出するために使用するショッ
トとは別に入力することが可能となった。よって、ショ
ット内補正用データを計測するのに適したショットを任
意に選択でき、精度が向上した。また、本発明によれ
ば、ショット内マーク情報を算出するために使用するシ
ョットを任意に選べるようになったので、ショット用計
測ショットを減らし、スループットアップが可能となっ
た。また、ショット内情報に用途を入力することによ
り、目的毎に座標を入力する必要がないため、作業性の
向上が図れた。さらに、ショット内マーク情報、ウエハ
内補正用データを算出するために使用するショット、お
よびショット内補正用データを算出するために使用する
ショットの3つの入力に応じてマーク計測を行えば、ウ
エハ用ショットと、ショット用ショットが同じショット
だった場合、共用で使用するマークは一回しか測らな
い。よって、さらなるスループットアップができた。
に適応したマークを使用しての倍率および回転成分の補
正が可能となった。よって、高精度、高速かつフレキシ
ブルで、かつ複数の工程に対しバランスの良いウエハ補
正およびショット補正が可能な半導体露光方法および半
導体露光装置が得られる。
象化した構成図である。
ーケンスをスタートする前およびシーケンスをスタート
した時に行う動作を示すフローチャートであり、(a)
はシーケンスをスタートする前に行うフロー、(b)は
シーケンスをスタートした時に行うフローをそれぞれ示
す。
よびショット内情報入力の一例を示す図であり、(a)
はショット内マークの一例、(b)はショット内マーク
情報入力の一例をそれぞれ示す。
た概略構造図および位置合わせ用マークを示す図であ
り、(a)は露光装置を抽象化した概略構造図、(b)
は位置合わせ用マークを示す図をそれぞれ示す。
用に選択したサンプルショットを示す図であり、(a)
は図3(a)に示すマーク1〜マーク12を用いてウエ
ハ補正用に選択するサンプルショットの一例、(b)は
ショット補正用ショットを選択した場合の一例をそれぞ
れ示す。
ーケンスをスタートした時に行う動作フローを示すフロ
ーチャートである。
よびショット内マーク情報入力の一例をそれぞれ示す図
であり、(a)はショット内マークの一例、(b)はシ
ョット内マーク情報入力の一例をそれぞれ示す。
ットを選択した一例を示す図である。
む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概
念図である。
含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た
概念図である。
含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザイン
タフェースの具体的を示す図である。
よるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図であ
る。
よるウエハプロセスを説明する図である。
2:ウエハ補正用サンプルショット入力部、13:ショ
ット補正用サンプルショット入力部、14:マーク情報
記憶部、15:ウエハ補正用ショット情報記憶部、1
6:ショット補正用ショット情報記憶部、17:計測用
サンプルマーク位置算出部、18:駆動用マーク位置情
報記憶部、19:サンプルマーク位置駆動部、20:マ
ーク計測部、21:ずれ量記憶部、22:補正値算出
部、23:ウエハ補正用補正値記憶部、24:ショット
補正用補正値記憶部、25:補正駆動部、41:投影光
学系、42:位置合わせ用照明装置、43:ビームスプ
リッタ、44:結像光学系、45:撮像装置、46:A
/D変換装置、47:積算装置、48:位置検出装置、
49:CPU、50:ステージ駆動装置、51:XYス
テージ、S:位置合わせ光学系、WM:ウエハマーク
像、Wp:処理ウインドウ、SS1,SS2,SS3,
SS4,SS21,SS22,SS23,SS24:シ
ョット補正用ショット、S1,S2,S3,S4,S
5,S6,S7,S8,S21,S22,S23,S2
4,S25,S26,S27,S28:ウエハ補正用シ
ョット。
Claims (17)
- 【請求項1】 ショット内マーク情報を入力する第1の
工程と、ウエハ内補正用データを算出するために使用す
るショットを入力する第2の工程と、ショット内補正用
データを算出するために使用するショットを入力する第
3の工程と、前記第1、第2、および第3の工程による
入力に応じてマーク計測を行うマーク計測工程と、前記
第1、第2、および第3の工程による入力に応じてウエ
ハ内補正値とショット内補正値を算出する算出工程と、
前記算出工程により算出された補正値を反映して露光を
行う露光工程と、を有することを特徴とする半導体露光
方法。 - 【請求項2】 前記第1の工程は、用途(「ウエハ補正
用」/「ショット補正用」/「共用」)、座標、および
計測方向のいずれか1つ以上を設定するものであること
を特徴とする請求項1に記載の半導体露光方法。 - 【請求項3】 前記第2の工程は、任意のショットを設
定するものであることを特徴とする請求項1または2に
記載の半導体露光方法。 - 【請求項4】 前記マーク計測工程は、前記用途が「共
用」で設定されたマークについては、ウエハ用ショット
とショット計測用ショットが同一の場合、一度のみ計測
を行なうことを特徴とする請求項2に記載の半導体露光
方法。 - 【請求項5】 ショット内マーク情報を入力する第1の
手段と、ウエハ内補正用データを算出するために使用す
るショットを入力する第2の手段と、ショット内補正用
データを算出するために使用するショットを入力する第
3の手段と、前記第1、第2、および第3の手段の入力
に応じてマーク計測を行うマーク計測手段と、前記第
1、第2、および第3の手段の入力に応じてウエハ内補
正値とショット内補正値を算出する算出手段と、前記算
出手段により算出された補正値を反映して露光を行う露
光手段と、を有することを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項6】 前記第1の手段は、用途(「ウエハ補正
用」/「ショット補正用」/「共用」)、座標、および
計測方向のいずれか1つ以上を設定するものであること
を特徴とする請求項5に記載の半導体露光装置。 - 【請求項7】 前記第2の手段は、任意のショットを設
定するものであることを特徴とする請求項5または6に
記載の半導体露光装置。 - 【請求項8】 前記マーク計測手段は、前記用途が「ウ
エハ補正用」で設定されたマークについては、ウエハ計
測ショットでのみ計測を行なうことを特徴とする請求項
6に記載の半導体露光装置。 - 【請求項9】 前記マーク計測手段は、前記用途が「シ
ョット補正用」で設定されたマークについては、ショッ
ト計測用ショットでのみ計測を行なうことを特徴とする
請求項6に記載の半導体露光装置。 - 【請求項10】 前記マーク計測手段は、前記用途が
「共用」で設定されたマークについては、ウエハ用ショ
ットとショット計測用ショットが同一の場合、一度のみ
