JP2002025886A - ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 - Google Patents
ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステップ＆スキャン式露光装置において、露
光中のレチクルステージとウエハステージのスキャン同
期誤差を悪化させることなく、ステップ駆動プロファイ
ルを駆動毎に最適化することによって、スループットを
向上させる。 【解決手段】 ステップ駆動プロファイルを、スキャン
同期誤差に基づいて、ステップ駆動毎に設定する制御装
置を備えるステップ＆スキャン式投影露光装置。ステッ
プ駆動プロファイルは、露光領域レイアウト、ステップ
方向、スキャン駆動プロファイル等によって設定でき、
またレチクル、ウエハステージの加速度、速度、ステッ
プ駆動後から同期スキャン駆動開始までの時間、同開始
時から露光開始までの時間等のパラメータから決定す
る。また、ネットワークを利用した同装置の保守方法、
半導体デバイス製造方法および半導体製造工場を提供す
る。
光中のレチクルステージとウエハステージのスキャン同
期誤差を悪化させることなく、ステップ駆動プロファイ
ルを駆動毎に最適化することによって、スループットを
向上させる。 【解決手段】 ステップ駆動プロファイルを、スキャン
同期誤差に基づいて、ステップ駆動毎に設定する制御装
置を備えるステップ＆スキャン式投影露光装置。ステッ
プ駆動プロファイルは、露光領域レイアウト、ステップ
方向、スキャン駆動プロファイル等によって設定でき、
またレチクル、ウエハステージの加速度、速度、ステッ
プ駆動後から同期スキャン駆動開始までの時間、同開始
時から露光開始までの時間等のパラメータから決定す
る。また、ネットワークを利用した同装置の保守方法、
半導体デバイス製造方法および半導体製造工場を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査式投影露光装置
に関し、特に半導体素子製造用のマスクと半導体ウエハ
等の基板とを同期駆動させて、マスク上の回路パターン
を半導体ウエハ上の複数露光領域に逐次露光していくス
テップ＆スキャン式投影露光装置に関するものである。
に関し、特に半導体素子製造用のマスクと半導体ウエハ
等の基板とを同期駆動させて、マスク上の回路パターン
を半導体ウエハ上の複数露光領域に逐次露光していくス
テップ＆スキャン式投影露光装置に関するものである。
【０００２】本発明はさらに、ネットワークを利用した
同露光装置の保守方法並びにネットワークおよび同露光
装置を利用した半導体デバイス製造方法および半導体製
造工場に関する。
同露光装置の保守方法並びにネットワークおよび同露光
装置を利用した半導体デバイス製造方法および半導体製
造工場に関する。
【０００３】
【従来の技術】ステップ＆スキャン式露光装置はマスク
（以下「レチクル」とする）を搭載したレチクルステー
ジと、半導体ウエハを搭載したウエハステージとを同期
駆動（スキャン駆動）させることによって、レチクル上
の回路パターンを半導体ウエハ上の各露光対象領域（シ
ョット領域）へ投影露光をする。一つのショット領域を
露光した後、ウエハステージとレチクルステージは次の
ショット領域への露光のための移動（以下「ステップ駆
動」とする）が必要となる。
（以下「レチクル」とする）を搭載したレチクルステー
ジと、半導体ウエハを搭載したウエハステージとを同期
駆動（スキャン駆動）させることによって、レチクル上
の回路パターンを半導体ウエハ上の各露光対象領域（シ
ョット領域）へ投影露光をする。一つのショット領域を
露光した後、ウエハステージとレチクルステージは次の
ショット領域への露光のための移動（以下「ステップ駆
動」とする）が必要となる。
【０００４】スキャン駆動により露光をする際には、レ
チクルステージとウエハステージとの同期誤差がある所
定の許容範囲内に収まっている必要がある。ステップ駆
動を行うと同期誤差が大きくなるが、スキャン駆動を始
めてから露光が開始されるまでの間には、許容範囲内に
収まっていなくてはならない。従って、この条件を満た
すように、ステップ駆動の際の両ステージの加速度、速
度、ステップ駆動終了後からスキャン駆動開始までの時
間（以下「整定時間」とする）などの駆動プロファイル
のパラメータを設定する必要がある。従来この種の装置
では、スキャン同期誤差の最も悪いショットでのスキャ
ン同期誤差が許容値α内に収まるようなパラメータを見
つけ出し、全てのステップ駆動において一律なパラメー
タ設定をしていた。
チクルステージとウエハステージとの同期誤差がある所
定の許容範囲内に収まっている必要がある。ステップ駆
動を行うと同期誤差が大きくなるが、スキャン駆動を始
めてから露光が開始されるまでの間には、許容範囲内に
収まっていなくてはならない。従って、この条件を満た
すように、ステップ駆動の際の両ステージの加速度、速
度、ステップ駆動終了後からスキャン駆動開始までの時
間（以下「整定時間」とする）などの駆動プロファイル
のパラメータを設定する必要がある。従来この種の装置
では、スキャン同期誤差の最も悪いショットでのスキャ
ン同期誤差が許容値α内に収まるようなパラメータを見
つけ出し、全てのステップ駆動において一律なパラメー
タ設定をしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来の技術
においては、全てのステップ駆動において、駆動プロフ
ァイルのパラメータを一律な設定にしていた。しかし、
実際にはショット領域レイアウト、ショット（ウエハス
テージの位置）、ステップ方向、ステップ駆動の加速
度、速度、整定時間などの条件によって、ステップ駆動
後の同期誤差の収束状態には差異がある。ゆえに従来例
のように一律な設定にする場合には、予測される最悪値
に基づいて設定しなくてはならない。一般的にステップ
駆動の際の加速度と速度を小さく、整定時間は大きく取
ると同期誤差は小さくなるが、その反面ステップ駆動に
時間がかかり、露光装置のスループット（生産性）は低
下する。従って、従来の最悪値に基づいた駆動プロファ
イル設定では、スループットを必要以上に低下させてい
た。
においては、全てのステップ駆動において、駆動プロフ
ァイルのパラメータを一律な設定にしていた。しかし、
実際にはショット領域レイアウト、ショット（ウエハス
テージの位置）、ステップ方向、ステップ駆動の加速
度、速度、整定時間などの条件によって、ステップ駆動
後の同期誤差の収束状態には差異がある。ゆえに従来例
のように一律な設定にする場合には、予測される最悪値
に基づいて設定しなくてはならない。一般的にステップ
駆動の際の加速度と速度を小さく、整定時間は大きく取
ると同期誤差は小さくなるが、その反面ステップ駆動に
時間がかかり、露光装置のスループット（生産性）は低
下する。従って、従来の最悪値に基づいた駆動プロファ
イル設定では、スループットを必要以上に低下させてい
た。
【０００６】本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてな
されたもので、露光中のレチクルステージとウエハステ
ージのスキャン同期誤差を悪化させることなく、ステッ
プ駆動プロファイルのパラメータをステップ駆動毎に最
適化することによって、ステップ＆スキャン式露光装置
のスループットを向上させることを目的とする。
されたもので、露光中のレチクルステージとウエハステ
ージのスキャン同期誤差を悪化させることなく、ステッ
プ駆動プロファイルのパラメータをステップ駆動毎に最
適化することによって、ステップ＆スキャン式露光装置
のスループットを向上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のステップ＆スキャン式投影露光装置は、原
版を保持して移動可能な原版ステージと、基板を保持し
前記原版ステージに同期して移動可能な基板ステージ
と、前記原版ステージと前記基板ステージとを同期スキ
ャン駆動制御し、前記原版ステージと前記基板ステージ
の同期誤差に基づいてステップ駆動を行う際のステップ
駆動プロファイルをステップ駆動毎に設定する制御装置
とを備えたことを特徴とする。
め、本発明のステップ＆スキャン式投影露光装置は、原
版を保持して移動可能な原版ステージと、基板を保持し
前記原版ステージに同期して移動可能な基板ステージ
と、前記原版ステージと前記基板ステージとを同期スキ
ャン駆動制御し、前記原版ステージと前記基板ステージ
の同期誤差に基づいてステップ駆動を行う際のステップ
駆動プロファイルをステップ駆動毎に設定する制御装置
