JP2001274079A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ジョブの切替えや特殊シーケンスの使用を必
要とすることなく、基板ごとに異なる条件で露光処理が
行えるようにする。 【解決手段】 一定のパラメータ群に基づき、複数の基
板に対して露光処理を行う露光装置において、前記パラ
メータ群のうちの所定のパラメータについては、各基板
（ウエハ番号１、２）に応じて異なる複数の値８１１、
８１２が設定されており、各基板に応じた設定値（露光
量１０００、１５００）を用いて各基板の露光処理を行
うことを特徴とする露光装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するための露
光装置およびデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造におけるフォトリソ
工程では、露光対象となるウエハ等の基板に感光材料と
なるフォトレジストを塗布するためのレジストコータ
と、露光する回路が描かれたレチクル等のマスクパター
ンを使用して露光処理を行う露光装置と、露光処理を行
ったウエハを現像するための現像装置が使用される。フ
ォトリソ工程は、これらの装置を用いて回路パターンを
所定の位置に形成することを目的とするが、この工程で
重要な事項の１つに、前工程で既に処理された基板上の
下地の状態や、現在の装置の状態等を加味して、これか
ら露光処理を行おうとするパターンが最適な条件で処理
されるように、露光プロセスの条件出しを行うことがあ
る。プロセスの条件の算出は、近年、形成する回路パタ
ーンがますます微細化していく中、生産性を落とさず
に、いかに早く行うかが重要である。

【０００３】従来、露光プロセスの条件出し等において
複数のウエハにわたってパラメータ設定を変えながら露
光処理を行いたい場合、変化させたい設定が変更された
ジョブを、連続して設定を変えたいウエハの枚数分用意
するようにしている。その理由は、露光処理に必要なパ
ラメータ群であるジョブが、１回の露光処理で行うパラ
メータ群という考えで用意されているものであり、同一
処理のある条件をウエハ毎に変えることができないとい
う点にある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、連続して条件を変えながら露光処理を行いたいウ
エハの枚数分ジョブを用意して露光処理を行う場合は、
ウエハの交換毎にジョブ切替えが当然必要となる。そう
すると、一部の露光パラメータが変更されるだけである
にもかかわらず、ジョブ切替えに伴うさまざまな初期化
処理等が必要となるため、そのオーバヘッド分だけ余分
に露光処理の時間がかかることになる。また特定の条件
出しにしか用いない使用頻度の低いジョブが複数必要と
なり、記憶領域の資源の無駄遣いにもなる。

【０００５】これに対し、専用の特殊シーケンスを用意
し、特定の決められた条件で、決まった露光処理を行う
機能を別途装置に用意するという方法も考えられる。し
かしそのような特殊なシーケンスは、当然その決められ
た処理以外に使用することはできない。したがって、し
ばらく使用していると、機能の変更や追加等が必要にな
り、新たな特殊シーケンスの用意を迫られる場合があ
る。

【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、露光装置およびデバイス製造方法において、ジョ
ブの切替えや特殊シーケンスの使用を必要とすることな
く、基板ごとに異なる条件で露光処理が行えるようにす
ることを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するた
め、本発明の第１の露光装置は、一定のパラメータ群に
基づき複数の基板に対して露光処理を行う露光装置にお
いて、前記パラメータ群のうち所定のパラメータについ
ては、各基板に応じて異なる複数の値が設定されてお
り、各基板に応じた設定値を用いて各基板の露光処理を
行うことを特徴とする。

【０００８】第２の露光装置は、第１の露光装置におい
て、前記所定のパラメータは露光条件に関するものであ
り、前記所定のパラメータの各基板に応じた設定値は、
各基板の露光処理の順番に応じて順次変化しているもの
であり、これにより、露光条件を各基板ごとに順次変化
させながら露光処理を行うことを特徴とする。

【０００９】そして第３の露光装置は、第１または第２
の露光装置において、前記所定のパラメータの各基板に
応じた設定値はコンピュータ・ネットワークを経て他の
装置から送信されてくるものであり、前記露光装置はこ
れを受信して用いることを特徴とする。

