CN102081307B - 光刻机曝光剂量控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明的光刻机曝光剂量控制方法，包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强，测试过程中，操作简单、直观。

Description

光刻机曝光剂量控制方法

技术领域

本发明涉及光刻技术，尤其涉及一种光刻机曝光剂量控制方法。

背景技术

在光刻机剂量控制方法中，剂量控制算法主要是根据曝光剂量需求、激光器功率、扫描长度以及其它参数计算出相关剂量控制参数，比如扫描时间或扫描速度，有效狭缝脉冲数，激光器频率和可变衰减器透过率等，并最终选择合适的脉冲能量控制算法进行曝光。

如图1所示，步进扫描光刻机包括依次排列的激光器1、可变衰减器2、分光镜4、均光系统5、照明镜组6、掩模台7、投影物镜8和工件台9；，还包括一能量探测器3，所述能量探测器3与分光镜4连接。

图2所示为曝光场扫描曝光的示意图，图中，L1表示扫描长度Lscan，L2表示视场轮廓扫描向宽度Wbottom，L3表示曝光场宽度Lexposure，L4表示有效狭缝宽度Wslit，L5表示视场轮廓非扫描向宽度Lslit，该图清楚反映了与扫描有关的各量之间的尺寸关系。

介绍光刻技术中一些物理量和参数的定义：曝光剂量需求Dose_req定义为硅片曝光场上的光刻胶所需要的曝光能量密度；激光脉冲的有效能量Ep定义为当可变衰减器VA的透过率设置为100％时候，激光器出射的单脉冲经过曝光系统到达硅平面的能量；扫描长度Lscan定义为曝光场在扫描方向的长度和静态视场轮廓扫描方向的长度之和，如图2中L1表示扫描长度Lscan；有效狭缝宽度Wslit定义为扫描光刻机中，静态视场轮廓扫描方向两边半影50％光强中心位置的在扫描方向的距离，如图3所示为四极照明的静态视场轮廓，其有效狭缝宽度如图中标注；默认最大准备时间Tpreptime_max定义为相关硬件接受曝光指令后，调整到预备曝光所需要准备的时间中的最大值——包括激光器设置时间、可变衰减器的设置时间、工件台的准备时间等硬件中的最长准备时间；有效狭缝脉冲个数N定义为在扫描曝光时候，工件台运动了有效脉冲宽度的这段时间中，激光器出射脉冲到达硅平面的脉冲个数；扫描速度V指扫描曝光时候，工件台在扫描方向的平均运动速度；脉冲频率f指出曝光时候，激光器出射脉冲的频率；可变衰减器透过率VA是照明系统中存在的唯一一个可变衰减器，其透过率可调整，使得曝光中到达硅平面的脉冲能量产生变化，此定义该透过率为VA，VA有一定的调整范围，比如10％-90％，当VA＝100％表示可变衰减器不在光路中。

所述剂量控制参数主要有扫描时间或扫描速度、有效狭缝脉冲数、激光器频率和可变衰减器透过率，所述扫描时间或扫描速度通过控制掩模台7的运动来实现。为了降低成本，总是希望有效狭缝脉冲个数少、可变衰减器透过率高、扫描速度高，为了获得较佳的剂量精度或剂量系统性能，总是希望有效狭缝脉冲个数多，激光频率高，扫描速度低。现有技术中主要有两种光刻机剂量控制方法，分别如下：

第一种现有技术的光刻机剂量控制方法是，在保证相关剂量指标达到要求的条件下，采用剂量精度最佳算法计算剂量控制参数，使得剂量精度或剂量系统性能最佳。

第二种现有技术的光刻机剂量控制方法是，在保证相关剂量指标达到要求的条件下，采用客户成本最低算法计算剂量控制参数，使得客户运行成本最低。

现有技术的光刻机剂量控制方法的缺点是：

1、对于不同的光刻胶或工艺，需要采用不同的剂量控制算法，才能达到较好的光刻效果，而现有技术的光刻机剂量控制方法或者只采用剂量精度或剂量系统性能最佳算法，或者只采用客户成本最低算法，缺乏处于客户运行成本最低和剂量精度或剂量系统性能最佳中间状态的有效剂量控制算法，缺乏灵活性，无法适应不同光刻胶或工艺的要求。