とを備えたことを特徴とする。
【０００８】本発明の露光装置において、前記制御装置
は、前記ステップ駆動プロファイルを、前記基板の露光
対象領域（ショット）レイアウト、ステップ方向、およ
び前記同期スキャン駆動を行う際のスキャン駆動プロフ
ァイルの内の少なくとも一つによって設定することがで
きる。
は、前記ステップ駆動プロファイルを、前記基板の露光
対象領域（ショット）レイアウト、ステップ方向、およ
び前記同期スキャン駆動を行う際のスキャン駆動プロフ
ァイルの内の少なくとも一つによって設定することがで
きる。
【０００９】前記駆動プロファイルは、前記原版ステー
ジおよび前記基板ステージを駆動させるのに必要な全て
のパラメータから決定することができ、前記全てのパラ
メータとは、前記原版ステージおよび前記基板ステージ
の加速度および速度、ステップ駆動後から同期スキャン
駆動開始までの時間（整定時間）、並びに同期スキャン
駆動開始時から露光を開始するまでの時間である。
ジおよび前記基板ステージを駆動させるのに必要な全て
のパラメータから決定することができ、前記全てのパラ
メータとは、前記原版ステージおよび前記基板ステージ
の加速度および速度、ステップ駆動後から同期スキャン
駆動開始までの時間（整定時間）、並びに同期スキャン
駆動開始時から露光を開始するまでの時間である。
【００１０】前記制御装置は、前記ステップ駆動プロフ
ァイルを、露光対象領域レイアウト、ステップ方向およ
び前記同期スキャン駆動を行う際のスキャン駆動プロフ
ァイルを変数とするマトリクスとして事前に記憶してお
くことが好ましい。この場合制御装置は、駆動プロファ
イルを自動で設定するとより好ましく、前記駆動プロフ
ァイルを自動で設定するとは、例えば、前記露光装置の
性能を複数の基板を露光するにしたがって学習し、前記
マトリクスを逐次更新していくことである。
ァイルを、露光対象領域レイアウト、ステップ方向およ
び前記同期スキャン駆動を行う際のスキャン駆動プロフ
ァイルを変数とするマトリクスとして事前に記憶してお
くことが好ましい。この場合制御装置は、駆動プロファ
イルを自動で設定するとより好ましく、前記駆動プロフ
ァイルを自動で設定するとは、例えば、前記露光装置の
性能を複数の基板を露光するにしたがって学習し、前記
マトリクスを逐次更新していくことである。
【００１１】本発明の露光装置はさらに、ディスプレイ
と、ネットワークインターフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを有し、露光装
置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデー
タ通信することも可能である。前記ネットワーク用ソフ
トウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネッ
トワークに接続され前記露光装置のベンダーもしくはユ
ーザーが提供する保守データベースにアクセスするため
のユーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提
供し、前記外部ネットワークを介して該データベースか
ら情報を得ることが可能である。
と、ネットワークインターフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを有し、露光装
置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデー
タ通信することも可能である。前記ネットワーク用ソフ
トウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネッ
トワークに接続され前記露光装置のベンダーもしくはユ
ーザーが提供する保守データベースにアクセスするため
のユーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提
供し、前記外部ネットワークを介して該データベースか
ら情報を得ることが可能である。
【００１２】また、本発明の第１の半導体デバイス製造
方法は、本発明の露光装置を含む各種プロセス用の製造
装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置
群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製
造する工程とを有することを特徴とする。
方法は、本発明の露光装置を含む各種プロセス用の製造
装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置
群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製
造する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】本発明の第２の半導体デバイス製造方法
は、第１の方法において、前記製造装置群をローカルエ
リアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリ
アネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワ
ークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関す
る情報をデータ通信する工程とをさらに有する。
は、第１の方法において、前記製造装置群をローカルエ
リアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリ
アネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワ
ークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関す
る情報をデータ通信する工程とをさらに有する。
【００１４】本発明の第３の半導体デバイス製造方法
は、第２の方法において、前記製造装置のベンダーもし
くはユーザーが提供するデータベースに前記外部ネット
ワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記製
造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場
とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワーク
を介してデータ通信して生産管理を行う。
は、第２の方法において、前記製造装置のベンダーもし
くはユーザーが提供するデータベースに前記外部ネット
ワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記製
造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場
とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワーク
を介してデータ通信して生産管理を行う。
【００１５】本発明の半導体製造工場は、本発明の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
が可能である。
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
が可能である。
【００１６】本発明の露光装置の保守方法は、半導体製
造工場に設置された本発明の露光装置の保守方法であっ
て、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、前記
半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
へのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
とする。
造工場に設置された本発明の露光装置の保守方法であっ
て、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、前記
半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
へのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
とする。
【００１７】
【作用】本発明の露光装置に於いては、レチクルステー
ジとウエハステージのステップ駆動プロファイルのパラ
メータを、両ステージ間のスキャン同期誤差に基づい
て、ステップ駆動毎に設定することを可能にしたため、
露光中の同期誤差を悪化させることなく、スループット
