JP2003152256A - 光源、該光源の発光制御方法、露光装置、並びにその保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体製造工場 - Google Patents
光源、該光源の発光制御方法、露光装置、並びにその保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体製造工場Info
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- JP2003152256A JP2003152256A JP2001347473A JP2001347473A JP2003152256A JP 2003152256 A JP2003152256 A JP 2003152256A JP 2001347473 A JP2001347473 A JP 2001347473A JP 2001347473 A JP2001347473 A JP 2001347473A JP 2003152256 A JP2003152256 A JP 2003152256A
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- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
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- G03B27/72—Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光源のスペクトル分布や中心波長の変動を低減
する。 【解決手段】ステップＳ１でエキシマレーザ制御部は、
レーザ内制御部に対して中心波長指令値、積算スペクト
ル分布指令値、露光パルス数を設定する。ステップＳ２
でレーザ内制御部はエキシマレーザ制御部から中心波長
指令値、積算スペクトル分布指令値、露光パルス数を受
け取り、発光指令を受け取ると実際の発光を実行する。
ステップＳ３でレーザ内制御部は上記発光実行後、波長
計により、パルス光の中心波長とスペクトル分布の計測
を行い、実際に計測された中心波長と中心波長指令値と
の間に誤差がある場合には、この誤差を最小にするよう
に狭帯域モジュールに駆動指令を出力し、次回発光時の
パルス光の中心波長が中心波長指令値と略一致するよう
に補正する。ステップＳ４では、スペクトル分布データ
を発光毎に積算する。
する。 【解決手段】ステップＳ１でエキシマレーザ制御部は、
レーザ内制御部に対して中心波長指令値、積算スペクト
ル分布指令値、露光パルス数を設定する。ステップＳ２
でレーザ内制御部はエキシマレーザ制御部から中心波長
指令値、積算スペクトル分布指令値、露光パルス数を受
け取り、発光指令を受け取ると実際の発光を実行する。
ステップＳ３でレーザ内制御部は上記発光実行後、波長
計により、パルス光の中心波長とスペクトル分布の計測
を行い、実際に計測された中心波長と中心波長指令値と
の間に誤差がある場合には、この誤差を最小にするよう
に狭帯域モジュールに駆動指令を出力し、次回発光時の
パルス光の中心波長が中心波長指令値と略一致するよう
に補正する。ステップＳ４では、スペクトル分布データ
を発光毎に積算する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気
ヘッド等の検出素子、或いはＣＣＤ等の撮像素子などの
各種デバイスの製造に利用される半導体製造工程に供さ
れる露光装置や当該露光装置に用いられる光源に関し、
特に、光源の中心波長やスペクトル分布を安定化する技
術に関する。
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気
ヘッド等の検出素子、或いはＣＣＤ等の撮像素子などの
各種デバイスの製造に利用される半導体製造工程に供さ
れる露光装置や当該露光装置に用いられる光源に関し、
特に、光源の中心波長やスペクトル分布を安定化する技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程に供される露光装
置において、より微細なパターンを投影転写する微細加
工技術の進展が著しく、更なる解像力向上に向けて露光
波長の短波長化が図られている。
置において、より微細なパターンを投影転写する微細加
工技術の進展が著しく、更なる解像力向上に向けて露光
波長の短波長化が図られている。
【０００３】この露光波長の短波長化に伴って、露光光
源もガスレーザの一種であるKrFやArFのエキシマレーザ
ーに変移してきている。
源もガスレーザの一種であるKrFやArFのエキシマレーザ
ーに変移してきている。
【０００４】このエキシマレーザは狭帯域モジュールに
より特定波長のみを選択できるため、特定の非常に狭帯
域化されたパルス光の発光を発振現象により実現でき
る。上記特定波長はある程度変更可能である。
より特定波長のみを選択できるため、特定の非常に狭帯
域化されたパルス光の発光を発振現象により実現でき
る。上記特定波長はある程度変更可能である。
【０００５】この従来の露光装置では、エキシマレーザ
から発光されるパルス光によってレチクル上のパターン
を半導体ウエハ上に投影転写する。
から発光されるパルス光によってレチクル上のパターン
を半導体ウエハ上に投影転写する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記エキシマレーザは
ガスレーザであるため、定期的にガス交換を行う必要が
ある。このガス交換により、チャンバ２内部のガスの成
分比率が変動し、パルス光のスペクトル分布が図２
（ａ）のように変化する場合がある。
ガスレーザであるため、定期的にガス交換を行う必要が
ある。このガス交換により、チャンバ２内部のガスの成
分比率が変動し、パルス光のスペクトル分布が図２
（ａ）のように変化する場合がある。
【０００７】また、上記狭帯域モジュールの中にある光
学部品も経時変化によって特性が変化する場合があり、
上記スペクトル分布を変化させる要因となっている。
学部品も経時変化によって特性が変化する場合があり、
上記スペクトル分布を変化させる要因となっている。
【０００８】また、上記エキシマレーザ１は、前述のよ
うに、光の中心波長を一定に保持しようとする機能を有
しているが、エキシマレーザ１内部の各種要因により、
その中心波長は図２（ｂ）に示す如く微妙に変化してし
まう。
うに、光の中心波長を一定に保持しようとする機能を有
しているが、エキシマレーザ１内部の各種要因により、
その中心波長は図２（ｂ）に示す如く微妙に変化してし
まう。
【０００９】以上のように、露光装置に使用されるエキ
シマレーザは、各種要因によりスペクトル分布の形状や
中心波長が変化し、これらの変化が発生すると露光装置
のパターン転写性能に悪影響を及ぼす虞がある。
シマレーザは、各種要因によりスペクトル分布の形状や
中心波長が変化し、これらの変化が発生すると露光装置
のパターン転写性能に悪影響を及ぼす虞がある。
【００１０】具体的には、スペクトル分布の幅が変化し
た場合には、投影転写するパターンのコントラストが変
化してしまう。
た場合には、投影転写するパターンのコントラストが変
化してしまう。
【００１１】コントラストが変化した場合、転写される
パターンによってその影響度が異なるため、単に転写パ
ターンのコントラストが低下するだけでなく、転写パタ
ーンが変形してしまう。
パターンによってその影響度が異なるため、単に転写パ
ターンのコントラストが低下するだけでなく、転写パタ
ーンが変形してしまう。
【００１２】また、中心波長が変動すると、露光装置の
フォーカス位置が変化してしまい微細なパターンを転写
することが困難になる。
