JP2004072076A

JP2004072076A - 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法

Info

Publication number: JP2004072076A
Application number: JP2003157410A
Authority: JP
Inventors: Takechika Nishi; 西　健爾; Masahiko Okumura; 奥村　正彦; Hiroo Okuno; 奥野　浩生
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2002-06-10
Filing date: 2003-06-03
Publication date: 2004-03-04
Also published as: US7068350B2; SG118190A1; CN1470945A; EP1372037A2; KR20030095338A; TW200402089A; US20050024610A1

Abstract

【課題】他の露光性能を損なうことなく、スループットの向上を図る。
【解決手段】制御装置５０により、ウエハＷ上の１つの区画領域に対する露光終了後から、次の区画領域の露光のために、ステージ制御系（８０、３３、７８）によってステージＲＳＴとステージＷＳＴの走査方向に関する減速が開始されるまでの期間に、次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報がステージ制御系に送られる。このため、次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報をステージ制御系が上位装置から受け取るために、両ステージを加速前に一旦停止させる必要がなく、その停止時間がない分、スループットの向上が可能となる。この場合、特に支障は生じないので、他の露光性能を損なうことはない。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子などの電子デバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置、該露光装置における露光対象である物体を保持して２次元移動するステージとして好適なステージ装置、並びに前記露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造現場では、従来、波長３６５ｎｍの水銀ランプのｉ線を照明光とした縮小投影露光装置、所謂ステッパを使って最小線幅が０．３〜０．３５μｍ程度の回路デバイス（６４Ｍ（メガ）ビットのＤ−ＲＡＭ等）を量産製造していた。その後、半導体素子は、年々高集積化し、それに対応してより解像力の高い露光装置が開発実用化され、現在では、ＫｒＦエキシマレーザからの波長２４８ｎｍの紫外パルスレーザ光、或いはＡｒＦエキシマレーザからの波長１９３ｎｍの紫外パルスレーザ光を照明光とし、回路パターンが描画されたマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）と感光物体としてのウエハを縮小投影光学系の投影視野に対して相対的に１次元走査することで、ウエハ上の１つのショット領域内にレチクルの回路パターン全体を転写する走査露光動作とショット間ステッピング動作とを繰り返す、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャナ、あるいはスキャニング・ステッパとも呼ばれる）が主流となりつつある。この種のスキャニング・ステッパによると、２５６Ｍ（メガ）ビットＤ−ＲＡＭクラスの集積度を有し、最小線幅が０．２５μｍの回路デバイスの量産が可能である。更に、現在、１Ｇ（ギガ）ビット以上の次世代の回路デバイスを量産製造するための露光装置の開発も行われている。
【０００３】
ところで、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置では、ウエハ上の複数のショット領域（以下、適宜「ショット」という）にレチクルのパターンを順次転写するに際し、スループット向上のため、通常レチクルを交互スキャン（往復スキャン）させることで、順次次のショットに対する露光を行う。このため、１つのショットに対するレチクルパターンの転写が終了した後、露光開始前のプリスキャン時（目標速度（露光時の走査速度）までの加速時間＋加速終了後に速度が所定の誤差範囲で目標速度に収束するまでの整定時間）の移動距離と同じ距離だけ、露光終了時点から更にレチクルを移動して、レチクルを次ショット露光のための走査開始位置まで戻す動作（オーバースキャン）が必要であり、これに対応して、ウエハを次ショット（前記１つのショットの非走査方向に隣接する別のショット）へステッピングさせる動作に加えて走査方向に移動させる動作も必要となる。
【０００４】
かかるウエハのショット間の移動動作は、従来は、次の（１）〜（３）の手順で行われていた。（１）露光終了後にウエハステージ（基板ステージ）を次ショットの走査開始位置と同一の走査方向の座標位置に一旦移動後、（２）次ショットの走査開始位置まで非走査方向にステッピングし、（３）次ショットの露光のための走査を開始する。従って、ウエハは、ほぼコの字の経路に沿って移動されていた。この様な経路を採用していた理由の一つとして、上記（１）と（２）との間、若しくは（２）と（３）との間、又は上記（２）の動作中に、次ショットの露光のために必要となる、制御情報（制御パラメータの設定情報を含む）を、上位装置からステージを制御するステージ制御ユニット（同期制御ユニットを含む）に伝送していたことが挙げられる。ここで、上記の制御情報としては、例えばレチクルステージ、ウエハステージの位置制御に関連する情報、例えば露光に先立って行われる例えばＥＧＡ方式のウエハアライメントにより得られるＥＧＡパラメータ（ウエハのＸ，Ｙ方向のオフセットＯｘ，Ｏｙ、ウエハの移動を規定するステージ座標系の直交度ｗ、ウエハの回転誤差θ、ウエハのＸ，Ｙ方向の拡大縮小（スケーリング）ｒｘ，ｒｙ）の設定値（これは露光時のウエハの位置を決定するためのデータとなる）、及び露光時の両ステージの位置に関連した補正パラメータ（例えば、レチクルステージあるいはウエハステージ側の移動鏡の曲がり情報）、並びに露光量制御に関するデータ、例えばエキシマレーザのパルスエネルギ密度、パルス発光数等のデータ、更には設定された露光シーケンスデータなどが含まれる。また、場合によっては、ステージ移動時の各機構部のエラー情報なども含まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、露光装置にとってスループット（処理能力）の向上は最も重要な課題の一つであり、これを達成する必要から走査露光時のレチクルの加減速度が例えば０．５Ｇ→４Ｇ、最高速度も３５０ｍｍ／ｓ→１５００ｍｍ／ｓのように大きくなっており、これに伴ってウエハステージの走査露光時の加減速度、最高速度も投影倍率に比例した値となっている。このため、露光の前後に必要となる、プリスキャン時及びオーバースキャン時の移動距離もこれに応じて延ばす必要がある。
【０００６】
このため、本来スループットを向上させようとの観点から加減速度、最高速度を増加したにもかかわらず、結果的に却ってスループットを悪化させるおそれがあった。
【０００７】
このような背景の下、装置のその他の性能を維持しつつ、結果としてスループットの向上を図ることができる、新たな露光装置の開発が急務となっていた。
【０００８】
ところで、前述のプリスキャン及びオーバースキャン動作と前述のウエハステージのショット間ステッピング動作との並行処理及びウエハステージの移動距離の短縮の少なくとも一方を実現すれば、スループットの向上が可能であるものと考えられる。
【０００９】
しかしながら、安易に上記の並行処理を行うシーケンスや上記の移動距離が短くなる移動経路を採用すると、レチクルステージとウエハステージの同期精度が悪化して十分な精度の露光が困難になったり、露光前の両ステージの同期整定時間が却って増加したりする、あるいは前述の制御情報の伝送が困難になるなどのおそれがある。
【００１０】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたもので、その第１の目的は、他の装置性能を損なうことなく、スループットの向上を図ることができる露光装置を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の第２の目的は、スループットの向上とともに、ステージの駆動系の使用電力を抑えることが可能なステージ装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第３の目的は、デバイスの生産性の向上を図ることができるデバイス製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するステージ制御系（８０、３３、７８）と；前記１つの区画領域に対する遅くとも露光終了後から、次の区画領域の露光のために、前記ステージ制御系によって前記両ステージの前記走査方向に関する減速が開始されるまでの期間に、少なくとも次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を前記ステージ制御系に送る制御装置（５０）と；を備える露光装置である。
【００１４】
これによれば、制御装置により、物体上の１つの区画領域に対する遅くとも露光終了後から、次の区画領域の露光のために、ステージ制御系によって前記両ステージ（マスクステージと物体ステージ）の走査方向に関する減速が開始されるまでの期間に、少なくとも次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報がステージ制御系に送られるようになっている。このため、物体上の１つの区画領域に対する露光終了後から、次の区画領域の露光のための両ステージの同期整定期間までの間に、両ステージを停止させないようなステージ制御系による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となる。すなわち、次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報をステージ制御系が上位装置から受け取るために、両ステージを加速前に一旦停止させる必要がなくなるので、その停止時間がない分、スループットの向上が可能となる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。また、この場合、ステージ制御系は、上記の走査方向に関する減速時から両ステージの同期制御動作を開始することも可能である。
【００１５】
この場合において、請求項２に記載の露光装置の如く、前記制御装置は、前記１つの区画領域に対する露光を行っている時にも、前記設定情報を前記ステージ制御系に送ることとすることができる。
【００１６】
この場合において、請求項３に記載の露光装置の如く、前記制御装置は、前記１つの区画領域に対する露光を行っている時から前記設定情報を送る場合には、次及びそれ以降の複数の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を送ることとすることができる。
【００１７】
上記請求項１に記載の露光装置において、請求項４に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記次の区画領域の露光前の前記両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することとすることができる。かかる場合には、上記の露光前の両ステージの同期整定の際の整定時間の短縮が可能となるので、一層スループットを向上させることが可能となる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するステージ制御系（８０、３３、７８）と；前記物体上における前記走査方向に直交する非走査方向の任意の行内の最終区画領域の露光終了後、別の行の最初の区画領域の露光のため、前記ステージ制御系により前記両ステージの移動制御が行われる間に、前記次の行内の複数の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を前記ステージ制御系に送る制御装置（５０）と；を備える露光装置である。
【００１９】
ここで、「両ステージの移動制御」とは、少なくとも一方のステージについての停止制御をも含む概念である。
【００２０】
これによれば、制御装置により、物体上における非走査方向の任意の行内の最終区画領域の露光終了後、別の行の最初の区画領域の露光のため、前記ステージ制御系により両ステージの移動制御が行われる間に、次の行内の複数の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報がステージ制御系に送られる。このため、前述の物体上の１つの区画領域に対する露光終了後から両ステージの減速開始までの時間が短く、その間に次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報の伝送が困難な場合であっても、前記露光終了後から次の区画領域の露光のための両ステージの同期整定期間までの間に、両ステージを停止させないようなステージ制御系による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となる。従って、両ステージを加速前に一旦停止させる必要がなくなるので、その停止時間がない分、スループットの向上が可能となる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。また、この場合も、ステージ制御系は、上記の走査方向に関する減速時から両ステージの同期制御動作を開始することも可能である。
【００２１】
この場合において、請求項６に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記次の行の区画領域毎における露光開始前の前記両ステージの前記同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することとすることができる。かかる場合には、次の行の区画領域毎における露光開始前の両ステージの同期整定の際の整定時間の短縮が可能となるので、一層スループットを向上させることが可能となる。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するステージ制御系（８０、３３、７８）と；前記物体上の前記複数の区画領域の全てを露光するために必要な制御パラメータの設定情報を、前記物体上の各区画領域の所定点との位置合わせに用いられる配列情報の検出動作の終了後、第１番目の区画領域の露光が開始されるまでの間に、前記ステージ制御系に送る制御装置（５０）と；を備える露光装置である。
【００２３】
これによれば、制御装置により、物体上の複数の区画領域の全てを露光するために必要な制御パラメータの設定情報が、物体上の各区画領域の所定点との位置合わせに用いられる配列情報の検出動作の終了後、第１番目の区画領域の露光が開始されるまでの間に、ステージ制御系に送られる。このため、第１番目の区画領域の露光が開始された後の露光処理期間中には、前述の制御パラメータの設定情報の伝送処理が不要となるので、物体上の第１番目の区画領域に対する露光開始から最終の区画領域に対する露光の終了までの間、両ステージを停止させないようなステージ制御系による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となる。従って、スループットの向上を図ることができる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。
【００２４】
この場合において、請求項８に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記物体上の区画領域毎に、露光前の前記両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することとすることができる。かかる場合には、物体上の区画領域毎に、露光開始前の両ステージの同期整定の際の整定時間の短縮が可能となるので、一層スループットを向上させることが可能となる。
【００２５】
上記請求項１〜８に記載の各露光装置において、請求項９に記載の露光装置の如く、前記制御パラメータは、露光に先立って計測された前記区画領域の配列に関連したパラメータを含み、前記設定情報は、所定のステージ座標系に対する区画領域の配列誤差により生じる区画領域間の移動量の補正値を考慮した情報を含むこととすることができる。
【００２６】
この場合において、請求項１０に記載の露光装置の如く、前記区画領域の配列誤差は、前記物体の回転誤差、前記物体の移動を規定するステージ座標系の直交度誤差、前記物体のステージ座標系上におけるオフセット、前記物体の拡大縮小誤差の少なくとも１つを含むこととすることができる。
【００２７】
請求項１１に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するとともに、前記物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、前記両ステージが前記走査方向に関して減速される際に、次の区画領域の露光のための前記両ステージの同期制御を開始するステージ制御系と；を備える露光装置である。
【００２８】
これによれば、前記両ステージを制御するステージ制御系が、物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、両ステージを走査方向に関して減速する際に、次の区画領域の露光のための両ステージの同期制御を開始する。このため、例えば両ステージの減速終了後に直ちに同期制御を開始する場合に比べても、一層早い時点で露光開始前の両ステージの同期整定が完了し、同期整定時間の短縮によるスループットの向上が可能となる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。
【００２９】
請求項１２に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するとともに、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間において前記両ステージを前記走査方向に関して減速後に加速する助走動作の際に、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを制御するステージ制御系（８０、３３、７８）と；を備える露光装置である。
【００３０】
これによれば、前記両ステージを制御するステージ制御系により、走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間において両ステージが走査方向に関して減速後に加速される助走動作の際に、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージが制御される。すなわち、この場合の物体ステージ（及びマスクステージ）の加速度曲線は台形状となるため、速度の変化が一定となり、速度零の期間がなく、しかもいわゆる交互スキャンが可能となり、これにより前記助走動作に要する時間の短縮が可能となる。また、この場合、前述のジャーク曲線のピーク（加速度の時間変化率である躍動（ジャーク）の絶対値の最大値）を抑えることが可能となることから、物体ステージの加速度の平均値に対する最大加速度の比を小さくすることができるとともに、加速度の急減な変化及びその頻度を抑制することができる。従って、スループットの向上とともに、物体ステージ（及びマスクステージ）の駆動系、例えばリニアモータなどの使用電力を抑えることも可能となる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。
【００３１】
この場合において、請求項１３に記載の露光装置の如く、前記２極化された符号が反転したジャーク曲線は、異なる形状であることとすることができる。
【００３２】
この場合において、請求項１４に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記区画領域に対する露光終了後の前記減速開始前に前記両ステージが等速移動される後整定期間を、露光開始前の前記両ステージの同期整定期間より長く設定するとともに、区画領域に対する露光終了後のジャーク曲線のピークを露光開始前のジャーク曲線のピークよりも大きく設定することとすることができる。かかる場合には、両ステージの加速終了位置を所定の目標位置に一致させ、かつその加速終了位置での制御遅れ及びそれに起因する両ステージの同期誤差を抑制することができるので、露光前の同期整定時間を短縮することが可能となる。
【００３３】
上記請求項１２に記載の露光装置において、請求項１５に記載の露光装置の如く、前記２極化された符号が反転したジャーク曲線は、同一形状であることとすることができる。
【００３４】
上記請求項１２〜１５に記載の各露光装置において、請求項１６に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記非走査方向の異なる行の区画領域間における前記両ステージの前記走査方向に関する移動動作の際には、４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを制御することとすることができる。
【００３５】
この場合において、請求項１７に記載の露光装置の如く、前記４極化されたジャーク曲線は、少なくとも２極が異なる形状であることとすることができる。
【００３６】
上記請求項１２〜１７に記載の各露光装置において、請求項１８に記載の露光装置のごとく、前記ステージ制御系は、前記両ステージの前記走査方向に関する前記区画領域間の前記助走動作と並行して、少なくとも２極が異なる形状で、合計で４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを前記非走査方向に関して移動させる区画領域間の移動動作を行うこととすることができる。
【００３７】
請求項１９に記載の発明は、マスク（Ｒ）と物体（Ｗ）とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージ（ＲＳＴ）と；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージ（ＷＳＴ）と；前記両ステージを制御するとともに、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間では、１つの区画領域に対する露光終了後に前記両ステージを前記走査方向に関して等速移動する後整定期間を前記露光終了後の減速開始前に確保し、異なる行間における移動の際には、１つの区画領域に対する露光終了の直後に前記両ステージの減速動作を開始するステージ制御系（８０、３３、７８）と：を備える露光装置である。
【００３８】
これによれば、ステージ制御系が、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間では、１つの区画領域に対する露光終了後に前記両ステージを前記走査方向に関して等速移動する後整定期間を、前記露光終了後の減速開始前に確保する一方、異なる行間における移動の際には、前記１つの区画領域に対する露光終了の直後に前記両ステージの減速動作を開始するようになっている。このため、異なる行間における移動の際に前記後整定期間がない分、スループットの向上が可能となる。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。
【００３９】
上記請求項１〜１９に記載の各露光装置において、請求項２０に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、次の区画領域の露光のため、前記両ステージが前記走査方向に関して減速後に加速される助走動作と前記物体ステージが前記走査方向に直交する非走査方向に関して移動する区画領域間の移動動作とが同時並行的に行われ、かつ前記物体ステージの前記非走査方向への移動動作が前記次の区画領域の露光前の前記両ステージの同期整定期間の前に終了するように、前記両ステージを制御することとすることができる。かかる場合には、物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、次の区画領域の露光のため、前記両ステージが前記走査方向に関して減速後に加速される助走動作と物体ステージが非走査方向に関して移動する区画領域間の移動動作とを少なくとも一部オーバーラップさせることができるので、物体ステージの非走査方向に関する上記区画領域間の移動動作の終了後に、両ステージの走査方向に関する加速動作を開始する場合などに比べて、スループットの向上が可能となる。また、両ステージの走査方向に関する助走動作が終了した時点では、物体ステージの非走査方向に関する上記区画領域間の移動動作が終了しているので、ステージ制御系は、同期整定期間では、両ステージの同期整定のみに専念でき、これにより、整定時間の短縮も可能となる。
【００４０】
請求項２１に記載の発明は、マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；前記両ステージの移動を制御するステージ制御系と；を備え、前記ステージ制御系は、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間においては、前記走査方向の移動動作と前記非走査方向の移動動作との同時並行的な移動動作を、１つの区画領域に対する露光終了後に前記両ステージを前記走査方向に関して等速移動する後整定期間の間に、前記物体ステージに開始させる、ことを特徴とする露光装置である。
【００４１】
これによれば、ステージ制御系が、非走査方向の同一行内の区画領域間においては、走査方向の移動動作と非走査方向の移動動作との同時並行的な移動動作を、１つの区画領域に対する露光終了後に両ステージを走査方向に関して等速移動する後整定期間（等速オーバースキャン）の間に、物体ステージに開始させるので、その後整定期間（等速オーバースキャン）分だけ早く非走査方向に発生する加減速制御を終了することができる。これにより、非走査方向のステッピングは、次の区画領域の露光のための走査方向の同期制御の開始より先に終了させることができ、ステージ制御系では、次の区画領域の露光のための同期制御時間（前整定時間）の間は、走査方向の同期制御のみに専念できる。これに加え、同期制御の際に非走査方向の減速の影響が殆どないため、同期整定時間の短縮及びこれに対応して等速オーバースキャン時間（後整定時間）の短縮も可能である。従って、スループットを向上させることが可能である。この場合、特に支障が生じないので、他の装置性能を損なうことはない。
【００４２】
この場合において、請求項２２に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記物体ステージに、前記同時並行的な移動動作を、次の区画領域に対する露光前の前記両ステージの同期整定期間の開始前まで実行させることとすることができる。
【００４３】