を向上させることが出来る。
ジとウエハステージのステップ駆動プロファイルのパラ
メータを、両ステージ間のスキャン同期誤差に基づい
て、ステップ駆動毎に設定することを可能にしたため、
露光中の同期誤差を悪化させることなく、スループット
を向上させることが出来る。
【００１８】
【実施例】＜露光装置の実施例＞図１〜３を参照して、
ステップ＆スキャン式投影露光装置の基本構成および基
本動作を説明する。図１は本発明の実施例のステップ＆
スキャン方式投影露光装置の概略構成図である。回路パ
ターンを有するレチクル１は、均一な照度のスリット照
明光ＩＬによって照明される。レチクル１のパターン
は、スリットのＸ方向（長手方向）は投影レンズ４の縮
小倍率で、Ｙ方向（短手方向）はレチクルステージ２と
ウエハステージ６を投影レンズ４の縮小倍率比の速度で
同期を取ることによって、半導体デバイス作成用のウエ
ハ５に結像投影される。レチクルステージ用レーザー干
渉計３はレチクルステージ２のＹ方向の変位を測定し、
測定結果をステージ制御部１１に送信する。同様にウエ
ハステージ用レーザー干渉計７はウエハステージ６のＹ
方向の変位を測定し、測定結果をステージ制御部１１に
送信する。ステージ制御部１１は、両方の測定値を基に
レチクルステージ２とウエハステージ６を独立制御また
は同期制御する。なおレーザー干渉計３および７、投影
レンズ４、レチクルステージ定盤８並びにウエハステー
ジ定盤９は本体構造体１０に構成されているため、レチ
クルステージ２とウエハステージ６は本体構造体１０を
基準として同期制御が可能となる。ステップ＆スキャン
方式の投影露光装置において、同期制御の際の誤差（同
期誤差）は露光性能に影響する重要な因子である。本発
明では、ステージ制御部１１に、ステップ駆動を行う際
の駆動プロファイルをステップ駆動毎に設定する制御手
段を備えていることを特徴とする。
ステップ＆スキャン式投影露光装置の基本構成および基
本動作を説明する。図１は本発明の実施例のステップ＆
スキャン方式投影露光装置の概略構成図である。回路パ
ターンを有するレチクル１は、均一な照度のスリット照
明光ＩＬによって照明される。レチクル１のパターン
は、スリットのＸ方向（長手方向）は投影レンズ４の縮
小倍率で、Ｙ方向（短手方向）はレチクルステージ２と
ウエハステージ６を投影レンズ４の縮小倍率比の速度で
同期を取ることによって、半導体デバイス作成用のウエ
ハ５に結像投影される。レチクルステージ用レーザー干
渉計３はレチクルステージ２のＹ方向の変位を測定し、
測定結果をステージ制御部１１に送信する。同様にウエ
ハステージ用レーザー干渉計７はウエハステージ６のＹ
方向の変位を測定し、測定結果をステージ制御部１１に
送信する。ステージ制御部１１は、両方の測定値を基に
レチクルステージ２とウエハステージ６を独立制御また
は同期制御する。なおレーザー干渉計３および７、投影
レンズ４、レチクルステージ定盤８並びにウエハステー
ジ定盤９は本体構造体１０に構成されているため、レチ
クルステージ２とウエハステージ６は本体構造体１０を
基準として同期制御が可能となる。ステップ＆スキャン
方式の投影露光装置において、同期制御の際の誤差（同
期誤差）は露光性能に影響する重要な因子である。本発
明では、ステージ制御部１１に、ステップ駆動を行う際
の駆動プロファイルをステップ駆動毎に設定する制御手
段を備えていることを特徴とする。
【００１９】図２はウエハ５上の露光領域を３０ショッ
トに分割したときのショットレイアウト例を示したもの
である。ショット中の番号はステップ動作の順序（露光
順序）である。図３は、図２中の第５〜７ショットにお
けるウエハステージのスキャン駆動およびステップ駆動
の目標軌道（即ち投影光の目標軌道）の例と両駆動の速
度波形（駆動プロファイル）の概念図を示している。ス
キャン駆動により第５ショットの露光が終了すると、ス
テップ駆動により第６ショットが光軸に近づくようウエ
ハステージを移動する。その際加速→定速→減速の動作
を行う。そして、ある整定時間（待ち時間）を置いてか
ら、第６ショットでのスキャン駆動を始める。スキャン
駆動が始まってから露光の開始までに、ウエハステージ
とレチクルステージ駆動の同期誤差がある許容値内に収
まらなければ、所望の露光結果を得ることが出来ない。
許容値はプロセスにより異なるが、ここではαとする。
トに分割したときのショットレイアウト例を示したもの
である。ショット中の番号はステップ動作の順序（露光
順序）である。図３は、図２中の第５〜７ショットにお
けるウエハステージのスキャン駆動およびステップ駆動
の目標軌道（即ち投影光の目標軌道）の例と両駆動の速
度波形（駆動プロファイル）の概念図を示している。ス
キャン駆動により第５ショットの露光が終了すると、ス
テップ駆動により第６ショットが光軸に近づくようウエ
ハステージを移動する。その際加速→定速→減速の動作
を行う。そして、ある整定時間（待ち時間）を置いてか
ら、第６ショットでのスキャン駆動を始める。スキャン
駆動が始まってから露光の開始までに、ウエハステージ
とレチクルステージ駆動の同期誤差がある許容値内に収
まらなければ、所望の露光結果を得ることが出来ない。
許容値はプロセスにより異なるが、ここではαとする。
【００２０】次に、本発明の特徴であるステップ駆動毎
の駆動プロファイル設定について説明する。実施例１ 図４は、第１の実施例と比較する従来例を説明するため
の図であり、１枚のウエハのステップ＆スキャン露光に
要する時間を示す。図２のようなショットレイアウトの
とき、整定時間を全ショットにおいて露光開始時の同期
誤差が許容値α以下になるような一定値に設定した場合
の、１ショット目から３０ショット目までのステップ駆
動とスキャン駆動の総時間をＴL［ｓｅｃ］で示してい
る。全ステップ駆動において、整定時間は同じになって
いる。
の駆動プロファイル設定について説明する。実施例１ 図４は、第１の実施例と比較する従来例を説明するため
の図であり、１枚のウエハのステップ＆スキャン露光に
要する時間を示す。図２のようなショットレイアウトの
とき、整定時間を全ショットにおいて露光開始時の同期
誤差が許容値α以下になるような一定値に設定した場合
の、１ショット目から３０ショット目までのステップ駆
動とスキャン駆動の総時間をＴL［ｓｅｃ］で示してい
る。全ステップ駆動において、整定時間は同じになって
いる。
【００２１】一方本発明では、ステージ制御部１１に、
各ショットに対する整定時間が格納してあるテーブルを
用意してある。各ステップ毎に、このテーブルから整定
時間を読み出し、ウエハステージを制御する。本発明を
適用した場合の１ショット目から３０ショット目までの
ステップ＆スキャン露光時間ＴS1［ｓｅｃ］を図５に示
す。これは、全ショットで同期誤差が許容値α以下にな
るように、各ショットの整定時間を個別に設定した場合
の例である。本実施例１では、整定時間以外の駆動プロ
ファイルパラメータ（加速度、速度）は全ショットにお
いて一定である。本実施例により、従来ＴL［ｓｅｃ］
かかっていた処理時間をＴS1［ｓｅｃ］に短縮出来るた
め、同期誤差を悪化させることなく、ウエハ１枚当たり
（ＴL−ＴS1）［ｓｅｃ］のスループット向上が実現す
る。
各ショットに対する整定時間が格納してあるテーブルを
用意してある。各ステップ毎に、このテーブルから整定
時間を読み出し、ウエハステージを制御する。本発明を
適用した場合の１ショット目から３０ショット目までの
ステップ＆スキャン露光時間ＴS1［ｓｅｃ］を図５に示
す。これは、全ショットで同期誤差が許容値α以下にな
るように、各ショットの整定時間を個別に設定した場合
の例である。本実施例１では、整定時間以外の駆動プロ
ファイルパラメータ（加速度、速度）は全ショットにお
いて一定である。本実施例により、従来ＴL［ｓｅｃ］
かかっていた処理時間をＴS1［ｓｅｃ］に短縮出来るた
め、同期誤差を悪化させることなく、ウエハ１枚当たり
（ＴL−ＴS1）［ｓｅｃ］のスループット向上が実現す
る。
【００２２】設定したステップ駆動プロファイルに関す
る整定時間などの情報は、ディスプレイ上に表示すれ
ば、オペレータがその情報を得ることができる。この情
報は例えば、数値またはグラフとして各ステップ駆動毎
に表示することができる。
る整定時間などの情報は、ディスプレイ上に表示すれ
ば、オペレータがその情報を得ることができる。この情
報は例えば、数値またはグラフとして各ステップ駆動毎
に表示することができる。
【００２３】本実施例では、図２のショットレイアウト
に対して、３０個の整定時間テーブルを持つ例を示した
が、ステージ制御部１１は、ショットレイアウト、ステ
ップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の駆動プロ
ファイルを変数とするマトリクスとして、テーブルを用
意することも可能である。
に対して、３０個の整定時間テーブルを持つ例を示した
が、ステージ制御部１１は、ショットレイアウト、ステ
ップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の駆動プロ
ファイルを変数とするマトリクスとして、テーブルを用
意することも可能である。
【００２４】実施例２ 図６に、第２の実施例に係る１枚のウエハのステップ＆
スキャン露光プロファイルを示す。本実施例ではステー
ジ制御部１１に、各ショットに対するステップ駆動の加
速度、速度、整定時間が格納してあるテーブルを用意し
てある。各ステップ毎に、このテーブルから加速度、速
度、整定時間を読み出し、ウエハステージを制御する。
本発明を図２のようなショットレイアウトに対して適用
した場合の１ショット目から３０ショット目までの処理
時間ＴS2［ｓｅｃ］を図６に示す。これは、全ショット
で同期誤差が許容値α以下になるように、各ショットに
対するステップ駆動の加速度、速度、整定時間をショッ
ト毎に独立に設定した場合の例である。本実施例によ
り、従来ＴL［ｓｅｃ］かかっていた処理時間をＴ
S2［ｓｅｃ］に出来るため、同期誤差を悪化させること
なく、ウエハ１枚当たり（ＴL−ＴS2）［ｓｅｃ］のス
ループット向上が実現する。
スキャン露光プロファイルを示す。本実施例ではステー
ジ制御部１１に、各ショットに対するステップ駆動の加
速度、速度、整定時間が格納してあるテーブルを用意し
てある。各ステップ毎に、このテーブルから加速度、速
度、整定時間を読み出し、ウエハステージを制御する。
本発明を図２のようなショットレイアウトに対して適用
した場合の１ショット目から３０ショット目までの処理
時間ＴS2［ｓｅｃ］を図６に示す。これは、全ショット
で同期誤差が許容値α以下になるように、各ショットに
対するステップ駆動の加速度、速度、整定時間をショッ
ト毎に独立に設定した場合の例である。本実施例によ
り、従来ＴL［ｓｅｃ］かかっていた処理時間をＴ
S2［ｓｅｃ］に出来るため、同期誤差を悪化させること
なく、ウエハ１枚当たり（ＴL−ＴS2）［ｓｅｃ］のス
ループット向上が実現する。
【００２５】本実施例では、図２のショットレイアウト
に対して、ステップ駆動の加速度、速度、整定時間を設
定するテーブル（３０×３＝９０個からなる）を持つ例
を示したが、ステージ制御部１１は、ショットレイアウ
ト、ステップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の
駆動プロファイルを変数とするマトリクスとして、より
多次元のテーブルを用意することも可能である。
に対して、ステップ駆動の加速度、速度、整定時間を設
定するテーブル（３０×３＝９０個からなる）を持つ例
を示したが、ステージ制御部１１は、ショットレイアウ
ト、ステップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の
駆動プロファイルを変数とするマトリクスとして、より
多次元のテーブルを用意することも可能である。
【００２６】実施例３ 図７は、学習によりステップ駆動プロファイルを自動設
定する制御手段をステージ制御部１１内に備えた第３の
実施例を示すブロック図である。ステージ駆動プロファ
イル生成手段７１により生成されたウエハステージ位置
目標値と、ウエハステージ干渉計７で検出されたウエハ
ステージ位置との偏差が、ウエハステージコントローラ
７２に入力される。ウエハステージコントローラ７２は
制御演算を行い、演算結果を基にウエハステージ６ヘ制
御信号を出力する。ウエハステージ６は、ウエハステー
ジコントローラ７２からの制御信号を基に駆動する。
定する制御手段をステージ制御部１１内に備えた第３の
実施例を示すブロック図である。ステージ駆動プロファ
イル生成手段７１により生成されたウエハステージ位置
目標値と、ウエハステージ干渉計７で検出されたウエハ
ステージ位置との偏差が、ウエハステージコントローラ
７２に入力される。ウエハステージコントローラ７２は
制御演算を行い、演算結果を基にウエハステージ６ヘ制
御信号を出力する。ウエハステージ６は、ウエハステー
ジコントローラ７２からの制御信号を基に駆動する。
【００２７】レチクルステージについても、ウエハステ
ージと同様である。ステージ駆動プロファイル生成手段
７１により生成されたレチクルステージ位置目標値と、
レチクルステージ干渉計３で検出されたレチクルステー
ジ位置との偏差が、レチクルステージコントローラ７３
に入力される。レチクルステージコントローラ７３は制
御演算を行い、演算結果を基にレチクルステージ２ヘ制
御信号を出力する。レチクルステージ２は、レチクルス
テージコントローラ７３からの制御信号を基に駆動す
る。
ージと同様である。ステージ駆動プロファイル生成手段
７１により生成されたレチクルステージ位置目標値と、
レチクルステージ干渉計３で検出されたレチクルステー
ジ位置との偏差が、レチクルステージコントローラ７３
に入力される。レチクルステージコントローラ７３は制
御演算を行い、演算結果を基にレチクルステージ２ヘ制
御信号を出力する。レチクルステージ２は、レチクルス
テージコントローラ７３からの制御信号を基に駆動す
る。
【００２８】ウエハに露光する際、ステップ駆動を行っ
ては、スキャン駆動（露光）を行うというシーケンスを
繰り返す。ステップ駆動パラメータ生成手段７４は、次
式に基づいて、整定時間テーブル７５を自動修正する。
ては、スキャン駆動（露光）を行うというシーケンスを
繰り返す。ステップ駆動パラメータ生成手段７４は、次
式に基づいて、整定時間テーブル７５を自動修正する。
【００２９】
【数１】
【００３０】今、Ｎショットからなるショットレイアウ
トを有するウエハに露光を行っているとする。ｎｗ枚目
のウエハのｎｓショット目の露光のために、整定時間が
ｔ［ｎｓ，ｎｗ］のステップ駆動を行い、その直後にス
キャン駆動を行う。その時の同期誤差ｅは、スキャン駆
動中のウエハステージ偏差とレチクルステージ偏差との
差分から計算する。その値ｅと、同期誤差の許容値α
と、今回のステップ駆動の際の整定時間ｔ［ｎｓ，ｎ
ｗ］とから、式１によりｎｗ＋１枚目（次）のウエハの
ｎｓショット目へのステップ駆動の整定時間ｔ［ｎｓ，
ｎｗ＋１］を算出すし、整定時間テーブル７５が修正さ
れる。そしてｎｗ＋１枚目のウエハのｎｓショット目へ
のステップ駆動の機会が訪れた時に、ステージ駆動プロ
ファイル生成手段７１が、整定時間テーブル７５から修
正された値を読み込み、駆動プロファイルを生成する。
この整定時間自動設定の手順をフローチャートにして図
８に示した。
トを有するウエハに露光を行っているとする。ｎｗ枚目
のウエハのｎｓショット目の露光のために、整定時間が
ｔ［ｎｓ，ｎｗ］のステップ駆動を行い、その直後にス
キャン駆動を行う。その時の同期誤差ｅは、スキャン駆
動中のウエハステージ偏差とレチクルステージ偏差との
差分から計算する。その値ｅと、同期誤差の許容値α
と、今回のステップ駆動の際の整定時間ｔ［ｎｓ，ｎ
ｗ］とから、式１によりｎｗ＋１枚目（次）のウエハの
ｎｓショット目へのステップ駆動の整定時間ｔ［ｎｓ，
ｎｗ＋１］を算出すし、整定時間テーブル７５が修正さ
れる。そしてｎｗ＋１枚目のウエハのｎｓショット目へ
のステップ駆動の機会が訪れた時に、ステージ駆動プロ
ファイル生成手段７１が、整定時間テーブル７５から修
正された値を読み込み、駆動プロファイルを生成する。
この整定時間自動設定の手順をフローチャートにして図
８に示した。
【００３１】同期誤差ｅが許容値αより小さい時は、式
１の右辺第２項が負値になるので、修正される整定時間
は短くなる。一方、同期誤差ｅが許容値αより大きい時
は、式１の右辺第２項が正値になるので、修正される整
定時間は長くなる。すなわち、同期誤差が許容値に対し
て余裕のあるショットについては、次のウエハにおい
て、ステップ駆動時間が短くなるようなパラメータ設定
を行う。また、同期誤差が許容値を超えてしまったショ
ットについては、次のウエハの露光の際には、同期誤差
が良くなるようなパラメータ設定を行う。これにより、
同期誤差を悪化させることなく、処理時間の最適化が可
能となる。
１の右辺第２項が負値になるので、修正される整定時間
は短くなる。一方、同期誤差ｅが許容値αより大きい時
は、式１の右辺第２項が正値になるので、修正される整
定時間は長くなる。すなわち、同期誤差が許容値に対し
て余裕のあるショットについては、次のウエハにおい
て、ステップ駆動時間が短くなるようなパラメータ設定