フォーカス位置が変化してしまい微細なパターンを転写
することが困難になる。
【００１３】本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その
目的は、光源のスペクトル分布や中心波長の変動を低減
できる光源、該光源の発光制御方法、露光装置、並びに
その保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体
製造工場を提供することである。
目的は、光源のスペクトル分布や中心波長の変動を低減
できる光源、該光源の発光制御方法、露光装置、並びに
その保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体
製造工場を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、目的
を達成するために、本発明の光源は、発光体と、該発光
体を発光制御する制御手段とを有する光源であって、前
記制御手段は、前記発光体による発光量の積算スペクト
ル分布に基づき、該スペクトル分布を略一定に保持する
ように前記発光体を発光制御する。
を達成するために、本発明の光源は、発光体と、該発光
体を発光制御する制御手段とを有する光源であって、前
記制御手段は、前記発光体による発光量の積算スペクト
ル分布に基づき、該スペクトル分布を略一定に保持する
ように前記発光体を発光制御する。
【００１５】また、好ましくは、前記制御手段は、前記
発光体を連続的に発光又はパルス発光させる。
発光体を連続的に発光又はパルス発光させる。
【００１６】また、好ましくは、前記発光体の発光毎又
は発光時間毎に中心波長及び／又はスペクトル分布を計
測する計測手段を更に備え、前記制御手段は、前記計測
手段による計測結果に基づいて、前記発光体による発光
量の積算スペクトル分布を略一定に保持するように該発
光体の中心波長及び/又はスペクトル分布を制御する。
は発光時間毎に中心波長及び／又はスペクトル分布を計
測する計測手段を更に備え、前記制御手段は、前記計測
手段による計測結果に基づいて、前記発光体による発光
量の積算スペクトル分布を略一定に保持するように該発
光体の中心波長及び/又はスペクトル分布を制御する。
【００１７】本発明の光源の発光制御方法は、発光体を
有し、該発光体を発光制御する光源の発光制御方法であ
って、前記発光体による発光量の積算スペクトル分布に
基づき、該スペクトル分布を略一定に保持するように前
記発光体を発光制御する。
有し、該発光体を発光制御する光源の発光制御方法であ
って、前記発光体による発光量の積算スペクトル分布に
基づき、該スペクトル分布を略一定に保持するように前
記発光体を発光制御する。
【００１８】また、好ましくは、前記発光体を連続的に
発光又はパルス発光させる。
発光又はパルス発光させる。
【００１９】また、好ましくは、前記発光体の発光毎に
中心波長及び／又はスペクトル分布を計測し、この計測
結果に基づいて、前記発光体による発光量の積算スペク
トル分布を略一定に保持するように該発光体の中心波長
及び/又はスペクトル分布を制御する。
中心波長及び／又はスペクトル分布を計測し、この計測
結果に基づいて、前記発光体による発光量の積算スペク
トル分布を略一定に保持するように該発光体の中心波長
及び/又はスペクトル分布を制御する。
【００２０】本発明の露光装置は、光源を発光させて原
版上のパターンを被露光物体上の表面に投影転写する露
光装置であって、前記光源による露光量の積算スペクト
ル分布に基づき、前記算出されたスペクトル分布を略一
定に保持するように前記光源を発光制御する制御手段を
具備する。
版上のパターンを被露光物体上の表面に投影転写する露
光装置であって、前記光源による露光量の積算スペクト
ル分布に基づき、前記算出されたスペクトル分布を略一
定に保持するように前記光源を発光制御する制御手段を
具備する。
【００２１】また、好ましくは、前記光源は、連続的に
発光又はパルス発光させる。
発光又はパルス発光させる。
【００２２】また、好ましくは、前記光源の単位時間発
光毎若しくはパルス発光毎に、中心波長及び／又はスペ
クトル分布を計測する計測手段を更に備え、前記制御手
段は、前記単位時間発光毎若しくはパルス発光毎に、中
心波長及び/又はスペクトル分布を制御して、前記光源
の露光量の積算スペクトル分布を略一定に保持するよう
に前記光源を発光制御する。
光毎若しくはパルス発光毎に、中心波長及び／又はスペ
クトル分布を計測する計測手段を更に備え、前記制御手
段は、前記単位時間発光毎若しくはパルス発光毎に、中
心波長及び/又はスペクトル分布を制御して、前記光源
の露光量の積算スペクトル分布を略一定に保持するよう
に前記光源を発光制御する。
【００２３】また、好ましくは、前記原版と被露光物体
とを投影光学系に対して相対的に走査することでパター
ンを転写する。
とを投影光学系に対して相対的に走査することでパター
ンを転写する。
【００２４】また、好ましくは、前記光源はエキシマレ
ーザである。
ーザである。
【００２５】本発明の半導体デバイス製造方法は、上記
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
する。
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
する。
【００２６】また、好ましくは、前記製造装置群をロー
カルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカ
ルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネ
ットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台
に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する。
カルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカ
ルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネ
ットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台
に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する。
【００２７】また、好ましくは、前記露光装置のベンダ
若しくはユーザが提供するデータベースに前記外部ネッ
トワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記
製造装置の保守情報を得る、若しくは前記半導体製造工
場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワー
クを介してデータ通信して生産管理を行う。
若しくはユーザが提供するデータベースに前記外部ネッ
トワークを介してアクセスしてデータ通信によって前記
製造装置の保守情報を得る、若しくは前記半導体製造工
場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワー
クを介してデータ通信して生産管理を行う。
【００２８】本発明の半導体製造工場は、上記露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にする。
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にする。
【００２９】本発明の露光装置の保守方法は、半導体製
造工場に設置された上記露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有する。
