JP6383177B2 - 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法 - Google Patents

露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6383177B2
JP6383177B2 JP2014099827A JP2014099827A JP6383177B2 JP 6383177 B2 JP6383177 B2 JP 6383177B2 JP 2014099827 A JP2014099827 A JP 2014099827A JP 2014099827 A JP2014099827 A JP 2014099827A JP 6383177 B2 JP6383177 B2 JP 6383177B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shot
exposure
stage
target trajectory
upper limit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014099827A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015216326A5 (ja
JP2015216326A (ja
Inventor
規和 馬場
規和 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014099827A priority Critical patent/JP6383177B2/ja
Priority to US14/703,967 priority patent/US9372409B2/en
Priority to KR1020150062880A priority patent/KR101818045B1/ko
Publication of JP2015216326A publication Critical patent/JP2015216326A/ja
Publication of JP2015216326A5 publication Critical patent/JP2015216326A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6383177B2 publication Critical patent/JP6383177B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

本発明は、露光装置の制御技術に関する。
半導体露光装置ではウエハを所望の位置に動かすためにＸＹステージが利用される。ＸＹステージが時間に沿ってどう動いていくかのデータを目標軌跡という。ある露光を終えてから次の露光を始めるまでのステージの目標軌跡は、以下に述べる３つの条件を満たす必要がある。
（１）露光を終えたときの速度と位置の初期条件、
（２）次の露光を始めるときの位置と速度の終了条件、
（３）ステージを駆動する加速度と速度が上限値を超えてはならないという制約条件。
さらに、目標軌跡は駆動時間をできるだけ短くし生産性を向上させることが求められる。従来の技術では、特許文献１のように、Ｘ方向の駆動とＹ方向の駆動のタイミングを合わせて初期条件と終了条件を満足させていた。また、特許文献２のように、露光中のスキャン速度を向上させることで駆動時間を短くしていた。さらに、特許文献３のように、重ね合わせ精度向上のための整定時間を短くすることで駆動時間を短くしていた。
特開２０１０−０８７４７０号公報 特開２０１０−１４７４６７号公報 特開２００５−１８３９６６号公報
上記したいずれの文献でも、露光と露光の間の目標軌跡の作成にあたり、初期条件と終了条件を満たすことと、速度と加速度が制約条件内に収まることを優先して目標軌跡を作成していた。そのため、駆動時間を最小化することは必ずしも保証できていない。したがって、スループット向上の余地が残されているといえる。
本発明は、上記課題に鑑み、ステージの駆動時間の短縮を図ることでスループットに関して有利な露光装置を提供することを目的とする。
本発明の一側面によれば、基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する駆動部と、前記ステージの目標軌跡を作成する作成部と、前記作成部により作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御部とを有し、前記作成部は、前記基板上の第１ショット及び該第１ショットの次に露光される第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値である第１上限値、前記ステージの加速度の上限値である第２上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含む制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行して、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成するように構成され、前記目標軌跡は、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの目標軌跡に基づいて前記ステージを駆動させたときの時間が許容値内になるように作成されることを特徴とする露光装置が提供される。
本発明によれば、ステージの駆動時間の短縮が図られ、スループットに関して有利な露光装置が提供される。
第１実施形態における露光装置の構成を示す図。 第１実施形態における目標軌跡作成処理のフローチャート。 目標軌跡の例を示す図。 実施形態１における目標軌跡の第１の例を示す図。 実施形態１における目標軌跡の第２の例を示す図。 実施形態１における目標軌跡の第３の例を示す図。 実施形態２における目標軌跡の第１の例を示す図。 実施形態２における目標軌跡の第２の例を示す図。 実施形態２におけるショット配置と初期条件及び終了条件を示す図。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