この場合において、請求項２３に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、同期整定期間の開始前までに、前記非走査方向の移動動作を終了するように前記物体ステージを制御することとすることができる。
【００４４】
この場合において、請求項２４に記載の露光装置の如く、前記ステージ制御系は、前記物体ステージに、前記同時並行的な移動動作を、前記１つの区画領域に対する露光終了直後から開始させることとすることができる。
【００４５】
請求項２５に記載の発明は、物体（Ｗ）を保持して２次元平面内を移動可能なステージ（ＷＳＴ）と；前記ステージが所定の第１軸方向に関して減速後に加速される第１軸方向移動動作と前記第１軸方向に直交する第２軸方向に関して移動する第２軸方向移動動作とが同時並行的に行われるように前記ステージを制御するとともに、前記第１軸方向移動動作に際して、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記ステージを制御するステージ制御系（８０、７８）と；を備えるステージ装置である。
【００４６】
これによれば、ステージ制御系により、ステージが、第１軸方向に関して減速後に加速される第１軸方向移動動作と第１軸方向に直交する第２軸方向に関して移動する第２軸方向移動動作とが同時並行的に行われ、ステージは、Ｕ字状又はＶ字状の軌跡に沿って移動する。この際、ステージは、第１軸方向移動動作に際しては、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて制御される。この場合のステージの加速度曲線は台形状となるため、速度の変化が一定となり、速度零の期間がなく、これにより第１軸方向移動動作に要する時間の短縮が可能となる。また、この場合、前述のジャーク曲線のピークを抑えることが可能となることから、ステージの加速度の平均値に対する最大加速度の比を小さくすることができるとともに、加速度の急減な変化及びその頻度を抑制することができる。従って、スループットの向上とともに、ステージの駆動系、例えばリニアモータなどの使用電力を抑えることも可能となる。
【００４７】
この場合において、請求項２６に記載のステージ装置の如く、前記ステージ制御系は、前記第２軸方向移動動作に際しては、少なくとも２極が異なる形状で、合計で４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記ステージを制御することとすることができる。
【００４８】
請求項２７に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法である。
【００４９】
【発明の実施の形態】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図１０（Ｄ）に基づいて説明する。
【００５０】
図１には、本発明の第１の実施形態に係る露光装置１０の全体構成が概略的に示されている。この露光装置１０は、半導体素子を製造するリソグラフィ装置として現在主流となりつつある、ステップ・アンド・スキャン方式により露光動作を行う投影露光装置である。この露光装置１０は、マスクとしてのレチクルＲに形成された回路パターンの一部の像を投影光学系ＰＬを介して物体としてのウエハＷ上に投影しつつ、レチクルＲとウエハＷとを投影光学系ＰＬの視野に対して１次元方向（ここでは図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向とする）に相対走査することによって、レチクルＲの回路パターンの全体をウエハＷ上の複数のショット領域（以下、適宜「ショット」と略述する）の各々にステップ・アンド・スキャン方式で転写するものである。
【００５１】
この露光装置１０は、光源１１、露光装置本体１２及びこれらの制御系を備えている。
【００５２】
前記光源１１は、露光用光源であり、例えば出力波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、或いは出力波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザなどのパルスレーザ光源が用いられる。ここで、光源１１からの紫外域のパルスレーザ光（以下、適宜「エキシマレーザ光」、「パルス照明光」あるいは「パルス紫外光」ともいう）を露光用照明光として用いるのは、２５６Ｍ〜４Ｇｂｉｔクラス以上の半導体メモリ素子（Ｄ−ＲＡＭ）相当の集積度と微細度とを持つマイクロ回路デバイスの量産製造に必要とされる最小線幅０．２５〜０．１０μｍ程度のパターン解像力を得るためである。従って、光源１１としてＦ_２レーザなどの真空紫外域のパルスレーザ光を出力するレーザ光源を用いても良い。
【００５３】
光源１１は、通常露光装置本体１２が設置される超クリーンルームから隔離された別の部屋（クリーン度の低いサービスルーム）などに設置される。また、露光装置本体１２は、内部空間が高度に防塵されるとともに、高精度な温度制御がなされたエンバイロメンタル・チャンバ１３の内部に収容され、超クリーンルーム内に設置されている。
【００５４】
前記光源１１は、不図示の操作パネルと、該操作パネルとインターフェイスされる制御用コンピュータ１１Ａとを備え、該制御用コンピュータ１１Ａは通常の露光動作の間は、後述する主制御装置５０の指令に応答して光源１１のパルス発光を制御する。
【００５５】
光源１１からのパルスレーザ光（エキシマレーザ光）の波長幅（スペクトル半値幅）は、後述する照明光学系や投影光学系を構成する各種の屈折光学素子に起因した色収差が許容範囲内になるように狭帯域化されている。狭帯域化すべき中心波長の絶対値や狭帯域化幅（０．２ｐｍ〜３００ｐｍの間）の値は、前記操作パネル上に表示されるとともに、必要に応じて操作パネルから微調整できるようになっている。また操作パネルからはパルス発光のモード（代表的には自励発振、外部トリガー発振、メンテナンス用発振の３つのモード）が設定できる。
【００５６】
エキシマレーザを光源とするステップ・アンド・スキャン方式の露光装置の一例は、例えば特開平２−２２９４２３号公報、特開平６−１３２１９５号公報、特開平７−１４２３５４号公報などに開示されている。従って図１の露光装置１０においても、上記の各特許公開公報に開示された基礎技術をそのまま、或いは部分的に変更して適用することが可能である。
【００５７】
前記露光装置本体１２は、照明光学系１８（１８Ａ〜１８Ｒ）、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、結像特性補正装置、ステージ装置、ウエハ搬送系及びアライメント系等を備えている。
【００５８】
前記照明光学系１８は、ＢＭＵ（ビームマッチングユニット）と呼ばれる光軸調整用の光学系を一部に含む、送光光学系を介して光源１１に接続されている。前記送光光学系は、図１に示されるように、一端が光源１１に接続され他端がチャンバ１３の内部に導入された遮光性の管３４と、該管３４の他端に接続されたビーム受光系３２とを備えている。このビーム受光系３２内には、管３４を介して導かれた光源１１からのエキシマレーザ光が、次に説明する照明光学系の光軸に対して、常に所定の位置関係で入射するように、エキシマレーザ光の照明光学系への入射位置や入射角度を最適に調整する複数の可動反射鏡（図示せず）が設けられている。
【００５９】
前記照明光学系１８は、図１に示されるように、可変減光器１８Ａ、ビーム整形光学系１８Ｂ、第１フライアイレンズ系１８Ｃ、振動ミラー１８Ｄ、集光レンズ系１８Ｅ、照明ＮＡ補正板１８Ｆ、第２フライアイレンズ系１８Ｇ、照明系開口絞り板１８Ｈ、ビームスプリッタ１８Ｊ、第１リレーレンズ１８Ｋ、固定レチクルブラインド１８Ｌ、可動レチクルブラインド１８Ｍ、第２リレーレンズ１８Ｎ、照明テレセン補正板（傾斜可能な石英の平行平板）１８Ｐ、ミラー１８Ｑ、及び主コンデンサーレンズ系１８Ｒ等を備えている。ここで、この照明光学系１８の上記構成各部について説明する。
【００６０】
可変減光器１８Ａは、エキシマレーザ光のパルス毎の平均エネルギーを調整するためのもので、例えば減光率が異なる複数の光学フィルタを切り換え可能に構成して減光率を段階的に変更するものや、透過率が連続的に変化する２枚の光学フィルタの重なり具合を調整することにより減光率を連続的に可変にするものが用いられる。この可変減光器１８Ａを構成する光学フィルタは、主制御装置５０によって制御される駆動機構３５によって駆動される。
【００６１】
ビーム整形光学系１８Ｂは、可変減光器１８Ａによって所定のピーク強度に調整されたエキシマレーザ光の断面形状を該エキシマレーザ光の光路後方に設けられた後述するダブルフライアイレンズ系の入射端を構成する第１フライアイレンズ系１８Ｃの入射端の全体形状と相似になるように整形して該第１フライアイレンズ系１８Ｃに効率よく入射させるもので、例えばシリンダレンズやビームエキスパンダ（いずれも図示省略）等で構成される。
【００６２】
前記ダブルフライアイレンズ系は、照明光の強度分布を一様化するためのもので、ビーム整形光学系１８Ｂ後方のエキシマレーザ光の光路上に順次配置された第１フライアイレンズ系１８Ｃ、集光レンズ１８Ｅ及び第２フライアイレンズ系１８Ｇから構成される。この場合、第１フライアイレンズ系１８Ｃと集光レンズ１８Ｅとの間には、被照射面（レチクル面又はウエハ面）に生じる干渉縞や微弱なスペックルを平滑化するための振動ミラー１８Ｄが配置されている。この振動ミラー１８Ｄの振動（偏向角）は駆動系３６を介して主制御装置５０によって制御されるようになっている。
【００６３】
第２フライアイレンズ系１８Ｇの入射端側には、照明光の被照射面における開口数の方向性（照明ＮＡ差）を調整する照明ＮＡ補正板１８Ｆが配置されている。
【００６４】
本実施形態のようなダブルフライアイレンズ系と振動ミラー１８Ｄとを組み合わせた構成については、例えば特開平１−２３５２８９号公報、特開平７−１４２３５４号公報などに詳しく開示されている。
【００６５】
前記第２フライアイレンズ系１８Ｇの射出側焦点面の近傍に、円板状部材から成る照明系開口絞り板１８Ｈが配置されている。この照明系開口絞り板１８Ｈには、ほぼ等角度間隔で、例えば通常の円形開口より成る開口絞り、小さな円形開口より成りコヒーレンスファクタであるσ値を小さくするための開口絞り、輪帯照明用の輪帯状の開口絞り、及び変形光源法用に例えば４つの開口を偏心させて配置して成る変形開口絞り等が配置されている。この照明系開口絞り板１８Ｈは、主制御装置５０により制御される不図示のモータ等により回転されるようになっており、これによりいずれかの開口絞りがパルス照明光の光路上に選択的に設定され、ケーラー照明における光源面形状が輪帯、小円形、大円形、或いは４つ目等に制限される。
【００６６】
照明系開口絞り板１８Ｈ後方のパルス照明光の光路上に、反射率が大きく透過率が小さなビームスプリッタ１８Ｊが配置され、更にこの後方の光路上に、固定レチクルブラインド１８Ｌ及び可動レチクルブラインド１８Ｍを介在させて第１リレーレンズ１８Ｋ及び第２リレーレンズ１８Ｎから成るリレー光学系が配置されている。
【００６７】
固定レチクルブラインド１８Ｌは、レチクルＲのパターン面に対する共役面から僅かにデフォーカスした面に配置され、レチクルＲ上の照明領域を規定する所定形状の開口部が形成されている。本実施形態では、この開口部が走査露光時のレチクルＲの移動方向（Ｙ軸方向）と直交したＸ軸方向に直線的に伸びたスリット状又は矩形状に形成されているものとする。
【００６８】
また、固定レチクルブラインド１８Ｌの近傍に走査方向に対応する方向の位置及び幅が可変の開口部を有する可動レチクルブラインド１８Ｍが配置され、走査露光の開始時及び終了時にその可動レチクルブラインド１８Ｍを介して照明領域を更に制限することによって、不要な部分の露光が防止されるようになっている。この可動レチクルブラインド１８Ｍは、駆動系４３を介して主制御装置５０によって制御される。
【００６９】
前記リレー光学系を構成する第２リレーレンズ１８Ｎの出口部分には、照明テレセン補正板１８Ｐが配置されており、さらにこの後方のパルス照明光の光路上には、第２リレーレンズ１８Ｎ及び照明テレセン補正板１８Ｐを通過したパルス照明光をレチクルＲに向けて反射するミラー１８Ｑが配置され、このミラー１８Ｑ後方のパルス照明光の光路上に主コンデンサーレンズ系１８Ｒが配置されている。
【００７０】
このようにして構成された照明光学系１８の作用を簡単に説明すると、光源１１からのエキシマレーザ光が管３４、ビーム受光系３２を介して照明光学系内に入射すると、このエキシマレーザ光は可変減光器１８Ａにより所定のピーク強度に調整された後、ビーム整形光学系１８Ｂに入射する。そして、このエキシマレーザ光は、ビーム整形光学系１８Ｂで後方の第１フライアイレンズ系１８Ｃに効率よく入射するようにその断面形状が整形される。次いで、このエキシマレーザ光が第１フライアイレンズ系１８Ｃに入射すると、第１フライアイレンズ系１８Ｃの射出側焦点面に多数の点光源（光源像）から成る面光源、すなわち２次光源が形成される。この２次光源（多数の点光源の各々）から発散するパルス紫外光は、振動ミラー１８Ｄ、集光レンズ系１８Ｅ、照明ＮＡ補正板１８Ｆを介して第２フライアイレンズ系１８Ｇに入射する。これにより、第２フライアイレンズ系１８Ｇの射出側焦点面に多数の微少な光源像を所定形状の領域内に一様分布させた個々の光源像から成る３次光源が形成される。この３次光源から射出されたパルス紫外光は、照明系開口絞り板１８Ｈ上のいずれかの開口絞りを通過した後、反射率が大きく透過率が小さなビームスプリッタ１８Ｊに至る。
【００７１】
このビームスプリッタ１８Ｊで反射された露光光としてのパルス紫外光は、第１リレーレンズ１８Ｋによって固定レチクルブラインド１８Ｌの開口部を一様な強度分布で照明する。但し、その強度分布には、光源１１からのパルス紫外光の可干渉性に依存した干渉縞や微弱なスペックルが数％程度のコントラストで重畳し得る。そのためウエハ面上には、干渉縞や微弱なスペックルによる露光量むらが生じ得るが、その露光量むらは先に挙げた特開平７−１４２３５４号公報のように、走査露光時のレチクルＲやウエハＷの移動とパルス紫外光の発振とに同期させて振動ミラー１８Ｄを振ることで平滑化される。
【００７２】
こうして固定レチクルブラインド１８Ｌの開口部を通ったパルス紫外光は、可動レチクルブラインド１８Ｍを通過した後、第２リレーレンズ１８Ｎ及び照明テレセン補正板１８Ｐを通過してミラー１８Ｑによって光路が垂直下方に折り曲げられた後、主コンデンサーレンズ系１８Ｒを経て、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上の所定の照明領域（Ｘ軸方向に直線的に伸びたスリット状又は矩形状の照明領域）を均一な照度分布で照明する。ここで、レチクルＲに照射される矩形スリット状の照明光は、図１中の投影光学系ＰＬの円形投影視野の中央にＸ軸方向（非走査方向）に細長く延びるように設定され、その照明光のＹ軸方向（走査方向）の幅はほぼ一定に設定されている。
【００７３】
一方、ビームスプリッタ１８Ｊを透過したパルス照明光は、不図示の集光レンズを介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ４６に入射し、そこで光電変換される。そして、このインテグレータセンサ４６の光電変換信号が、不図示のピークホールド回路及びＡ／Ｄ変換器を介して主制御装置５０に供給される。インテグレータセンサ４６としては、例えば遠紫外域で感度があり、且つ光源１１のパルス発光を検出するために高い応答周波数を有するＰＩＮ型のフォトダイオード等が使用できる。このインテグレータセンサ４６の出力と、ウエハＷの表面上でのパルス紫外光の照度（露光量）との相関係数は予め求められて、主制御装置５０内のメモリに記憶されている。
【００７４】
前記レチクルステージＲＳＴは、図１に示されるように、主コンデンサーレンズ系１８Ｒの下方に配置されたレチクルベース定盤２８の上方に配置されている。このレチクルベース定盤２８の上面には、不図示のガイドが走査方向（Ｙ軸方向、第１軸方向）に沿って延設されている。また、レチクルベース定盤２８の中央部には、開口２８ａが形成されている。
【００７５】
レチクルベース定盤２８上には、レチクルＲを吸着保持して不図示のガイドに沿ってＹ方向に移動する前記レチクルステージＲＳＴが配置されている。このレチクルステージＲＳＴは、実際には、レチクル駆動系２９を構成するリニアモータ等によって駆動され、レチクルベース定盤２８上をＹ軸方向に大きなストロークで直線移動するレチクル粗動ステージと、該レチクル粗動ステージに対してＸ軸方向（第２軸方向）、Ｙ軸方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）にボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、ピエゾ素子等によって微小駆動が可能なレチクル微動ステージとを含んで構成されている。レチクル微動ステージ上に前記レチクルＲが吸着保持されている。このようにレチクルステージＲＳＴは、２つのステージを含んで構成されるが、以下では、レチクル駆動系２９によってＹ軸方向に沿って大きく駆動されるとともに、Ｘ、Ｙ及びθｚ方向に微小駆動される単一のステージであるものとして説明する。
【００７６】
レチクルステージＲＳＴ上にはレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）３０からのレーザビームを反射する移動鏡３１が固定されており、レチクルステージＲＳＴの移動面内の位置はレチクル干渉計３０によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、レチクルステージＲＳＴ上にはＹ軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とＸ軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計とが設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡３１、レチクル干渉計３０として示されている。なお、例えば、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（移動鏡３１の反射面に相当）を形成しても良い。また、レチクルステージＲＳＴの走査方向（本実施形態ではＹ軸方向）の位置検出に用いられるＸ軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも１つのコーナーキューブ型ミラー（例えばレトロリフクタ）を用いても良い。ここで、レチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計の一方、例えばレチクルＹ干渉計は、測長軸を２軸有する２軸干渉計であり、このレチクルＹ干渉計の計測値に基づきレチクルステージＲＳＴのＹ位置に加え、θｚ方向の回転も計測できるようになっている。
【００７７】
レチクル干渉計３０によって計測されるレチクルステージＲＳＴ（即ちレチクルＲ）の位置情報（又は速度情報）はレチクルステージコントローラ３３に送られる。レチクルステージコントローラ３３は、基本的にはレチクル干渉計３０から出力される位置情報（或いは速度情報）が指令値（目標位置、目標速度）と一致するようにレチクルステージＲＳＴを駆動するレチクル駆動系２９を制御する。
【００７８】
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウエハＷ）側の両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や螢石を光学硝材とした屈折光学素子（レンズ素子）のみから成る１／４（又は１／５）縮小倍率の屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向がＺ軸方向とされている。この場合、レチクルＲ上の回路パターン領域のうちのパルス紫外光によって照明された部分からの結像光束が、投影光学系ＰＬを介して、後述するウエハステージＷＳＴ上のウエハホルダに静電吸着されたウエハＷ上のレジスト層に１／４又は１／５に縮小されて投影される。
【００７９】
なお、投影光学系ＰＬを特開平３−２８２５２７号公報に開示されているように屈折光学素子と反射光学素子（凹面鏡やビームスプリッタ等）とを組み合わせたいわゆるカタディオプトリック系としても良いことは勿論である。
【００８０】
前記結像特性補正装置は、投影光学系ＰＬの各種光学特性（結像性能）を微調整するもので、本実施形態では、投影光学系ＰＬ内の物体面に近い位置に設けられ光軸ＡＸ方向への微小移動及び光軸ＡＸに直交する面に対する微小傾斜が可能なテレセン部レンズ系Ｇ２とこのレンズ系Ｇ２を光軸ＡＸ方向（傾斜を含む）に微動させる駆動機構９６とから成るＭＡＣと、該ＭＡＣ（すなわち駆動機構９６）を制御する結像特性補正コントローラ１０２とを備えている。この結像特性補正装置によると、投影像の倍率又はディストーション（等方的な歪曲収差、又は樽形、糸巻き形、台形等の非等方的な歪曲収差等）を調整することができる。結像特性補正コントローラ１０２も主制御装置５０の管理下にある。なお、主制御装置５０又は結像特性補正コントローラ１０２が、光源１１からのエキシマレーザ光の波長のシフト量を制御することにより、投影光学系ＰＬの結像性能を調整することとしても良い。
【００８１】
また、投影光学系ＰＬ内の像面に近い位置には、投影される像のうち特に像高の大きい部分（投影視野内の周辺に近い部分）に生じ易い非点収差、コマ収差を低減させるための収差補正板Ｇ３が配置されている。
【００８２】
さらに、本実施形態では、円形視野内の実効的な像投影領域（固定レチクルブラインド１８Ｌの開口部で規定）に形成される投影像に含まれるランダムなディストーション成分を有効に低減させるための像歪み補正板Ｇ１が、投影光学系ＰＬのレンズ系Ｇ２とレチクルＲとの間に配置されている。この補正板Ｇ１は、数ミリ程度の厚みを持つ平行な石英板の表面を局所的に研磨し、その研磨部分を通る結像光束を微小に偏向させるものである。このような補正板Ｇ１の作り方の一例は、特開平８−２０３８０５号公報などに詳細に開示されており、本実施形態においても基本的にはその公報に示された手法を応用するものとする。
【００８３】
次に、ステージ装置について説明する。このステージ装置は、図１に示されるように、不図示の架台部を構成する定盤２２と、この定盤２２上に配置されＸＹ面内で移動可能な物体ステージとしてのウエハステージＷＳＴとを備えている。
【００８４】
ウエハステージＷＳＴは、その底面に設けられた不図示の気体静圧軸受けにより定盤２２の上面に対して例えば数μｍ程度クリアランスを介して浮上支持され、Ｘリニアモータ及びＹリニアモータ、あるいは平面モータなどによって、ＸＹ２次元平面内で自在に駆動されるようになっている。なお、図１においては、図示の便宜上、上記のリニアモータなどのアクチュエータが駆動系４８として図示されている。この駆動系４８（すなわち上記のＸリニアモータ及びＹリニアモータなど）は、ウエハステージコントローラ７８によって制御されるようになっている。
【００８５】
前記ウエハステージＷＳＴは、図１に示されるように、定盤２２上をＸＹ平面内で自在に移動可能な移動ステージ５２と、この移動ステージ５２上に搭載された駆動機構としてのレベリング駆動機構５８と、このレベリング駆動機構５８により支持されウエハＷを保持するウエハテーブルＴＢとを備えている。移動ステージ５２は、平面視（上方から見て）矩形状に形成されている。
【００８６】
前記ウエハテーブルＴＢは、移動テーブル５２上に搭載されたレベリング駆動機構５８を構成する３つのアクチュエータＺＡＣに支持されている。ウエハテーブルＴＢ上には、ほぼ円形の不図示のウエハホルダが設けられており、このウエハホルダにウエハＷが静電吸着され、平坦化矯正されて保持されている。このウエハホルダはウエハＷの露光時の熱蓄積による膨脹変形を押さえるために温度制御されている。
【００８７】
前記レベリング駆動機構５８は、ウエハテーブルＴＢを正三角形の３つの頂点近傍でそれぞれ支持するとともに各支持点でＸＹ平面に垂直なＺ軸方向に独立して駆動可能な３つのアクチュエータ（ピエゾ素子、ボイスコイルモータ等）ＺＡＣと、これら３つのアクチュエータＺＡＣを独立に制御することによりウエハテーブルＴＢを光軸ＡＸの方向（Ｚ軸方向）に微動するとともに、ＸＹ平面に対して傾斜させるアクチュエータ制御装置５６とによって構成される。アクチュエータ制御装置５６に対する駆動指令はウエハステージコントローラ７８から出力される。
【００８８】
なお、図１では図示が省略されているが、投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷ表面とのＺ軸方向の偏差（フォーカス誤差）や傾斜（レベリング誤差）を検出するフォーカス・レベリング検出系が投影光学系ＰＬの近傍に設けられ、ウエハステージコントローラ７８はフォーカス・レベリング検出系からのフォーカス誤差信号やレベリング誤差信号に応答してアクチュエータ制御装置５６に駆動指令を出力する。そのようなフォーカス・レベリング検出系の一例は、特開平７−２０１６９９号公報などに詳細に開示されている。なお、このフォーカス・レベリング検出系の出力は、ウエハステージコントローラ７８を介して同期制御系８０及びこれを介して主制御装置５０にも供給されるようになっている。
【００８９】
前記ウエハテーブルＴＢの位置は、レーザ干渉計システム７６によって逐次計測されている。これを更に詳述すると、ウエハテーブルＴＢの−Ｙ側及び＋Ｘ側の各端面には鏡面加工が施され反射面がそれぞれ形成されている。そして、これらの反射面にレーザ干渉計システム７６を構成するＹレーザ干渉計、Ｘレーザ干渉計からのレーザビームがそれぞれ投射され、それぞれの反射光がそれらの干渉計によって個別に受光され、ウエハテーブルＴＢのＹ軸方向の位置、Ｘ軸方向の位置がそれぞれ計測されている。このように、レーザ干渉計は複数設けられているが、図１ではこれらが代表的にレーザ干渉計システム７６として示されている。なお、ウエハテーブルＴＢに形成された前述の各反射面に代えて、平面ミラーから成る移動鏡を設けても良い。
【００９０】
また、上記Ｘレーザ干渉計及びＹレーザ干渉計は測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウエハテーブルＴＢのＸ、Ｙ位置の他、回転（ヨーイング（Ｚ軸回りの回転であるθｚ回転）、ピッチング（Ｘ軸回りの回転であるθｘ回転）、ローリング（Ｙ軸回りの回転であるθｙ回転））も計測可能となっている。従って、以下の説明ではレーザ干渉計システム７６によって、ウエハテーブルＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置が計測されるものとする。また、多軸干渉計は、４５°傾いてウエハテーブルＴＢに設置される反射面を介して、投影光学系ＰＬが載置される架台（不図示）に設置される反射面にレーザビームを照射し、投影光学系ＰＬの光軸方向（Ｚ軸方向）に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。
【００９１】
なお、ウエハテーブルＴＢのＺ軸方向の微小駆動及び傾斜駆動を行うレベリング駆動機構５８は、実際には、前述の反射面の下にあるので、ウエハテーブルＴＢのチルト制御時の駆動量は全て、レーザ干渉計システム７６によりモニタすることができる。
【００９２】