【００１０】また、本発明のデバイス製造方法は、一定
のパラメータ群に基づき、複数の基板に対して露光処理
を行う工程を備えたデバイス製造方法において、前記パ
ラメータ群のうちの所定のパラメータについて、各基板
に応じて異なる複数の値を設定する工程を備え、前記露
光処理を行う工程では、前記所定のパラメータについて
は各基板に対応する設定値を用いることを特徴とする。

【００１１】これら本発明の構成において、一定のパラ
メータ群で構成されるジョブ内の所定のパラメータ、例
えば露光プロセスパラメータについては、その属性とし
てウエハ番号を設けること等により、そのパラメータの
設定値として、基板の処理順位等に応じて異なる値が設
定される。そして、露光処理では、前記所定のパラメー
タについては各基板に対応する設定値が用いられる。ジ
ョブ内の他のパラメータについては、通常どおり、単一
の設定値が各基板について共通に用いられる。したがっ
て、複数の基板について露光処理を連続して行う際に
は、１ジョブによって、複数の基板に渡り、露光条件等
を変化させながら露光処理が行われる。その間、ジョブ
切替えがないため、ジョブ切替えに伴うオーバヘッド時
間が減り、露光処理時間が短縮する。また、ジョブ数が
減り、記憶媒体の資源が効率的に使用されることにな
る。

【００１２】

【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る半導体露光
装置の構成を示すブロック図である。同図において、１
０１は例えばＫｒＦやＡｒＦが封入され、パルス化され
たレーザ光を発するレーザ光源である。１０２はエキシ
マレーザ光源１０１が発するレーザ光を所望のビーム形
状に整形し、光束の配光特性を均一にして照射する照明
系であり、ビーム整形光学系、ハエの目レンズ等のオプ
ティカルインテグレータ、コリメータレンズ、ミラー等
により構成される。Ｍは照明系１０２の出射光路上に配
置され、集積回路パターンが形成されたマスクまたはレ
チクル、１０９はマスキングブレード、１０３は投影光
学系、Ｗはウエハであり、マスクＭに形成された集積回
路パターンのうちマスキングブレード１０９で決定され
たエリアが投影光学系１０３を介してウエハＷ上に投影
露光されるようになっている。

【００１３】１０４はミラー、１０５はセンサであり、
照明系１０２が照射する光束の一部をミラー１０４によ
って、センサ１０５の光電変換面に入射させている。１
０６はセンサ１０５に入射したパルス光の光量を積算す
る光量積算回路である。１０７はＣＰＵであり、エキシ
マレーザ１０１に対して、発光タイミング等の制御指示
を行う。また、マスキングブレード制御部１１０は、Ｃ
ＰＵ１０７からの位置指令等の制御指令に従ってマスキ
ングブレード１０９を移動し、指令値に合致した照明エ
リアが露光されるように制御する。

【００１４】１１１はコンソールユニットであり、本体
ＣＰＵ１０７に対して、この露光装置の動作に関する各
種ジョブのパラメータを与えるためのものである。すな
わちオペレータとの間で情報の授受を行うためのもので
ある。１１２はコンソールＣＰＵ、１１３はキーボー
ド、１１４はディスプレイ、１１５は各種ジョブのパラ
メータ等を記憶する外部メモリであり、これらによりコ
ンソールユニット１１１を構成している。