2、在测试过程中需要直接输入的底层参数过多(如有效狭缝宽度内的脉冲个数、扫描速度、激光频率、可变衰减器透过率等)，操作烦琐易出错，只适合内部测试，生产过程中不宜直接使用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻机曝光剂量控制方法，综合考虑剂量系统性能和客户运行成本，采用不同剂量控制算法，以适应不同光刻胶或工艺的要求，灵活性强，而且测试过程需要输入的数据少，操作简单、直观。

为了达到上述的目的，本发明提供一种光刻机曝光剂量控制方法，包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，所述剂量系统性能偏好系数L_DA的取值范围为0≤L_DA≤1，所述客户成本偏好系数L_COO的取值范围为0≤L_COO≤1。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，若L_DA+L_COO不等于1，对所述剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO进行归一化处理，上述归一化处理为用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分别取代L_DA和L_COO。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，步骤1中，所述硬件参数包括激光脉冲的有效能量Ep、扫描长度Lscan、有效狭缝宽度Wslit以及默认最大准备时间Tpreptime_max，所述激光脉冲的有效能量Ep由光刻胶和工艺确定。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，步骤1中，步骤1中，所述剂量控制参数的约束条件包括：可变衰减器透过率VA的最大值VA_max、可变衰减器透过率VA的最小值VA_min，即VA_min≤VA≤VA_max，或者VA＝1；脉冲频率f的最大值f_max、脉冲频率f的最小值f_min，即f_min≤f≤f_max；扫描速度V的最大值V_max、扫描速度V的最小值V_min，即V_min≤V≤V_max；有效狭缝脉冲个数N的最大值N_max、有效狭缝脉冲个数N的最小值N_min，即N_min≤N≤N_max。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，所述步骤2中的偏好数学模型是综合考虑剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的算法，该算法根据输入的剂量系统性能偏好系数和客户成本偏好系数，分配权重调整有效狭缝脉冲个数，在剂量控制参数的约束条件下，设置脉冲频率或者扫描速度，利用脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率、有效狭缝脉冲个数、有效狭缝宽度、曝光剂量需求和激光脉冲的有效能量之间的关系计算出扫描速度或脉冲频率、可变衰减器透过率，并使脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率和有效狭缝脉冲个数均满足约束条件。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，所述步骤2中根据剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO分配权重调整有效狭缝脉冲个数N时，当L_COO趋近于0时，有效狭缝脉冲个数N趋近于N_max，当L_DA趋近于0时，有效狭缝脉冲个数N趋近于N_min。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，所述步骤2具体包括以下步骤：步骤2.1，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的参数进行分析，由于步骤1输入的剂量控制参数的约束条件中扫描速度V限制在一定范围内，即扫描速度V不是一个确定值，选择分段线形模型作剂量控制算法；步骤2.2，如果L_DA+L_COO不等于1，对L_DA和L_COO进行归一化，其中，归一化的方法为用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分别取代L_DA和L_COO，如果L_DA+L_COO＝1，直接执行步骤2.3；步骤2.3，比较剂量精度或剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的大小，若L_DA≥L_COO，执行步骤2.4，若L_DA＜L_COO，则执行步骤2.5；步骤2.4，令有效狭缝脉冲个数N和激光频率f分别为：

N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA    (1)

f＝f_max

再计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V

V＝f×Wslit/N    (2)

VA＝Dose_req/(E_p×N)(3)；

步骤2.5，令有效狭缝脉冲个数N和扫描速度V分别为

N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_COO    (4)

V＝V_max

再计算可变衰减器透过率VA和脉冲频率f

f＝N×V/Wslit    (5)

VA＝Dose_req/(E_p×N)(6)；

步骤2.6，判断计算出的剂量控制参数是否满足步骤1中输入的约束条件，若为是，执行步骤3，若为否，则执行步骤2.7；步骤2.7，对于L_DA≥L_COO的情形，调整脉冲频率f，按照公式(2)、公式(3)重新计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V，直至有效狭缝脉冲个数N、脉冲频率f、可变衰减器透过率VA和扫描速度V均满足约束条件；对于L_DA＜L_COO的情形，调整扫描速度V，按照公式(5)、公式(6)重新计算可变衰减器透过率VA和脉冲频率f，直至有效狭缝脉冲个数N、扫描速度V、可变衰减器透过率VA和脉冲频率f均满足约束条件。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，步骤1中，所述步骤2.4中采用公式公式N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA²或者N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L_DA)来计算有效狭缝脉冲个数N。