前記レーザ干渉計システム７６によって計測されるウエハテーブルＴＢ（すなわちウエハステージＷＳＴ）の位置情報はウエハステージコントローラ７８に送られる。ウエハステージコントローラ７８は、所定の演算によりＸＹ座標位置を求め、この求めた座標位置と位置決めすべき目標位置情報とに基づいてウエハステージＷＳＴを駆動させるための指令信号を駆動系４８へ出力する。
【００９３】
前記ウエハテーブルＴＢ上には、その表面がウエハＷの表面とほぼ同じ高さとなるようにされた基準マーク板ＦＭが設けられている。この基準マーク板ＦＭの表面には後述する各種アライメント検出系によって検出可能な基準マークが形成され、それらの基準マークは、各アライメント検出系の検出中心点のチェック（キャリブレーション）、それら検出中心点と投影光学系の投影中心との距離（ベースライン）の計測、レチクルＲのウエハ座標系に対する位置チェック、又はレチクルＲのパターン面と共役な最良結像面のＺ方向の位置チェック等のために使われる。
【００９４】
前記ウエハ搬送系は、不図示のウエハ保管部とウエハステージＷＳＴとの間でウエハＷを搬送する。このウエハ搬送系は、所定のローディング位置（受渡し位置）に移動してきたウエハステージＷＳＴ上のウエハホルダとの間でウエハＷの受け渡しを行うロボットアーム（ウエハロード／アンロードアーム）を備えている。
【００９５】
本実施形態の露光装置１０では、アライメント系として、投影光学系ＰＬを介さないでウエハＷ上の各ショット領域に形成されたアライメントマークや、基準マーク板ＦＭ上の基準マークを光学的に検出するオフアクシス・アライメント検出系ＡＬＧが用いられている。このアライメント検出系ＡＬＧは、図１に示されるように、投影光学系ＰＬの側方に配置されている。このアライメント検出系ＡＬＧは、ウエハＷ上のレジスト層に対して非感光性の照明光（一様照明又はスポット照明）を対物レンズを通して照射し、アライメントマークや基準マークからの反射光を対物レンズを介して光電的に検出する。光電検出されたマーク検出信号は、信号処理回路６８に入力されるが、この信号処理回路６８には、ウエハステージコントローラ７８、同期制御系８０及び主制御装置５０を介してレーザ干渉計システム７６の計測値が入力されている。そして、信号処理回路６８は、上記の光電検出されたマーク検出信号を所定のアルゴリズムの下で波形処理し、この処理結果とレーザ干渉計システム７６の計測値とに基づいて、マークの中心がアライメント検出系ＡＬＧ内の検出中心（指標マーク、撮像面上の基準画素、受光スリット、或いはスポット光等）と合致するようなウエハステージＷＳＴの座標位置（ショットアライメント位置）、或いは検出中心に対するウエハマーク、基準マークの位置ずれ量を求めるようになっている。その求められたショットアライメント位置または位置ずれ量の情報は、主制御装置５０に送られ、ウエハステージＷＳＴのアライメント時の位置決め、ウエハＷ上の各ショット領域に対する露光のための走査開始位置（又は加速開始位置）の設定等に使われる。
【００９６】
さらに、本実施形態の露光装置１０では、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを同期移動させるための同期制御系８０が、制御系内に設けられている。この同期制御系８０は、特に走査露光時に、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを同期移動させる際に、レチクルステージコントローラ３３による駆動系２９の制御とウエハステージコントローラ７８による駆動系４８の制御とを相互に連動させるために、レチクル干渉計３０、レーザ干渉計システム７６で計測されるレチクルＲとウエハＷの各位置や各速度の状態をリアルタイムにモニタし、それらの相互の関係が所定のものとなるように管理する。その同期制御系８０は、主制御装置５０からの各種のコマンドやパラメータの設定情報によって制御される。このように、本実施形態では、同期制御系８０、レチクルステージコントローラ３３及びウエハステージコントローラ７８によって、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴを制御するステージ制御系が構成されている。
【００９７】
本実施形態の露光装置１０では、前記制御系は、実際には、上述した光源１１及び露光装置本体１２各部のユニット（照明光学系、レチクルステージＲＳＴ、ウエハステージＷＳＴ、ウエハ搬送系等）の各々を個別に制御する複数のユニット側コンピュータ（マイクロセッサ等）と、これらのユニット側コンピュータを統括的に制御するワークステーションなどから成る制御装置としての主制御装置５０とを備えた分散型システムとして構築されている。
【００９８】
本実施形態では、上記の複数のユニット側コンピュータが主制御装置５０と連携することによって、複数枚のウエハに対する一連の露光処理が実行される。その一連の露光処理の全体的なシーケンスは主制御装置５０によって、不図示のメモリに記憶されたプロセスプログラムと呼ばれる所定の露光条件の設定ファイルに従って統括制御される。
【００９９】
プロセスプログラムはオペレータが作成した露光処理ファイル名のもとに、露光すべきウエハに関する情報（処理枚数、ショットサイズ、ショット配列データ、アライメントマーク配置データ、アライメント条件等）、使用するレチクルに関する情報（パターンの種別データ、各マークの配置データ、回路パターン領域のサイズ等）、そして露光条件に関する情報（露光量、フォーカスオフセット量、走査速度のオフセット量、投影倍率オフセット量、各種の収差や像歪みの補正量、照明光学系の開口数やコヒーレンスファクタσ値等の設定値、投影光学系の開口数の設定値等）をパラメータ群のパッケージとして記憶するものである。
【０１００】
主制御装置５０は、実行指示されたプロセスプログラムを解読してウエハの露光処理に必要な各構成要素の動作を、対応するユニット側コンピュータにコマンドとして次々に指令していく。このとき、各ユニット側コンピュータは１つのコマンドを正常終了すると、その旨のステータスを主制御装置５０に送出し、これを受けた主制御装置５０はユニット側コンピュータに対して次のコマンドを送るようになっている。
【０１０１】
次に、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させるステージ制御系（ウエハステージコントローラ７８、レチクルステージコントローラ３３、同期制御系８０）によって行われる１つのショット領域の露光の際のウエハステージの基本的な走査手順について図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照しつつ、簡単に説明する。
【０１０２】
図２（Ａ）には、投影光学系ＰＬの有効フィールドＰＬ’に内接するウエハ上のスリット状の照明領域（レチクルＲ上の照明領域と共役な領域；以下、「照明スリット」という）ＳＴと１つの区画領域としてのショット領域Ｓとの関係が平面図にて示され、図２（Ｂ）には、ステージ移動時間とステージ速度との関係が示されている。なお、実際には、ショット領域Ｓが照明スリットＳＴに対して矢印Ｙの反対方向に移動することで露光が行なわれるが、図２（Ａ）では、図２（Ｂ）のステージ移動時間とステージ速度の関係表と対応付けるため、照明スリットＳＴがショット領域Ｓに対し移動するように示されている。
【０１０３】
まず、基本的（一般的な）走査手順としては、ショット領域Ｓの端部から所定量離れた位置に照明スリットＳＴの中心Ｐが位置付けられ、ウエハステージＷＳＴの加速が開始される。このとき、同時にレチクルステージＲＳＴは、ウエハステージＷＳＴと反対向きにかつウエハステージＷＳＴの加速度の投影倍率の逆数倍の加速度で加速が開始されている。そして、ウエハステージＷＳＴ及びレチクルステージＲＳＴが所定の速度に近づいた時点で、レチクルＲとウエハＷの同期制御が開始される。この両ステージＷＳＴ、ＲＳＴの加速開始時点から同期制御の開始時点までの時間Ｔ_１を、加速時間と呼ぶ。同期制御開始後、ウエハとレチクルの変位誤差が所定の関係になるまでレチクルステージＲＳＴによるウエハステージＷＳＴに対する追従制御が行われ、露光が開始される。この同期制御開始後、露光開始までの時間Ｔ_２を、整定時間と呼ぶ。
【０１０４】
上記の加速開始から露光開始までの時間（Ｔ_１＋Ｔ_２）がプリスキャン時間と呼ばれる。加速時間Ｔ_１での平均加速度をａ、整定時間をＴ_２とすると、プリスキャン時における移動距離は（１／２）・ａ・Ｔ_１ ^２＋ａ・Ｔ_１・Ｔ_２で表わされる。
【０１０５】
また、等速移動により露光が行われる露光時間Ｔ_３は、ショット長をＬ、照明スリットＳＴの走査方向の幅をｗとした場合、Ｔ_３＝（Ｌ＋ｗ）／（ａ・Ｔ_１）となり、移動距離はＬ＋ｗとなる。
【０１０６】
この露光時間Ｔ_３の終了時点でショット領域Ｓに対するレチクルパターンの転写は終了するが、スループット向上のため、ステップ・アンド・スキャン方式では、通常レチクルＲを交互スキャン（往復スキャン）させることで、順次次のショットに対する露光を行うので、前記プリスキャンでの移動距離と同じ距離だけ、露光終了時点から更にレチクルＲを移動して、レチクルＲを次ショット露光のための走査開始位置まで戻すことが必要である。このとき、ウエハ（ウエハステージ）はレチクル（レチクルステージ）に対応して走査方向に移動されることとなる。このための時間が、等速度オーバースキャン時間（後整定時間）Ｔ_４、減速オーバースキャン時間Ｔ_５であり、総じて（Ｔ_４＋Ｔ_５）がオーバースキャン時間である。このオーバースキャン時間における移動距離は、減速オーバースキャン時間Ｔ_５における減速度をｂとすると、−（１／２）・ｂ・Ｔ_５ ^２−ｂ・Ｔ_５・Ｔ_４となり、この距離が（１／２）・ａ・Ｔ_１ ^２＋ａ・Ｔ_１・Ｔ_２となるようにＴ_４、Ｔ_５、及び減速度ｂが設定される。
【０１０７】
一般の制御系ではａ＝−ｂなので、Ｔ_１＝Ｔ_５、Ｔ_２＝Ｔ_４に設定するのが最も容易な制御法となる。
【０１０８】
次に、本実施形態の露光装置１０により、レチクルＲのパターンをウエハＷ上の複数のショット領域に順次転写する際の動作について、主制御装置５０（より正確には主制御装置５０内のＣＰＵ）の処理アルゴリズムを示す図３のフローチャートを中心に、かつ適宜他の図面を参照しつつ説明する。ここでは、図４に示されるような複数（例えば７６個）のショット領域に対して、同図に示されるような経路で露光を行う場合について説明する。ここで、図４中の経路は、前述の照明スリットＳＴの中心Ｐが各ショット上を通過する軌跡を示し、この軌跡中の実線部は、各ショットの露光の際の照明スリットＳＴの中心Ｐ（以下「点Ｐ」とも記述する）の経路を示し、点線部は、非走査方向の同一行内の隣接ショット間における点Ｐの移動軌跡を示し、一点鎖線部は、異なる行間における点Ｐの移動軌跡を示す。なお、実際には、点Ｐが固定でウエハＷが移動するのであるが、図４においては、説明を分かり易くするため、ウエハＷ上を点Ｐ（照明スリットＳＴの中心）が移動するかのように図示されている。
【０１０９】
まず、図３のフローチャートの処理に先立って、主制御装置５０により各ユニットコンピュータを介して、不図示のレチクル顕微鏡、ウエハテーブルＴＢ上の基準マーク板ＦＭ、及びアライメント検出系ＡＬＧを用いたレチクルアライメント、アライメント検出系ＡＬＧのベースライン計測、及びウエハアライメント（ＥＧＡ等）等の準備作業が行われる。
【０１１０】
なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等については、例えば特開平７−１７６４６８号公報等に詳細に開示され、また、ＥＧＡについては、特開昭６１−４４４２９号公報等に詳細に開示されており、公知であるから詳細説明は省略する。
【０１１１】
このような準備作業が終了すると、図３のフローチャートがスタートする。
【０１１２】
まず、ステップ１０２において、露光対象のショットが属する行の番号を示すカウンタｎ及び行内のショット番号を示すカウンタｍをともに１に初期化する（１←ｍ、１←ｎ）。
【０１１３】
次のステップ１０４で、ウエハ上のファーストショット、すなわち１行目の１番目のショットの露光に必要な各種設定情報を、同期制御系８０に伝送する。ここで、各種設定情報には、前述したレチクルステージ、ウエハステージの位置制御に関連する制御情報、例えば露光に先立って行われる例えばＥＧＡ方式のウエハアライメントにより得られるＥＧＡパラメータ（ウエハのＸ，Ｙ方向のオフセットＯｘ，Ｏｙ、ウエハの移動を規定するステージ座標系の直交度誤差ｗ、ウエハの回転誤差θ、ウエハのＸ，Ｙ方向の拡大縮小（スケーリング）誤差ｒｘ，ｒｙ）の設定値（これは露光時のウエハの位置を決定するためのデータとなる）、及び露光時の両ステージの位置に関連した補正パラメータ（例えば、レチクルステージ（あるいはウエハステージ）側の移動鏡の曲がり情報）、並びに露光量制御に関するデータ、例えばエキシマレーザのパルスエネルギ密度、パルス発光数等のデータ、更には設定された露光シーケンスデータなどが含まれる。また、場合によっては、ステージ移動時の各機構部のエラー情報なども含まれる。
【０１１４】
次のステップ１０６では、同期制御系８０に対してレチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの移動を指示する。
【０１１５】
上記の主制御装置５０からの指示に基づき、同期制御系８０では、ウエハＷ上のファーストショットの露光のための走査開始位置（加速開始位置）にウエハＷを移動させるためウエハステージコントローラ７８に指示を与える。これにより、ウエハステージコントローラ７８によってウエハ駆動系４８を介してウエハステージＷＳＴが上記の加速開始位置に移動される。次いで、同期制御系８０では、干渉計システム７６及びレチクル干渉計３０の計測値をモニタしつつ、ウエハステージコントローラ７８、レチクルステージコントローラ３３をそれぞれ介して前述したレチクル駆動系２９及びウエハ駆動系４８を制御し、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとのＹ軸方向の相対走査を開始する。
【０１１６】
このとき、主制御装置５０は、ステップ１０８で、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの目標走査速度への加速が終了するのを待っている。そして、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの加速が終了すると、光源１１の発光を開始する。
【０１１７】
この光源１１の発光開始とほぼ同時に、同期制御系８０では、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの露光前同期整定動作を開始している。
【０１１８】
このように、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの同期整定が完了して露光が開始されるのに先立って、光源１の発光は開始されているが、主制御装置５０によりレチクル干渉計３０の計測値に基づいて、レチクルステージＲＳＴと同期して可動レチクルブラインド１８Ｍの所定のブレードの移動が制御され、レチクルＲのパターン領域外の余分な部分が露光されるのが防止されているのは、通常のスキャニング・ステッパと同様である。
【０１１９】
そして、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴが等速同期状態に達すると、照明光学系１８からの紫外パルス光によってレチクルＲのパターン領域が照明され始め、前述の走査露光が開始される。
【０１２０】
同期制御系８０は、特に上記の走査露光時には、レチクルステージＲＳＴのＹ軸方向の移動速度ＶｒとウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の移動速度Ｖｗ（＝Ｖｙ）とが、投影光学系ＰＬの投影倍率（１／４倍あるいは１／５倍）に応じた速度比に維持されるように同期制御を行う。
【０１２１】
そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域が紫外パルス光で逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上のファーストショットの走査露光が終了する。これにより、レチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを介してファーストショットに縮小転写される。
【０１２２】
上記の走査露光中、主制御装置５０は、ステップ１１２で露光が終了するのを待っている。
【０１２３】
そして、上記のようにしてファーストショットの走査露光が終了すると、ステップ１１２での判断が肯定され、ステップ１１４に進んでレーザ光の照射を停止する。この照射停止は、光源１１の発光そのものを停止しても良いし、光源１１内の不図示のシャッタを閉鎖しても良い。
【０１２４】
次のステップ１１６では、カウンタｍを参照して、そのカウント値ｍが第ｎ行目（ここでは第１行目）の最後のショット番号であるか否かを、例えばショットマップに基づいて判断する。ここでは、ｍ＝１であるため、ここでの判断は否定され、ステップ１１８に進んでカウンタｍを１インクリメントした後、ステップ１２０に移行し、第ｎ行目第ｍ番目のショット（ここでは、第１行目第２番目のショット、すなわちセカンドショット）の露光に必要な各種設定情報を、同期制御ユニット８０に伝送する。この各種設定情報の伝送は、同期制御系８０によって、露光終了直後の走査方向に関するウエハステージＷＳＴ及びレチクルステージＲＳＴの等速オーバースキャン（後整定）動作が行われている間に行われる。このため、同期制御系８０では、送られてきた各種設定情報を無理なく受け取り内部メモリに記憶することができる。
【０１２５】
上記の設定情報の伝送後、主制御装置５０では、ステップ１２２で第１モードの両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの移動（以下、「第１モードの移動」と略述する）を、同期制御系８０に指示した後、ステップ１０８に戻り、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの目標走査速度への加速が終了するのを待つ。
【０１２６】
このステップ１０８の待ち状態の間、同期制御系８０によって、第１モードの移動動作が実行される。以下、この第１モードの移動動作について、詳述する。＜第１モードの移動動作＞
ここでは一例として、図５に示されるような同一行に位置する隣接ショット、ファーストショットＳ_１、セカンドショットＳ_２を順次露光する場合の、ショット間における両ステージの移動動作について説明する。
【０１２７】
図６（Ａ）には、この第１モードの移動動作におけるウエハステージＷＳＴの走査方向（Ｙ軸方向）に関するジャーク（ｊｅｒｋ）曲線Ｊ_ｙ（ｔ）が実線で示され、非走査方向（Ｘ軸方向）に関するジャーク曲線Ｊ_ｘ（ｔ）が点線で示されている。ここで、ジャークとは、加速度の変化する割合、すなわち位置の時間による３階微分のことである。
【０１２８】
また、図６（Ｂ）には、図６（Ａ）に対応するウエハステージＷＳＴの走査方向に関する加速度曲線Ａ_ｙ（ｔ）が実線で示され、非走査方向に関する加速度曲線Ａ_ｘ（ｔ）が点線で示されている。また、図６（Ｃ）には、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に対応するウエハステージＷＳＴの走査方向に関する速度曲線Ｖ_ｙ（ｔ）が実線で示され、非走査方向に関する速度曲線Ｖ_ｘ（ｔ）が点線で示されている。また、図６（Ｄ）には、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に対応するウエハステージＷＳＴの走査方向に関する変位曲線Ｐ_ｙ（ｔ）が実線で示され、非走査方向に関する変位曲線Ｐ_ｘ（ｔ）が点線で示されている。また、これら図６（Ａ）〜図６（Ｄ）において、横軸は時間（ｔ）を示す。
【０１２９】
なお、この第１モードの移動動作では、レチクルステージＲＳＴは、上記のジャーク（ｊｅｒｋ）曲線Ｊ_ｙ（ｔ）、加速度曲線Ａ_ｙ（ｔ）、速度曲線Ｖ_ｙ（ｔ）及び変位曲線Ｐ_ｙ（ｔ）の投影倍率の逆数倍の大きさの各時間変化曲線に従って移動するので、詳細説明は省略する。
【０１３０】
ここで、本実施形態では、実際には、図６（Ａ）のジャーク曲線に基づいて、速度又は位置の指令値が同期制御系８０によって生成され、この指令値に従ってウエハステージコントローラ７８によってウエハ駆動系４８を介してウエハステージＷＳＴが制御されるが、以下では、説明を分かり易くするために、図６（Ｃ）の速度曲線を中心として、適宜他の図面を参照して説明を行う。
【０１３１】
まず、走査方向（スキャン方向）について考える。前述のようにしてショットＳ_１の露光が終了した時点ｔ_１（このとき点Ｐは、図５中の点Ａの位置にある）から等速オーバースキャン時間Ｔ_４経過した時点ｔ_２（＝ｔ_１＋Ｔ_４）に、ウエハステージＷＳＴは減速（図５中の＋Ｙ方向に速度を有する時の−Ｙ方向の加速）を開始する。減速開始後、その減速度が徐々に大きくなって（−Ｙ方向の加速度がその絶対値が大きくなって）所定の一定値（−Ａａ）となり、その後一定時間ΔＴ、その一定値を維持する（図６（Ｂ）参照）。但し、減速開始時点ｔ_２から時間Ｔ_ｙ５の間が減速時間である。
【０１３２】
このとき、図５中の点Ａ（０，Ａｙ）を基準点としてウエハステージＷＳＴは、図６（Ｃ）に示されるように、露光終了時点ｔ_１から時間Ｔ_４の間一定速度Ｖｓｃａｎで＋Ｙ方向に進み、その後は、時間Ｔ_４経過の時点ｔ_２を時間の基準点として、図６（Ｃ）の速度曲線Ｖ_ｙ（ｔ）に従った速度で時間Ｔ_ｙ５だけ更に＋Ｙ方向に進む。この時間Ｔ_ｙ５が経過した時点ｔ_３で、別の区画領域としてのショットＳ_２に対するプリスキャンが開始される分岐点Ｂ（Ｂｘ，Ｂｙ）となる（図５参照）。
【０１３３】
その後、ウエハステージＷＳＴは、加速開始点ｔ_３を時間の基準として、−Ｙ方向に速度曲線Ｖ_ｙ（ｔ）に従った速度で時間Ｔ_ｙ１の間加速される。
【０１３４】
上記の時間（Ｔ_ｙ５＋Ｔ_ｙ１）の間、ジャーク曲線Ｊ_ｙ（ｔ）は、図６（Ａ）に示されるように、中央部にジャーク＝０の区間を挟んだ下側凸の山形（谷）と上側凸の山形とが存在する形状の曲線、すなわち２極化された符号が反転した曲線となっている。
【０１３５】
すなわち、第１モードの移動動作では、かかるジャーク曲線Ｊ_ｙ（ｔ）を、あるショットに対する露光の終了後、次のショットに対する露光のための同期整定期間（Ｔ_２）の前までのウエハステージＷＳＴの走査方向に関する助走動作に際しての指令値の基本とするので、対応する期間では、加速度曲線Ａ_ｙ（ｔ）が、図６（Ｂ）中に実線で示されるような台形状となっている。このため、この助走期間に関しては、該期間中の最高減速度（最大瞬間減速度）、あるいは最高加速度（最大瞬間加速度）の絶対値Ａｙ_ｍａｘ＝Ａａと、平均加速度の絶対値Ａｙ_ａｖｅとの間には、
Ａｙ_ａｖｅ＜Ａｙ_ｍａｘ＝Ａａ＜２Ａｙ_ａｖｅ
の関係が成立する。
【０１３６】
一方、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）には、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に対応して、従来の露光装置におけるウエハステージのジャーク曲線、加速度曲線、速度曲線、変位曲線（これらの図において横軸は時間である）が、比較例として示されている。図７（Ａ）を見ると、上記のウエハステージの走査方向に関する助走動作が行われる期間において、ジャーク曲線として４極化したジャーク曲線が用いられていることがわかる。このため、加速度曲線が、対応する期間では、図７（Ｂ）中に実線で示されるようなほぼ三角形状となっている。このため、この助走期間に関しては、最高加速度（最大瞬間加速度）又は最大減速度（最大瞬間減速度）の絶対値Ａｙ_ｍａｘと、平均加速度の絶対値Ａｙ_ａｖｅとの間には、
Ａｙ_ｍａｘ≒２Ａｙ_ａｖｅ
の関係が成立していた。
【０１３７】
これより、本実施形態の露光装置１０では、最大加速度（又は最大減速度）の絶対値に対する平均加速度（又は平均減速度）の絶対値の比率が向上する、換言すれば、最大加速度（又は最大減速度）を抑制することが可能になり、これにより、その加速（又は減速）の際にウエハステージＷＳＴを駆動するリニアモータなどのアクチュエータあるいはその駆動アンプなどの小型化、及び消費電力の低減による発熱の抑制などが可能となっている。レチクルステージＲＳＴ側でも、これと同様の効果が得られ、さらに、レチクルステージＲＳＴ側ではジャークの変動（急激な変化やその変化の頻度）が抑制されるので、レチクルＲのずれの発生をも効果的に抑制することができる。
【０１３８】
上記の如くして加速が行われ、図６（Ｂ）中に示される時点ｔ_４になると、ウエハステージＷＳＴが目標走査速度である−Ｖ_ｓｃａｎ（ここで負号は、−Ｙ方向の速度という意味である）に達し、その後、レチクルＲとウエハＷの同期制御期間としての時間Ｔ_２を経て、露光が開始される。露光時間Ｔ_３はＴ_３＝（ショット長Ｌｙ＋照明スリット幅ｗ）／Ｖ_ｓｃａｎで表わされる。
【０１３９】
次に非走査方向（非スキャン方向）の移動動作（ショット間ステッピング動作）を考える。図６（Ｃ）に示されるように、ショットＳ_１の露光が終了した時点ｔ_１で直ちに、速度曲線Ｖ_ｘ（ｔ）に従ってウエハステージＷＳＴの−Ｘ方向への加速が開始される。そして、加速開始から時間Ｔ_ｘ５が経過した時点で最高速度である−Ｖ_ｘｍａｘ（ここで負号は−Ｘ方向の速度であることを意味する）に達する。このとき、ウエハステージＷＳＴのＸ座標は、−Ｂｘであり、点Ｐは、図５中の点Ｂ（Ｂｘ，Ｂｙ）にある。次いで、その時点から速度曲線Ｖ_ｘ（ｔ）に従って減速（−Ｘ方向に速度を有する時の＋Ｘ方向の加速）を開始する。そして、減速開始時点（加速終了時点）から時間Ｔ_ｘ１が経過すると減速が終了し速度０となる（すなわち非スキャン方向に関する移動を停止する）。このとき、ウエハステージのＸ座標は、−Ｌｘ（Ｌｘはステッピング長である）となっており、Ｐ点は図５中の点Ｃ（Ｌｘ，Ｃｙ）に達している。
【０１４０】
すなわち、スキャン方向に関しては、図６（Ｃ）に示されるように、前ショットの露光終了時点ｔ_１から時間（Ｔ_４＋Ｔ_ｙ５＋Ｔ_ｙ１）が経過した時点ｔ_４で次ショットの露光のための加速が終了するが、非スキャン方向に関しては図６（Ｃ）に示されるように、前ショットの露光終了時点から時間（Ｔ_ｘ５＋Ｔ_ｘ１）が経過した時点では加減速が終了しており、これより、仮にＴ_ｙ１＝Ｔ_ｘ１かつＴ_ｙ５＝Ｔ_ｘ５が成り立つとすると、スキャン方向の整定時間Ｔ_２における同期制御開始よりＴ_４だけ早くステッピング動作が終了することが分かる。この時ウエハステージＷＳＴの軌跡は、図５に示されるように放物線状となる。
【０１４１】
上述したスキャン方向の整定時間における同期制御開始より非スキャン方向のステッピング動作が早く終了するとは、スキャン方向の速度がゼロとなる点、すなわち減速が終了して次ショットの露光のための加速が開始される点である図５のＢ点（Ｂｘ，Ｂｙ）のＸ座標ＢｘがショットＳ_１とＳ_２の境界よりＳ_２寄りとなるように、ウエハステージＷＳＴのスキャン方向のオーバースキャン及びプリスキャン動作に並行して、非スキャン方向の移動動作（ステッピング動作）が行われるように、ウエハステージコントローラ７８及び同期制御系８０が、ウエハステージＷＳＴのＸ、Ｙそれぞれの方向の移動を制御するようになっているということである。
【０１４２】