＜実施形態１＞
図１は、実施形態１における露光装置の構成を示す図である。露光装置は、露光対象を保持するＸＹステージ７を備える。Ｘ軸アクチュエータ５及びＹ軸アクチュエータ６はそれぞれ、ＸＹステージ７をＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する駆動部である。ショット配置入力部１は、露光ショットの配置及び露光順序の情報を入力する。上限値入力部２は、ＸＹステージ７の加速度の上限値及び速度の上限値の情報を入力する。ジャークプロファイル入力部３はジャークプロファイルの入力情報を受け取る。目標軌跡作成部４は、入力情報に基づき制約二次線形計画法を用いて、ＸＹステージ７が時間に沿ってどう動いていくかのデータすなわち目標軌跡を作成する。制御部８は、作成された目標軌跡に基づいて、Ｘ軸アクチュエータ５とＹ軸アクチュエータ６の駆動を制御する。ここで、ジャークとは、加速度を増減させる運動のことをいう。ジャークプロファイルとは、ジャークのとき加速度をどう変化させるかという情報である。
図２は、本実施形態における目標軌跡作成処理のフローチャートである。まず、ショット配置入力部１を介して、露光ショットの配置と移動順序、スキャン速度、露光エリアのサイズが設定される（Ｓ２０２）。次に、上限値入力部２を介して、加速度の最大値AMax、速度の最大値VMaxが設定される（Ｓ２０３）。次に、ジャークプロファイル入力部３を介して、ジャークプロファイルa(t)が設定される（Ｓ２０４）。
目標軌跡作成部４は、ステージ待機位置と待機速度を、初期条件(初位置xs、初速度vs)に設定する（Ｓ２０５）。目標軌跡作成部４は更に、次のショットの露光開始位置と露光速度を、終了条件(終位置xe、終速度ve)に設定する（Ｓ２０６）。目標軌跡作成部４はその後、(xs,vs)から(xe,ve)までを結んで露光終了時から次の露光開始時までのステージ駆動時間が許容値内になるように、目標軌跡を算出する（Ｓ２０７）。例えば、目標軌跡作成部４は、駆動時間が最小となるように目標軌跡を算出する。算出されたショット間の目標軌跡が、全体の目標軌跡に追加される（Ｓ２０８）。また、ショット露光の目標軌跡が、全体の目標軌跡に追加される（Ｓ２０９）。そして、ショット露光終了時の位置と速度を初期条件(xs,vs)にして（Ｓ２１１）、すべてのショットについて計算し終えるまで繰り返す（Ｓ２１０）。
次に、Ｓ２０７の目標軌跡の算出の方法について詳しく述べる。図３は、初期条件３０１から終了条件３０２までを結ぶ目標軌跡３０３の例を示す。本実施形態１において、ジャークプロファイルは、以下の式で与えられる。
Figure 0006383177
図４に、初期条件と終了条件が具体的に与えられたときの目標軌跡の例を示す。ここでは、露光と次の露光の間の目標軌跡が、等速運動で始まって等速運動で終わる例を示す。例えば、目標軌跡を、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度、と９区間に分割する。９区間に分割することにより、どのような初期条件と終了条件を与えられたときでも、実現可能な目標軌跡を求めることができる。
各区間の所要時間をt0,...,t8、各区間の開始時刻をs0,...,s8とする。また、各区間の開始時刻での速度をv0,...,v9、各区間の開始時刻での位置をx0,...,x9とする。
このとき、加速度a(t)は以下のように区間ごとに数式で記述できる。
Figure 0006383177
Figure 0006383177
速度は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
また、位置は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
式11から式28に各区間の終了時刻t=si+tiを代入し、siを消去することで、以下の関係式が得られる。
Figure 0006383177
また、以下の条件も満たす必要がある。
Figure 0006383177
さらに、ジャーク時間には下限tjがある。
Figure 0006383177
最小の駆動時間の目標軌跡を求めるという問題は、式29から式54を制約条件とし、以下の駆動時間
Figure 0006383177
 を目標関数として最小化する制約二次線形計画問題と定式化され、解くことができる。
上記の制約二次線形計画法における制約条件は、まとめると、以下のとおりである。
（１）目標軌跡が、露光終了時のステージの位置及び速度を同時に満たすこと。
（２）目標軌跡が、次の露光開始時のステージの位置と速度を同時に満たすこと。
（３）ステージの速度が、入力された速度の上限値を超えないこと。
（４）ステージの加速度が、入力された加速度の上限値を超えないこと。
（５）ジャークに要する時間が下限値を下回らないこと。
図５は、別の初期条件と終了条件が与えられたときの目標軌跡の例である。目標軌跡を、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度の５区間に分割している。初期条件と終了条件によっては、このような５区間では目標軌跡は実現不可能である。５区間の場合も前述の９区間と同様に、以下の式が成り立つ。加速度a(t)は以下のように区間ごとに数式で記述できる。
Figure 0006383177
速度は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
また、位置は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
式61から式70に各区間の終了時刻t=si+tiを代入し、siを消去することで、以下の関係式が得られる。
Figure 0006383177
また、以下の条件も満たす必要がある。