【００１５】図２は、この露光装置における各種制御ユ
ニットを示すブロック図である。同図において、２０１
は露光装置本体である。２１０は、図１中のコンソール
ＣＰＵ１１２、キーボード１１３、ディスプレイ１１
４、外部メモリ１１５等の画面やキーボードといった入
出力機能をもつコンソール制御部である。２１１は、コ
ンソール制御部２１０から露光処理に必要な各種パラメ
ータ群（ジョブ）を取得して解釈し、ステージ・フォー
カス制御ユニット２１２、レチクルチェンジャ制御ユニ
ット２１３、ウエハフィーダ制御ユニット２１４、およ
びＴＶアライメント制御ユニット２１５に対してより具
体的な動作命令を出すシステム制御ユニットである。各
制御ユニット２１２〜２１５はそれぞれ分担して、光源
２２１からの露光光の遮蔽および照射をシャッタ２２２
により制御し、マスキングブレード１０９により露光領
域を制御し、露光したいパターンが描かれたレチクルＭ
が載せられたレチクルステージ２２５によりレチクルＭ
の位置を制御し、そして基板であるウエハＷが載せられ
たウエハステージ２２８によりウエハＷの位置、像面お
よび傾きを制御する。

【００１６】システム制御ユニット２１１は、コンソー
ル制御ユニット２１０から取得したジョブと各種計測セ
ンサからの情報に基づき、具体的な露光ショット情報を
作成する。その露光ショット情報に基づいて、ショット
毎の露光処理を行う。コンソール制御ユニット２１０か
らの指示に従って、システム制御ユニット２１１が露光
処理等の制御を行っている最中に、エラー等が発生した
場合は、装置を安全な状態にして一時、処理を中断し、
その旨をコンソール制御ユニット２１０に通知すること
によって、しかるべき復旧処理を行う。また、コンソー
ル制御ユニット２１０からの指示で、システム制御ユニ
ット２１１は、露光処理等の処理を一時中断したり、継
続したりすることが可能である。

【００１７】コンソール制御ユニット２１０は、一般的
に、工場内のＬＡＮ（Local AreaNetwork）を構成する
ライン２３０に、直接もしくはＭＣ（Machine Control
ler）、ＢＣ（Block Controller）といった装置を介し
て接続されている。そして、ライン２３０上に存在する
工場内のオンライン制御システム２３１は、露光装置２
０１のコンソール制御ユニット２１０を操作したり、エ
ラー等の情報を取得したりすることが可能である。コン
ソール制御ユニット２１０は、露光処理を行う際、露光
処理に必要なパラメータ群すなわちジョブを用いて、シ
ステム制御ユニット２１１ヘ指示を行う。

【００１８】図３は、システム制御ユニット２１１が、
コンソール制御ユニット２１０からのジョブを受けて行
う露光処理を示すフローチャートである。露光処理を開
始すると、まずステップ３０１において、コンソール制
御ユニット２１０からジョブを読み込む。次にステップ
３０２において、露光基板であるウエハをステージ２２
８上に搬送するように、ウエハフィーダ制御ユニット２
１４に指示する。次にステップ３０３において、ジョブ
の露光条件に従い、全ショットの露光処理を行う。全シ
ョットの露光処理が終了したら、ステップ３０４におい
て、処理するウエハ枚数の判断を行う。すなわち未処理
のウエハが存在する場合はステップ３０２へ戻り、全て
のウエハ処理が終了していたら露光処理を終了する。ス
テップ３０２へ戻った場合は、次のウエハを搬送し、ス
テップ３０３の露光処理を行う。

【００１９】露光処理の例として、まず、図４に示すよ
うな露光ショットレイアウトの場合について説明する。
図４の露光ショットレイアウトに対応するジョブでは、
ショットレイアウトの行方向（カラム）にフォーカスオ
フセット、列方向（ロウ）に露光量を、それぞれ変化さ
せながら設定してある。このような設定により、５行×
１０列の全５０ショットについて、それぞれ異なった露
光量とフォーカスオフセット値を設定することができ
る。

【００２０】このようなジョブを作成する目的は、これ
を用いて実際に露光処理を行い、現像した結果、最も良
い結果が得られたショットの露光量とフォーカスオフセ
ット値を、その後の露光処理パラメータとして採用する
といった条件出し等を行うことにある。