上記の非走査方向のステッピングの際のジャーク曲線Ｊ_ｘ（ｔ）は、図６（Ａ）に点線で示されるように、異なる形状で相互に逆向きのジャーク曲線が２組含まれ、合計で４極化されたジャーク曲線となっており、かつこのジャーク曲線にはジャーク零の区間が含まれていない。すなわち、この場合、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）からも明らかなように非走査方向に関しては加速度Ａ_ｘ（ｔ）、及び速度Ｖ_ｘ（ｔ）が常に変化しており、非走査方向に関してウエハステージＷＳＴは常に移動している。換言すれば、ウエハステージＷＳＴは途中で停止することなく、スキャン方向の助走動作と並行してステッピング動作を行う。
【０１４３】
従って、ほぼ最短時間でウエハステージＷＳＴのショット間移動動作（走査方向及び非走査方向を含む）が可能となり、スループットの向上が可能となる。
【０１４４】
ところで、前述の如く、プリスキャン時間にはレチクルＲをウエハＷに完全に追従させるための整定時間Ｔ_２が含まれるため、非スキャン方向に関する加減速制御はできるだけ整定時間Ｔ_２の開始時点より早く終了していることが望ましい。これを実現するため、本実施形態では、ウエハステージコントローラ７８及び同期制御系８０では、図６（Ｃ）からも明らかなように、露光終了に続くウエハステージＷＳＴのスキャン方向での等速オーバースキャン時間Ｔ_４の間に、ウエハステージＷＳＴの非スキャン方向での移動動作を開始することとしており、その等速オーバースキャン時間Ｔ_４分だけ早く非スキャン方向に発生する加減速制御を終了するような制御を行っている。すなわち、非走査方向のステッピングは、走査方向の同期制御の開始より先に終了しているので、同期制御系８０では、整定時間Ｔ_２の間は、スキャン方向の同期制御のみに専念できる。これに加え、同期制御の際に非走査方向の減速の影響が殆どないため、同期整定時間Ｔ_２の短縮及びこれに対応して等速オーバースキャン時間（後整定時間）Ｔ_４の短縮も可能であり、この点においてもスループットの向上が可能である。
【０１４５】
図３の説明に戻り、上で説明した第１モードの移動動作が行われている間、主制御装置５０では、前述の如く、ステップ１０８で両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの加速が終了するのを待っている。そして、上記の第１モードの移動動作が終了すると、ステップ１０８の判断が肯定され、以後ステップ１１０→１１２→１１４→１１６→１１８→１２０→１２２→１０８のループにおける処理（判断を含む）を、ステップ１１６における判断が肯定されるまで繰り返す。これにより、第ｎ行目の第２番目のショット（この場合第１行目の第２番目のショット（セカンドショット）から第ｎ行目（この場合第１行目）の最後のショットのそれぞれに対して、交互スキャンにて走査露光がそれぞれ行われ、それらのショットに対してレチクルＲのパターンが順次転写される。
【０１４６】
このようにして、第１行目の最後のショットに対する走査露光が終了すると、ステップ１１６における判断が肯定され、ステップ１２４に移行する。
【０１４７】
ステップ１２４では、カウンタｍを１に初期化するとともに、カウンタｎを１インクリメントする（ｍ←１、ｎ←ｎ＋１）。
【０１４８】
次のステップ１２６では、カウンタｎを参照して、そのカウント値ｎが最終行番号Ｎより大きいか否かを判断する。この場合、ｎ＝２であるから、このステップ１２６における判断は否定され、ステップ１２８に進んでｎ行目（この場合２行目）の第１番目のショットの露光に必要な各種設定情報を、同期制御系８０に伝送した後、ステップ１３０に進んで第２モードの両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの移動（以下、「第２モードの移動」と略述する）を、同期制御系８０に指示した後、ステップ１０８に戻り、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの目標走査速度への加速が終了するのを待つ。このステップ１０８の待ち状態の間、同期制御系８０によって、第２モードの移動動作が実行される。以下、この第２モードの移動動作について、説明する。
【０１４９】
＜第２モードの移動動作＞
この第２モードの移動動作は、図４中に一点鎖線で示される、異なる行間における点Ｐの移動軌跡に対応する、最終行以外の行（非走査方向に並ぶ複数のショットから成る行）内の最終ショット（便宜上「ショットＡ」と呼ぶ）の露光終了後、異なる行（次の行）の最初のショット（便宜上「ショットＢ」と呼ぶ）の露光開始前に行われる両ステージの移動動作である。
【０１５０】
この異なる行間の移動動作では、ウエハのスキャン露光前の加速条件とレチクルのスキャン前の加速条件とを合わせる必要があるため、ウエハステージは露光開始に先立って、非スキャン方向のみでなくスキャン方向に関しても一旦停止する必要がある。
【０１５１】
このため、上記のショットＡ、Ｂ間におけるウエハステージＷＳＴの走査方向に関する移動動作のシーケンスとしては、ショットＡの露光後の等速オーバースキャン（後整定）→ショットＡの露光のための走査開始位置に対応する位置（露光後の減速終了位置）まで移動→ショットＢの露光のための走査開始位置（加速開始位置）までの移動→その加速開始位置で停止→加速→露光前の同期整定の手順が通常は採用される。この場合、前述した従来の走査方向に関する区画領域間の助走動作と同様に、ジャーク曲線が４極化されることになる。
【０１５２】
但し、本実施形態の第２モードの移動動作では、上記のショットＡの露光後の後整定期間をなくしている。以下、この理由を説明する。
【０１５３】
図８（Ａ）〜図８（Ｄ）には、上記ショットＡとショットＢと同様の異なる行のショット間における、前ショットの露光後の減速が終了した時点以後のウエハステージＷＳＴの走査方向に関するジャーク曲線Ｊ_ｙ（ｔ）、加速度曲線Ａ_ｙ（ｔ）、速度曲線Ｖ_ｙ（ｔ）、変位曲線Ｐ_ｙ（ｔ）が、時間を横軸として、それぞれ示されている。
【０１５４】
図８（Ａ）から明らかなように、この第２モードの移動動作では、移動開始直後の２極化された符号が反転した一組のジャーク曲線を構成する、＋側に凸のジャーク曲線と−側に凸のジャーク曲線との間に、時間Ｔ_０のジャーク零の区間が設けられ、移動終了直前の２極化された符号が反転した一組のジャーク曲線を構成する、−側に凸のジャーク曲線と＋側に凸のジャーク曲線との間に、時間Ｔ_０のジャーク零の区間が設けられている。このため、各組のジャーク曲線に対応する加速度曲線は、図８（Ｂ）のような台形状の曲線と成っており、前述と同様に最大加速度（の絶対値）が、抑えられた形状となっている。これにより、異なる行のショット間における、ウエハステージＷＳＴの移動動作に際して加速時に必要な電力を抑制することができる。
【０１５５】
この場合、意識的に最大加速度の絶対値Ａ_ｍａｘを抑え、加速度が一定の時間Ｔ_０を２箇所確保しているので、走査方向の助走に要する時間が必要以上に長くならないように、前述の後整定期間をなくしたものである。
【０１５６】
このようにしても、スループットに対する悪影響は殆ど無い。実質、図４をみても判る様に、仮にショット数が７６ショットあったとしても、上記の行間の移動シーケンスを使用する箇所は９箇所に過ぎないからである。
【０１５７】
なお、レチクルステージＲＳＴは、前述したショットＡに対する露光後の減速終了位置までウエハステージＷＳＴが移動した時点で、走査開始位置への移動を終了することができるので、この場合には、ウエハステージＷＳＴのショットＢ露光前の加速が開始されるまで停止していれば良い。
【０１５８】
なお、図８（Ａ）〜図８（Ｄ）では、図示が省略されているが、上記の停止期間後に、前述の図６（Ａ）〜図６（Ｄ）と同様にしてウエハステージＷＳＴの加速が開始され、これと同期してレチクルステージＲＳＴの加速が開始されることになる。
【０１５９】
図３の説明に戻り、同期制御系８０によって、上述した第２モードの移動動作が行われている間、主制御装置５０では、前述の如く、ステップ１０８で両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの加速が終了するのを待っている。そして、上記の第２モードの移動動作が終了すると、ステップ１０８の判断が肯定され、以後、第２行目の第１番目のショットから最終行（第Ｎ行）の最後のショットＳ_Ｍに対する露光が終了するまで、上記ステップ１０８以下の処理が繰り返される。
【０１６０】
このようにして、ウエハＷ上のショットの走査露光とショット間のステッピング動作とが、完全交互スキャンにて繰り返し行われ、ウエハＷ上の最終ショットであるショットＳ_Ｍに対するレチクルＲのパターンの転写が終了すると、ステップ１２６における判断が肯定され、本ルーチンの一連の処理を終了する。
【０１６１】
本実施形態の場合、図４に示されるような経路で、順次交互にスキャン露光が行なわれる。この場合、総露光行が偶数行なので、図４の左下のショットＳ_１より露光が開始され、最初の１行が左→右の順で露光されると、次の行は右→左へと交互にステッピングが行なわれ、最終的に左上のショットＳ_Ｍの露光が終了した時点で、所定のウエハ交換位置までウエハステージＷＳＴが移動するという動作を繰り返すというシーケンスとなる。上記の交互スキャンの際に、同一行間の隣接ショット間では、前述した効率の良いウエハステージＷＳＴのショット間移動制御が行われる。
【０１６２】
ａ．　以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置１０によると、主制御装置５０により、ウエハＷ上の１つのショット領域に対する露光終了後から、次のショット領域の露光のために、ステージ制御系（８０，３３，７８）によって前記両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの走査方向に関する減速が開始されるまでの期間に、次のショット領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報がステージ制御系を構成する同期制御系８０に送られるようになっている（図３のステップ１２０、１２８参照）。このため、ウエハ上の１つのショット領域に対する露光終了後から、次のショット領域の露光のための両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの同期整定期間までの間に、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴを停止させないようなステージ制御系（８０，３３，７８）による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となる。すなわち、次のショット領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報をステージ制御系が上位装置から受け取るために、両ステージを加速前に一端停止させる必要がなくなるので、その停止時間がない分、スループットの向上が可能となる。この場合において、同期制御系８０独自で常時サンプリングが可能なレチクル干渉計３０、レーザ干渉計システム７６及び前述のフォーカス・レベリング検出系からの情報以外の必要な情報は全て、上記のタイミングで伝送される。勿論、同期制御系８０の処理速度の向上により、移動鏡曲がり等の情報に基づいて必要な補正値を演算する機能を同期制御系８０側に持たせることも可能であるが、同期制御のため必要とされる応答速度も高速化してきているので、キャリブレーションや初期設定情報、ユーザの設定情報等でステージの制御に使用するパラメータの設定情報は全て主制御装置５０（上位ユニット）にて予め演算処理し、ステージ制御情報や露光情報と同様に、同期制御に関連したパラメータの設定情報は行列式として最も高速処理できる状態にしてから同期制御系８０に受け渡すようにすることが、高速処理の実現のためには望ましい。
【０１６３】
なお、本実施形態の露光装置１０では、上述の如く、次のショット領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を、ウエハ上の１つのショット領域に対する露光終了後から、同期制御系８０に送るように構成している。しかしながら、ハード構成上可能であるならば（例えば同期制御系の処理速度が一段と高速であるなど）、上記設定情報の送信を、ウエハ上の１つのショット領域に対する露光終了後からではなくその露光動作が行われている最中にも行うようにしても良い（露光中に設定情報の送信を開始するようにしても良い）。更には、本発明はこれに限られるものではなく、上記の如くハード構成上可能であれば、任意のタイミング（例えば前記１つのショット領域に対する露光前の同期制御動作中（前整定中））で前記設定情報の送信を開始するようにしても良い。なお、上述のように、露光中、又は同期制御動作中に情報送信を開始する場合には、次のショット領域以降の複数のショット領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報をも送信するように構成しておくことが望ましい。
【０１６４】
ｂ．　また、本実施形態の露光装置１０によると、ステージ制御系（８０，３３，７８）は、ウエハＷ上の１つのショット領域に対する露光終了後に、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴを走査方向に関して減速する際に、次のショット領域の露光のための両ステージの同期制御を開始する。このため、例えば両ステージの減速終了後に直ちに同期制御を開始する場合に比べても、一層早い時点で露光開始前の両ステージの同期整定が完了し、同期整定時間の短縮によるスループットの向上が可能となる。
【０１６５】
ｃ．　また、本実施形態の露光装置１０によると、ステージ制御系（８０，３３，７８）は、次のショット領域の露光前の両ステージＲＳＴ，ＷＳＴの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの位置設定を終了することができる。このため、露光前の両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの同期整定の際の整定時間（同期整定時間）の短縮が可能となるので、一層スループットを向上させることが可能となる。
【０１６６】
ｄ．　また、本実施形態の露光装置１０によると、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）を見るとわかるように、ステージ制御系（８０，３３，７８）により、走査方向に直交する非走査方向の同一行内のショット領域間において両ステージＲＳＴ、ＷＳＴが走査方向に関して減速後に加速される助走動作の際に、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいてウエハステージＷＳＴ（及びレチクルステージＲＳＴ）が走査方向に関して制御される。すなわち、この場合のウエハステージＷＳＴの加速度曲線は図６（Ｂ）に示されるような台形状となるため、図６（Ｃ）のように速度の変化が一定となり、速度零の期間がなく、しかもいわゆる交互スキャンが可能となり、これにより前記助走動作に要する時間の短縮が可能となる。また、この場合、図６（Ａ）のようにジャーク曲線のピーク（加速度の時間変化率である躍動（ジャーク）の絶対値の最大値）を抑えることが可能となることから、ウエハステージＷＳＴの加速度の平均値に対する最大加速度の比を小さくすることができるとともに、加速度の急減な変化及びその頻度を抑制することができる。従って、スループットの向上とともに、ウエハステージＷＳＴの駆動系、例えばリニアモータなどの使用電力を抑えることも可能となる。
【０１６７】
ｅ．　また、本実施形態の露光装置１０によると、主制御装置５０からの指示に応じ、ステージ制御系（８０、３３，７０）が、走査方向に直交する非走査方向の同一行内のショット領域間では、１つのショット領域に対する露光終了後に両ステージを走査方向に関して等速移動する後整定期間（等速オーバースキャン期間）を露光終了後の減速開始前に確保し（図６（Ｃ）中のＴ_４参照）、異なる行間における移動の際には、１つのショット領域に対する露光終了の直後に両ステージの減速動作を開始するようになっている（図８（Ｂ）参照）。このため、異なる行間における移動の際に後整定期間がない分、スループットの向上が可能となる。
【０１６８】
ｆ．　さらに、本実施形態の露光装置１０によると、ステージ制御系（８０、３３，７０）は、図６（Ｃ）からもわかるように、ウエハＷ上の１つのショット領域に対する露光終了後に、次のショット領域の露光のため、両ステージＲＳＴ、ＷＳＴが走査方向に関して減速後に加速される助走動作とウエハステージＷＳＴが走査方向に直交する非走査方向に関して移動するショット領域間の移動動作とが同時並行的に行われ、かつウエハステージＷＳＴの非走査方向への移動動作が次のショット領域の露光前の両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの同期整定期間の前に終了するように、両ステージを制御する。このため、ウエハＷ上の１つのショット領域に対する露光終了後に、次のショット領域の露光のため、両ステージが走査方向に関して減速後に加速される助走動作とウエハステージＷＳＴが非走査方向に関して移動するショット領域間の移動動作とを少なくとも一部オーバーラップさせることができるので、ウエハステージの非走査方向に関するショット領域間の移動動作の終了後に、両ステージの走査方向に関する加速動作を開始する場合などに比べて、スループットの向上が可能となる。また、この場合、ステージ制御系は、同期整定期間では、両ステージの同期整定のみに専念できるので、整定時間の短縮も可能となる。
【０１６９】
また、本実施形態に係るステージ装置、すなわちウエハステージＷＳＴ及びその駆動系並びにその制御系（８０、７８）に着目して見ると、ステージ制御系（８０、７８）により、ウエハステージＷＳＴが、Ｙ軸方向（第１軸方向）に関して減速後に加速されるＹ軸方向移動動作とＹ軸方向に直交するＸ軸方向（第２軸方向）に関して移動する第２軸方向移動動作とが同時並行的に行われ、ウエハステージＷＳＴは、Ｕ字状又はＶ字状の軌跡に沿って移動する。この際、ウエハステージＷＳＴは、図６（Ａ）からもわかるように、Ｙ軸方向移動動作に際しては、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて制御される。この場合のウエハステージＷＳＴの加速度曲線は台形状となるため（図６（Ｂ）参照）、速度の変化が一定となり、速度零の期間がなく（図６（Ｃ）参照）、これによりＹ軸方向移動動作に要する時間の短縮が可能となる。また、この場合、ジャーク曲線のピークを抑えることが可能となることから、ウエハステージの加速度の平均値に対する最大加速度の比を小さくすることができるとともに、加速度の急減な変化及びその頻度を抑制することができる。従って、スループットの向上とともに、ウエハステージの駆動系、例えばリニアモータなどの使用電力を抑えることも可能となる。この場合、前記ステージ制御系は、Ｘ軸方向移動動作に際しては、少なくとも２極が異なる形状で、合計で４極化されているジャーク曲線に従った指令値に基づいてウエハステージを制御する（図６（Ａ）参照）。
【０１７０】
なお、上記実施形態では、主制御装置５０が、ウエハＷ上のショット領域を露光する毎に次のショット領域の露光のために必要な各種設定情報（制御パラメータの設定情報を含む）を、同期制御系８０に伝送する場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。上記実施形態の露光装置１０において、例えば図３のステップ１２８に代えて、図８（Ｂ）に示されるように加速度零の比較的長い区間を有する行間の移動（周辺ショットにおける折り返しのための行間での移動）時に次の行内に存在する全てのショットの露光に必要な前述の各種設定情報を、主制御装置５０が全て１コマンドで同期制御系８０に伝送する（受け渡す）処理を行う処理ステップを採用することとしても良い。かかる場合には、主制御装置５０により、ウエハＷ上における非走査方向の任意の行内の最終ショット領域の露光終了後、別の行の最初のショット領域の露光のため、ステージ制御系（８０、３３、７８）によって両ステージＲＳＴ、ＷＳＴの移動制御が行われる間に、次の行内の複数のショット領域の露光のために必要な各種設定情報（制御パラメータの設定情報を含む）がステージ制御系（より正確には同期制御系８０）に送られる。
【０１７１】
このため、ウエハＷ上の１つのショット領域に対する露光終了後から両ステージの減速開始までの時間が短く、その間に次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報の伝送が困難な場合であっても、露光終了後から次のショット領域の露光のための両ステージの同期整定期間までの間に、両ステージを停止させないようなステージ制御系による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となる。従って、両ステージを加速前に一旦停止させる必要がなくなるので、その停止時間がない分、スループットの向上が可能となる。また、この場合も、ステージ制御系は、上記の走査方向に関する減速時から両ステージの同期制御動作を開始することも可能である。
【０１７２】
上述した行間の移動（周辺ショットにおける折り返しのための行間での移動）時に次の行内に存在する全てのショットの露光に必要な前述の各種設定情報を、主制御装置５０が全て１コマンドで同期制御系８０に伝送する場合にも、同期制御系８０独自で常時サンプリングが可能なレチクル干渉計３０、レーザ干渉計システム７６及び前述のフォーカス・レベリング検出系からの情報以外の必要な情報は全て、上記のタイミングで伝送することとし、同期制御に関連したパラメータの設定情報は行列式として最も高速処理できる状態にしてから同期制御系８０に受け渡すようにすることが、高速処理の実現のためには望ましい。また、ステージ制御系は、次の行のショット領域毎における露光開始前の両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することが、前述と同様の理由から望ましい。
【０１７３】
この他、上記実施形態の露光装置１０において、同期制御系８０が有するメモリに余裕がある場合は、主制御装置５０は、ウエハＷ上の複数（例えば７６個）のショット領域の全てを露光するために必要な制御パラメータの設定情報を、ウエハ上の各ショット領域の所定点との位置合わせに用いられる配列情報の検出動作、例えば前述したウエハアライメントの終了後、ファーストショットの露光が開始されるまでの間に、同期制御系８０に送ることとしても良い。この場合には、前述した図３のステップ１２０、１２８の処理が不要となる。また、この場合、ファーストショットの露光が開始された後の露光処理期間中には、前述の制御パラメータの設定情報の伝送処理が不要となるので、ウエハＷ上のファーストショットに対する露光開始から最終のショットに対する露光の終了までの間、両ステージを停止させないようなステージ制御系による両ステージの制御シーケンスを採用することが可能となり、スループットの向上が可能となる。また、ステージ制御系は、ショット領域毎における露光開始前の両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することが、前述と同様の理由から望ましい。
【０１７４】
なお、同期制御系（同期制御ユニット）８０の処理速度が一段と高速であれば、前述の情報の受け渡しを、同期制御系８０による両ステージの同期制御動作と並行して行うことも可能である。従って、これまでに説明したいずれのタイミングで前述の情報の受け渡しを主制御装置５０と同期制御系８０との間で行うかの選択は、同期制御系のメモリの容量や、高速処理の能力（処理速度）や、同期制御系の設計の容易さなどを総合的に判断して決定すれば良い。
【０１７５】
なお、上記実施形態の露光装置１０では、上述した制御パラメータの設定情報の伝送処理上の工夫に加え、特に両ステージの制御に関し、前述したｂ．〜ｆ．のような種々の工夫を同時に行っているが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。すなわち、上記ａ．及びｂ．〜ｆ．のような種々の工夫のいずれかを単独で、あるいは任意に組み合わせて行うこととしても良い。
【０１７６】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの非走査方向への加速は、１つのショットの走査露光終了後の走査方向の等速移動時に開始されているが、これに限らず、ウエハＷの非走査方向への加速をウエハＷの減速中に開始するようにしても良い。この場合、ウエハＷは、次のショットの走査露光前に、走査方向と交差する方向に沿って加速されて、走査方向の移動速度がウエハＷの感度特性に応じた速度に設定されているので、露光中はその速度を維持しレチクルを同期制御すれば良いので、制御が容易である。
【０１７７】
なお、上記実施形態の露光装置１０で行われる、ウエハＷ上の複数のショット領域Ｓ_１、Ｓ_２、……にレチクルＲのパターンを順次転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光方法において、レチクルＲの往復移動によってレチクルＲのパターンが転写されるウエハＷ上の任意の２つのショット領域、例えばショットＳ_１、Ｓ_２の走査露光間でウエハＷを停止することなく移動することが望ましい。この場合には、ウエハＷ上の順次レチクルＲのパターンが転写される隣接領域例えばショットＳ_１、Ｓ_２の走査露光間でウエハＷが停止することがないので、その部分に関してはより一層スループットが向上するからである。この意味からすれば、ウエハＷは、レチクルＲのパターンを転写すべきウエハＷ上の最後のショット領域の走査露光が終了するまで、ウエハＷの走査方向及び非走査方向の少なくとも一方の速度成分が零とならないように移動されることがより望ましい。かかる場合には、結果的に複数ショット領域の全てにステップ・アンド・スキャン方式の走査露光が行われる間ウエハが停止することがないので、最もスループットが向上するからである。
【０１７８】
ところで、例えば図６（Ａ）及び図６（Ｂ）などからも想像されるように、ショット間移動時において、ウエハステージ及びレチクルステージの走査方向に関しては、スキャン速度、加速時間を固定していても、ジャーク内分比（加速時間（又は減速時間）に対する、ジャークが零でない時間の比率）を変更すると、最大瞬間加速度はそれに伴って変化する。
【０１７９】
かかる点に着目して、本発明者等は、ショット間移動時における走査方向に関するステージのジャーク、加速度、速度、及び変位曲線の定式化を行った。以下、これについて説明する。
【０１８０】
まず、最初に、上記実施形態の第１モードの移動動作と同様の減速と加速のプロファイルが対称形をなしている場合（以下、「第１のスキャン加速制御方法」と呼ぶ）について説明する。この場合のウエハステージの走査方向に関するジャーク曲線、加速度曲線、速度曲線、及び変位曲線が、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）に、それぞれ示されている。
【０１８１】
入力変数として、スキャン速度Ｖ〔ｍ／ｓ〕、加速時間Ｔ〔ｓ〕、ジャーク内分比Ｒを指定するものとする。
【０１８２】
但し、加速時間Ｔやジャーク内分比Ｒの代わりに、最大瞬間加速度Ａを指定することもできる。
【０１８３】
この場合、Ａ、Ｖ、Ｔ、Ｒの関係は次式（１）、（２）で与えられる。
【０１８４】
【数１】

【０１８５】
この場合の内部変数は、第１折れ点時刻Ｔ_１、第２折れ点時刻Ｔ_２、及びジャークの最大値（前半）Ｊ_１であり、それぞれ次式（３）、（４）、（５）で表される。
【０１８６】
【数２】

【０１８７】
この場合、式（４）より、ジャーク内分比Ｒは、Ｒ＝Ｔ_２／Ｔである。
【０１８８】
この場合の各区間のジャーク、加速度、速度、変位は、以下の通りである。
第１区間（０≦ｔ≦Ｔ_１）
【０１８９】
【数３】

【０１９０】
第２区間（Ｔ_１≦ｔ≦Ｔ_２）
【０１９１】
【数４】

【０１９２】
第３区間（Ｔ_２≦ｔ≦Ｔ）
【０１９３】
【数５】

【０１９４】
第４区間（Ｔ≦ｔ≦２Ｔ）
【０１９５】
【数６】

【０１９６】
この第１のスキャン加速制御方法によると、前述した如く、減速完了から加速開始の間にスキャン軸停止時間がなく、スループットの向上が可能であると共に、平均加速度に対して、最大瞬間加速度を２倍以下に抑えることができ、これによりアクチュエータやアンプの小型化、及びその設計の自由度の向上が可能となる。また、この場合、レチクルステージ側ではこれらに加えてレチクルの位置ずれをも効果的に抑制することができる。
【０１９７】
次に、減速と加速のプロファイルが非対称である場合（以下、「第２のスキャン加速制御方法」と呼ぶ）について説明する。この場合のウエハステージの走査方向に関するジャーク曲線、加速度曲線、速度曲線、及び変位曲線が、図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）に、それぞれ示されている。
【０１９８】
この場合、入力変数として、スキャン速度Ｖ〔ｍ／ｓ〕、減速時間Ｔ_Ｄ〔ｓ〕、加速時間Ｔ_Ａ〔ｓ〕、減速ジャーク内分比Ｒ_Ｄ、及び加速ジャーク内分比Ｒ_Ａを指定するものとする。
【０１９９】
但し、減速時間Ｔ_Ｄ、加速時間Ｔ_Ａ、ジャーク内分比Ｒ_Ｄ、Ｒ_Ａの代わりに、最大瞬間加速度Ａを指定することもできる。
【０２００】
この場合、Ａ、Ｖ、Ｔ_Ａ、Ｔ_Ｄ、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｄの関係は、次式（２２）、（２３）、（２４）で与えられる。
【０２０１】
【数７】

【０２０２】
この場合の内部変数は、減速ジャーク内分比Ｒ_Ｄ、減速ストロークＬ_Ｄ〔ｍ〕、加速ストロークＬ_Ａ〔ｍ〕、等速時間Ｔ_０〔ｓ〕、第１折れ点時刻Ｔ_１、第２折れ点時刻Ｔ_２、減速終了加速開始時刻Ｔ_３、第４折れ点時刻Ｔ_４、第５折れ点時刻Ｔ_５、加速終了時刻Ｔ’、減速開始からの経過時間ｔ_ｓ〔ｓ〕、加速終了までの残り時間ｔ_Ｒ〔ｓ〕、ジャーク最大値（減速時）Ｊ_１〔ｍ／ｓ^３〕、及びジャーク最大値（加速時）Ｊ_２〔ｍ／ｓ^３〕であり、それぞれ次式（２５）〜（３８）で表される。
【０２０３】
【数８】

【０２０４】
この場合、減速ジャーク内分比Ｒ_Ｄは、Ｒ_Ｄ＝（Ｔ_２−Ｔ_０）／（Ｔ_３−Ｔ_０）、加速ジャーク内分比Ｒ_Ａ＝（Ｔ’−Ｔ_４）／（Ｔ’−Ｔ_３）である。
【０２０５】
この場合の各区間のジャーク、加速度、速度、変位は、以下の通りである。
第１区間（０≦ｔ≦Ｔ_０）
【０２０６】
【数９】