上述光刻机曝光剂量控制方法，其中，步骤1中，所述步骤2.5中采用公式N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_COO²或者N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L_COO)来计算有效狭缝脉冲个数N。

本发明光刻机曝光剂量控制方法的剂量控制算法采用综合考虑剂量精度或剂量系统性能偏好系数和客户成本偏好系数的偏好数学模型，根据不同的光刻胶或工艺，采用不同剂量控制算法，灵活性强；在测试过程中，只需输入曝光剂量需求、偏好系数和约束条件，直观、方便，而且不易出错。

附图说明

本发明的光刻机曝光剂量控制方法由以下的实施例及附图给出。

图1是现有技术中的步进扫描光刻机的结构示意图；

图2是现有技术中曝光场扫描曝光的示意图；

图3是四极照明的静态视场轮廓的示意图；

图4是本发明光刻机曝光剂量控制方法的流程图；

图5是本发明光刻机曝光剂量控制方法实施例一的流程图。

具体实施方式

以下将结合图4～图5对本发明的光刻机曝光剂量控制方法作进一步的详细描述。

参见图4，本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤：

步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数及剂量控制参数的约束条件；

所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req，其中，所述剂量系统性能偏好系数L_DA的取值范围为0≤L_DA≤1，所述客户成本偏好系数L_COO的取值范围为0≤L_COO≤1；

步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数及上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；

步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出上述剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。

现以一具体实施例详细说明本发明的光刻机曝光剂量控制方法。

参见图5，光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤：

步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统DC输入参数及剂量控制参数的约束条件；

所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req，其中，所述剂量系统性能偏好系数L_DA的取值范围为0≤L_DA≤1，所述客户成本偏好系数L_COO的取值范围为0≤L_COO≤1；

所述硬件参数包括激光脉冲的有效能量Ep、扫描长度Lscan、有效狭缝宽度Wslit以及默认最大准备时间Tpreptime_max；

所述激光脉冲的有效能量Ep在无可变衰减器时，即如下所述的VA＝1时，指Pupil Shape(照明设置)下多个脉冲静态曝光在硅平面的平均能量密度；

所述剂量控制参数包括可变衰减器透过率VA、脉冲频率f、扫描速度V、有效狭缝脉冲个数N；所述剂量控制参数的约束条件包括：(1)可变衰减器透过率VA的最大值VA_max、可变衰减器透过率VA的最小值VA_min，即VA_min≤VA≤VA_max，或者无可变衰减器，即VA＝1；(2)脉冲频率f的最大值f_max、脉冲频率f的最小值f_min，即f_min≤f≤f_max；(3)扫描速度V 的最大值V_max、扫描速度V 的最小值V_min，即V_min≤V≤V_max；(4)有效狭缝脉冲个数N的最大值N_max、有效狭缝脉冲个数N的最小值N_min，即N_min≤N≤N_max，所述有效狭缝脉冲个数N为间接可控因素，该有效狭缝脉冲个数N与脉冲频率f成正比，与可变衰减器透过率VA成反比，与扫描速度V成反比，即N＝Wslit*f/V＝Dose_req/(Ep*VA)；

步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统DC对步骤1输入的上述参数进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；

步骤2.1，光刻机的曝光剂量控制系统DC对步骤1输入的上述参数及上述剂量控制参数的约束条件进行分析，由于步骤1输入的剂量控制参数的约束条件中扫描速度V限制在一定范围内，即扫描速度V不是一个确定值，选择分段线形模型作剂量控制算法；

步骤2.2，若L_DA+L_COO不等于1，对L_DA和L_COO进行归一化，，其中，归一化的方法为用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分别取代L_DA和L_COO，然后执行步骤2.3，若L_DA+L_COO＝1，直接执行步骤2.3，

步骤2.3，比较剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的大小，若L_DA≥L_COO，执行步骤2.4，若L_DA＜L_COO，则执行步骤2.5；