【００２１】図５は、図４の露光処理を実現するジョブ
の具体例を示す。このジョブは、図５に示すように、複
数の露光パラメータで構成されている。露光パラメータ
はいくつかのパラメータ種別に分類され、例えば、パラ
メータ種別中のレイアウト情報５００には、レイアウト
のカラムや、ロウといったパラメータが存在する。同様
に、基本プロセス情報５１０には、露光量やフォーカス
オフセットといった、露光プロセスに関するパラメータ
が存在する。また、基本プロセス情報に付随する付加情
報となるパラメータとして、エキストラ・プロセス情報
５２０も存在する。

【００２２】レイアウト情報５００では、カラムパラメ
ータ５０１に値５が、ロウパラメータ５０２に値１０が
設定されている。これらのパラメータより、５行×１０
列から成る全５０ショットの、ショットレイアウトが作
成される。基本プロセス情報５１０では、露光量パラメ
ータ５１１に値１０００が、フォーカスオフセットパラ
メータ５１２に値０が設定されている。また、エキスト
ラプロセス情報５２０では、露光量増分パラメータ５２
１に値１００が、露光量増加方向パラメータ５２２にロ
ウ方向が、露光量増加始点パラメータ５２３に値１が設
定されている。同様に、フォーカスオフセット増分パラ
メータ５２４に値０．１が、フォーカスオフセット増加
方向パラメータ５２５にカラム方向が、フォーカスオフ
セット増加始点パラメータ５２６に値１が設定されてい
る。これらのパラメータより、露光量は、ロウが１の場
合を起点として、初期値が１０００で、ロウが増す毎に
１００づつ増加するように設定される。また、フォーカ
スオフセットは、カラムが１の場合を起点として、初期
値が０で、カラムが増す毎に０．１づつ増加するよう設
定される。

【００２３】しかし、実際にこのようなレイアウトを作
成する場合において、行や列が多いときには、露光処理
に使用する基板となるウエハのサイズや、露光するショ
ットのサイズ等の関係から、作成したいレイアウトが１
枚のウエハに収まらない場合がある。そのような場合
は、従来、作成したいレイアウトを、１枚のウエハに収
まるレイアウトに分割するようにしている。

【００２４】図６は、図４のショットレイアウトを分割
した具体例を示す。図６（ａ）中の６０１が、図４のシ
ョットレイアウトの上半分に等しく、同図（ｂ）中の６
０２が図４のショットレイアウトの下半分に等しい。こ
のような２つのレイアウトに分割することによって、そ
れぞれの分割したレイアウトが、１枚のウエハに収まる
ようにする。そして、実際に分割したレイアウトで露光
処理を行う場合には、従来、分割した２つのレイアウト
分、すなわち２つのジョブを作成することによって露光
処理を実現することが可能となる。

【００２５】図７は、図６の露光処理を実現する従来の
ジョブの具体例を示す。図７中の７０１が図６中のショ
ットレイアウト６０１の露光処理を実現するためのジョ
ブ１の内容であり、７０２が、ショットレイアウト６０
２の露光処理を実現するためのジョブ２である。ジョブ
１において、レイアウト情報のカラムパラメータに値５
が、ロウパラメータに値５が設定されている。基本プロ
セスの情報では、露光量パラメータには値１０００が、
フォーカスオフセットパラメータには値０が設定されて
いる。エキストラプロセス情報では、露光量増分パラメ
ータに値１００が、露光量増加方向パラメータにロウ方
向が、露光量増加始点パラメータに値１が設定されてい
る。また、フォーカスオフセット増分パラメータに値
０．１が、フォーカスオフセット増加方向パラメータに
カラム方向が、フォーカスオフセット増加始点パラメー
タに値１が設定されている。これらのパラメータより、
５行×５列から成る全２５ショットのショットレイアウ
トにおいて、露光量は、ロウが１の場合を起点として、
初期値が１０００で、ロウが増す毎に１００づつ増加
し、またフォーカスオフセットは、カラムが１の場合を
起点として、初期値が０で、カラムが増す毎に０．１づ
つ増加するよう設定される。