【０２０７】
第２区間（Ｔ_０≦ｔ≦Ｔ_１）
【０２０８】
【数１０】

【０２０９】
第３区間（Ｔ_１≦ｔ≦Ｔ_２）
【０２１０】
【数１１】

【０２１１】
第４区間（Ｔ_２≦ｔ≦Ｔ_３）
【０２１２】
【数１２】

【０２１３】
第５区間（Ｔ_３≦ｔ≦Ｔ_４）
【０２１４】
【数１３】

【０２１５】
第６区間（Ｔ_４≦ｔ≦Ｔ_５）
【０２１６】
【数１４】

【０２１７】
第７区間（Ｔ_５≦ｔ≦Ｔ’（＝Ｔ_６））
【０２１８】
【数１５】

【０２１９】
以上のように定式化される第２のスキャン加速制御方法は、加速度曲線Ａｃｃ（ｔ）は、図１０（Ｂ）に示されるように山が１つの台形状であり、かつ図１０（Ａ）に示されるジャーク曲線が２極化された符号が反転したものとなっており、この点は、前述の第１のスキャン加速制御方法と同様である。但し、減速と加速のプロファイルは非対称である。すなわち、減速領域と加速領域のジャーク曲線の形状は相互に異なっている。この場合、減速領域では、スループットに配慮して、大きなジャークで減速を行い、露光直前の加速領域ではその後の同期整定期間の短縮を考慮してジャークを小さく抑えている。但し、加速領域と減速領域とでジャークが異なることで、減速領域でのストローク（変位に相当）と加速領域でのストロークとに差が生じないように、すなわち交互スキャン時の走査開始位置と走査終了位置とが一致するように、減速開始直前の等速オーバースキャン時間Ｔ_０を長めに設定して調整を図っている。このため、両ステージの加速終了位置を所定の目標位置に一致させ、かつその加速終了位置での制御遅れ及びそれに起因する両ステージの同期誤差を抑制することができるので、露光前の同期整定時間を短縮することが可能となる。
【０２２０】
従って、前述した第１の実施形態の露光装置１０において、第１モードの移動動作時のウエハステージＷＳＴのスキャン方向制御、レチクルステージＲＳＴのスキャン方向制御にこの第２のスキャン加速制御方法を適用することとしても良い。このようにすると、露光前のジャークの最大値が抑制されているので、レチクルステージとウエハステージとの同期精度が向上するとともに、同期整定時間の短縮によるスループットの向上も可能である。さらに、等速オーバースキャン時間を長めに設定できるので、前述した主制御装置５０からの同期制御系８０に対する各種設定情報の伝送時間を長く確保することができる。このため、上記第１の実施形態に比べてもより多くの情報を伝送することが可能となり、それらの情報に基づいて一層精度良く、レチクルとウエハとの同期制御を行うことが可能となる。
【０２２１】
なお、前述の第１のスキャン加速制御方法及び第２のスキャン加速制御方法のいずれを採用する場合にも、ステージ制御系は、非走査方向の異なる行の区画領域間における前記助走動作の際には、４極化されているジャーク曲線に従った指令値に基づいてウエハステージを制御することとすることができる。この場合において、前記４極化されているジャーク曲線は、少なくとも２極が異なる形状であることとすることができる。
【０２２２】
また、これまでに説明した種々の方法による両ステージの制御に関し、前記ステージ制御系は、前記両ステージの前記ショット領域間の前記助走動作と並行して、少なくとも２極が異なる形状で、合計で４極化されているジャーク曲線に従った指令値に基づいてウエハステージを非走査方向に関して移動させるショット領域間の移動動作を行うこととすることができる。
【０２２３】
ところで、本願の発明者（西）は、主として二重露光の際のスループットを向上させようとの観点から、ウエハステージ（基板ステージ）を２つ備え、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光動作中に、他方のウエハステージ上でウエハ交換、アライメント等の他の動作を並行して行なう露光装置を先に提案した（特開平１０−１６３０９７号公報、特開平１０−１６３０９８号公報等参照）。これらの公報に記載の露光装置は、二重露光でなく、通常の露光に用いれば、二重露光の場合より更にスループットが向上することは明らかである。また、これらの公報に記載の露光装置に、上記第１の実施形態で説明した走査露光方法を採用すると、通常露光及び二重露光のいずれの場合であっても、更に一層スループットの向上を図ることが可能である。
【０２２４】
ところで、主制御装置５０などの上位ユニットから同期制御系８０などに伝送される設定情報には、前述の如く、ステージ移動時の各機構部のエラー制御に関する情報をも含めることができる。かかるエラー制御に関する情報などの情報をより積極的、かつ有効に利用することを目的としてなされたのが、次の第２の実施形態である。
【０２２５】
《第２の実施形態》
次に、本発明の第２の実施形態を図１１〜図１５に基づいて説明する。
【０２２６】
図１１には、第２の実施形態に係る露光装置１１０の概略構成が示されている。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この露光装置１１０は、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投影露光装置である。
【０２２７】
この露光装置１１０は、物体としてのウエハＷ１、Ｗ２をそれぞれ保持して独立して２次元方向に移動する物体ステージとしての２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２を備えたステージ装置１０１、このステージ装置１０１の上方に配置された投影光学系ＰＬ、投影光学系ＰＬの上方でマスクとしてのレチクルＲ１（又はＲ２）を主として所定の走査方向、ここではＹ軸方向（図１１における紙面直交方向）に駆動するレチクル駆動機構、レチクルＲ１（又はＲ２）を上方から照明する照明光学系１８及びこれら各部を制御する制御系等を備えている。
【０２２８】
前記ステージ装置１０１は、不図示の架台部を構成する定盤２２と、この定盤２２上に配置されＸＹ面内で移動可能な前記２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２と、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の位置を計測する干渉計システムとを備えている。
【０２２９】
ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２は、それぞれの底面に設けられた不図示の気体静圧軸受けにより定盤２２の上面に対して例えば数μｍ程度クリアランスを介してそれぞれ浮上支持され、Ｘリニアモータ及びＹリニアモータ、あるいは平面モータなどのアクチュエータを含むウエハステージ駆動系によって、ＸＹ２次元平面内で独立してかつ自在に駆動されるようになっている。ウエハステージ駆動系は、図１１のステージ制御装置１６０によって制御されるようになっている。
【０２３０】
前記ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２上には、不図示のウエハホルダを介してウエハＷ１、Ｗ２が静電吸着又は真空吸着等により固定されている。ウエハホルダは、前述のレベリング機構５８と同様の不図示のレベリング駆動機構によって、ＸＹ平面に直交するＺ軸方向及びＸＹ面に対する傾斜方向に微小駆動されるようになっている。また、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の上面には、種々の基準マークが形成された基準マーク板ＦＭ１、ＦＭ２がウエハＷ１、Ｗ２とそれぞれほぼ同じ高さになるように設置されている。これらの基準マーク板ＦＭ１、ＦＭ２は、例えば各ウエハステージの基準位置を検出する際に用いられる。
【０２３１】
また、図１２に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１のＸ軸方向一側の面（図１１における左側面）１２０とＹ軸方向一側の面（図１１における紙面奥側の面）１２１とは、鏡面仕上げがなされた反射面となっており、同様に、ウエハステージＷＳＴ２のＸ軸方向他側の面（図１１における右側面）１２２とＹ軸方向一側の面１２３とは、鏡面仕上げがなされた反射面となっている。これらの反射面に、後述する干渉計システムを構成する各測長軸（ＢＩ１Ｘ、ＢＩ２Ｘ等）の干渉計ビームが投射され、その反射光を各干渉計で受光することにより、各反射面の基準位置（一般には投影光学系側面やアライメント検出系の側面に固定ミラーを配置し、そこを基準面とする）からの変位を計測し、これにより、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の２次元位置がそれぞれ計測されるようになっている。なお、干渉計システムの測長軸の構成については、後に詳述する。
【０２３２】
投影光学系ＰＬのＸ軸方向の両側には、図１１に示されるように、同じ機能を持ったオフアクシス（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）方式のアライメント検出系１２４ａ、１２４ｂが、投影光学系ＰＬの光軸中心（レチクルパターン像の投影中心と一致）よりそれぞれ同一距離だけ離れた位置に設置されている。これらのアライメント検出系１２４ａ、１２４ｂは、ＬＳＡ（Ｌａｓｅｒ　Ｓｔｅｐ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）系、ＦＩＡ（　Ｆｉｌｅｄ　Ｉｍａｇｅ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）系、ＬＩＡ（Ｌａｓｅｒ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　）系の３種類のアライメントセンサを有しており、基準マーク板上の基準マーク及びウエハ上のアライメントマークのＸ、Ｙ２次元方向の位置計測を行うことが可能である。
【０２３３】
ここで、ＬＳＡ系は、レーザ光をマークに照射して、回折・散乱された光を利用してマーク位置を計測する最も汎用性のあるセンサであり、従来から幅広いプロセスウエハに使用される。ＦＩＡ系は、ハロゲンランプ等のブロードバンド（広帯域）光でマークを照明し、このマーク画像を画像処理することによってマーク位置を計測するセンサであり、アルミ層やウエハ表面の非対称マークに有効に使用される。また、ＬＩＡ系は、回折格子状のマークに周波数をわずかに変えたレーザ光を２方向から照射し、発生した２つの回折光を干渉させて、その位相からマークの位置情報を検出するセンサであり、低段差や表面荒れウエハに有効に使用される。
【０２３４】
本第２の実施形態では、これら３種類のアライメントセンサを、適宜目的に応じて使い分け、ウエハ上の３点の一次元マークの位置を検出してウエハの概略位置計測を行ういわゆるサーチアライメントや、ウエハ上の各ショット領域の正確な位置計測を行うファインアライメント等を行うようになっている。
【０２３５】
この場合、アライメント検出系１２４ａは、ウエハステージＷＳＴ１上に保持されたウエハＷ１上のアライメントマーク及び基準マーク板ＦＭ１上に形成された基準マークの位置計測等に用いられる。また、アライメント検出系１２４ｂは、ウエハステージＷＳＴ２上に保持されたウエハＷ２上のアライメントマーク及び基準マーク板ＦＭ２上に形成された基準マークの位置計測等に用いられる。
【０２３６】
これらのアライメント検出系１２４ａ、１２４ｂを構成する各アライメントセンサからの情報は、アライメント制御装置１８０によりＡ／Ｄ変換され、デジタル化された波形信号を演算処理してマーク位置が検出される。この結果が主制御装置１９０に送られ、主制御装置１９０からその結果に応じてステージ制御装置１６０に対し露光時の同期位置補正等が指示されるようになっている。
【０２３７】
また、図示は省略されているが、投影光学系ＰＬ、アライメント検出系１２４ａ、１２４ｂのそれぞれには、上記特開平１０−１６３０９８号公報に開示されるような、合焦位置を調べるためのオートフォーカス／オートレベリング（ＡＦ／ＡＬ）計測機構が設けられている。
【０２３８】
次に、レチクル駆動機構について、図１１及び図１２に基づいて説明する。
【０２３９】
このレチクル駆動機構は、レチクルベース定盤２８上をレチクルＲ１、Ｒ２を保持してＸＹの２次元方向に移動可能なレチクルステージＲＳＴと、このレチクルステージＲＳＴを駆動する不図示のリニアモータ等から成る駆動系２９と、レチクルステージＲＳＴに固定された移動鏡３１を介してレチクルステージＲＳＴの位置を計測するレチクルレーザ干渉計３０とを備えている。
【０２４０】
これを更に詳述すると、レチクルステージＲＳＴには、図１２に示されるように、２枚のレチクルＲ１、Ｒ２がスキャン方向（Ｙ軸方向）に直列に設置できるようになっており、このレチクルステージＲＳＴは、不図示の気体静圧軸受け等を介してレチクルベース定盤２８上に浮上支持され、駆動系２９によりＸ軸方向の微小駆動、θｚ方向の微小回転及びＹ軸方向の走査駆動がなされるようになっている。なお、駆動系２９は、リニアモータを駆動源とする機構であるが、図１１では図示の便宜上及び説明の便宜上から単なるブロックとして示されている。この場合、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲ１、Ｒ２が例えば二重露光の際に選択的に使用され、いずれのレチクルについてもウエハ側と同期スキャンできるような構成となっている。
【０２４１】
レチクルステージＲＳＴ上には、Ｘ軸方向の他側（＋Ｘ側）の端部に、レチクルステージＲＳＴと同じ素材（例えばセラミックス等）から成る平行平板移動鏡３１ｘがＹ軸方向に延設されており、この移動鏡３１ｘのＸ軸方向の他側の面には鏡面加工により反射面が形成されている。この移動鏡３１ｘの反射面に向けて測長軸ＢＩ６Ｘで示される干渉計（図示省略）からの干渉計ビームが照射され、その干渉計ではその反射光を受光して基準面に対する相対変位を計測することにより、レチクルステージＲＳＴの位置を計測している。ここで、この測長軸ＢＩ６Ｘを有する干渉計は、実際には独立に計測可能な２本の干渉計光軸を有しており、レチクルステージのＸ軸方向の位置計測と、ヨーイング量の計測が可能となっている。この測長軸ＢＩ６Ｘを有する干渉計の計測値は、後述するウエハステージ側の測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ２Ｘを有する干渉計１１６、１１８からのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のヨーイング情報やＸ位置情報に基づいてレチクルとウエハの相対回転（回転誤差）をキャンセルする方向にレチクルステージＲＳＴを回転制御したり、Ｘ方軸向同期制御を行ったりするために用いられる。
【０２４２】
一方、レチクルステージＲＳＴの走査方向（スキャン方向）であるＹ軸方向の他側（図１１における紙面手前側）には、一対のコーナーキューブミラー３１ｙ_１、３１ｙ_２が設置されている。そして、不図示の一対のダブルパス干渉計から、これらのコーナーキューブミラー３１ｙ_１、３１ｙ_２に対して図１２に測長軸ＢＩ７Ｙ、ＢＩ８Ｙで示される干渉計ビームが照射され、レチクルベース定盤２８上の反射面（不図示）にコーナーキューブミラー３１ｙ_１、３１ｙ_２より戻され、そこで反射したそれぞれの反射光が同一光路を戻り、それぞれのダブルパス干渉計で受光され、それぞれのコーナーキューブミラー３１ｙ_１、３１ｙ_２の基準位置（レファレンス位置で前記レチクルベース定盤２８上の反射面）からの相対変位が計測される。そして、これらのダブルパス干渉計の計測値が図１１のステージ制御装置１６０に供給され、その平均値に基づいてレチクルステージＲＳＴのＹ軸方向の位置が計測される。このＹ軸方向位置の情報は、ウエハ側の測長軸ＢＩ３Ｙを有する干渉計の計測値に基づくレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２との相対位置の算出、及びこれに基づく走査露光時の走査方向（Ｙ軸方向）のレチクルとウエハの同期制御に用いられる。
【０２４３】
このように、本第２の実施形態では、測長軸ＢＩ６Ｘで示される干渉計及び測長軸ＢＩ７Ｙ、ＢＩ８Ｙで示される一対のダブルパス干渉計の合計３つの干渉計によって図１１に示されるレチクルレーザ干渉計３０が構成されている。
【０２４４】
次に、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の位置を管理する干渉計システムについて、図１１〜図１３を参照しつつ説明する。
【０２４５】
これらの図に示されるように、投影光学系ＰＬの投影中心とアライメント検出系１２４ａ、１２４ｂのそれぞれの検出中心とを通るＸ軸に沿ってウエハステージＷＳＴ１のＸ軸方向一側の面には、図１１の干渉計１１６からの測長軸ＢＩ１Ｘで示される干渉計ビームが照射され、同様に、Ｘ軸に沿ってウエハステージＷＳＴ２のＸ軸方向の他側の面には、図１１の干渉計１１８からの測長軸ＢＩ２Ｘで示される干渉計ビームが照射されている。そして、干渉計１１６、１１８ではこれらの反射光を受光することにより、各反射面の基準位置からの相対変位を計測し、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のＸ軸方向位置を計測するようになっている。
【０２４６】
ここで、干渉計１１６、１１８は、図１２に示されるように、各３本の光軸を有する３軸干渉計であり、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のＸ軸方向の計測以外に、チルト（ローリング（θｙ回転）計測及びヨーイング（θｚ回転）の計測が可能となっている。この場合、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のＺ軸方向の微小駆動及び傾斜駆動を行う不図示のレベリング駆動機構は、実際には、反射面（１２０〜１２３）の下にあるので、ウエハステージのチルト制御時の駆動量は全て、これらの干渉計１１６、１１８によりモニタすることができる。
【０２４７】
なお、測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ２Ｘの各干渉計ビームは、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の移動範囲の全域で常にウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２に当たるようになっており、従って、Ｘ軸方向については、投影光学系ＰＬを用いた露光時、アライメント検出系１２４ａ、１２４ｂの使用時等いずれのときにもウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の位置は、測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ２Ｘの計測値に基づいて管理される。
【０２４８】
また、図１２及び図１３に示されるように、投影光学系ＰＬの投影中心（光軸ＡＸ）でＸ軸と垂直に交差する測長軸ＢＩ３Ｙを有する干渉計１３２と、アライメント検出系１２４ａ、１２４ｂのそれぞれの検出中心（ＳＸ）でＸ軸とそれぞれ垂直に交差する測長軸ＢＩ４Ｙ、ＢＩ５Ｙをそれぞれ有する干渉計１３１、１３３とが設けられている。
【０２４９】
本実施形態の場合、投影光学系ＰＬを用いた露光時のウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のＹ軸方向位置計測には、投影光学系ＰＬの投影中心、すなわち光軸ＡＸを通過する測長軸ＢＩ３Ｙの干渉計１３２の計測値が用いられ、アライメント検出系１２４ａの使用時のウエハステージＷＳＴ１のＹ軸方向位置計測には、アライメント検出系１２４ａの検出中心、すなわち光軸ＳＸを通過する測長軸ＢＩ４Ｙの干渉計１３１の計測値が用いられ、アライメント検出系１２４ｂ使用時のウエハステージＷＳＴ２のＹ方向位置計測には、アライメント検出系１２４ｂの検出中心、すなわち光軸ＳＸを通過する測長軸ＢＩ５Ｙの干渉計１３３の計測値が用いられる。
【０２５０】
従って、各使用条件により、Ｙ軸方向の干渉計測長軸がウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の反射面より外れる事となるが、少なくとも一つの測長軸、すなわち測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ２ＸはそれぞれのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の反射面から外れることがないので、使用する干渉計光軸が反射面上に入った適宜な位置でＹ側の干渉計のリセットを行うことができる。
【０２５１】
なお、上記Ｙ計測用の測長軸ＢＩ３Ｙ、ＢＩ４Ｙ、ＢＩ５Ｙの各干渉計１３２、１３１、１３３は、各２本の光軸を有する２軸干渉計であり、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のＹ軸方向の計測以外に、チルト（ピッチング（θｘ回転））計測が可能となっている。本実施形態では、干渉計１１６、１１８、１３１、１３２、１３３の合計５つの干渉計によって、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の２次元座標位置を管理する干渉計システムが構成されている。
【０２５２】
さらに、図１１に示される主制御装置１９０には、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の移動を管理するための条件式（例えば、干渉化条件）等が記憶されたメモリ１９１が設けられている。
【０２５３】
また、本第２の実施形態では、後述するように、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の内の一方が露光シーケンスを実行している間、他方はウエハ交換、ウエハアライメントシーケンスを実行するが、この際に両ステージ同士が干渉しないように、各干渉計の出力値に基づいて主制御装置１９０の指令に応じてステージ制御装置１６０により、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の移動が管理されている。
【０２５４】
前記制御系は、装置全体を統括的に制御する主制御装置１９０を中心に、この主制御装置１９０の配下にある露光量制御装置１７０及びステージ制御装置１６０等から構成されている。
【０２５５】
ここで、制御系の上記構成各部の動作を中心に本実施形態の露光装置１１０の露光時の動作について説明する。
【０２５６】
まず、ステージ制御装置１６０により、主制御装置１９０の指示に応じてレチクルＲ１（又はＲ２）とウエハＷ１（又はＷ２）、すなわちレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴ１（又はＷＳＴ２）の同期走査（スキャン制御）が開始される。この同期走査は、前述した干渉計システムの測長軸ＢＩ３Ｙと測長軸ＢＩ１Ｘ又はＢＩ２Ｘ及びレチクルレーザ干渉計３０の測長軸ＢＩ７Ｙ、ＢＩ８Ｙと測長軸ＢＩ６Ｘの計測値をモニタしつつ、ステージ制御装置１６０によってレチクル駆動部２９及びウエハステージの駆動系を制御することにより行われる。
【０２５７】
そして、両ステージが所定の許容誤差以内に等速度制御された時点で、露光量制御装置１７０では、光源１１のパルス発光を開始させる。これにより、照明光学系１８からの照明光により、その下面にパターンがクロム蒸着されたレチクルＲ１（又はＲ２）の矩形の照明領域ＩＡ（図１２参照）が照明され、その照明領域ＩＡ内のパターンの像が投影光学系ＰＬにより１／４（又は１／５）倍に縮小されて、その表面にフォトレジストが塗布されたウエハＷ１（又はＷ２）上に投影され、その縮小像（部分等立像）がウエハ上に形成される。ここで、図１２からも明らかなように、レチクルＲ１（又はＲ２）上のパターン領域に比べ照明領域ＩＡの走査方向のスリット幅は狭く、上記のようにレチクルＲ１（又はＲ２）とウエハＷ１（又はＷ２）とを同期走査することで、パターンの全面の像がウエハ上のショット領域に順次形成される。
【０２５８】
ここで、前述したパルス発光の開始と同時に、露光量制御装置１７０は、振動ミラー１８Ｄを駆動させ、レチクルＲ１（又はＲ２）上のパターン領域が完全に照明領域ＩＡ（図１２参照）を通過するまで、すなわちパターンの全面の像がウエハ上のショット領域に形成されるまで、連続してこの制御を行うことで２つのフライアイレンズ系で発生する干渉縞のムラ低減を行う。
【０２５９】
また、上記の走査露光中にショットエッジ部でのレチクルＲ１（又はＲ２）上の遮光領域よりも外に照明光が漏れないように、レチクルＲ１（又はＲ２）とウエハＷ１（又はＷ２）のスキャンと同期して可動ブラインド１８Ｍが駆動系４３によって駆動制御されており、これらの一連の同期動作がステージ制御装置１６０により管理されている。
【０２６０】
上述した走査露光（スキャン露光）中、特開平１０−１６３０９８号公報に開示される如く、レジスト感度に対応した積算露光量となるように、主制御装置１９０又は露光量制御装置１７０では、照射エネルギや発振周波数の可変量について全て演算を行い、光源１１内に設けられた減光システムを制御することによって照射エネルギや発振周波数を可変させたり、光源１１内のシャッタや振動ミラーを制御したりするように構成されている。
【０２６１】
更に、本実施形態の露光装置１１０では、ウエハステージＷＳＴ１との間でウエハの交換を行う第１の搬送システムと、ウエハステージＷＳＴ２との間でウエハ交換を行う第２の搬送システムとが設けられている。
【０２６２】
第１の搬送システムは、図１４に示されるように、左側のウエハローディング位置にあるウエハステージＷＳＴ１との間で後述するようにしてウエハ交換を行う。この第１の搬送システムは、Ｙ軸方向に延びる第１のローディングガイド１８２、このローディングガイド１８２に沿って移動する第１のスライダ１８６及び第２のスライダ１８７、第１のスライダ１８６に取り付けられた第１のアンロードアーム１８４、第２のスライダ１８７に取り付けられた第１のロードアーム１８８等を含んで構成される第１のウエハローダと、ウエハステージＷＳＴ１上に設けられた３本の上下動部材から成る第１のセンターアップ１８１とから構成される。
【０２６３】
ここで、この第１の搬送システムによるウエハ交換の動作について、簡単に説明する。
【０２６４】
ここでは、図１４に示されるように、左側のウエハローディング位置にあるウエハステージＷＳＴ１上にあるウエハＷ１’と第１のウエハローダにより搬送されてきたウエハＷ１とが交換される場合について説明する。
【０２６５】
まず、主制御装置１９０では、ウエハステージＷＳＴ１上の不図示のウエハホルダのバキュームを不図示のスイッチを介してオフし、ウエハＷ１’の吸着を解除する。
【０２６６】
次に、主制御装置１９０では、不図示のセンターアップ駆動系を介してセンターアップ１８１を所定量上昇駆動する。これにより、ウエハＷ１’が所定位置まで持ち上げられる。この状態で、主制御装置１９０では、不図示のウエハローダ制御装置に第１のアンロードアーム１８４の移動を指示する。これにより、ウエハローダ制御装置により第１のスライダ１８６が駆動制御され、第１のアンロードアーム１８４がローディングガイド１８２に沿ってウエハステージＷＳＴ１上まで移動してウエハＷ１’の真下に位置する。
【０２６７】
この状態で、主制御装置１９０では、センターアップ１８１を所定位置まで下降駆動させる。このセンターアップ１８１の下降の途中で、ウエハＷ１’が第１のアンロードアーム１８４に受け渡されるので、主制御装置１９０ではウエハローダ制御装置に第１のアンロードアーム１８４のバキューム開始を指示する。これにより、第１のアンロードアーム１８４にウエハＷ１’が吸着保持される。
【０２６８】