步骤2.4，令有效狭缝脉冲个数N和激光频率f分别为：

N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA    (1)

f＝f_max

再计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V

V＝f×Wslit/N    (2)

VA＝Dose_req/(E_p×N)(3)；

步骤2.5，令有效狭缝脉冲个数N和扫描速度V分别为

N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_OO    (4)

V＝V_max

再计算可变衰减器透过率VA和激光频率f

f＝N×V/Wslit    (5)

VA＝Dose_req/(E_p×N)(6)；

步骤2.6，判断计算出的剂量控制参数是否满足步骤1中输入的剂量控制参数约束条件，若为是，执行步骤3若为否，则执行步骤2.7；

步骤2.7，对于L_DA≥L_COO的情形，调整脉冲频率f，例如令f＝90％*f_max，按照公式(2)、公式(3)重新计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V，直至脉冲频率f、可变衰减器透过率VA和扫描速度V均满足约束条件；

对于L_DA＜L_COO的情形，调整扫描速度V，例如令V＝95％*V_max，按照公式(5)、公式(6)重新计算可变衰减器透过率VA和脉冲频率f，直至有效狭缝脉冲个数N、扫描速度V、可变衰减器透过率VA和脉冲频率f均满足约束条件；

实施例一步骤2中，根据输入的剂量系统性能偏好系数和客户成本偏好系数，分配权重调整有效狭缝脉冲个数，在剂量控制参数的约束条件下，设置脉冲频率或者扫描速度，利用脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率、有效狭缝脉冲个数、有效狭缝宽度、曝光剂量需求和激光脉冲的有效能量之间的关系计算出扫描速度或脉冲频率、可变衰减器透过率，并使脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率和有效狭缝脉冲个数均满足约束条件；

其中，上述分配权重调整有效狭缝脉冲个数通过公式(1)、公式(4)实现，另外，公式(1)中的有效狭缝脉冲个数N也可以采用公式N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA²或者N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L_DA)来计算，公式(4)中的有效狭缝脉冲个数N也可以采用公式N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_COO²或者N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L_COO)来计算，上述分配权重调整有效狭缝脉冲个数采用的公式其特征在于当L_COO趋近于0时，有效狭缝脉冲个数N趋近于N_max，当L_DA趋近于0时，有效狭缝脉冲个数N趋近于N_min。

步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统DC输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光；

步骤3.1，光刻机的曝光剂量控制系统DC分别向光刻机的激光器、可变衰减器和有效狭缝输出对应的剂量控制参数，激光器、可变衰减器和有效狭缝根据光刻机的曝光剂量控制系统DC的要求作出相应调整；

步骤3.2，光刻机的曝光剂量控制系统DC根据步骤2得到的扫描速度V计算出扫描时间Tscan，Tscan＝Lscan/V，并向光刻机的同步控制系统SC输出扫描时间Tscan和默认最大准备时间Tpreptime_max，与光刻机的同步控制系统SC进行谈判，确认扫描参数(扫描速度V和扫描时间Tscan)；

所述谈判指同步控制系统SC检查扫描时间Tscan和扫描速度V，如果该扫描时间或扫描速度超过了允许范围(该范围可通过用户或系统的产率要求等进行计算)，则需要曝光剂量控制系统DC把扫描时间或扫描速度调整到允许的范围内，否则则直接确认扫描速度V和扫描时间Tscan；

步骤3.3，光刻机的同步控制系统SC根据步骤3.2确认的扫描参数调整光刻机的掩模台；

步骤3.4，上述各设备根据剂量控制参数的要求进行曝光操作。

由实施例一可以看出，当L_DA＝1，本发明的偏好剂量控制算法等效于现有技术中的剂量精度最佳算法，当L_COO＝1，本发明的偏好剂量控制算法等效于现有技术中的客户成本最优算法。当L_DA和L_COO都不为1，本发明的偏好剂量控制算法能够给出近似满足偏好系数所表示的偏好的剂量控制方法。

Claims (6)

1.一种光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；

所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；

所述硬件参数包括激光脉冲的有效能量Ep、扫描长度Lscan、有效狭缝宽度Wslit以及默认最大准备时间Tpreptime_max，所述激光脉冲的有效能量Ep由光刻胶和工艺确定；