【００２６】図７のジョブ２において、レイアウト情報
のカラムパラメータに値５が、ロウパラメータに値５が
設定されている。基本プロセスの情報では、露光量パラ
メータには値１５００が、フォーカスオフセットパラメ
ータには値０が設定されている。エキストラプロセス情
報では、露光量増分パラメータに値１００が、露光量増
加方向パラメータにロウ方向が、露光量増加始点パラメ
ータに値１が設定されている。また、フォーカスオフセ
ット増分パラメータに値０．１が、フォーカスオフセッ
ト増加方向パラメータにカラム方向が、フォーカスオフ
セット増加始点パラメータに値１が設定されている。こ
れらのパラメータより、５行×５列から成る全２５ショ
ットのショットレイアウトにおいて、露光量は、ロウが
１の場合を起点として、初期値が１５００で、ロウが増
す毎に１００づつ増加し、また、フォーカスオフセット
は、カラムが１の場合を起点として、初期値が０で、カ
ラムが増す毎に０．１づつ増加するよう設定される。

【００２７】このように従来は、複数のジョブを作成す
ることによって、１枚のウエハではすべてのショットが
露光できないレイアウトにおける露光処理を実現してい
た。しかし、このような分割したレイアウトのジョブを
手作業で作成するのは、非常に手間と時間がかかる。さ
らに、このようなジョブはあまり汎用性がなく、１度使
用した以後は使用しない可能性が高く、時間と手間をか
けて作成するメリットがあまりない。また、ジョブの数
が多い分、そのジョブを保存しておくための記憶領域を
余計に消費する。さらに、実際に露光処理を行う際、図
３のステップ３０１におけるジョブの読込みのようなジ
ョブ切替えのためのオーバーヘッドが発生し、装置の稼
動率を下げてしまう。

【００２８】そこで、本実施例では、基準プロセス情報
におけるパラメータの値にウエハ枚数の属性を設け、１
つのジョブによって、複数のウエハ毎にプロセス情報の
設定が行えるようにしている。

【００２９】図８は、この基準プロセス情報のパラメー
タにウエハ枚数の属性を設けたジョブであって、図７の
ジョブ１およびジョブ２と等価のジョブの内容を示す。
図８において、レイアウト情報８００およびエキストラ
プロセス情報８２０は、図５のレイアウト情報５００、
エキストラプロセス情報５２０と同じである。図５のジ
ョブと異なるのは、基本プロセス情報８１０の各パラメ
ータの値を、ウエハ毎に設定できるようにしてある点に
ある。すなわち、ウエハ１枚目の露光量パラメータ８１
１の値として１０００が設定され、ウエハ２枚目の露光
パラメータ８１２の値として１５００が設定されてい
る。このようにウエハ毎に値が設定可能な点が従来と異
なる。

【００３０】図９は、図８のジョブを用いて、図２中の
システム制御ユニット２１１が行う露光処理を示すフロ
ーチャートである。露光処理を開始すると、まずステッ
プ９０１において、コンソール制御ユニット２１０から
ジョブを読み込む。次にステップ９０２において、露光
基板であるウエハをステージ２２８上に搬送するよう
に、ウエハフィーダ制御ユニット２１４に指示する。次
に、ステップ９０３において、今回処理を行うウエハが
何枚目であるかを判断してウエハ番号を決定し、基本プ
ロセス情報８１０の各パラメータにおける各ウエハ番号
に対応する値のうち、決定されたウエハ番号に対応する
値を取得する。なお、ウエハ番号は、１枚目のウエハは
１、２枚目は２としている。

【００３１】次に、ステップ９０４において、ステップ
９０３で取得した基本プロセス情報８１０の各パラメー
タの値と、レイアウト情報８００やエキストラプロセス
情報８２０の各パラメータの値とに基づいて全ショット
の露光処理を行う。そして、ステップ９０５において、
残りのウエハ枚数を判断し、処理待ちのウエハが存在す
る場合はステップ９０２に戻り、全てのウエハの処理が
完了している場合は露光処理を終了する。ステップ９０
２へ戻った場合は、次のウエハを搬送し、再度ステップ
９０３で基本パラメータの選択を行ない、ステップ９０
４で露光処理を行う。