を行う。また、同期誤差が許容値を超えてしまったショ
ットについては、次のウエハの露光の際には、同期誤差
が良くなるようなパラメータ設定を行う。これにより、
同期誤差を悪化させることなく、処理時間の最適化が可
能となる。
【００３２】１枚目のウエハのステップ駆動における整
定時間ｔ［１，１］〜ｔ［Ｎ，１］は、従来例のよう
に、全ショットの同期誤差が許容値α以下になるような
一律な値に設定しておく。一方実施例１のように、ショ
ット毎に異なる整定時間を設定しておいても構わない。
定時間ｔ［１，１］〜ｔ［Ｎ，１］は、従来例のよう
に、全ショットの同期誤差が許容値α以下になるような
一律な値に設定しておく。一方実施例１のように、ショ
ット毎に異なる整定時間を設定しておいても構わない。
【００３３】関数ｆns（ｘ）は、あらかじめ整定時間生
成式テーブル７６に用意しておく。簡単な例はｆ
ns（ｘ）＝ｋ・ｘである（ｋ：０を超える実数）。ｆns
（ｘ）自体も、それ以前のｔ［ｎｓ，ｎｗ］、ｅを記憶
しておいて、自動修正しても良い。
成式テーブル７６に用意しておく。簡単な例はｆ
ns（ｘ）＝ｋ・ｘである（ｋ：０を超える実数）。ｆns
（ｘ）自体も、それ以前のｔ［ｎｓ，ｎｗ］、ｅを記憶
しておいて、自動修正しても良い。
【００３４】本実施例では、整定時間だけを例に挙げた
が、加速度、速度などのあらゆるステップ駆動のパラメ
ータを、本実施例と同様のアルゴリズムで自動修正する
ことが可能である。さらに、ショットレイアウト、ステ
ップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の駆動プロ
ファイルを変数とするマトリクスとして、整定時間、加
速度、速度を設定するテーブルを自動修正することも可
能である。
が、加速度、速度などのあらゆるステップ駆動のパラメ
ータを、本実施例と同様のアルゴリズムで自動修正する
ことが可能である。さらに、ショットレイアウト、ステ
ップ方向、ステップ駆動直後のスキャン駆動の駆動プロ
ファイルを変数とするマトリクスとして、整定時間、加
速度、速度を設定するテーブルを自動修正することも可
能である。
【００３５】このように、ショット毎にパラメータ値を
自動設定することにより、パラメータ値を全ショットで
一律とした従来の冗長な設定の時よりも、スループット
の向上を実現できる。
自動設定することにより、パラメータ値を全ショットで
一律とした従来の冗長な設定の時よりも、スループット
の向上を実現できる。
【００３６】実施例４ ＜半導体生産システムの実施例＞ 次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体
製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メ
ンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サー
ビスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用
して行うものである。
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体
製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メ
ンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サー
ビスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用
して行うものである。
【００３７】図９は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所１０１の外部ネットワー
クであるインターネット１０５に接続するためのゲート
ウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ
機能を備える。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所１０１の外部ネットワー
クであるインターネット１０５に接続するためのゲート
ウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ
機能を備える。
【００３８】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーである半導体デバイスメーカーの製造工場である。
製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属
する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工
場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であ
っても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数
の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを
構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システム１０８はベ
ンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベース
を構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数
の工場から該データベースへのアクセスを許可するよう
にしてもよい。
ザーである半導体デバイスメーカーの製造工場である。
製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属
する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工
場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であ
っても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数
の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを
構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システム１０８はベ
ンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベース
を構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数
の工場から該データベースへのアクセスを許可するよう
にしてもよい。
【００３９】さて、図１０は本実施形態の全体システム
を図９とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイスメーカー）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う複数の製
造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処
理装置２０３、成膜装置２０４が導入されている。なお
図１０では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネッ
トを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１
０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカ
ー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所
には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうための
ホスト管理システム２１１、２２１、２３１を備え、こ
れらは上述したように保守データベースと外部ネットワ
ークへのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内
の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装
置のベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１と
は、外部ネットワーク２００であるインターネットもし
くは専用線ネットワークによって接続されている。この
システムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中の
どれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止
してしまうが、トラブルが起きた機器がベンダーからイ
ンターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅
速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑える
ことができる。
を図９とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイスメーカー）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う複数の製
造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処
理装置２０３、成膜装置２０４が導入されている。なお
図１０では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネッ
トを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１
０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカ
ー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所
には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうための
ホスト管理システム２１１、２２１、２３１を備え、こ
れらは上述したように保守データベースと外部ネットワ
ークへのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内
の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装
置のベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１と
は、外部ネットワーク２００であるインターネットもし
くは専用線ネットワークによって接続されている。この
システムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中の
どれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止
してしまうが、トラブルが起きた機器がベンダーからイ
ンターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅
速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑える
ことができる。
【００４０】半導体製造工場に設置された複数の製造装
置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインター
フェースと、記憶装置に保存されたネットワークアクセ
ス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを
実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵
メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイ
ルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソ
フトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、
例えば図１１に一例を示す様な画面のユーザーインター
フェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装
置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造
装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、
トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度
（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過
（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入
力された情報はインターネットを介して保守データベー
スに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データ
ベースから返信されディスプレイ上に提示される。また
ウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースは
さらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１
２）を実現し、工場のオペレータは各項目の更に詳細な
情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェ
アライブラリから製造装置に使用する最新バージョンの
ソフトウェアを引出したり、オペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明の投影露光装置のステップ駆動
プロファイルに関する情報も含まれ、また前記ソフトウ
ェアライブラリはステップ駆動プロファイルを設定する
ための最新のソフトウェアも提供する。
置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインター
フェースと、記憶装置に保存されたネットワークアクセ
ス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを
実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵
メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイ
ルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソ
フトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、
例えば図１１に一例を示す様な画面のユーザーインター
フェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装
置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造
装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、
トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度
（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過
（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入
力された情報はインターネットを介して保守データベー
スに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データ
ベースから返信されディスプレイ上に提示される。また
ウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースは
さらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１
２）を実現し、工場のオペレータは各項目の更に詳細な
情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェ
アライブラリから製造装置に使用する最新バージョンの
ソフトウェアを引出したり、オペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明の投影露光装置のステップ駆動
プロファイルに関する情報も含まれ、また前記ソフトウ
ェアライブラリはステップ駆動プロファイルを設定する
ための最新のソフトウェアも提供する。
【００４１】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
ターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理
や装置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
ターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理
や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００４２】図１３は上記ウエハプロセス（ステップ
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光
剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
本発明の露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされているので、トラブル
を未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な
復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を
向上させることができる。
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光
剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
本発明の露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされているので、トラブル
を未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な
復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を
向上させることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明のステップ＆スキャ
ン式投影露光装置によれば、原版ステージと基板ステー
ジのステップ駆動プロファイルのパラメータ値をステッ
プ駆動毎に任意に変えることが可能であるため、ステッ
プ駆動毎の条件に応じた最適な駆動プロファイル設定が
でき、露光中の両ステージの同期誤差と露光装置のスル
ープットの両方を向上させることが出来る。
ン式投影露光装置によれば、原版ステージと基板ステー
ジのステップ駆動プロファイルのパラメータ値をステッ
プ駆動毎に任意に変えることが可能であるため、ステッ
プ駆動毎の条件に応じた最適な駆動プロファイル設定が
でき、露光中の両ステージの同期誤差と露光装置のスル
ープットの両方を向上させることが出来る。
【００４４】また、本発明の露光装置はネットワークを
利用したメンテナンスを受けることもでき、さらにはネ
ットワークを利用した半導体デバイス製造方法および半
導体製造工場にも適用できる。
利用したメンテナンスを受けることもでき、さらにはネ
ットワークを利用した半導体デバイス製造方法および半
導体製造工場にも適用できる。
【図１】 本発明の実施例のステップ＆スキャン式投影
露光装置の概略構成図である。
露光装置の概略構成図である。
【図２】 ウエハのショットレイアウト例の概略図であ
る。
る。
【図３】 ステップ＆スキャン式投影露光装置における
ステップ＆スキャン動作を示す概略図である。
ステップ＆スキャン動作を示す概略図である。
【図４】 従来のステップ＆スキャンシーケンスの説明
に供する概略図である。
に供する概略図である。
【図５】 実施例１におけるステップ駆動時整定時間設
定方法の説明に供する概略図である。
定方法の説明に供する概略図である。
【図６】 実施例２におけるステップ駆動時の加速度、
速度、整定時間設定方法の説明に供する概略図である。
速度、整定時間設定方法の説明に供する概略図である。
【図７】 実施例３のステップ＆スキャン式投影露光装
置の部分ブロック図であり、学習制御によるステップ駆
動時整定時間設定方法の説明に供する。
置の部分ブロック図であり、学習制御によるステップ駆
動時整定時間設定方法の説明に供する。
【図８】 実施例３における学習制御によるステップ駆
動時整定時間設定方法のフローチャートである。
動時整定時間設定方法のフローチャートである。
【図９】 本発明に係る半導体デバイスの生産システム
をある角度から見た概念図である。
をある角度から見た概念図である。
【図１０】 本発明に係る半導体デバイスの生産システ
ムを別の角度から見た概念図である。
ムを別の角度から見た概念図である。
【図１１】 本発明の露光装置のユーザーインターフェ
ースの具体例である。
ースの具体例である。
【図１２】 本発明に係る半導体デバイス製造プロセス
のフローである。
のフローである。
【図１３】 本発明に係るウエハプロセス（ステップ
４）の詳細フローである。
４）の詳細フローである。
１：レチクル、２：レチクルステージ、３：レチクルス
テージ用干渉計、４：投影レンズ、５：ウエハ、６：ウ
エハステージ、７：ウエハステージ用干渉計、１１：ス
テージ制御部、１０１、２１０、２２０、２３０：半導
体デバイス製造装置ベンダーの事務所、１０２〜１０
４、２０１：製造装置ユーザーである半導体デバイスメ
ーカーの製造工場、１０５、２００：インターネット、
１０６、２０２〜２０４：各製造装置、１０７、２０
５：製造工場側のホスト管理システム、１０８、２１
１、２２１、２３１：ベンダー側のホスト管理システ
ム、１０９：複数の操作端末１１０を結ぶＬＡＮ、１１
０：操作端末コンピュータ、１１１：複数の製造装置１
０６を結ぶＬＡＮ。
テージ用干渉計、４：投影レンズ、５：ウエハ、６：ウ
エハステージ、７：ウエハステージ用干渉計、１１：ス
テージ制御部、１０１、２１０、２２０、２３０：半導
体デバイス製造装置ベンダーの事務所、１０２〜１０
４、２０１：製造装置ユーザーである半導体デバイスメ
ーカーの製造工場、１０５、２００：インターネット、
１０６、２０２〜２０４：各製造装置、１０７、２０
５：製造工場側のホスト管理システム、１０８、２１
１、２２１、２３１：ベンダー側のホスト管理システ
ム、１０９：複数の操作端末１１０を結ぶＬＡＮ、１１
０：操作端末コンピュータ、１１１：複数の製造装置１
０６を結ぶＬＡＮ。
Claims (16)
- 【請求項１】 原版を保持して移動可能な原版ステージ
と、 基板を保持し前記原版ステージに同期して移動可能な基
板ステージと、 前記原版ステージと前記基板ステージとを同期スキャン
駆動制御し、前記原版ステージと前記基板ステージの同
期誤差に基づいてステップ駆動を行う際のステップ駆動
プロファイルをステップ駆動毎に設定する制御装置とを
備えたことを特徴とするステップ＆スキャン式投影露光
装置。 - 【請求項２】 前記制御装置は、前記ステップ駆動プロ
ファイルを、前記基板の露光対象領域レイアウト、ステ
ップ方向、および前記同期スキャン駆動を行う際のスキ
ャン駆動プロファイルの内の少なくとも一つによって設
定することを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記駆動プロファイルは、前記原版ステ
ージおよび前記基板ステージを駆動させるのに必要な全
てのパラメータから決定されることを特徴とする請求項
１または２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記全てのパラメータとは、前記原版ス
テージおよび前記基板ステージの加速度および速度、ス
テップ駆動後から同期スキャン駆動開始までの時間、並
びに同期スキャン駆動開始時から露光を開始するまでの
時間であることを特徴とする請求項３記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記制御装置は、前記ステップ駆動プロ
ファイルを、露光対象領域レイアウト、ステップ方向お
よび前記同期スキャン駆動を行う際のスキャン駆動プロ
ファイルを変数とするマトリクスとして事前に記憶して
おくことを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の露
光装置。 - 【請求項６】 前記制御装置は、前記駆動プロファイル
を自動で設定することを特徴とする請求項５に記載の露
光装置。 - 【請求項７】 前記駆動プロファイルを自動で設定する
とは、前記露光装置の性能を複数の基板を露光するにし
たがって学習し、前記マトリクスを逐次更新していくこ
とであることを特徴とする請求項６記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記制御装置は、設定したステップ駆動