次に、主制御装置１９０では、ウエハローダ制御装置に第１のアンロードアーム１８４の退避と第１のロードアーム１８８の移動開始を指示する。これにより、第１のスライダ１８６と一体的に第１のアンロードアーム１８４が図１４の−Ｙ方向に移動を開始すると同時に第２のスライダ１８７がウエハＷ１を保持した第１のロードアーム１８８と一体的に＋Ｙ方向に移動を開始する。そして、第１のロードアーム１８８がウエハステージＷＳＴ１の上方に来たとき、ウエハローダ制御装置により第２のスライダ１８７が停止されるとともに第１のロードアーム１８８のバキュームが解除される。
【０２６９】
この状態で、主制御装置１９０ではセンターアップ１８１を上昇駆動し、センターアップ１８１によりウエハＷ１を下方から持ち上げさせる。次いで、主制御装置１９０ではウエハローダ制御装置にロードアームの退避を指示する。これにより、第２のスライダ１８７が第１のロードアーム１８８と一体的に−Ｙ方向に移動を開始して第１のロードアーム１８８の退避が行われる。この第１のロードアーム１８８の退避開始と同時に主制御装置１９０では、センターアップ１８１の下降駆動を開始してウエハＷ１をウエハステージＷＳＴ１上の不図示のウエハホルダに載置させ、当該ウエハホルダのバキュームをオンにする。これにより、ウエハ交換の一連のシーケンスが終了する。
【０２７０】
第２の搬送システムは、同様に、図１５に示されるように、右側のウエハローディング位置にあるウエハステージＷＳＴ２との間で上述と同様にしてウエハ交換を行う。この第２の搬送システムは、Ｙ軸方向に延びる第２のローディングガイド１９２、この第２のローディングガイド１９２に沿って移動する第３のスライダ１９６及び第４のスライダ２００、第３のスライダ１９６に取り付けられた第２のアンロードアーム１９４、第４のスライダ２００に取り付けられた第２のロードアーム１９８等を含んで構成される第２のウエハローダと、ウエハステージＷＳＴ２上に設けられた不図示の第２のセンターアップとから構成される。
【０２７１】
次に、図１４及び図１５に基づいて、２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２による並行処理について説明する。
【０２７２】
図１４には、ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２を投影光学系ＰＬを介して露光動作を行っている間に、左側ローディング位置にて上述の様にしてウエハステージＷＳＴ１と第１の搬送システムとの間でウエハの交換が行われている状態の平面図が示されている。この場合、ウエハステージＷＳＴ１上では、ウエハ交換に引き続いて後述するようにしてアライメント動作が行われる。なお、図１４において、露光動作中のウエハステージＷＳＴ２の位置制御は、干渉計システムの測長軸ＢＩ２Ｘ、ＢＩ３Ｙの計測値に基づいて行われ、ウエハ交換とアライメント動作が行われるウエハステージＷＳＴ１の位置制御は、干渉計システムの測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ４Ｙの計測値に基づいて行われる。
【０２７３】
この図１４に示される左側のローディング位置ではアライメント検出系１２４ａの真下にウエハステージＷＳＴ１の基準マーク板ＦＭ１上の基準マークが来るような配置となっている。このため、主制御装置１９０では、アライメント検出系１２４ａにより基準マーク板ＦＭ１上の基準マークを計測する以前に、干渉計システムの測長軸ＢＩ４Ｙの干渉計１３１のリセットを実施している。
【０２７４】
上述したウエハ交換、干渉計１３１のリセットに引き続いて、サーチアライメントが行われる。そのウエハ交換後に行われるサーチアライメントとは、ウエハＷ１の搬送中になされるプリアライメントだけでは位置誤差が大きいため、ウエハステージＷＳＴ１上で再度行われるプリアライメントのことである。具体的には、ステージＷＳＴ１上に載置されたウエハＷ１上に形成された３つのサーチアライメントマーク（図示せず）の位置をアライメント検出系１２４ａのＬＳＡ系のセンサ等を用いて計測し、その計測結果に基づいてウエハＷ１のＸ、Ｙ、θ方向の位置合わせを行う。このサーチアライメントの際の各部の動作は、主制御装置１９０により制御される。
【０２７５】
このサーチアライメントの終了後、ウエハＷ１上の各ショット領域の配列座標を求めるＥＧＡ方式のウエハアライメント（ファインアライメント）が行われる。具体的には、干渉計システム（測長軸ＢＩ１Ｘ、ＢＩ４Ｙ）により、ウエハステージＷＳＴ１の位置を管理しつつ、設計上のショット配列データ（アライメントマーク位置データ）をもとに、ウエハステージＷＳＴ１を順次移動させつつ、ウエハＷ１上の所定のサンプルショットのアライメントマーク位置をアライメント検出系１２４ａのＦＩＡ系のセンサ等で計測し、この計測結果とショット配列の設計座標データに基づいて最小自乗法による統計演算により、全てのショット配列データを演算する。なお、このＥＧＡの際の各部の動作は主制御装置１９０により制御され、上記の演算は主制御装置１９０により行われる。なお、この演算結果は、基準マーク板ＦＭ１の基準マーク位置を基準とする座標系に変換しておくことが望ましい。
【０２７６】
本実施形態の場合、アライメント検出系１２４ａによる計測時に、露光時と同じＡＦ／ＡＬ機構の計測、制御によるオートフォーカス／オートレベリングを実行しつつアライメントマークの位置計測が行われ、アライメント時と露光時との間にステージの姿勢によるオフセット（誤差）を生じさせないようにすることができる。
【０２７７】
ウエハステージＷＳＴ１側で、上記のウエハ交換、アライメント動作が行われている間に、ウエハステージＷＳＴ２側では、２枚のレチクルＲ１、Ｒ２を使い、露光条件を変えながら連続してステップ・アンド・スキャン方式により二重露光が行われる。
【０２７８】
具体的には、前述したウエハＷ１側と同様にして、事前にＥＧＡ方式のファインアライメントが行われており、この結果得られたウエハＷ２上のショット配列データ（基準マーク板ＦＭ２上の基準マークを基準とする）に基づいて、順次ウエハＷ２の隣接ショットへのショット間移動（ステッピング）動作が行われ、ウエハＷ２上の各ショット領域に対して順次前述したスキャン露光が行われる。上記のショット間移動動作の際に、前述した第１の実施形態中で説明したのと同様のウエハステージＷＳＴ２の移動制御が行われる。また、本第２の実施形態においても、ウエハ上のショット領域の露光に際してのレチクルステージとウエハステージとの同期制御のために必要な各種設定情報（制御パラメータの設定情報を含む）は、前述した第１の実施形態で説明したのと同様に、各ショット領域に対する露光終了直後の等速オーバースキャン時間中にショット領域毎に、あるいは異なる行のショット間の移動動作中に次の行の一行分毎に、主制御装置１９０からステージ制御装置１６０に伝送されるようになっている。この場合も、ステージ制御装置１６０で常時サンプリングが可能なレチクル干渉計３０、レーザ干渉計システム及び前述のＡＦ／ＡＬ計測機構からの情報以外の必要な情報は全て、上記のタイミングで主制御装置１９０が伝送することとし、同期制御に関連したパラメータの設定情報は行列式として最も高速処理できる状態にしてからステージ制御装置１６０に受け渡すようにすることが、高速処理の実現のためには望ましい。また、ステージ制御装置１６０は、ショット毎における露光開始前の両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することが、同期整定時間の短縮及びスループットの向上のためには望ましい。
【０２７９】
上述のようなウエハＷ２上の全ショット領域に対する露光がレチクル交換後にも連続して行われる。具体的な二重露光の露光順序としては、例えばウエハＷ１の各ショット領域をレチクルＲ２を使って順次スキャン露光を行った後、レチクルステージＲＳＴを走査方向に所定量移動してレチクルＲ１を露光位置に設定した後、上記と逆の順序でスキャン露光を行う。この時、レチクルＲ２とレチクルＲ１では露光条件（ＡＦ／ＡＬ、露光量）や透過率が異なるので、レチクルアライメント時にそれぞれの条件を計測し、その結果に応じて条件の変更を行う必要がある。
【０２８０】
このウエハＷ２の二重露光中の各部の動作も主制御装置１９０によって制御される。
【０２８１】
上述した図１４に示す２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２上で並行して行われる露光シーケンスとウエハ交換・アライメントシーケンスとは、先に終了したウエハステージの方が待ち状態となり、両方の動作が終了した時点で図１５に示す位置までウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２が移動制御される。そして、露光シーケンスが終了したウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２は、右側ローディングポジションでウエハ交換がなされ、アライメントシーケンスが終了したウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１は、投影光学系ＰＬの下で露光シーケンスが行われる。
【０２８２】
図１５に示される右側ローディングポジションでは、左側ローディングポジションと同様にアライメント検出系１２４ｂの下に基準マーク板ＦＭ２上の基準マークが来るように配置されており、前述のウエハ交換動作とアライメントシーケンスとが実行される事となる。勿論、干渉計システムの測長軸ＢＩ５Ｙの干渉計のリセット動作は、アライメント検出系１２４ｂによる基準マーク板ＦＭ２上のマーク検出に先立って実行されている。
【０２８３】
なお、上記の一連の並行処理動作の過程で行われる主制御装置１９０による干渉計のリセット動作は、上記特開平１０−１６３０９８号公報に開示される動作と全く同様であり、公知であるから詳細な説明は省略する。
【０２８４】
以上説明したように、本第２の実施形態の露光装置１１０によると、各ウエハに対する露光を行うためのレチクルステージＲＳＴの走査方向の移動動作と並行して行われる、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のショット間移動動作の際に、前述した第１の実施形態中で説明したのと同様のウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の移動制御が行われるので、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のショット間移動時間の短縮により、高スループットによる二重露光を実現することができる。この理由は、例えば特開平１０−１６３０９８号公報にも開示されるように、ダブルウエハステージを備えた露光装置では、例えば、各処理時間をＴ１（ウエハ交換時間）、Ｔ２（サーチアライメント時間）、Ｔ３（ファインアライメント時間）、Ｔ４（１回の露光時間）とした場合に、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３とＴ４とを並列処理しながら二重露光を行う場合には、８インチウエハの場合、露光時間の方が大きいため該露光時間が制約条件となって全体のスループットが決まるが、本第２の実施形態では、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のショット間移動時間の短縮により、露光時間Ｔ４の短縮が可能だからである。
【０２８５】
また、本第２の実施形態では、複数枚のレチクルＲ１、Ｒ２を使って二重露光を行う場合、高解像度とＤＯＦ（焦点深度）の向上効果が得られる。また、本第２の実施形態では一方のウエハステージ上の露光動作と、他方のウエハステージ上のアライメント、ウエハ交換動作等の同時並行処理によりスループットを大幅に改善できるため、スループットを低下させることなく高解像度とＤＯＦの向上効果とを得ることができる。
【０２８６】
勿論、本第２の実施形態の露光装置１１０では、二重露光でない通常の露光を行う場合には、前述した第１の実施形態と同等の効果が得られる他、２つのウエハステージ上の同時並行処理により、スループットを更に向上させることができる。
【０２８７】
本第２の実施形態のように、２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２を使って異なる動作を同時並行処理する場合、一方のステージで行われる動作が他方のステージの動作に影響（外乱）を与える可能性がある。このような場合、上記特開平１０−１６３０９８号公報の図１１〜図１３及びその説明部分に開示されるような２つのステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２上で行われる動作のタイミング調整を行うことが望ましい。例えば、２つのウエハステージの加減速のタイミングの調整を図り、例えば一方のウエハステージ上のウエハに対する走査露光中に、他方のウエハステージ上ではウエハのアライメント計測動作を行う等で、お互いに影響を与えられない（あるいは影響が少ない）動作同士を並行して行うなどである。
【０２８８】
説明が前後したが、本第２の実施形態の露光装置１１０では、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２同士の衝突を回避するために、次のような工夫がなされている。
【０２８９】
すなわち、主制御装置１９０からステージ制御装置１６０に対して特に１行分毎又はウエハ１枚分毎の制御情報を伝送する場合には、その伝送される情報の中には、ステージ移動時の各機構部のエラーに関する情報（エラー検知のため、あるいはその対処のための情報）や、例えば両ウエハステージの予想位置座標なども含めることとしている。このため、前述の並行処理動作中に、アライメントが行われている一方のウエハステージに露光が行われている他方のウエハステージの移動範囲内で停止するような何らかのエラーが生じた場合などに、ステージ制御装置１６０では、前記一方のウエハステージと前記他方のウエハステージとが衝突しないように、両者の距離が所定距離以内となった段階で他方のウエハステージを緊急停止させることができる。
【０２９０】
なお、上記第２の実施形態では、本発明に係るステージ装置を二重露光法を用いてウエハの露光を行う装置に適用した場合について説明したが、同様の技術であるスティッチングにも適用でき、この場合には、一方のウエハステージ側で２枚のレチクルにて２回露光を行う間に、独立に可動できる他方のウエハステージ側でウエハ交換とウエハアライメントを並行して実施することにより、通常の露光装置によるスティッチングよりも高いスループットが得られる。
【０２９１】
しかしながら、本発明に係るステージ装置の適用範囲がこれに限定されるものではなく、一重露光法により露光する場合にも本発明は好適に適用できるものである。
【０２９２】
また、上記第２の実施形態では、アライメント動作及びウエハ交換動作と、露光動作とを並行処理する場合について述べたが、これに限らず、例えば、ベースラインチェック（ＢＣＨＫ）、ウエハ交換が行われる度に行うキャリブレーション等のシーケンスについても同様に露光動作と並行処理するようにしても良い。
【０２９３】
なお、上記各実施形態では露光用照明光として波長が１００ｎｍ以上の紫外光、具体的はＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光あるいはＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）などを用いる場合ついて説明したが、これに限らず、例えばｇ線、ｉ線などのＫｒＦエキシマレーザと同じ遠紫外域に属する遠紫外（ＤＵＶ）光などを用いることもできる。なお、ＹＡＧレーザの高調波などを用いても良い。
【０２９４】
さらに、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。なお、単一波長発振レーザとしては例えばイッテルビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。
【０２９５】
また、上記各実施形態の露光装置において、露光用照明光としては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことは勿論である。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを露光するために、ＳＯＲやプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行なわれている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置も本発明の適用範囲に含まれるものである。
【０２９６】
また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも本発明を適用することができる。例えば電子線露光装置として、例えばマスク上で互いに分離した２５０ｎｍ角程度の多数のサブフィールドに回路パターンを分解して形成し、マスク上で電子線を第１方向に順次シフトさせるとともに、第１方向と直交する第２方向にマスクを移動するのに同期して、分解パターンを縮小投影する電子光学系に対してウエハを相対移動し、ウエハ上で分解パターンの縮小像を繋ぎ合せて合成パターンを形成するマスク投影方式の露光装置を用いることができる。
【０２９７】
ところで、上記各実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置（スキャニング・ステッパ）に本発明が適用された場合について説明したが、例えばミラープロジェクション・アライナ、プロキシミティ方式の露光装置（例えばＸ線が照射される円弧状照明領域に対してマスクとウエハとを一体的に相対移動する走査型のＸ線露光装置）などにも本発明を適用できる。
【０２９８】
また、投影光学系は縮小系だけでなく等倍系、又は拡大系（例えば液晶ディスプレイ製造用露光装置など）を用いても良い。さらに、投影光学系は屈折系、反射系、及び反射屈折系のいずれであっても良い。なお、露光用照明光の波長によって光学素子（特に屈折素子）に使用可能な硝材やコーティング材の種類が制限され、かつ硝材毎にその製造可能な最大口径も異なるので、露光装置の仕様から決定される露光波長やその波長幅（スペクトル半値幅）、及び投影光学系のフィールドサイズや開口数などを考慮して、屈折系、反射系、及び反射屈折系のいずれかを選択することになる。
【０２９９】
―般に、露光波長が１９０ｎｍ程度以上であれば、硝材として合成石英と蛍石とを用いることができるので、反射系、及び反射屈折系は言うに及ばず、屈折系も比較的容易に採用することができる。また、波長が２００ｎｍ程度以下の真空紫外光では、その狭帯域化された波長幅によっては屈折系をも用いることができるが、特に波長が１９０ｎｍ程度以下では、硝材として蛍石以外に適当なものがなく、かつ波長の狭帯化も困難になることから、反射系、又は反射屈折系を採用するのが有利である。さらにＥＵＶ光では、複数枚（例えば３〜６枚程度）の反射素子のみからなる反射系が採用される。なお、電子線露光装置では電子レンズ及び偏向器からなる電子光学系が用いられる。また、真空紫外域の露光用照明光ではその減衰を低減する気体（例えば窒素、ヘリウムなどの不活性ガス）で光路を満たすか、あるいはその光路を真空とし、ＥＵＶ光、又は電子線ではその光路を真空とする。
【０３００】
さらに、本発明は、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、角型のガラスプレート上に液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、プラズマディスプレイや有機ＥＬなどの表示装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置、さらにはマスク又はレチクルの製造に用いられる露光装置などにも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、光露光装置（ＤＵＶ光やＶＵＶ光）などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、あるいは水晶などが用いられる。また、ＥＵＶ露光装置では反射型マスクが用いられ、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又はマスク投影方式の電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【０３０１】
また、本発明に係るステージ装置は前述した露光装置を始めとする、半導体素子などのマイクロデバイスの製造工程で使用されるリソグラフィ装置だけでなく、例えばレーザリペア装置、検査装置などにも適用できる。さらに、マイクロデバイスの製造工程で使用される各種装置以外であっても本発明を適用できる。
【０３０２】
《デバイス製造方法》
次に上述した各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【０３０３】
図１６には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されている。図１６に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【０３０４】
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立てステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０３０５】
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０３０６】
図１７には、半導体デバイスにおける、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図１７において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打ち込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０３０７】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０３０８】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０３０９】
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上記各実施形態の露光装置が用いられるので、高いスループットにて、レチクルのパターンをウエハＷ上の各ショット領域に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスの生産性（歩留まりを含む）を向上させることが可能になる。
【０３１０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の露光装置によれば、他の装置性能を損なうことなく、スループットの向上を図ることができるという優れた効果がある。
【０３１１】
また、本発明のステージ装置によれば、スループットの向上とともに、ステージの駆動系の使用電力を抑えることができるという効果がある。
【０３１２】
また、本発明のデバイス製造方法によれば、デバイスの生産性の向上を図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２（Ａ）は、投影光学系の有効フィールドに内接するウエハ上のスリット状の照明領域とショット領域Ｓとの関係を示す平面図、図２（Ｂ）は、ステージ移動時間とステージ速度との関係を示す線図である。
【図３】図１の主制御装置５０の処理アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図４】第１の実施形態の露光装置でウエハＷ上の複数のショット領域に対する露光を行う際の照明スリット中心の移動軌跡を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は、ショットＳ_１，Ｓ_２，Ｓ_３を順次露光する場合のウエハ上照明スリットＳＴの中心Ｐが各ショット上を通過する軌跡を示す図であり、図５（Ｂ）は、ステージ移動時間とステージ速度との関係を示す線図である。
【図６】図６（Ａ）は、第１モードの移動動作における、ウエハステージのジャーク曲線を示す図、図６（Ｂ）は第１モードの移動動作におけるウエハステージの加速度曲線を示す図、図６（Ｃ）は、第１モードの移動動作におけるウエハステージの速度曲線を示す図、図６（Ｄ）は、第１モードの移動動作におけるウエハステージＷＳＴの変位曲線を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は、従来の露光装置（従来装置）における、ウエハステージのジャーク曲線を示す図、図７（Ｂ）は従来装置におけるウエハステージの加速度曲線を示す図、図７（Ｃ）は、従来装置におけるウエハステージの速度曲線を示す図、図７（Ｄ）は、従来装置におけるウエハステージの変位曲線を示す図である。
【図８】図８（Ａ）は、第２モードの移動動作における、ウエハステージのジャーク曲線を示す図、図８（Ｂ）は第２モードの移動動作におけるウエハステージの加速度曲線を示す図、図８（Ｃ）は、第２モードの移動動作におけるウエハステージの速度曲線を示す図、図８（Ｄ）は、第２モードの移動動作におけるウエハステージＷＳＴの変位曲線を示す図である。
【図９】図９（Ａ）は、第１のスキャン加速制御方法における、ウエハステージの走査方向に関するジャーク曲線を示す図、図９（Ｂ）は、ウエハステージの走査方向に関する加速度曲線を示す図、図９（Ｃ）は、ウエハステージの走査方向に関する速度曲線を示す図、図９（Ｄ）は、ウエハステージの走査方向に関する変位曲線を示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、第２のスキャン加速制御方法における、ウエハステージの走査方向に関するジャーク曲線を示す図、図１０（Ｂ）は、ウエハステージの走査方向に関する加速度曲線を示す図、図１０（Ｃ）は、ウエハステージの走査方向に関する速度曲線を示す図、図１０（Ｄ）は、ウエハステージの走査方向に関する変位曲線を示す図である。
【図１１】第２の実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。
【図１２】２つのウエハステージとレチクルステージと投影光学系とアライメント検出系の位置関係を示す斜視図である。
【図１３】図１１の装置における定盤近傍を示す概略平面図である。
【図１４】２つのウエハステージを使ってウエハ交換・アライメントシーケンスと露光シーケンスとが行われている状態を示す平面図である。
【図１５】図１４のウエハ交換・アライメントシーケンスと露光シーケンスとの切り換えを行った状態を示す図である。
【図１６】デバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図１７】図１６のステップ２０４の具体例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０…露光装置、３３…レチクルステージコントローラ（ステージ制御系の一部）、６６…同期制御系（ステージ制御系の一部）、７８…ウエハステージコントローラ（ステージ制御系の一部）、８０…同期制御系（ステージ制御系の一部）、１０１…ステージ装置、１１０…露光装置、１６０…ステージ制御装置（ステージ制御系）、１９０…主制御装置（制御装置）、Ｗ…ウエハ（物体）、Ｒ…レチクル（マスク）、ＷＳＴ…ウエハステージ（物体ステージ）、ＷＳＴ１、ＷＳＴ２…ウエハステージ（物体ステージ）、ＲＳＴ…レチクルステージ（マスクステージ）。