所述剂量控制参数的约束条件包括可变衰减器透过率VA的最大值VA_max、可变衰减器透过率VA的最小值VA_min，即VA_min≤VA≤VA_max，或者VA＝1；脉冲频率f的最大值f_max、脉冲频率f的最小值f_min，即f_min≤f≤f_max；扫描速度V的最大值V_max、扫描速度V的最小值V_min，即V_min ≤V≤V_max；有效狭缝脉冲个数N的最大值N_max、有效狭缝脉冲个数N的最小值N_min，即N_min≤N≤N_max；

步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；

步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光；

所述步骤2中的偏好数学模型是综合考虑剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的算法，该算法根据输入的剂量系统性能偏好系数和客户成本偏好系数，分配权重调整有效狭缝脉冲个数，在剂量控制参数的约束条件下，设置脉冲频率或者扫描速度，利用脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率、有效狭缝脉冲个数、有效狭缝宽度、曝光剂量需求和激光脉冲的有效能量之间的关系计算出扫描速度或脉冲频率、可变衰减器透过率，并使脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率和有效狭缝脉冲个数均满足约束条件；

所述步骤2中根据剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO分配权重调整有效狭缝脉冲个数N时，当L_COO趋近于0时，有效狭 缝脉冲个数N趋近于N_max，当L_DA趋近于0时，有效狭缝脉中个数N趋近于N_min。

2.如权利要求1所述的光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，所述剂量系统性能偏好系数L_DA的取值范围为0≤L_DA≤1，所述客户成本偏好系数L_COO的取值范围为0≤L_COO≤1。

3.如权利要求2所述的光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，若L_DA+L_COO不等于1，对所述剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO进行归一化处理，上述归一化处理为用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分别取代L_DA和L_COO。

4.如权利要求1所述的光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，所述步骤2具体包括以下步骤：

步骤2.1，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的参数进行分析，由于步骤1输入的剂量控制参数的约束条件中扫描速度V限制在一定范围内，即扫描速度V不是一个确定值，选择分段线形模型作剂量控制算法；

步骤2.2，如果L_DA+L_COO不等于1，对L_DA和L_COO进行归一化，其中，归一化的方法为用L_DA/(L_DA+L_COO)和L_COO/(L_DA+L_COO)分别取代L_DA和L_COO，如果L_DA+L_COO＝1，直接执行步骤2.3，

步骤2.3，比较剂量精度或剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的大小，若L_DA≥L_COO，执行步骤2.4，若L_DA＜L_COO，则执行步骤2.5；

步骤2.4，令有效狭缝脉冲个数N和激光频率f分别为：

N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA    (1)

f＝f_max

再计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V

V＝f×Wslit/N          (2)

VA＝Dose_req/(E_p×N)   (3)；

步骤2.5，令有效狭缝脉冲个数N和扫描速度V分别为

N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_COO    (4)

V＝V_max

再计算可变衰减器透过率VA和脉冲频率f

f＝N×V/Wslit         (5)

VA＝Dose_req/(E_p×N)  (6)；

步骤2.6，判断计算出的剂量控制参数是否满足步骤1中输入的约束条件，若为是，执行步骤3，若为否，则执行步骤2.7；

步骤2.7，对于L_DA≥L_COO的情形，调整脉冲频率f，按照公式(2)、公式(3)重新计算可变衰减器透过率VA和扫描速度V，直至有效狭缝脉冲个数N、脉冲频率f、可变衰减器透过率VA和扫描速度V均满足约束条件；

对于L_DA＜L_COO的情形，调整扫描速度V，按照公式(5)、公式(6)重新计算可变衰减器透过率VA和脉冲频率f，直至有效狭缝脉冲个数N、扫描速度V、可变衰减器透过率VA和脉冲频率f均满足约束条件。

5.如权利要求4所述的光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，所述步骤2.4中采用公式N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*L_DA²或者N＝Nmin+(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L__DA)来计算有效狭缝脉冲个数N。

6.如权利要求5所述的光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，所述步骤2.5中采用公式N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*L_COO²或者N＝Nmax-(Nmax-Nmin)*exp(1-1/L_COO)来计算有效狭缝脉冲个数N。 

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