Figure 0006383177
さらに、ジャーク時間には下限tjがある。
Figure 0006383177
最小の駆動時間の目標軌跡を求めるという問題は、式71から式88を制約条件とし、以下の駆動時間
Figure 0006383177
 を目標関数として最小化する制約二次線形計画問題と定式化され、解くことができる。
図６は、更に別の初期条件と終了条件が与えられたときの目標軌跡の例である。目標軌跡を、等速度の１区間のみである。初期条件と終了条件によっては、このような目標軌跡は実現不可能である。この場合も前述の９区間や５区間と同様に、以下の式が成り立つ。加速度a(t)は以下のように区間ごとに数式で記述できる。
Figure 0006383177
速度は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
また、位置は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
式91と式92に各区間の終了時刻t=s0+t0を代入し、s0を消去することで、以下の関係式が得られる。
Figure 0006383177
また、以下の条件も満たす必要がある。
Figure 0006383177
最小の駆動時間の目標軌跡を求めるという問題は、式93から式100を制約条件とし、駆動時間
t0 (式101)
を目標関数として最小化する線形計画問題と定式化され、解くことができる。この場合は非常に単純なため、解を書き下ろすことができる。
Figure 0006383177
前述のように、初期条件と終了条件によっては解は実現不可能である。たとえば式102のt0が負の値になったとき、解は実現不能である。
以上の９区間、５区間、１区間の三つの目標軌跡のうち、実現可能で駆動時間が最小の目標軌跡が、求める目標軌跡である。
＜実施形態２＞
実施形態２では、別のジャークプロファイルが、以下の式で与えられる。
Figure 0006383177
図７は初期条件と終了条件が具体的に与えられたときの目標軌跡の例である。目標軌跡を、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度、と９区間に分割する。このとき、加速度a(t)は以下のように区間ごとに数式で記述できる。
Figure 0006383177
速度は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
また、位置は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
式113から式130に各区間の終了時刻t=si+tiを代入し、siを消去することで、以下の関係式が得られる。
Figure 0006383177
また、以下の条件も満たす必要がある。
Figure 0006383177
さらに、ジャーク時間には下限tjがある。
Figure 0006383177
最小の駆動時間の目標軌跡を求めるという問題は、式131から式156を制約条件とし、駆動時間
Figure 0006383177
 を目標関数として最小化する制約二次線形計画問題と定式化され、解くことができる。
図８は、別の初期条件と終了条件が与えられたときの目標軌跡の例である。目標軌跡を、等速度、ジャーク、等加速度、ジャーク、等速度、の５区間に分割している。初期条件と終了条件によっては、このような５区間では目標軌跡は実現不可能である。５区間の場合も前述の９区間と同様に、以下の式が成り立つ。
加速度a(t)は以下のように区間ごとに数式で記述できる。
Figure 0006383177
速度は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
また、位置は、
Figure 0006383177
 の関係から以下の数式で記述できる。
Figure 0006383177
式162から式171に各区間の終了時刻t=si+tiを代入し、siを消去することで、以下の関係式が得られる。
Figure 0006383177
また、以下の条件も満たす必要がある。
Figure 0006383177
さらに、ジャーク時間には下限tjがある。
Figure 0006383177
最小の駆動時間の目標軌跡を求めるという問題は、式172から式189を制約条件とし、駆動時間
Figure 0006383177
 を目標関数として最小化する制約二次線形計画問題と定式化され、解くことができる。次に、目標軌跡を等速度の１区間のみで実現できるかを計算するが、これは前述の実施例１の1区間の場合とまったく同じであるので省略する。以上の９区間、５区間、１区間の三つの目標軌跡のうち、実現可能で駆動時間が最小の目標軌跡が、求める目標軌跡である。
＜実施形態３＞
図９は、実施形態３の露光ショットの配置と初期条件と終了条件を示す図である。ここで、静止露光とステップ駆動を繰り返して、露光ショットａ→ｂ→ｃと動いていく。このような露光装置は一般にステッパと呼ばれる。この場合、露光と次の露光の間の目標軌跡は、静止で始まって静止で終わることになる。実施形態１にスキャン速度と露光エリアのサイズをゼロにするという特殊な条件を入力することにより、ステッパの目標軌跡を最適化できる。
＜他の実施形態＞
上述の露光装置において、制御部、目標軌跡作成部、ショット配置入力部、上限値入力部、ジャークプロファイル入力部の処理は、プロセッサにより実行されうる。露光装置は、プロセッサ及びプログラムを記憶したメモリを搭載した制御基板を１つあるいは複数有する構成としてもよい。
また、ショット配置入力部、上限値入力部、ジャークプロファイル入力部による入力に際して、キーボード等の入力装置、または、無線もしくは有線の通信装置を用いてもよい。
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
１：ショット配置入力部、２：上限値入力部、３：ジャークプロファイル入力部、４：目標軌跡作成部、５：Ｘ軸アクチュエータ、６：Ｙ軸アクチュエータ、７：ＸＹステージ