造工場に設置された上記露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有する。
【００３０】また、上記露光装置において、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、
露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介し
てデータ通信することを可能にする。
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、
露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介し
てデータ通信することを可能にする。
【００３１】また、好ましくは、前記ネットワーク用ソ
フトウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネ
ットワークに接続され前記露光装置のベンダ若しくはユ
ーザが提供する保守データベースにアクセスするための
ユーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、
前記外部ネットワークを介して該データベースから情報
を得ることを可能にする。
フトウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネ
ットワークに接続され前記露光装置のベンダ若しくはユ
ーザが提供する保守データベースにアクセスするための
ユーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、
前記外部ネットワークを介して該データベースから情報
を得ることを可能にする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る実施の形態
について、添付図面を参照して詳細に説明する。
について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３３】尚、以下に説明する実施の形態は、本発明
の実現手段としての一例であり、本発明は、その趣旨を
逸脱しない範囲で下記実施形態を修正又は変形したもの
に適用可能である。
の実現手段としての一例であり、本発明は、その趣旨を
逸脱しない範囲で下記実施形態を修正又は変形したもの
に適用可能である。
【００３４】図１は本発明の代表的な実施形態であるス
テップ＆リピート方式の露光装置を示し、１はパルス発
光光源であるエキシマレーザ、２はエキシマレーザ１の
内部にあるエキシマガスを封入するためのチャンバ、３
はパルス光の波長を選択して狭帯域化するための狭帯域
モジュール、４はパルス光の中心波長若しくはスペクト
ル分布を計測するための波長計、５はパルス発光毎に波
長計４によりパルス光の中心波長を読み込んで、次のパ
ルス光の中心波長が中心波長指令値になるように、狭帯
域モジュール３に駆動制御指令を出力するレーザ内制御
部、６はエキシマレーザ１より出力されるエキシマレー
ザ光を夫々示している。
テップ＆リピート方式の露光装置を示し、１はパルス発
光光源であるエキシマレーザ、２はエキシマレーザ１の
内部にあるエキシマガスを封入するためのチャンバ、３
はパルス光の波長を選択して狭帯域化するための狭帯域
モジュール、４はパルス光の中心波長若しくはスペクト
ル分布を計測するための波長計、５はパルス発光毎に波
長計４によりパルス光の中心波長を読み込んで、次のパ
ルス光の中心波長が中心波長指令値になるように、狭帯
域モジュール３に駆動制御指令を出力するレーザ内制御
部、６はエキシマレーザ１より出力されるエキシマレー
ザ光を夫々示している。
【００３５】このエキシマレーザ１は、上記狭帯域モジ
ュール３により特定波長のみを選択してチャンバ２に戻
せるため、特定の非常に狭帯域化されたパルス光の発光
を発振現象により実現でき、上記特定波長はある程度変
更可能である。
ュール３により特定波長のみを選択してチャンバ２に戻
せるため、特定の非常に狭帯域化されたパルス光の発光
を発振現象により実現でき、上記特定波長はある程度変
更可能である。
【００３６】また、１０は露光装置本体であり、１１は
エキシマレーザ１から発光されるパルス光を、レチクル
１２を照明するための略均一な照明光に変換するための
照明光学系、１２は半導体ウエハに投影転写するパター
ンの原版であるレチクル、１３はレチクル１２上のパタ
ーンを転写するための投影レンズ、１４は被露光物体で
ある半導体ウエハ、１５は半導体ウエハ１４を搭載して
ＸＹＺ方向に移動可能なウエハステージ、１６はエキシ
マレーザ１に対してパルス発光毎のエネルギや発光タイ
ミングを指令するエキシマレーザ制御部である。
エキシマレーザ１から発光されるパルス光を、レチクル
１２を照明するための略均一な照明光に変換するための
照明光学系、１２は半導体ウエハに投影転写するパター
ンの原版であるレチクル、１３はレチクル１２上のパタ
ーンを転写するための投影レンズ、１４は被露光物体で
ある半導体ウエハ、１５は半導体ウエハ１４を搭載して
ＸＹＺ方向に移動可能なウエハステージ、１６はエキシ
マレーザ１に対してパルス発光毎のエネルギや発光タイ
ミングを指令するエキシマレーザ制御部である。
【００３７】この露光装置は、エキシマレーザ１から発
光されるパルス光によってレチクル１２上のパターンを
半導体ウエハ１４上に投影転写する。
光されるパルス光によってレチクル１２上のパターンを
半導体ウエハ１４上に投影転写する。
【００３８】上記露光装置において、レチクル１２及び
ウエハ１４の搬入後、レチクル１２とウエハ１４の位置
合わせを行い、その後、レチクル１２上のパターンをウ
エハ１４上に転写する露光工程に移行する。
ウエハ１４の搬入後、レチクル１２とウエハ１４の位置
合わせを行い、その後、レチクル１２上のパターンをウ
エハ１４上に転写する露光工程に移行する。
【００３９】この露光工程において、露光装置１０及び
エキシマレーザ１は図４に示すフローチャートに従って
制御手段としてＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，入出力インタ
フェース，通信装置などを備えるコントローラにより発
光制御される。即ち、 ステップＳ１：エキシマレーザ制御部１６は、レーザ内
制御部５に対して中心波長指令値、積算スペクトル分布
指令値、露光パルス数を通信手段を介して設定した後、
発光指令を出力する。
エキシマレーザ１は図４に示すフローチャートに従って
制御手段としてＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，入出力インタ
フェース，通信装置などを備えるコントローラにより発
光制御される。即ち、 ステップＳ１：エキシマレーザ制御部１６は、レーザ内
制御部５に対して中心波長指令値、積算スペクトル分布
指令値、露光パルス数を通信手段を介して設定した後、
発光指令を出力する。
【００４０】ステップＳ２：レーザ内制御部５はエキシ
マレーザ制御部１６から中心波長指令値、積算スペクト
ル分布指令値、露光パルス数を受け取ると、狭帯域モジ
ュール３に駆動指令を出力し、実際の発光波長が中心波
長指令値と略一致すると期待される位置に内部の光学素
子（不図示）を設定し、その後、発光指令を受け取ると
実際の発光を実行する。
マレーザ制御部１６から中心波長指令値、積算スペクト
ル分布指令値、露光パルス数を受け取ると、狭帯域モジ
ュール３に駆動指令を出力し、実際の発光波長が中心波
長指令値と略一致すると期待される位置に内部の光学素
子（不図示）を設定し、その後、発光指令を受け取ると
実際の発光を実行する。