計測を行なうことを特徴とする請求項6に記載の半導体
露光装置。 - 【請求項11】 請求項5〜10のいずれか1項に記載
の半導体露光装置において、ディスプレイと、ネットワ
ークインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを
実行するコンピュータとをさらに有し、半導体露光装置
の保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ
通信することを可能にした半導体露光装置。 - 【請求項12】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記半導体露光装置が設置された工場の外部ネットワー
クに接続され前記半導体露光装置のベンダ若しくはユー
ザが提供する保守データベースにアクセスするためのユ
ーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前
記外部ネットワークを介して該データベースから情報を
得ることを可能にする請求項11に記載の半導体露光装
置。 - 【請求項13】 請求項5〜12のいずれか1項に記載
の半導体露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を
半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用い
て複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工
程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方
法。 - 【請求項14】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項13に記載
の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項15】 前記半導体露光装置のベンダ若しくは
ユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワーク
を介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置
の保守情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは別
の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介し
てデータ通信して生産管理を行う請求項14に記載の半
導体デバイス製造方法。 - 【請求項16】 請求項5〜12のいずれか1項に記載
の半導体露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群
と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワー
クと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部
ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
ータ通信することを可能にしたことを特徴とする半導体
製造工場。 - 【請求項17】 半導体製造工場に設置された請求項5
〜12のいずれか1項に記載の半導体露光装置の保守方
法であって、前記半導体露光装置のベンダ若しくはユー
ザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された
保守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工
場内から前記外部ネットワークを介して前記保守データ
ベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データ
ベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを
介して半導体製造工場側に送信する工程とを有すること
を特徴とする半導体露光装置の保守方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001283152A JP2003092252A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 半導体露光方法および半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001283152A JP2003092252A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 半導体露光方法および半導体露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003092252A true JP2003092252A (ja) | 2003-03-28 |
JP2003092252A5 JP2003092252A5 (ja) | 2008-11-06 |
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ID=19106690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001283152A Pending JP2003092252A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 半導体露光方法および半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003092252A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015038985A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 |
US9575413B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Citations (3)
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JPH11145029A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Sony Corp | 位置合わせ測定装置 |
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- 2001-09-18 JP JP2001283152A patent/JP2003092252A/ja active Pending
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