Claims (7)

  1. 基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持するステージと、
    前記ステージを駆動する駆動部と、
    前記ステージの目標軌跡を作成する作成部と、
    前記作成部により作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、
    を有し、
    前記作成部は、前記基板上の第１ショット及び該第１ショットの次に露光される第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値である第１上限値、前記ステージの加速度の上限値である第２上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含む制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行して、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成するように構成され、
    前記目標軌跡は、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの目標軌跡に基づいて前記ステージを駆動させたときの時間が許容値内になるように作成される
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記作成部は、前記ジャークにおける前記ステージの加速度の変化を示すジャークプロファイルに基づいて前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成する
    ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
  3. 前記制約条件は、
    （１）前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡が、前記第１ショットの露光終了時の前記ステージの位置及び速度を同時に満たすこと、
    （２）前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡が、前記第２ショットの露光開始時の前記ステージの位置と速度を同時に満たすこと、
    （３）前記ステージの速度が前記第１上限値を超えないこと、
    （４）前記ステージの加速度が前記第２上限値を超えないこと、
    （５）ジャークに要する時間が前記下限値を下回らないこと、
    とすることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
  4. 前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡が等速運動で始まって等速運動で終わることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
  5. 前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡が静止で始まって静止で終わることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
  6. 基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する駆動部とを有する露光装置における、前記ステージの駆動の制御方法であって、
    制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行することで、前記基板上の第１ショットの露光終了時から該第１ショットの次に露光される第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡を作成する工程と、
    前記工程で作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御工程と、
    を有し、
    前記制約条件は、前記第１ショット及び前記第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値、前記ステージの加速度の上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含み、
    前記目標軌跡を作成する工程では、作成した目標軌跡に基づいて前記ステージを駆動させたときの時間が許容値内になるように、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡を作成する
    ことを特徴とする露光装置の制御方法。
  7. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像する現像ステップとを有し、
    前記現像ステップで現像された前記基板を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP2014099827A 2014-05-13 2014-05-13 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP6383177B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014099827A JP6383177B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法
US14/703,967 US9372409B2 (en) 2014-05-13 2015-05-05 Exposure apparatus, control method thereof, and device fabrication method
KR1020150062880A KR101818045B1 (ko) 2014-05-13 2015-05-06 노광장치 및 그 제어방법, 및 디바이스의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014099827A JP6383177B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015216326A JP2015216326A (ja) 2015-12-03
JP2015216326A5 JP2015216326A5 (ja) 2017-06-08
JP6383177B2 true JP6383177B2 (ja) 2018-08-29