【００４１】ステップＳ３：レーザ内制御部５は上記発
光の実行後、波長計４によりパルス光の中心波長とスペ
クトル分布の計測を行い、実際に計測された中心波長と
中心波長指令値との間に誤差がある場合には、この誤差
を最小にするように狭帯域モジュール３に駆動指令を出
力し、次回発光時のパルス光の中心波長が中心波長指令
値と略一致するように補正する。また、パルス光の中心
波長とスペクトル分布のデータをレーザ内制御部５の内
部メモリ（不図示）に記憶させる。
光の実行後、波長計４によりパルス光の中心波長とスペ
クトル分布の計測を行い、実際に計測された中心波長と
中心波長指令値との間に誤差がある場合には、この誤差
を最小にするように狭帯域モジュール３に駆動指令を出
力し、次回発光時のパルス光の中心波長が中心波長指令
値と略一致するように補正する。また、パルス光の中心
波長とスペクトル分布のデータをレーザ内制御部５の内
部メモリ（不図示）に記憶させる。
【００４２】ステップＳ４：レーザ内制御部５は、エキ
シマレーザ制御部１６から次回の発光指令を受け取る
と、上記ステップＳ３と同じ動作を繰り返すが、スペク
トル分布データに関しては、発光毎に積算を実施し、積
算スペクトル分布の算出をパルス発光毎に行う。
シマレーザ制御部１６から次回の発光指令を受け取る
と、上記ステップＳ３と同じ動作を繰り返すが、スペク
トル分布データに関しては、発光毎に積算を実施し、積
算スペクトル分布の算出をパルス発光毎に行う。
【００４３】ステップＳ５，Ｓ６：レーザ内制御部５
は、露光パルス数の約半分のパルス数まで、上記ステッ
プＳ４の動作を繰り返し実行するが、その後、残りの露
光パルス数において積算スペクトル分布及びその中心波
長を、中心波長指令値及び積算スペクトル分布指令値と
一致させるために必要な残りの露光パルス夫々の中心波
長実行計画を作成する。この中心波長実行計画とは、目
標とする積算スペクトル分布指令値から現在までの積算
スペクトル分布を減算し、以後のパルス露光で実行すべ
き積算スペクトル分布を算出し、それを中心波長が夫々
独立な標準的な１パルスのスペクトル分布に分割するこ
とである。
は、露光パルス数の約半分のパルス数まで、上記ステッ
プＳ４の動作を繰り返し実行するが、その後、残りの露
光パルス数において積算スペクトル分布及びその中心波
長を、中心波長指令値及び積算スペクトル分布指令値と
一致させるために必要な残りの露光パルス夫々の中心波
長実行計画を作成する。この中心波長実行計画とは、目
標とする積算スペクトル分布指令値から現在までの積算
スペクトル分布を減算し、以後のパルス露光で実行すべ
き積算スペクトル分布を算出し、それを中心波長が夫々
独立な標準的な１パルスのスペクトル分布に分割するこ
とである。
【００４４】ステップＳ７，Ｓ８：レーザ内制御部５
は、上記ステップＳ５の制御に移行した後にも、各露光
パルス毎に、その中心波長実行計画を逐次更新し、最終
露光結果として、積算スペクトル分布及びその中心波長
を、中心波長指令値及び積算スペクトル分布指令値と略
一致させるように制御する。
は、上記ステップＳ５の制御に移行した後にも、各露光
パルス毎に、その中心波長実行計画を逐次更新し、最終
露光結果として、積算スペクトル分布及びその中心波長
を、中心波長指令値及び積算スペクトル分布指令値と略
一致させるように制御する。
【００４５】本実施形態の制御内容を、より具体的に図
３（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
３（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００４６】図３（ａ）において２０は標準的なスペク
トル分布の一例を、２１は目標とする積算スペクトル分
布を、２２は露光途中の積算スペクトル分布を夫々示し
ている。
トル分布の一例を、２１は目標とする積算スペクトル分
布を、２２は露光途中の積算スペクトル分布を夫々示し
ている。
【００４７】実際の露光工程においては、前記ステップ
Ｓ６で目標積算スペクトル２１から、露光途中の積算ス
ペクトル分布２２を減算し、図３（ｂ）に２３で示す以
後のパルス発光で実行すべき積算スペクトル分布を算出
する。
Ｓ６で目標積算スペクトル２１から、露光途中の積算ス
ペクトル分布２２を減算し、図３（ｂ）に２３で示す以
後のパルス発光で実行すべき積算スペクトル分布を算出
する。
【００４８】ここで、標準的なスペクトル分布、及びそ
の強度は予めわかっているので必要とされる積算スペク
トル分布２３を達成するための複数の中心波長指令値を
作成する。
の強度は予めわかっているので必要とされる積算スペク
トル分布２３を達成するための複数の中心波長指令値を
作成する。
【００４９】図３（ｂ）に２４で示す各スペクトル分布
は、上記複数の中心波長指令値に対応するスペクトル分
布を示したものである。
は、上記複数の中心波長指令値に対応するスペクトル分
布を示したものである。
【００５０】なお、上記ステップＳ６以降においては、
上記「複数の中心波長指令値」を作成して、この指令波
長により以後のパルス発光を実施することになるが、実
際のパルス発光においては、その中心波長及びスペクト
ル分布は変動する。
上記「複数の中心波長指令値」を作成して、この指令波
長により以後のパルス発光を実施することになるが、実
際のパルス発光においては、その中心波長及びスペクト
ル分布は変動する。
【００５１】このため、一度決定した中心波長実行計画
は、パルス発光毎に再作成をする必要がある。
は、パルス発光毎に再作成をする必要がある。
【００５２】
【変形例】本実施形態の変形例としては、以下の構成が
可能である。
可能である。
【００５３】上記実施形態の中心波長の制御を露光装
置側にて実施する。
置側にて実施する。
【００５４】露光光源として中心波長を制御可能な連
続発光光源を使用し、中心波長の制御を特定時間間隔若
しくは特定エネルギ積算量の実施毎に行う。
続発光光源を使用し、中心波長の制御を特定時間間隔若
しくは特定エネルギ積算量の実施毎に行う。
【００５５】演算時間の短縮化のために、パルス毎の
スペクトル積算を実行する代わりに、中心波長と半値幅
のみを計測し、中心波長指令値と半値幅指令値の算出を
行う。
スペクトル積算を実行する代わりに、中心波長と半値幅
のみを計測し、中心波長指令値と半値幅指令値の算出を
行う。
【００５６】積算スペクトル分布制御をスキャナタイ
プの露光装置に適用する。この場合、全ての半導体ウエ
ハ上の任意点に露光されるパルス数において積算スペク
トル分布形状が所定量になる様に、連続する所定パルス
数の最後の１パルスの中心波長を制御する。 ［半導体生産システムの実施形態］次に、上記露光装置
を利用した半導体等のデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の生産システムの例を説明する。これ
は、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対
応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等の
保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワー
ク等を利用して行うものである。
プの露光装置に適用する。この場合、全ての半導体ウエ
ハ上の任意点に露光されるパルス数において積算スペク
トル分布形状が所定量になる様に、連続する所定パルス
数の最後の１パルスの中心波長を制御する。 ［半導体生産システムの実施形態］次に、上記露光装置
を利用した半導体等のデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の生産システムの例を説明する。これ