Claims

マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するステージ制御系と；
前記１つの区画領域に対する遅くとも露光終了後から、次の区画領域の露光のために、前記ステージ制御系によって前記両ステージの前記走査方向に関する減速が開始されるまでの期間に、少なくとも次の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を前記ステージ制御系に送る制御装置と；を備える露光装置。
前記制御装置は、前記１つの区画領域に対する露光を行っている時にも、前記設定情報を前記ステージ制御系に送ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
前記制御装置は、前記１つの区画領域に対する露光を行っている時から前記設定情報を送る場合には、次及びそれ以降の複数の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を送ることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、前記次の区画領域の露光前の前記両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するステージ制御系と；
前記物体上における前記走査方向に直交する非走査方向の任意の行内の最終区画領域の露光終了後、別の行の最初の区画領域の露光のため、前記ステージ制御系により前記両ステージの移動制御が行われる間に、前記次の行内の複数の区画領域の露光のために必要な制御パラメータの設定情報を前記ステージ制御系に送る制御装置と；を備える露光装置。
前記ステージ制御系は、前記次の行の区画領域毎における露光開始前の前記両ステージの前記同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するステージ制御系と；
前記物体上の前記複数の区画領域の全てを露光するために必要な制御パラメータの設定情報を、前記物体上の各区画領域の所定点との位置合わせに用いられる配列情報の検出動作の終了後、第１番目の区画領域の露光が開始されるまでの間に、前記ステージ制御系に送る制御装置と；を備える露光装置。
前記ステージ制御系は、前記物体上の区画領域毎に、露光前の前記両ステージの同期整定期間の前までに、前記設定情報に応じた両ステージの位置設定を終了することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
前記制御パラメータは、露光に先立って計測された前記区画領域の配列に関連したパラメータを含み、前記設定情報は、所定のステージ座標系に対する区画領域の配列誤差により生じる区画領域間の移動量の補正値を考慮した情報を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
前記区画領域の配列誤差は、前記物体の回転誤差、前記物体の移動を規定するステージ座標系の直交度誤差、前記物体のステージ座標系上におけるオフセット、前記物体の倍率誤差の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するとともに、前記物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、前記両ステージが前記走査方向に関して減速される際に、次の区画領域の露光のための前記両ステージの同期制御を開始するステージ制御系と；を備える露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するとともに、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間において前記両ステージを前記走査方向に関して減速後に加速する助走動作の際に、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを制御するステージ制御系と；を備える露光装置。
前記２極化された符号が反転したジャーク曲線は、異なる形状であることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、前記区画領域に対する露光終了後の前記減速開始前に前記両ステージが等速移動される後整定期間を、露光開始前の前記両ステージの同期整定期間より長く設定するとともに、区画領域に対する露光終了後のジャーク曲線のピークを露光開始前のジャーク曲線のピークよりも大きく設定することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
前記２極化された符号が反転したジャーク曲線は、同一形状であることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、前記非走査方向の異なる行の区画領域間における前記両ステージの前記走査方向に関する移動動作の際には、４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを制御することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
前記４極化されたジャーク曲線は、少なくとも２極が異なる形状であることを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、前記両ステージの前記走査方向に関する前記区画領域間の前記助走動作と並行して、少なくとも２極が異なる形状で合計で４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記物体ステージを前記非走査方向に関して移動させる区画領域間の移動動作を行うことを特徴とする請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージを制御するとともに、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間では、１つの区画領域に対する露光終了後に前記両ステージを前記走査方向に関して等速移動する後整定期間を前記露光終了後の減速開始前に確保し、異なる行間における移動の際には、１つの区画領域に対する露光終了の直後に前記両ステージの減速動作を開始するステージ制御系と：を備える露光装置。
前記ステージ制御系は、前記物体上の１つの区画領域に対する露光終了後に、次の区画領域の露光のため、前記両ステージが前記走査方向に関して減速後に加速される助走動作と前記物体ステージが前記走査方向に直交する非走査方向に関して移動する区画領域間の移動動作とが同時並行的に行われ、かつ前記物体ステージの前記非走査方向への移動動作が前記次の区画領域の露光前の前記両ステージの同期整定期間の前に終了するように、前記両ステージを制御することを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
マスクと物体とを所定の走査方向に同期移動して、前記物体上の複数の区画領域に前記マスクのパターンを順次転写する露光装置であって、
前記マスクを保持して少なくとも前記走査方向に移動可能なマスクステージと；
前記物体を保持して２次元平面内を移動可能な物体ステージと；
前記両ステージの移動を制御するステージ制御系と；を備え、
前記ステージ制御系は、前記走査方向に直交する非走査方向の同一行内の区画領域間においては、前記走査方向の移動動作と前記非走査方向の移動動作との同時並行的な移動動作を、１つの区画領域に対する露光終了後に前記両ステージを前記走査方向に関して等速移動する後整定期間の間に前記物体ステージに開始させる、ことを特徴とする露光装置。
前記ステージ制御系は、前記物体ステージに、前記同時並行的な移動動作を、次の区画領域に対する露光前の前記両ステージの同期整定期間の開始前まで実行させる、ことを特徴とする請求項２１に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、同期整定期間の開始前までに、前記非走査方向の移動動作を終了するように前記物体ステージを制御することを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
前記ステージ制御系は、前記物体ステージに、前記同時並行的な移動動作を、前記１つの区画領域に対する露光終了直後から開始させることを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。
物体を保持して２次元平面内を移動可能なステージと；
前記ステージが所定の第１軸方向に関して減速後に加速される第１軸方向移動動作と前記第１軸方向に直交する第２軸方向に関して移動する第２軸方向移動動作とが同時並行的に行われるように前記ステージを制御するとともに、前記第１軸方向移動動作に際して、２極化された符号が反転したジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記ステージを制御するステージ制御系と；を備えるステージ装置。
前記ステージ制御系は、前記第２軸方向移動動作に際しては、少なくとも２極が異なる形状で、合計で４極化されたジャーク曲線に従った指令値に基づいて前記ステージを制御することを特徴とする請求項２５に記載のステージ装置。
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。