【００３２】従来は、１つのジョブによって同時に処理
するウエハ毎に、ステップ９０４の露光処理におけるプ
ロセス条件を変更することは不可能であったが、本実施
例によれば、ステップ９０３において、ウエハ枚数に応
じて基本プロセス情報のパラメータ値を変更できるよう
にしたため、露光処理におけるプロセス条件をウエハ毎
に容易に変更することができる。

【００３３】なお、本実施例では、図２のシステム制御
ユニット２１１によってウエハ毎の基本プロセス情報に
おけるパラメータ値の選択を行っているが、この代わり
に、コンソール制御ユニット２１０が、ステップ９０３
において、ウエハの処理枚数に応じたパラメータ値を判
断し、その値をシステム制御ユニット２１１に通知する
ようにしてもよい。同様に、使用するジョブの管理を、
図２のオンライン制御システム２３１が行っているなど
の場合は、オンライン制御システム２３１が、ウエハの
処理枚数に応じた基本プロセス情報のパラメータ値の選
択を行い、この値を、コンソール制御ユニット２１０を
通じて、システム制御ユニット２１１に通知するように
してもよい。

【００３４】＜半導体生産システムの実施例＞次に、半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。

【００３５】図１０は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ
ー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製
造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例
えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エ
ッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜
装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検
査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを
結んでイントラネットを構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。

【００３６】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造
工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属する
工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の
製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構
築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的
には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０
６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブル
が発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に
通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができ
る。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデ
ータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信
には、インターネットで一般的に使用されている通信プ
ロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外
の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代
わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティ
の高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用する
こともできる。また、ホスト管理システムはベンダーが
提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して
外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該
データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。

【００３７】さて、図１１は本実施形態の全体システム
を図１０とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザ（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装
置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装
置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお
図１１では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネッ
トを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１
０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカ
ー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所
には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうための
ホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、こ
れらは上述したように保守データベースと外部ネットワ
ークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各
装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置の
ベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１とは、
外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは
専用線ネットワークによって接続されている。このシス
テムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれ
かにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止して
しまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインタ
ーネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な
対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。

【００３８】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１２に一例を示す様な画面のユーザインタフェー
スをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管
理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の
機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブ
ルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインターネットを介して保守データベースに送
信され、その結果の適切な保守情報が保守データベース
から返信されディスプレイ上に提示される。またウェブ
ブラウザが提供するユーザインターフェースはさらに図
示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実
現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセス
したり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリか
ら製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを
引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイ
ド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。

【００３９】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１３は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
ターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理
や装置保守のための情報がデータ通信される。

【００４０】図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、所
定のパラメータについては、各基板に応じて異なる複数
の値を設定し、各基板に応じた設定値を用いて各基板の
露光処理を行うようにしたため、１ジョブ内で複数の基
板にわたってプロセス条件が変化するジョブを容易に作
成し、これにより、基板ごとに異なる条件で露光処理を
行うことができる。すなわち、従来必要であった複数の
ジョブを１つにまとめることができる。したがって、ロ
ットの切替えやジョブの交換処理を省いて、露光処理に
要する時間を短縮することができる。さらに、特定の露
光目的に特化した特殊シーケンスを用意しなくても、通
常の露光シーケンスを用いて、条件出し等を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構
成を示すブロック図である。