は、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対
応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等の
保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワー
ク等を利用して行うものである。
【００５７】図５は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００５８】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であってもよいし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であってもよ
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等の保
守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１
０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信及び各
工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインターネットを利用する代わりに、第三者か
らのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネッ
トワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限ら
ずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上
に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのア
クセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であってもよいし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であってもよ
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等の保
守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１
０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信及び各
工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインターネットを利用する代わりに、第三者か
らのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネッ
トワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限ら
ずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上
に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのア
クセスを許可するようにしてもよい。
【００５９】さて、図６は、本実施形態の全体システム
を図５とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図６で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
を図５とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図６で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００６０】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、若しくはネットワークファイルサ
ーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェ
アは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０
１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、
発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０
７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示の毎くハイパーリンク機能４１０，
４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳
細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウ
ェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョン
のソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考
に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりするこ
とができる。ここで、保守データベースが提供する保守
情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、
また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するた
めの最新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、若しくはネットワークファイルサ
ーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェ
アは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０
１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、
発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０
７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示の毎くハイパーリンク機能４１０，
４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳
細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウ
ェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョン
のソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考
に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりするこ
とができる。ここで、保守データベースが提供する保守
情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、
また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するた
めの最新のソフトウェアも提供する。
【００６１】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００６２】図９は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００６３】上記実施形態によれば、プロセス要因でウ
エハ平面度の欠陥があった場合には、強制露光が可能で
あることから、エッチング時に、周辺に正常に露光され
たショットに及ぼす影響を最小限にすることができるた
め、ウエハの歩留まりが向上する。
エハ平面度の欠陥があった場合には、強制露光が可能で
あることから、エッチング時に、周辺に正常に露光され
たショットに及ぼす影響を最小限にすることができるた
め、ウエハの歩留まりが向上する。
【００６４】チャック要因でウエハ平面度の欠陥があっ
た場合には、フォーカス制御エラーが発生した場所をウ
エハ枚葉間で記憶する機能を具備しているので、上記効
果に加えてウエハチャックの汚染を速やかに発見するこ
とができる。
た場合には、フォーカス制御エラーが発生した場所をウ
エハ枚葉間で記憶する機能を具備しているので、上記効
果に加えてウエハチャックの汚染を速やかに発見するこ
とができる。
【００６５】また、床からの外乱等の影響でフォーカス
制御エラーが発生した場合は、スキャン露光の前であれ
ば露光を中止しリトライする機能を具備しているので、
露光不良ショットの率を低減することができ、歩留まり
が向上する。
制御エラーが発生した場合は、スキャン露光の前であれ
ば露光を中止しリトライする機能を具備しているので、
露光不良ショットの率を低減することができ、歩留まり
が向上する。
【００６６】さらに、上記リトライや強制露光の判断を
自動で行う機能を具備したことにより、オペレータの判
断待ちで装置が停止している時間を最小限にすることが
でき、装置の稼働率が向上する。
自動で行う機能を具備したことにより、オペレータの判
断待ちで装置が停止している時間を最小限にすることが
でき、装置の稼働率が向上する。
【００６７】
【他の実施形態】以上、実施形態例を詳述したが、本発
明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても
良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良
い。
明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても
良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良
い。
【００６８】なお、本発明は、前述した実施形態の機能
を実現するソフトウェアのプログラム（図４のフローチ
ャートに従った露光量制御手順）を、システム或いは装
置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装
置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読
み出して実行することによっても達成される場合を含
む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態
は、プログラムである必要はない。
を実現するソフトウェアのプログラム（図４のフローチ
ャートに従った露光量制御手順）を、システム或いは装
置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装
置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読
み出して実行することによっても達成される場合を含
む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態
は、プログラムである必要はない。
【００６９】従って、本発明の機能処理をコンピュータ
で実現するために、該コンピュータにインストールされ
るプログラムコード自体も本発明を実現するものであ
る。つまり、本発明のクレームでは、本発明の機能処理
を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれ
る。
で実現するために、該コンピュータにインストールされ
るプログラムコード自体も本発明を実現するものであ
る。つまり、本発明のクレームでは、本発明の機能処理
を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれ
る。
【００７０】その場合、プログラムの機能を有していれ
ば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行され
るプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プ
ログラムの形態を問わない。
ば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行され
るプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プ
ログラムの形態を問わない。
【００７１】プログラムを供給するための記録媒体とし
ては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハー
ドディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ
−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発
性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，
ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
ては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハー
ドディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ
−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発
性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，
ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【００７２】その他、プログラムの供給方法としては、
クライアントコンピュータのブラウザを用いてインター
ネットのホームページに接続し、該ホームページから本
発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮
され自動インストール機能を含むファイルをハードディ
スク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供
給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログ
ラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファ
イルを異なるホームページからダウンロードすることに
よっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理を
コンピュータで実現するためのプログラムファイルを複
数のユーザに対してダウンロードさせるＷＷＷサーバ
も、本発明のクレームに含まれるものである。
クライアントコンピュータのブラウザを用いてインター
ネットのホームページに接続し、該ホームページから本
発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮
され自動インストール機能を含むファイルをハードディ
スク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供