プロファイルに関する情報をディスプレイ上に表示する
ことを特徴とする請求項１〜７いずれかに記載の露光装
置。 - 【請求項９】 前記ステップ駆動プロファイルに関する
情報は、各ステップ駆動毎にディスプレイ上に表示され
ることを特徴とする請求項８記載の露光装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜７いずれかに記載の露光装
置において、ディスプレイと、ネットワークインターフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピ
ュータネットワークを介してデータ通信することを可能
にした露光装置。 - 【請求項１１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザーイ
ンターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
ことを可能にする請求項１０記載の露光装置。 - 【請求項１２】 請求項１〜９いずれかに記載の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場
に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセ
スによって半導体デバイスを製造する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１３】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項１２記載の
方法。 - 【請求項１４】 前記製造装置のベンダーもしくはユー
ザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
データ通信して生産管理を行う請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 請求項１〜９いずれかに記載の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群
を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカル
エリアネットワークから工場外の外部ネットワークにア
クセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群
の少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを
可能にした半導体製造工場。 - 【請求項１６】 半導体製造工場に設置された請求項１
〜９いずれかに記載の露光装置の保守方法であって、前
記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、前記半導体
製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベ
ースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記
外部ネットワークを介して前記保守データベースへのア
クセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積
される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体
製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする
露光装置の保守方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200498A JP2002025886A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 |
| US09/893,671 US6567154B2 (en) | 2000-07-03 | 2001-06-29 | Step and scan projection exposure apparatus, maintenance method therefor, and semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing factory using the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200498A JP2002025886A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025886A true JP2002025886A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18698367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000200498A Pending JP2002025886A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6567154B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002025886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036620A1 (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7692760B2 (en) | 2004-08-05 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004072076A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7054965B2 (en) * | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Oqo Incorporated | Component for use as a portable computing device and pointing device |
| EP1494078A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP4840958B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2011-12-21 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050285056A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-29 | Smith Adlai H | Process for manufacture of semiconductor chips utilizing a posteriori corrections to machine control system and settings |
| JP4424739B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
| US9568828B2 (en) * | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU9095798A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000200498A patent/JP2002025886A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-29 US US09/893,671 patent/US6567154B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036620A1 (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7692760B2 (en) | 2004-08-05 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020001915A1 (en) | 2002-01-03 |
| US6567154B2 (en) | 2003-05-20 |
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