【図２】 図１の露光装置における各種制御ユニットを
示すブロック図である。

【図３】 図２中のシステム制御ユニットが行う露光処
理を示すフローチャートである。

【図４】 露光ショットレイアウトの一例を示す図であ
る。

【図５】 図４の露光処理を実現するジョブの具体例を
示す図である。

【図６】 図４のショットレイアウトを分割したショッ
トレイアウトの具体例を示す図である。

【図７】 図６の露光処理を実現する従来のジョブの具
体例を示す図である。

【図８】 図６の露光処理を実現する本発明に従ったジ
ョブであって、基準プロセス情報のパラメータに対して
ウエハ枚数の属性を設けたものの具体例を示す図であ
る。

【図９】 図８のジョブを用いて図２中のシステム制御
ユニットが行う露光処理を示すフローチャートである。

【図１０】 半導体デバイスの生産システムをある角度
から見た概念図である。

【図１１】 半導体デバイスの生産システムを別の角度
から見た概念図である。

【図１２】 ユーザインターフェースの具体例である。

【図１３】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製
造方法を示すフローチャートである。

【図１４】 図１３中のウエハプロセスの詳細なフロー
チャートである。

【符号の説明】

１０１：レーザ光源、１０２：照明系、Ｍ：マスクまた
はレチクル、１０９：マスキングブレード、１０３：投
影光学系、Ｗ：ウエハ、１０４：ミラー、１０５：セン
サ、１０６：光量積算回路、１０７：ＣＰＵ、１１０：
マスキングブレード制御部、１１１：コンソールユニッ
ト、１１２：コンソールＣＰＵ、１１３：キーボード、
１１４：ディスプレイ、１１５：外部メモリ、２０１：
露光装置本体、２１０：コンソール制御部、２１１：シ
ステム制御ユニット、２１２：ステージ・フォーカス制
御ユニット、２１３：レチクルチェンジャ制御ユニッ
ト、２１４：ウエハフィーダ制御ユニット、２１５：Ｔ
Ｖアライメント制御ユニット、２２１：光源、２２２：
シャッタ、２２５：レチクルステージ、２２８：ウエハ
ステージ、２３０：ライン、２３１：オンライン制御シ
ステム、６０１，６０２：ショットレイアウト、８１
１：ウエハ番号１の露光量パラメータ、８１２：ウエハ
番号２の露光量パラメータ。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一定のパラメータ群に基づき、複数の基
   板に対して露光処理を行う露光装置において、前記パラ
   メータ群のうちの所定のパラメータについては、各基板
   に応じて異なる複数の値が設定されており、各基板に応
   じた設定値を用いて各基板の露光処理を行うことを特徴
   とする露光装置。
2. 【請求項２】 前記所定のパラメータは露光条件に関す
   るものであり、前記所定のパラメータの各基板に応じた
   設定値は、各基板の露光処理の順番に応じて順次変化し
   ているものであり、これにより、露光条件を各基板ごと
   に順次変化させながら露光処理を行うことを特徴とする
   請求項１に記載の露光装置。
3. 【請求項３】 前記所定のパラメータの各基板に応じた
   設定値はコンピュータ・ネットワークを経て他の装置か
   ら送信されてくるものであり、前記露光装置はこれを受
   信して用いることを特徴とする請求項１または２に記載
   の露光装置。
4. 【請求項４】 露光装置により、一定のパラメータ群に
   基づき、複数の基板に対して露光処理を行う工程を備え
   たデバイス製造方法において、前記パラメータ群のうち
   の所定のパラメータについて、各基板に応じて異なる複
   数の値を設定する工程を備え、前記露光処理を行う工程
   では、前記所定のパラメータについては各基板に対応す
   る設定値を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の露光装
   置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場
   に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセ
   スによって半導体デバイスを製造する工程とを有するこ
   とを特徴とする半導体デバイス製造方法。
6. 【請求項６】 前記製造装置群をローカルエリアネット
   ワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワ
   ークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
   で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
   ータ通信する工程とをさらに有する請求項１記載の方
   法。
7. 【請求項７】 前記露光装置のベンダーもしくはユーザ
   が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
   てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
   情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
   体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
   タ通信して生産管理を行う請求項６記載の方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の露光装
   置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群
   を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカル
   エリアネットワークから工場外の外部ネットワークにア
   クセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群
   の少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを
   可能にした半導体製造工場。
9. 【請求項９】 半導体製造工場に設置された請求項１〜
   ３のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、前
   記露光装置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工
   場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
   提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
   ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
   を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
   保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
   場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装
   置の保守方法。