給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログ
ラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファ
イルを異なるホームページからダウンロードすることに
よっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理を
コンピュータで実現するためのプログラムファイルを複
数のユーザに対してダウンロードさせるＷＷＷサーバ
も、本発明のクレームに含まれるものである。
【００７３】また、本発明のプログラムを暗号化してＣ
Ｄ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所
定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを
介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロ
ードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化され
たプログラムを実行してコンピュータにインストールさ
せて実現することも可能である。
Ｄ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所
定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを
介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロ
ードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化され
たプログラムを実行してコンピュータにインストールさ
せて実現することも可能である。
【００７４】また、コンピュータが、読み出したプログ
ラムを実行することによって、前述した実施形態の機能
が実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コン
ピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一
部または全部を行ない、その処理によっても前述した実
施形態の機能が実現され得る。
ラムを実行することによって、前述した実施形態の機能
が実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コン
ピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一
部または全部を行ない、その処理によっても前述した実
施形態の機能が実現され得る。
【００７５】さらに、記録媒体から読み出されたプログ
ラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコ
ンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモ
リに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、
その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ
などが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理
によっても前述した実施形態の機能が実現される。
ラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコ
ンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモ
リに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、
その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ
などが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理
によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の露光装置若しくは光源に特別な構成物を追加する
ことなしに、積算スペクトル分布を常に一定に保つこと
が可能となり、露光転写性能を安定化させることが可能
となる。
従来の露光装置若しくは光源に特別な構成物を追加する
ことなしに、積算スペクトル分布を常に一定に保つこと
が可能となり、露光転写性能を安定化させることが可能
となる。
【図１】本発明に係る実施形態の露光装置を示す図であ
る。
る。
【図２】エキシマレーザのスペクトル分布を説明する図
である。
である。
【図３】本実施形態の積算スペクトル制御を説明する図
である。
である。
【図４】本実施形態の露光量制御手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。
【図６】本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。
【図７】本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る露光装置によるデバ
イスの製造プロセスの流れを説明するフローチャートで
ある。
イスの製造プロセスの流れを説明するフローチャートで
ある。
【図９】本発明の一実施形態に係る露光装置によるウエ
ハプロセスを説明する図である。
ハプロセスを説明する図である。
１ エキシマレーザ
２ チャンバ
３ 狭帯域モジュール
４ 波長計
５ レーザ内制御部
６ エキシマレーザ光
１０ 露光装置本体
１１ 照明光学系
１２ レチクル
１３ 投影レンズ
１４ ウエハ
１５ ステージ
１６ エキシマレーザ制御部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA10 BB02 CA13 GB00
LA10 LA12
5F046 BA03 CA04 DA01 DB01 DB14
DC01
5F072 AA06 HH02 JJ05 JJ13 KK30
RR05 YY09
Claims (18)
- 【請求項１】 発光体と、該発光体を発光制御する制御
手段とを有する光源であって、 前記制御手段は、前記発光体による発光量の積算スペク
トル分布に基づき、該スペクトル分布を略一定に保持す
るように前記発光体を発光制御することを特徴とする光
源。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記発光体を連続的に
発光又はパルス発光させることを特徴とする請求項１に
記載の光源。 - 【請求項３】 前記発光体の発光毎又は発光時間毎に中
心波長及び／又はスペクトル分布を計測する計測手段を
更に備え、 前記制御手段は、前記計測手段による計測結果に基づい
て、前記発光体による発光量の積算スペクトル分布を略
一定に保持するように該発光体の中心波長及び/又はス
ペクトル分布を制御することを特徴とする請求項１又は
２に記載の光源。 - 【請求項４】 発光体を有し、該発光体を発光制御する
光源の発光制御方法であって、 前記発光体による発光量の積算スペクトル分布に基づ
き、該スペクトル分布を略一定に保持するように前記発
光体を発光制御することを特徴とする光源の発光制御方
法。 - 【請求項５】 前記発光体を連続的に発光又はパルス発
光させることを特徴とする請求項４に記載の光源の発光
制御方法。 - 【請求項６】 前記発光体の発光毎に中心波長及び／又
はスペクトル分布を計測し、この計測結果に基づいて、
前記発光体による発光量の積算スペクトル分布を略一定
に保持するように該発光体の中心波長及び/又はスペク
トル分布を制御することを特徴とする請求項４又は５に
記載の光源の発光制御方法。 - 【請求項７】 光源を発光させて原版上のパターンを被
露光物体上の表面に投影転写する露光装置であって、 前記光源による露光量の積算スペクトル分布に基づき、
該スペクトル分布を略一定に保持するように前記光源を
発光制御する制御手段を具備することを特徴とする露光
装置。 - 【請求項８】 前記光源は、連続的に発光又はパルス発
光させることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記光源の単位時間発光毎若しくはパル
ス発光毎に、中心波長及び／又はスペクトル分布を計測
する計測手段を更に備え、 前記制御手段は、前記単位時間発光毎若しくはパルス発
光毎に、中心波長及び/又はスペクトル分布を制御し
て、前記光源の露光量の積算スペクトル分布を略一定に
保持するように前記光源を発光制御することを特徴とす
る請求項７又は８に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記原版と被露光物体とを投影光学系
に対して相対的に走査することでパターンを転写するこ
とを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の
露光装置。 - 【請求項１１】 前記光源はエキシマレーザであること
を特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の
露光装置。 - 【請求項１２】 請求項７に記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とす
る半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１３】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１２に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１４】 前記露光装置のベンダ若しくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１３
に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１５】 請求項７に記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信することを可能にするこ
とを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１６】 半導体製造工場に設置された請求項７
に記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダ若しくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方
法。 - 【請求項１７】 請求項７に記載の露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にすることを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１８】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項１７に記載の露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347473A JP4154144B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法 |
| US10/286,813 US6862079B2 (en) | 2001-11-13 | 2002-11-04 | Light source, light source generation control method, exposure apparatus and maintenance method therefor, and semiconductor device manufacturing method and semiconductor production facility |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347473A JP4154144B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152256A true JP2003152256A (ja) | 2003-05-23 |
| JP4154144B2 JP4154144B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=19160470
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001347473A Expired - Fee Related JP4154144B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法 |
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| JP (1) | JP4154144B2 (ja) |
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| CN111433674A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-07-17 | 西默有限公司 | 在单次光刻曝光通过过程中形成多个空间图像 |
| CN114167556A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-11 | 深圳市欧深特信息技术有限公司 | 多通道光模块的波长调节方法、光模块和存储介质 |
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| US9715180B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-07-25 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
| US10096967B2 (en) | 2016-12-07 | 2018-10-09 | Cymer, Llc | Wavelength control system for pulse-by-pulse wavelength target tracking in DUV light source |
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-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347473A patent/JP4154144B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-04 US US10/286,813 patent/US6862079B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| JP4154144B2 (ja) | 2008-09-24 |
| US20030090643A1 (en) | 2003-05-15 |
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