Family

ID=54538403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014099827A Expired - Fee Related JP6383177B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9372409B2 (ja)
JP (1) JP6383177B2 (ja)
KR (1) KR101818045B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6915094B2 (ja) 2017-05-23 2021-08-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． セットポイントジェネレータ、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置の操作方法、及びデバイス製造方法
CN108470231B (zh) * 2018-01-24 2021-07-16 天津大学 考虑储能系统量化特征的配电网分布式储能选址定容方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0659741A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Komatsu Ltd 軌道制御装置
JP3377153B2 (ja) * 1996-01-19 2003-02-17 キヤノン株式会社 Ｘｙステージの制御方法および装置
JPH10303126A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Nikon Corp 移動シーケンスの決定方法
JP2000286177A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Toshiba Corp ステージ制御方法および制御装置
WO2001054187A1 (fr) * 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches
JP2001230183A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Nikon Corp 走査露光装置、走査露光方法及びデバイス製造方法
US6760641B2 (en) * 2001-08-08 2004-07-06 Asml Holding N.V. Discrete time trajectory planner for lithography system
CN100581969C (zh) * 2001-12-10 2010-01-20 三菱电机株式会社 电梯控制装置
JP2004072076A (ja) * 2002-06-10 2004-03-04 Nikon Corp 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法
US7016019B2 (en) * 2003-12-16 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4953923B2 (ja) 2007-05-30 2012-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US8953141B2 (en) * 2007-12-21 2015-02-10 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method with asymmetric acceleration profile of substrate table to maintain meniscus of immersion liquid
JP5012657B2 (ja) * 2008-05-19 2012-08-29 三菱電機株式会社 運動指令生成装置
JP5607316B2 (ja) * 2008-09-05 2014-10-15 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
NL2003835A (en) * 2008-12-22 2010-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and control method.
JP2015201526A (ja) 2014-04-07 2015-11-12 キヤノン株式会社 プロファイル生成方法、露光装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101818045B1 (ko) 2018-01-12
US20150331327A1 (en) 2015-11-19
JP2015216326A (ja) 2015-12-03
KR20150130231A (ko) 2015-11-23
US9372409B2 (en) 2016-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090199148A1 (en) Pattern-producing method for semiconductor device
US10921793B2 (en) Substrate routing and throughput modeling
TWI709187B (zh) 用於晶圓與機台指派的系統、非暫態電腦可讀取媒體及方法
JP6383177B2 (ja) 露光装置及びその制御方法、並びにデバイスの製造方法
JP6003272B2 (ja) 露光方法および露光装置
JP2002318448A (ja) 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム
JP2009152370A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びにプログラム
CN111474825A (zh) 光刻机运动轨迹规划方法、装置、计算机设备和存储介质
CN109426083B (zh) 光刻工艺的优化方法及其优化系统和光刻方法
US20150261099A1 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
US20120058432A1 (en) Methods of forming semiconductor devices using photolithographic shot grouping
JP2006053216A (ja) 描画装置
JP2005294754A (ja) 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、電子ビーム描画プログラム及び直接描画方式を用いた半導体装置の製造方法
JP2009010202A (ja) 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2014222386A (ja) 移動体配置決定方法、測定装置、加工装置、およびプログラム
JP5261017B2 (ja) 位置合わせ装置、位置合わせ方法及び半導体装置の製造方法
KR102465542B1 (ko) 공정 스케줄링 장치
JP4522422B2 (ja) 露光装置
JP5142952B2 (ja) フォトマスクのパターン補正方法及び製造方法、半導体装置の製造方法、パターン補正装置、並びにプログラム
JP5630149B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010040678A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2017215456A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム、及び物品製造方法
US20110287345A1 (en) Electron beam drawing apparatus, electron beam drawing method, semiconductor device manufacturing mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing template manufacturing method
JP2007005369A (ja) 半導体製造装置及びその方法
JP2001273016A (ja) データ処理装置及びコンピュータ読取可能な記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170418

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180413

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180706

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180803

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6383177

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees